表示装置、及び電子機器
【課題】 有機ＥＬ素子からの表示のみならず、その他の光源からの表示も行うことができ、当該表示装置の寿命特性又は輝度特性を向上させることが可能な構成を提供する。
【解決手段】 表示装置１は、有機ＥＬ表示体１００と、該有機ＥＬ表示体１００の表示面とは反対の背面側に配設された光変調体２５０とを備え、前記有機ＥＬ表示体１００は、その平面内に、有機ＥＬ素子１１０を有する発光部２１と、前記背面側からの光を透過可能な光透過部２２とを含む画素部２０を複数有してなり、前記光変調体２５０は、光源７０と、該光源７０からの光を複数の画素部５０毎に変調して前記有機ＥＬ表示体１００側に射出する光変調部２００とを有し、前記有機ＥＬ表示体１００の画素部２０と前記光変調体２５０の画素部５０とが、平面視重畳配置されてなる。
【解決手段】 表示装置１は、有機ＥＬ表示体１００と、該有機ＥＬ表示体１００の表示面とは反対の背面側に配設された光変調体２５０とを備え、前記有機ＥＬ表示体１００は、その平面内に、有機ＥＬ素子１１０を有する発光部２１と、前記背面側からの光を透過可能な光透過部２２とを含む画素部２０を複数有してなり、前記光変調体２５０は、光源７０と、該光源７０からの光を複数の画素部５０毎に変調して前記有機ＥＬ表示体１００側に射出する光変調部２００とを有し、前記有機ＥＬ表示体１００の画素部２０と前記光変調体２５０の画素部５０とが、平面視重畳配置されてなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、並びにこの表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）を用いた表示装置として、その画素領域に、赤色を発光する有機ＥＬ素子を備える赤色画素部、緑色を発光する有機ＥＬ素子を備える緑色画素部、青色を発光する有機ＥＬ素子を備える青色画素部が、所定のパターンで配列されたフルカラー表示装置が知られている。このような有機ＥＬ素子を用いたフルカラー表示装置では、同一の表示を長時間継続すると、発光素子の劣化に起因する焼き付きが生じる場合がある。
【０００３】
そこで、特許文献１では、フルカラーの有機ＥＬ表示体と、フルカラーの液晶表示体を重ねて設置した表示装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２８９００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された表示装置では、有機ＥＬ表示体の有機ＥＬ素子を透明に構成しなければならないが、該透明タイプの有機ＥＬ素子は表示面に射出される輝度が半減してしまうため、より高輝度で信頼性を確保できる赤色、緑色、青色の各有機ＥＬ素子が必要となる。しかしながら、有機ＥＬ素子は無機ＬＥＤ素子に比して寿命は短く、輝度も劣るのが現状である。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示体を備える表示装置において、有機ＥＬ素子からの表示のみならず、その他の光源からの表示も行うことができ、当該表示装置の寿命特性又は輝度特性を向上させることが可能な構成を提供することを目的としている。具体的には、常時点灯（表示固定）を行う場合にも、焼き付き等の不具合発生を好適に防止ないし抑制することが可能な表示装置を提供することを目的としている。更に、本発明は、このような表示装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の表示装置は、有機ＥＬ表示体（有機エレクトロルミネッセンス表示体）と、該有機ＥＬ表示体の表示面とは反対の背面側に配設された光変調体とを備え、前記有機ＥＬ表示体は、その平面内に、有機ＥＬ素子を有する発光部と、前記背面側からの光を透過可能な光透過部とを含む画素部を複数有してなり、前記光変調体は、光源と、該光源からの光を複数の画素部毎に変調して前記有機ＥＬ表示体側に射出する光変調部とを有し、前記有機ＥＬ表示体の画素部と前記光変調体の画素部とが、平面視重畳配置されてなることを特徴とする。
【０００７】
このような表示装置によると、発光部からは有機ＥＬ素子に由来する表示を実現でき、光透過部からは光源に由来する表示を実現できる。従って、表示環境に応じて光源を適宜選択すれば有機ＥＬ素子にはない表示特性、又は有機ＥＬ素子では劣る表示特性を、当該表示装置に付与することが可能となる。
