表示素子
【課題】キャップに配置された平面部の連結領域において、反射された外光が外部に透過されることを防止する表示素子を提供する。
【解決手段】本発明の表示素子は、基板101と、基板上に配置されたアクティブ領域120と、基板上に配置されてアクティブ領域に電気接続された配線と、基板101に接着されてアクティブ領域120を覆うキャップ200と、キャップが基板に接着されるキャップ接着領域とアクティブ領域120との間の透過領域上に配置されたパターン層132とを含む。パターン層132によって透過領域を通過して有機発光素子内部に透過する外光を遮断する。
【解決手段】本発明の表示素子は、基板101と、基板上に配置されたアクティブ領域120と、基板上に配置されてアクティブ領域に電気接続された配線と、基板101に接着されてアクティブ領域120を覆うキャップ200と、キャップが基板に接着されるキャップ接着領域とアクティブ領域120との間の透過領域上に配置されたパターン層132とを含む。パターン層132によって透過領域を通過して有機発光素子内部に透過する外光を遮断する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示素子に関し、特に、キャップに配置された平面部の連結領域で反射される外光が外部に透過することを防止する表示素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示素子の一つである有機発光素子は、有機電界発光を利用する素子である。有機電界発光は、有機物（低分子または高分子）薄膜に陰極と陽極を介して注入された電子と正孔が再結合し、励起子を配置し、配置された励起子のエネルギーによって特定の波長の光が発生する現象である。
【０００３】
図１は、従来技術の有機発光素子の平面図であり、キャップが接着されていない状態の有機発光素子を図示する。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿って切断された有機発光素子の断面図である。
【０００４】
有機発光素子は、透明ガラス基板１、基板１上に配置されたアノード電極、アノード電極上に配置された有機発光層、有機発光層上に配置されたカソード電極を含むアクティブ領域２を含む。基板１上には、アクティブ領域２を外部と隔離するためのキャップ１０が接着されている。
【０００５】
アクティブ領域２内のアノード電極及びカソード電極は、アクティブ領域２の外側に延び、データライン１１及びスキャンライン１２とそれぞれ連結される。データライン１１とスキャンライン１２の終端は基板１の縁に配置され、これらの終端がパッド部５を形成する。
【０００６】
アクティブ領域２、データライン１１及びスキャンライン１２が配置された基板１上に、シール材６を用いてキャップ１０が接着される。キャップ接着領域４は、キャップ１０が接着される、基板１上のアクティブ領域２の外側領域として形成される。
【０００７】
図２は、キャップ接着領域４に接着される第１平面部１３、アクティブ領域２と対応する第２平面部１４、及び第１平面部１３と第２平面部１４を連結する連結部１５を含むキャップ１０を示す。
【０００８】
キャップ１０を有する有機発光素子で、外部光は、アクティブ領域２とキャップ接着領域４との間の基板１上の透過領域３を通過して有機発光素子内部に透過される。外部光は、キャップ１０の連結部１５に達した後、連結部１５の表面で反射される。その後、キャップ１０の連結部１５で反射された外光は、キャップ１０の連結部１５に対応する透過領域３を通過して外部に透過される。
このような外光の反射経路によってキャップ１０の連結部１５で反射された外光は、イメージが表示されるアクティブ領域２の外側領域上に白色帯状で表示される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、キャップ内面で反射された外光が基板上に表示されることを防止することにある。
また、本発明の目的は、外光がキャップ内面に達することを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の表示素子は、基板と、前記基板上に配置されたアクティブ領域と、前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、前記基板に接着され、前記アクティブ領域を覆うキャップと、及び前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域上に配置されたパターン層とを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の構成によれば、基板と、前記基板上に配置されたアクティブ領域と、前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、前記基板に接着されて前記アクティブ領域を覆うキャップと、前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域の少なくとも一部を覆うように配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置されたパターン層とを含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の他の構成によれば、基板と、前記基板上に配置されたアクティブ領域と、前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、前記基板に接着される第１平面部、該第１平面部と異なる平面で前記アクティブ領域と対応されるように配置する第２平面部、及び前記第１平面部と第２平面部を連結する連結部を含むキャップと、該キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域上に配置されたパターン層とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、基板上の透過領域にパターン層を配置することで、表示素子内に透過される外光またはキャップの連結部で反射された外光を遮断することができる。従って、本発明は、キャップの連結部で反射された外光が基板に反射されることを防止する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示素子を詳細に説明する。また、説明の便宜のために表示素子中の有機発光素子を例えて説明する。しかし、本発明は有機発光素子に限定されるものではない。