特に光源として有機ＥＬ素子よりも長寿命及び／又は高輝度のもの（例えば無機材料を用いた無機ＬＥＤ体からなるもの）を用いれば、発光部からの表示と光透過部からの表示をそれぞれ適宜切り替えることで、当該表示装置の長寿命化及び／又は高輝度化を図ることが可能となる。また、静止画等の固定表示を行う場合には、光源として長寿命及び／又は高輝度の無機ＬＥＤ体を用い、光源からの光により光透過部において固定表示を行うことで、当該表示装置の寿命特性及び／又は輝度特性を向上させることが可能となる。
【０００８】
本発明の表示装置において、前記有機ＥＬ表示体の画素部は、それぞれ前記発光部を構成する赤色に相当する光を発光する第１サブ画素部と、緑色に相当する光を発光する第２サブ画素部と、青色に相当する光を発光する第３サブ画素部と、前記光透過部を構成するサブ領域とを有し、前記各サブ画素部及びサブ領域はそれぞれ区画部により所定パターンに区画されてなるものとすることができる。このように各サブ画素部とサブ領域を形成し、これらを区画部により区画する構成とすれば、サブ画素部とサブ領域を画素部内に簡便且つ確実に形成することができるようになる。特に上記のようなフルカラー用の各サブ画素部と同一のパターンでサブ領域を構成すれば、該サブ領域において光源からの光により確実に表示を行うことができるようになる。
【０００９】
一方、前記有機ＥＬ表示体の画素部は、それぞれ前記発光部を構成する赤色に相当する光を発光する第１サブ画素部と、緑色に相当する光を発光する第２サブ画素部と、青色に相当する光を発光する第３サブ画素部とを有し、前記各サブ画素部はそれぞれ区画部により区画されてなり、前記区画部には前記光透過部が形成されてなることを特徴とする。このようにサブ画素部を区画する区画部にサブ領域を形成すれば、別途サブ領域を構成するスペースを設ける必要がなくなり、有機ＥＬ表示体において表示に寄与しない区画部を有効に活用することができるようになる。
【００１０】
前記有機ＥＬ表示体は、基板上であって前記各サブ画素部内にパターン形成された光反射性電極と、該光反射性電極上に形成された有機ＥＬ層と、少なくとも前記有機ＥＬ層上に形成された光透過性電極とを有してなるとともに、前記基板を前記光変調体側に配設してなるものとすることができる。このように基板とは反対側から有機ＥＬ層からの光が射出される構成（トップエミッション）の場合、該基板を光変調体側に配設すれば有機ＥＬ表示体からの表示に加え、光変調体からの表示も実現することができるようになる。そして、この場合、特に光透過性電極についてはパターニングの必要がなくなるため、工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００１１】
前記有機ＥＬ表示体は、基板上であって少なくとも前記各サブ画素部内に形成された光透過性電極と、該光透過性電極上であって前記各サブ画素部内にパターン形成された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に形成された光反射性電極とを有してなるとともに、前記基板を表示面側に配設してなるものとすることができる。このように基板側から有機ＥＬ層からの光が射出される構成（トップエミッション）の場合、該基板を光変調体とは反対側（表示面側）に配設すれば有機ＥＬ表示体からの表示に加え、光変調体からの表示も実現することができるようになる。
【００１２】
前記光変調体は液晶装置により構成されてなるものとすることができ、液晶装置によれば好適に光源光を変調することが可能となる。また、前記光源は無機材料からなる無機ＬＥＤ体により構成されてなるものとすることができ、無機ＬＥＤ体によれば有機ＥＬ素子よりも長寿命及び高輝度の表示を実現することが可能となる。さらに、前記光源は、赤色に相当する光を発光する第１発光部と、緑色に相当する光を発光する第２発光部と、青色に相当する光を発光する第３発光部とからなるものとすることができ、この場合、光変調体からフルカラーの表示を実現することができるようになる。
【００１３】
また、本発明の電子機器は、上述の表示装置を備えたことを特徴とする。これにより、長寿命で且つ明るい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の表示装置の一実施の形態について説明する。
図１は本実施の形態の表示装置について１画素の断面構成を示す概念図で、図７は該１画素の平面構成を示す概念図である。なお、本実施の形態の表示装置は、各図に示した構成の画素を平面内にストライプ状等の配列で複数有して表示領域を構成している。