【００１５】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子のアクティブ領域に対する概略的な断面図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の平面図であり、キャップが接着されていない状態の有機発光素子を図示する。図５は、図４の線Ｂ−Ｂに沿って切断された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【００１６】
有機発光素子のアクティブ領域１２０は、図３に示されるように、ガラス基板１０１上に順に積層された、アノード電極１２１、有機発光層１２２及びカソード電極１２３を有する。また、積層順は逆順であってもよい。基板１０１上には、アクティブ領域１２０を外部と隔離するためのキャップ２００が接着されている。
【００１７】
アクティブ領域１２０内のアノード電極１２１及びカソード電極１２３は、アクティブ領域１２０外側に延び、データライン１５１及びスキャンライン１５３とそれぞれ連結される。データライン１５１とスキャンライン１５３の終端は、基板１０１の縁に配置され、これらの終端がパッド部１５５を形成する。
【００１８】
アクティブ領域１２０、データライン１５１及びスキャンライン１５３が配置された基板１０１上に、シール材１５６を用いてキャップ２００が接着される。キャップ接着領域１４０は、キャップ２００が接着される、基板１０１上のアクティブ領域１２０の外側領域として形成される。
【００１９】
図５は、キャップ接着領域１４０に接着される第１平面部２０１、アクティブ領域１２０と対応する第２平面部２０２、及び第１平面部２０１と第２平面部２０２を連結する連結部２０３を含むキャップ２００を図示する。
透過領域１３０は、アクティブ領域１２０とキャップ接着領域１４０と間の基板１０１上の領域として形成され、この領域は、キャップ２００の連結部２０３に対応する。
【００２０】
本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子は、透過領域１３０内で基板１０１上に位置するパターン層１３２を含む。パターン層１３２は、光の透過を遮断できる材料で形成することが可能である。
【００２１】
パターン層１３２は、透過領域１３０内で、スキャンライン１５３との間の領域、データライン１５１との間の領域またはスキャンライン１５３とデータライン１５１との間の領域に選択的に配列される。ここで、パターン層は、スキャンライン及び／又はデータラインと離隔するように配列される。
【００２２】
キャップ２００が接着された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子は、パターン層１３２によって透過領域１３０を通過して有機発光素子内部に透過する外光を遮断する。従って、キャップ２００の連結部２０３に外光が達するのを遮断する。
また、透過領域１３０のパターン層１３２間の隙間を通過して有機発光素子の内部に透過された外光が、キャップ２００の連結部２０３で反射される場合にも、パターン層１３２は、反射された外光が透過領域１３０を通過して外部に透過するのを遮断する。
【００２３】
図６（ａ）及び（ｂ）は、図４のＤ部分に対する拡大平面図で、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子のパターン層の配列形態を図示する平面図である。
図６（ａ）に示されるように、パターン層１３２ａは、キャップ接着領域１４０に直交する方向に配置されるか、図６（ｂ）に示されるように、パターン層１３２ｂは、キャップ接着領域１４０に対して所定角度で配置されていてもよい。
【００２４】
図７は、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
パターン層１３２をガラス基板１０１に容易に形成するために、パターン層１３２は、金属材料、例えば、モリブデンからなっていてもよい。
【００２５】
特に、パターン層１３２は、別途の工程で形成されるよりは、基板１０１にアノード電極１２１、カソード電極１２３、スキャンライン１５３、データライン１５１、スキャンライン１５３上の補助電極またはデータライン１５１上の補助電極が形成される工程で、同じ材料で共に形成されていてもよい。この場合、工程の追加無しにパターン層１３２を形成することができる。
【００２６】
その他に、パターン層１３２は、光透過を遮断する絶縁性材料で形成されていてもよい。この場合、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子は、相互間の電気的な短絡を防止するため、パターン層１３２をスキャンライン１５３間またはデータライン１５１間に精密に形成する工程を必要としない。
【００２７】
図８は、図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第２の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
本発明の第２の実施形態に係る有機発光素子では、透過領域３３０内でスキャンライン３５３間に（またはデータライン間に）選択的にパターン層３３２が配置され、絶縁膜３１０が、透過領域３３０内でパターン層３３２及びスキャンライン３５３（またはデータライン）を覆うように配置される。従って、絶縁膜３１０は、スキャンライン３５３とパターン層３３２との間に（またはデータラインとパターン層３３２との間に）充填され、パターン層３３２によってスキャンライン３５３（またはデータライン）が短絡するのを防止する。
【００２８】
図９は、図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第３の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
本発明の第３の実施形態に係る有機発光素子では、透過領域４３０内でスキャンライン４５３間に（またはデータライン間に）選択的にパターン層４３２が配置され、絶縁隔壁４１０が、スキャンライン４５３とパターン層４３２との間に（またはデータラインとパターン層４３２との間に）配置され、パターン層４３２によりスキャンライン４５３（またはデータライン）が短絡するのを防止する。
【００２９】
図１０は、図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第４の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
本発明の第４の実施形態に係る有機発光素子は、透過領域５３０内にスキャンライン５５３（またはデータライン）を覆うように配置された絶縁膜５１０と、絶縁膜５１０上に選択的に配置されたパターン層５３２とを含む。さらに、絶縁膜５１０は、スキャンライン５５３（またはデータライン）の一部のみを覆っていてもよい。
【００３０】
本発明の第４の実施形態に係る有機発光素子は、相互間の電気的な短絡を防止するため、パターン層５３２をスキャンライン５５３間に（またはデータライン間に）精密に形成する工程を必要としない。
【００３１】
上述した本発明は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明に対する通常の知識を有した当業者であれば、本発明の技術的思想の範囲内で様々な修正、変更、付加が可能である。従って、このような修正、変更及び付加は、本発明の特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来技術の有機発光素子の平面図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って切断された有機発光素子の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子のアクティブ領域に対する概略的な断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の平面図である。
【図５】図４の線Ｂ−Ｂに沿って切断された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【図６】(a)、(b)は、図４のＤ部分に対する拡大平面図で、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子のパターン層の各配列形態を示す平面図である。
【図７】図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【図８】図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第２の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【図９】図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第３の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【図１０】図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第４の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０１ 基板
１２０ アクティブ領域
１３０ 透過領域
１３２ パターン層
１４０ キャップ接着領域
１５１ データライン
１５３ スキャンライン
１５５ パッド部
２０１ 第１平面部
２０２ 第２平面部
２０３ 連結部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示素子に関し、特に、キャップに配置された平面部の連結領域で反射される外光が外部に透過することを防止する表示素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示素子の一つである有機発光素子は、有機電界発光を利用する素子である。有機電界発光は、有機物（低分子または高分子）薄膜に陰極と陽極を介して注入された電子と正孔が再結合し、励起子を配置し、配置された励起子のエネルギーによって特定の波長の光が発生する現象である。
【０００３】
図１は、従来技術の有機発光素子の平面図であり、キャップが接着されていない状態の有機発光素子を図示する。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿って切断された有機発光素子の断面図である。
【０００４】
有機発光素子は、透明ガラス基板１、基板１上に配置されたアノード電極、アノード電極上に配置された有機発光層、有機発光層上に配置されたカソード電極を含むアクティブ領域２を含む。基板１上には、アクティブ領域２を外部と隔離するためのキャップ１０が接着されている。
【０００５】
アクティブ領域２内のアノード電極及びカソード電極は、アクティブ領域２の外側に延び、データライン１１及びスキャンライン１２とそれぞれ連結される。データライン１１とスキャンライン１２の終端は基板１の縁に配置され、これらの終端がパッド部５を形成する。
【０００６】
アクティブ領域２、データライン１１及びスキャンライン１２が配置された基板１上に、シール材６を用いてキャップ１０が接着される。キャップ接着領域４は、キャップ１０が接着される、基板１上のアクティブ領域２の外側領域として形成される。
【０００７】
図２は、キャップ接着領域４に接着される第１平面部１３、アクティブ領域２と対応する第２平面部１４、及び第１平面部１３と第２平面部１４を連結する連結部１５を含むキャップ１０を示す。
【０００８】
キャップ１０を有する有機発光素子で、外部光は、アクティブ領域２とキャップ接着領域４との間の基板１上の透過領域３を通過して有機発光素子内部に透過される。外部光は、キャップ１０の連結部１５に達した後、連結部１５の表面で反射される。その後、キャップ１０の連結部１５で反射された外光は、キャップ１０の連結部１５に対応する透過領域３を通過して外部に透過される。
このような外光の反射経路によってキャップ１０の連結部１５で反射された外光は、イメージが表示されるアクティブ領域２の外側領域上に白色帯状で表示される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、キャップ内面で反射された外光が基板上に表示されることを防止することにある。