【００１５】
図１に示すように、本実施の形態の表示装置１は、有機ＥＬ表示体１００と液晶表示体（光変調体）２５０とを重ね合わせた構成を有してなり、液晶表示体２５０が有機ＥＬ表示体１００の表示面（光が射出される面）とは反対の背面側に配設されてなるものである。表示に際しては、有機ＥＬ表示体１００に基づく表示と、液晶表示体（液晶装置）２５０に基づく表示とを適宜選択して、一方若しくは両方の表示が可能とされている。
【００１６】
有機ＥＬ表示体１００は、基材（基板）４上に所定領域を区画するバンク（区画部）１１２を有してなり、図７にも示すように、画素（画素部）２０の平面内に発光部２１と光透過部２２とを有している。発光部２１には、陽極１１Ｒ（１１Ｇ、１１Ｂ）と陰極１２との間に有機ＥＬ層１１０Ｒ（１１０Ｇ、１１０Ｂ）を具備してなる有機ＥＬ素子１１０が形成されている。そして、該発光部２１には、有機ＥＬ層１１０Ｒ（１１０Ｇ、１１０Ｂ）の発光色に応じて赤色サブ画素部Ｒ、緑色サブ画素部Ｇ、青色サブ画素部Ｂが構成されている。
【００１７】
また、有機ＥＬ表示体１００の光透過部２２には、有機ＥＬ素子１１０は形成されておらず、本実施の形態では無色の光透過性の陰極１２のみが形成されており、該光透過部２２にはサブ領域Ｎが構成されている。なお、本実施の形態では、光透過部２２に陰極１２を形成するものとしているが、光透過部２２には何も形成しないか、若しくはその他の無色光透過性部材を形成する構成であっても良い。
【００１８】
以上のような画素２０内に構成された各サブ画素部Ｒ，Ｇ，Ｂ及びサブ領域Ｎは、それぞれ上述したバンク１１２により取り囲まれて区画されており、それぞれ同一のパターンで構成されている。
【００１９】
一方、液晶表示体２５０は、光源７０と、該光源７０からの光を導光する導光板３００と、液晶パネル（光変調部）２００とを有している。光源７０は、無機材料のＥＬ発光体からなり、フルカラーの光を発すべく、赤色発光部７０Ｒと緑色発光部７０Ｇと青色発光部７０Ｂとを有して構成されている。また、液晶パネル２００は光源７０から導出された光を変調して有機ＥＬ表示体１００側に射出するもので、アクティブマトリクスタイプの透過型液晶装置を採用しており、カラーフィルタは形成されていない。
【００２０】
図１にも示す通り、表示装置１は画素２０のうち、赤色サブ画素部Ｒからは有機ＥＬ表示体１００に基づいて赤色（Ｒ）の光を射出し、緑色サブ画素部Ｇからは有機ＥＬ表示体１００に基づいて緑色（Ｇ）の光を、青色サブ画素部Ｂからは有機ＥＬ表示体１００に基づいて青色（Ｂ）の光を、サブ領域Ｎからは液晶表示体２５０に基づいて赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色若しくは混色の光を射出するものとされている。そして、これら各色光に基づいて、単色若しくは混色による画素表示が可能とされている。
【００２１】
続いて、図２を参照して、有機ＥＬ表示体１００及び液晶表示体２５０の詳細な構成について説明する。
有機ＥＬ表示体１００は、透光性の基材４と、この基材４上にマトリックス状に形成配置された多数の有機ＥＬ素子１１０とを主として具備するものである。有機ＥＬ素子１１０は、アルミニウム等からなる光反射性の陽極（画素電極）１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂと、有機ＥＬ層（発光層）１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂと、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなる光透過性の陰極１２とによって構成されてなるものである。このような有機ＥＬ表示体１００は、有機ＥＬ層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂから放たれた光が、陰極１２側から射出される所謂トップエミッション型の表示体である。
【００２２】