また、本発明の目的は、外光がキャップ内面に達することを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の表示素子は、基板と、前記基板上に配置されたアクティブ領域と、前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、前記基板に接着され、前記アクティブ領域を覆うキャップと、及び前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域上に配置されたパターン層とを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の構成によれば、基板と、前記基板上に配置されたアクティブ領域と、前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、前記基板に接着されて前記アクティブ領域を覆うキャップと、前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域の少なくとも一部を覆うように配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置されたパターン層とを含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の他の構成によれば、基板と、前記基板上に配置されたアクティブ領域と、前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、前記基板に接着される第１平面部、該第１平面部と異なる平面で前記アクティブ領域と対応されるように配置する第２平面部、及び前記第１平面部と第２平面部を連結する連結部を含むキャップと、該キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域上に配置されたパターン層とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、基板上の透過領域にパターン層を配置することで、表示素子内に透過される外光またはキャップの連結部で反射された外光を遮断することができる。従って、本発明は、キャップの連結部で反射された外光が基板に反射されることを防止する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示素子を詳細に説明する。また、説明の便宜のために表示素子中の有機発光素子を例えて説明する。しかし、本発明は有機発光素子に限定されるものではない。
【００１５】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子のアクティブ領域に対する概略的な断面図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の平面図であり、キャップが接着されていない状態の有機発光素子を図示する。図５は、図４の線Ｂ−Ｂに沿って切断された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【００１６】
有機発光素子のアクティブ領域１２０は、図３に示されるように、ガラス基板１０１上に順に積層された、アノード電極１２１、有機発光層１２２及びカソード電極１２３を有する。また、積層順は逆順であってもよい。基板１０１上には、アクティブ領域１２０を外部と隔離するためのキャップ２００が接着されている。
【００１７】
アクティブ領域１２０内のアノード電極１２１及びカソード電極１２３は、アクティブ領域１２０外側に延び、データライン１５１及びスキャンライン１５３とそれぞれ連結される。データライン１５１とスキャンライン１５３の終端は、基板１０１の縁に配置され、これらの終端がパッド部１５５を形成する。
【００１８】
アクティブ領域１２０、データライン１５１及びスキャンライン１５３が配置された基板１０１上に、シール材１５６を用いてキャップ２００が接着される。キャップ接着領域１４０は、キャップ２００が接着される、基板１０１上のアクティブ領域１２０の外側領域として形成される。
【００１９】
図５は、キャップ接着領域１４０に接着される第１平面部２０１、アクティブ領域１２０と対応する第２平面部２０２、及び第１平面部２０１と第２平面部２０２を連結する連結部２０３を含むキャップ２００を図示する。
透過領域１３０は、アクティブ領域１２０とキャップ接着領域１４０と間の基板１０１上の領域として形成され、この領域は、キャップ２００の連結部２０３に対応する。
【００２０】
本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子は、透過領域１３０内で基板１０１上に位置するパターン層１３２を含む。パターン層１３２は、光の透過を遮断できる材料で形成することが可能である。
【００２１】
パターン層１３２は、透過領域１３０内で、スキャンライン１５３との間の領域、データライン１５１との間の領域またはスキャンライン１５３とデータライン１５１との間の領域に選択的に配列される。ここで、パターン層は、スキャンライン及び／又はデータラインと離隔するように配列される。
【００２２】
キャップ２００が接着された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子は、パターン層１３２によって透過領域１３０を通過して有機発光素子内部に透過する外光を遮断する。従って、キャップ２００の連結部２０３に外光が達するのを遮断する。
また、透過領域１３０のパターン層１３２間の隙間を通過して有機発光素子の内部に透過された外光が、キャップ２００の連結部２０３で反射される場合にも、パターン層１３２は、反射された外光が透過領域１３０を通過して外部に透過するのを遮断する。
【００２３】
図６（ａ）及び（ｂ）は、図４のＤ部分に対する拡大平面図で、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子のパターン層の配列形態を図示する平面図である。
図６（ａ）に示されるように、パターン層１３２ａは、キャップ接着領域１４０に直交する方向に配置されるか、図６（ｂ）に示されるように、パターン層１３２ｂは、キャップ接着領域１４０に対して所定角度で配置されていてもよい。
【００２４】
図７は、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
パターン層１３２をガラス基板１０１に容易に形成するために、パターン層１３２は、金属材料、例えば、モリブデンからなっていてもよい。
【００２５】
特に、パターン層１３２は、別途の工程で形成されるよりは、基板１０１にアノード電極１２１、カソード電極１２３、スキャンライン１５３、データライン１５１、スキャンライン１５３上の補助電極またはデータライン１５１上の補助電極が形成される工程で、同じ材料で共に形成されていてもよい。この場合、工程の追加無しにパターン層１３２を形成することができる。
【００２６】
その他に、パターン層１３２は、光透過を遮断する絶縁性材料で形成されていてもよい。この場合、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子は、相互間の電気的な短絡を防止するため、パターン層１３２をスキャンライン１５３間またはデータライン１５１間に精密に形成する工程を必要としない。
【００２７】