基材４は、透光性のガラス基板等からなる基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４を有して構成されている。回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上には多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域及びドレイン領域が高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成されており、また、Ｐが導入されなかった部分はチャネル領域となっている。さらに、回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂとが形成されている。ゲート電極１４３は、半導体膜１４１のチャネル領域に対応する位置に設けられている。
【００２３】
また、第１及び第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、半導体膜１４１のソース・ドレイン領域にそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されており、これらコンタクトホール１４５、１４６内にはそれぞれ導電材料が埋め込まれている。そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、光反射性の陽極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（以下、これらを画素電極１１とも言う）が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５が画素電極１１に接続されている。他方、もう一方のコンタクトホール１４６は電源線（図示略）に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１に接続された第２の薄膜トランジスタ１２３が各サブ画素部Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に形成されている。
【００２４】
基材４上には、バンク１１２と、該バンク１１２にて区画された有機ＥＬ素子１１０とが形成されている。
バンク部１１２は、基材４側にＳｉＯ２等からなる無機バンク層１１２ａと、この無機バンク層１１２ａ上に形成された有機バンク層１１２ｂとから構成されたものである。無機バンク層１１２ａは、画素電極１１の周縁部上に乗上げるように形成されたもので、平面視した状態で画素電極１１の周囲と無機バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機バンク層１１２ｂも、平面視した状態で画素電極１１の一部と重なるように配置されている。なお、有機バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、溶媒に対する耐久性（非溶性若しくは難溶性）のある材料によって形成されている。
【００２５】
一方、有機ＥＬ素子１１０は、複数の画素電極１１と、該画素電極１１上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂと、陰極（以下、対向電極とも言う）１２とを有して構成されている。ここで、画素電極１１は光反射性導電材料（例えばアルミニウム）によって形成されたもので、平面視略矩形にパターニングされたものである。また、陰極１２は光透過性導電材料（例えばインジウム錫酸化物）によって形成されたもので、表示領域の全面にベタ状に形成されたものである。
【００２６】
有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂは、基材４側から有機ＥＬ材料からなる発光層１５０（１５０Ｒ、１５０Ｇ、１５０Ｂ）と、正孔注入／輸送層１５１（１５１Ｒ、１５１Ｇ、１５１Ｂ）とを有している。なお、正孔注入／輸送層１５１は、画素電極１１の正孔を発光層１５０に注入する機能を有し、または正孔をその内部において輸送する機能を有したものである。このような正孔注入／輸送層を画素電極１１と発光層１５０との間に設けることにより、発光層１５０の発光効率、寿命等の特性を向上させることができる。また、発光層１５０では、正孔注入／輸送層１５１から注入された正孔と、対向電極（陰極）１２から注入される電子とが再結合し、発光がなされるようになっている。
【００２７】
本例において正孔注入／輸送層１５１は、例えば３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）との混合物によって形成されている。
【００２８】
また、赤色のサブ画素部Ｒにおける発光層１５０Ｒは、その形成材料として、以下の化合物１として示すＣＮ−ＰＰＶが用いられている。
【００２９】
【化１】