図８は、図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第２の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
本発明の第２の実施形態に係る有機発光素子では、透過領域３３０内でスキャンライン３５３間に（またはデータライン間に）選択的にパターン層３３２が配置され、絶縁膜３１０が、透過領域３３０内でパターン層３３２及びスキャンライン３５３（またはデータライン）を覆うように配置される。従って、絶縁膜３１０は、スキャンライン３５３とパターン層３３２との間に（またはデータラインとパターン層３３２との間に）充填され、パターン層３３２によってスキャンライン３５３（またはデータライン）が短絡するのを防止する。
【００２８】
図９は、図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第３の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
本発明の第３の実施形態に係る有機発光素子では、透過領域４３０内でスキャンライン４５３間に（またはデータライン間に）選択的にパターン層４３２が配置され、絶縁隔壁４１０が、スキャンライン４５３とパターン層４３２との間に（またはデータラインとパターン層４３２との間に）配置され、パターン層４３２によりスキャンライン４５３（またはデータライン）が短絡するのを防止する。
【００２９】
図１０は、図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第４の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
本発明の第４の実施形態に係る有機発光素子は、透過領域５３０内にスキャンライン５５３（またはデータライン）を覆うように配置された絶縁膜５１０と、絶縁膜５１０上に選択的に配置されたパターン層５３２とを含む。さらに、絶縁膜５１０は、スキャンライン５５３（またはデータライン）の一部のみを覆っていてもよい。
【００３０】
本発明の第４の実施形態に係る有機発光素子は、相互間の電気的な短絡を防止するため、パターン層５３２をスキャンライン５５３間に（またはデータライン間に）精密に形成する工程を必要としない。
【００３１】
上述した本発明は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明に対する通常の知識を有した当業者であれば、本発明の技術的思想の範囲内で様々な修正、変更、付加が可能である。従って、このような修正、変更及び付加は、本発明の特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来技術の有機発光素子の平面図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って切断された有機発光素子の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子のアクティブ領域に対する概略的な断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の平面図である。
【図５】図４の線Ｂ−Ｂに沿って切断された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【図６】(a)、(b)は、図４のＤ部分に対する拡大平面図で、本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子のパターン層の各配列形態を示す平面図である。
【図７】図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第１の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【図８】図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第２の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【図９】図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第３の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【図１０】図７に対応する図面で、図４の線Ｃ−Ｃに沿って切断された本発明の第４の実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０１ 基板
１２０ アクティブ領域
１３０ 透過領域
１３２ パターン層
１４０ キャップ接着領域
１５１ データライン
１５３ スキャンライン
１５５ パッド部
２０１ 第１平面部
２０２ 第２平面部
２０３ 連結部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたアクティブ領域と、
前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、
前記基板に接着されて前記アクティブ領域を覆うキャップと、
前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域上に配置されたパターン層と、を含むことを特徴とする表示素子。
【請求項２】
前記パターン層は、前記配線と離隔されている金属層であることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項３】
前記表示素子は、前記パターン層上部に配置された絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示素子。
【請求項４】
前記表示素子は、前記パターン層と前記配線との間に配置された絶縁隔壁をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示素子。
【請求項５】
前記パターン層は、前記配線の材料からなることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項６】
前記表示素子は、前記パターン層上部に配置された絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示素子。
【請求項７】
前記表示素子は、前記パターン層と前記配線との間に配置された絶縁隔壁をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示素子。
【請求項８】
前記パターン層は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項９】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に直交する方向に位置するパターン層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項１０】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に対して所定角度で配置されるパターン層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項１１】
前記アクティブ領域は、前記基板上に配置されたアノード電極、該アノード電極上に配置された有機発光層、及び該有機発光層上に配置されたカソード電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に配置されたアクティブ領域と、
前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、
前記基板に接着され、前記アクティブ領域を覆うキャップと、
前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域の少なくとも一部を覆うように配置された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されたパターン層と、を含むことを特徴とする表示素子。
【請求項１３】
前記パターン層は、所定幅を有し、かつ前記キャップ接着領域の内側に配置されることを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１４】
前記パターン層は、金属層であることを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１５】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に直交する方向に位置するパターン層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１６】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に対して所定角度で配置されるパターン層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１７】
前記アクティブ領域は、前記基板上に配置されたアノード電極、該アノード電極上に配置された有機発光層、及び該有機発光層上に配置されたカソード電極を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に配置されたアクティブ領域と、
前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、
前記基板に接着される第１平面部、該第１平面部と異なる平面で前記アクティブ領域と対応するように配置する第２平面部、及び前記第１平面部と第２平面部を連結する連結部を含むキャップと、
前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域上に配置されたパターン層と、を含むことを特徴とする表示素子。
【請求項１９】
前記パターン層は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２０】
前記パターン層は、前記配線と離隔されている金属層であることを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２１】
前記パターン層は、前記連結部に対応する前記透過領域に配置されることを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２２】
前記パターン層は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項２１に記載の表示素子。
【請求項２３】
前記パターン層は、前記配線と離隔されている金属層であることを特徴とする請求項２２に記載の表示素子。
【請求項２４】
前記パターン層は、前記配線の材料からなることを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２５】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に直交する方向に位置するパターン層を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２６】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に対して所定角度で配置されるパターン層を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２７】
前記アクティブ領域は、前記基板上に配置されたアノード電極、該アノード電極上に配置された有機発光層、及び該有機発光層上に配置されたカソード電極を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたアクティブ領域と、
前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、
前記基板に接着されて前記アクティブ領域を覆うキャップと、
前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域上に配置されたパターン層と、を含むことを特徴とする表示素子。
【請求項２】
前記パターン層は、前記配線と離隔されている金属層であることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項３】
前記表示素子は、前記パターン層上部に配置された絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示素子。
【請求項４】
前記表示素子は、前記パターン層と前記配線との間に配置された絶縁隔壁をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示素子。
【請求項５】
前記パターン層は、前記配線の材料からなることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項６】