【００３０】
緑色のサブ画素部Ｇにおける発光層１５０Ｇは、その形成材料として、以下の化合物２として示すＦ８ＢＴと化合物３として示すＴＦＢとを、１：１に混合したものが用いられている。
【００３１】
【化２】
【００３２】
【化３】
【００３３】
青色のサブ画素部Ｂにおける発光層１５０Ｂは、その形成材料として、以下の化合物４として示すＦ８（ポリジオクチルフルオレン）が用いられている。
【００３４】
【化４】
【００３５】
このような構成の有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ上には、対向電極（陰極）１２が画素２０全面に形成されている。この対向電極（陰極）１２は、画素電極１１と対になって有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ上に電流を流すよう機能するもので、ＩＴＯによって形成されている。
【００３６】
一方、液晶表示体２５０は、図１に示した光源７０と、該光源７０からの光を変調する液晶パネル２００とを主体として構成されている。液晶パネル２００は、一対の基板２０，３０間に液晶層４０が挟持されてなり、光源側の基板３０側に画素電極３１が、これとは反対の基板２０側に対向電極２１が形成されている。
【００３７】
光源側の基板３０は透光性のガラス基板により構成されており、画素駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、図示略）を有して構成されている。画素部５０毎に形成されたＴＦＴは、同じく画素毎にマトリクス状に形成された画素電極３１に電気的に接続されてなり、当該画素電極３１に対する通電制御に基づいて画素表示が可能となっている。ここで、液晶表示体２５０の画素部５０と有機ＥＬ表示体１００の画素部２０とは平面視重畳配置され、少なくとも光透過部２２からは液晶表示体２５０からの光を透過できる構成となっている。なお、画素電極３１はＩＴＯ等の透光性導電膜からなり、また画素電極３１の液晶層４０側には図示しない液晶配向用の配向膜が形成されている。
【００３８】
また、有機ＥＬ表示体側の基板２０も透光性のガラス基板により構成されており、該基板２０の液晶層側に、当該基板全面にベタ状に配された対向電極２１が形成されている。なお、対向電極２１はＩＴＯ等の透光性導電膜からなり、また対向電極２１の液晶層４０側には図示しない液晶配向用の配向膜が形成されている。さらに、各基板２０，３０の液晶層４０と異なる側、つまり有機ＥＬ表示体１００及び導光板３００（図１参照）側には図示しない偏光板が配設されている。
【００３９】
このような構成の液晶表示体２５０においては、画素部５０毎に階調表示が可能で、該表示は有機ＥＬ表示体１００のサブ領域Ｎを通過して表示に供される。つまり、本実施形態の表示装置１では、有機ＥＬ表示体１００及び液晶表示体２５０の一方若しくは双方に基づいて表示が可能で、発光部２１からは有機ＥＬ素子１１０に由来する表示を実現でき、光透過部２２からは光源７０に由来する表示を実現できる。従って、表示環境に応じて光源７０を適宜選択すれば有機ＥＬ素子にはない表示特性、又は有機ＥＬ体では劣る表示特性を発現できるものとなる。特に本実施形態では光源７０として無機ＬＥＤ体からなるものを用いているため、当該表示装置１の長寿命化及び／又は高輝度化が図られており、例えば光源７０からの光により固定表示を行うことで、当該表示装置１の寿命特性及び／又は輝度特性を向上させることが可能となる。
【００４０】
次に、図３〜図５を参照しつつ、表示装置の変形例について説明する。
なお、以下の各表示装置について、図１及び図２に示した表示装置１と同一の構成部材及び構成要素に関しては、各図において図１及び図２と同一の符号を付し、説明を省略する場合もある。
【００４１】
図３に示した表示装置１ａは、表示装置１とは異なり、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示体１００ａを有して構成されている。つまり、有機ＥＬ表示体１００ａが、基材４側から光が射出される構成を有しており、具体的には透光性の基材４と、基材４上に形成された透光性の陽極（画素電極）１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（以下、画素電極１１とも言う）と、有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂと、発光部２１に選択的に形成された光反射性の陰極１２とを有している。
【００４２】
なお、光透過部２２には基材４上に電極及び有機ＥＬ層のいずれもが形成されていない。このようなボトムエミッション型の有機ＥＬ表示体１００ａであっても、トップエミッション型の有機ＥＬ表示体１００に比して陰極１２をパターニングする必要はあるものの、本発明の効果を十分に発現することが可能である。
【００４３】
また、図４に示した表示装置１ｂは、表示装置１と同様、トップエミッション型の有機ＥＬ表示体１００ｂを有しているものの、光透過部２２がバンク１１２の形成領域に設けられていることが特徴である。つまり、光反射性の画素電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおいて、バンク１１２と平面視重畳する位置に開口部１１ａを形成し、液晶表示体２００からの光を該開口部１１ａから透過させ、これを表示に供させる構成となっている。
【００４４】
この場合、図８にも示すように、図７の表示装置１の構成に比して光透過部２２を構成するためのサブ領域Ｎを別途設ける必要がないため、有機ＥＬ表示体１００ｂのサブ画素部Ｒ，Ｇ，Ｂの面積を大きくとることができるようになる。なお、図５に示した表示装置１ｃも、表示装置１ｂと同様にバンク１１２の形成領域に光透過部２２が設けられ、且つボトムエミッション型の有機ＥＬ表示体１００ｃを有して構成されている。この場合、陰極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、それぞれバンク１１２の形成領域に開口部１２ａを有するようにパターニングされ、該開口部１２ａから光が透過するものとされている。
【００４５】
以上のような表示装置１ａ、１ｂ、１ｃは、発光部２１から有機ＥＬ表示体１００ａ、１００ｂ、１００ｃに基づく表示を、光透過部２２から液晶表示体２５０に基づく表示を行うことが可能である。そして、各表示体からの表示を適宜切り換えることで、例えば固定表示を光透過部２２から行えば、有機ＥＬ表示体１００ａ、１００ｂ、１００ｃにおける焼き付き等の不具合発生を好適に防止ないし抑制することができ、該表示体の寿命を向上させることが可能となる。
【００４６】
次に、以上のような構成の表示装置１、１ａ〜１ｃを備えた電子機器の具体例について説明する。
図６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置１、１ａ〜１ｃのいずれかを用いた表示部を示している。この電子機器にあっては、前記の表示特性の向上が図られた表示装置１、１ａ〜１ｃを表示部として備えているので、表示部の表示特性が十分良好なものとなる。なお、本発明の表示装置は、その他にも例えばワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置や、腕時計型電子機器など、各種の電子機器における表示部として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の断面構成を示す図。
【図２】同、表示装置の断面構成を詳細に示す図。
【図３】表示装置の一変形例について画素部の断面構成を模式的に示す図。
【図４】表示装置の他の変形例について画素部の断面構成を模式的に示す図。
【図５】表示装置の他の変形例について画素部の断面構成を模式的に示す図。
【図６】本発明の電子機器の一例を示す斜視図。
【図７】図１の表示装置について画素部の平面構成を模式的に示す図。
【図８】図４の表示装置について画素部の平面構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００４８】
１…表示装置、２０…画素部（有機ＥＬ表示体側画素部）、２１…発光部、２２…光透過部、５０…画素部（光変調体側画素部）、７０…光源、１００…有機ＥＬ表示体、１１０…有機ＥＬ素子、２００…光変調部（液晶パネル）、２５０…光変調体（液晶表示体）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、並びにこの表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）を用いた表示装置として、その画素領域に、赤色を発光する有機ＥＬ素子を備える赤色画素部、緑色を発光する有機ＥＬ素子を備える緑色画素部、青色を発光する有機ＥＬ素子を備える青色画素部が、所定のパターンで配列されたフルカラー表示装置が知られている。このような有機ＥＬ素子を用いたフルカラー表示装置では、同一の表示を長時間継続すると、発光素子の劣化に起因する焼き付きが生じる場合がある。