前記表示素子は、前記パターン層上部に配置された絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示素子。
【請求項７】
前記表示素子は、前記パターン層と前記配線との間に配置された絶縁隔壁をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示素子。
【請求項８】
前記パターン層は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項９】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に直交する方向に位置するパターン層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項１０】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に対して所定角度で配置されるパターン層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項１１】
前記アクティブ領域は、前記基板上に配置されたアノード電極、該アノード電極上に配置された有機発光層、及び該有機発光層上に配置されたカソード電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に配置されたアクティブ領域と、
前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、
前記基板に接着され、前記アクティブ領域を覆うキャップと、
前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域の少なくとも一部を覆うように配置された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されたパターン層と、を含むことを特徴とする表示素子。
【請求項１３】
前記パターン層は、所定幅を有し、かつ前記キャップ接着領域の内側に配置されることを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１４】
前記パターン層は、金属層であることを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１５】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に直交する方向に位置するパターン層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１６】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に対して所定角度で配置されるパターン層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１７】
前記アクティブ領域は、前記基板上に配置されたアノード電極、該アノード電極上に配置された有機発光層、及び該有機発光層上に配置されたカソード電極を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示素子。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に配置されたアクティブ領域と、
前記基板上に配置され、前記アクティブ領域と電気的に接続された配線と、
前記基板に接着される第１平面部、該第１平面部と異なる平面で前記アクティブ領域と対応するように配置する第２平面部、及び前記第１平面部と第２平面部を連結する連結部を含むキャップと、
前記キャップが前記基板に接着されるキャップ接着領域と前記アクティブ領域との間の透過領域上に配置されたパターン層と、を含むことを特徴とする表示素子。
【請求項１９】
前記パターン層は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２０】
前記パターン層は、前記配線と離隔されている金属層であることを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２１】
前記パターン層は、前記連結部に対応する前記透過領域に配置されることを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２２】
前記パターン層は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項２１に記載の表示素子。
【請求項２３】
前記パターン層は、前記配線と離隔されている金属層であることを特徴とする請求項２２に記載の表示素子。
【請求項２４】
前記パターン層は、前記配線の材料からなることを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２５】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に直交する方向に位置するパターン層を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２６】
前記パターン層は、前記キャップ接着領域に対して所定角度で配置されるパターン層を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【請求項２７】
前記アクティブ領域は、前記基板上に配置されたアノード電極、該アノード電極上に配置された有機発光層、及び該有機発光層上に配置されたカソード電極を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−２９３２６５（Ｐ２００７−２９３２６５Ａ）
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３３７０８１（Ｐ２００６−３３７０８１）
【出願日】平成１８年１２月１４日（２００６．１２．１４）
【出願人】（５９６０６６７７０）エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド (384)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月１４日（２００６．１２．１４）
【出願人】（５９６０６６７７０）エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド (384)
【Ｆターム（参考）】
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