【０００３】
そこで、特許文献１では、フルカラーの有機ＥＬ表示体と、フルカラーの液晶表示体を重ねて設置した表示装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２８９００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された表示装置では、有機ＥＬ表示体の有機ＥＬ素子を透明に構成しなければならないが、該透明タイプの有機ＥＬ素子は表示面に射出される輝度が半減してしまうため、より高輝度で信頼性を確保できる赤色、緑色、青色の各有機ＥＬ素子が必要となる。しかしながら、有機ＥＬ素子は無機ＬＥＤ素子に比して寿命は短く、輝度も劣るのが現状である。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示体を備える表示装置において、有機ＥＬ素子からの表示のみならず、その他の光源からの表示も行うことができ、当該表示装置の寿命特性又は輝度特性を向上させることが可能な構成を提供することを目的としている。具体的には、常時点灯（表示固定）を行う場合にも、焼き付き等の不具合発生を好適に防止ないし抑制することが可能な表示装置を提供することを目的としている。更に、本発明は、このような表示装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の表示装置は、有機ＥＬ表示体（有機エレクトロルミネッセンス表示体）と、該有機ＥＬ表示体の表示面とは反対の背面側に配設された光変調体とを備え、前記有機ＥＬ表示体は、その平面内に、有機ＥＬ素子を有する発光部と、前記背面側からの光を透過可能な光透過部とを含む画素部を複数有してなり、前記光変調体は、光源と、該光源からの光を複数の画素部毎に変調して前記有機ＥＬ表示体側に射出する光変調部とを有し、前記有機ＥＬ表示体の画素部と前記光変調体の画素部とが、平面視重畳配置されてなることを特徴とする。
【０００７】
このような表示装置によると、発光部からは有機ＥＬ素子に由来する表示を実現でき、光透過部からは光源に由来する表示を実現できる。従って、表示環境に応じて光源を適宜選択すれば有機ＥＬ素子にはない表示特性、又は有機ＥＬ素子では劣る表示特性を、当該表示装置に付与することが可能となる。
特に光源として有機ＥＬ素子よりも長寿命及び／又は高輝度のもの（例えば無機材料を用いた無機ＬＥＤ体からなるもの）を用いれば、発光部からの表示と光透過部からの表示をそれぞれ適宜切り替えることで、当該表示装置の長寿命化及び／又は高輝度化を図ることが可能となる。また、静止画等の固定表示を行う場合には、光源として長寿命及び／又は高輝度の無機ＬＥＤ体を用い、光源からの光により光透過部において固定表示を行うことで、当該表示装置の寿命特性及び／又は輝度特性を向上させることが可能となる。
【０００８】
本発明の表示装置において、前記有機ＥＬ表示体の画素部は、それぞれ前記発光部を構成する赤色に相当する光を発光する第１サブ画素部と、緑色に相当する光を発光する第２サブ画素部と、青色に相当する光を発光する第３サブ画素部と、前記光透過部を構成するサブ領域とを有し、前記各サブ画素部及びサブ領域はそれぞれ区画部により所定パターンに区画されてなるものとすることができる。このように各サブ画素部とサブ領域を形成し、これらを区画部により区画する構成とすれば、サブ画素部とサブ領域を画素部内に簡便且つ確実に形成することができるようになる。特に上記のようなフルカラー用の各サブ画素部と同一のパターンでサブ領域を構成すれば、該サブ領域において光源からの光により確実に表示を行うことができるようになる。
【０００９】
一方、前記有機ＥＬ表示体の画素部は、それぞれ前記発光部を構成する赤色に相当する光を発光する第１サブ画素部と、緑色に相当する光を発光する第２サブ画素部と、青色に相当する光を発光する第３サブ画素部とを有し、前記各サブ画素部はそれぞれ区画部により区画されてなり、前記区画部には前記光透過部が形成されてなることを特徴とする。このようにサブ画素部を区画する区画部にサブ領域を形成すれば、別途サブ領域を構成するスペースを設ける必要がなくなり、有機ＥＬ表示体において表示に寄与しない区画部を有効に活用することができるようになる。
【００１０】
前記有機ＥＬ表示体は、基板上であって前記各サブ画素部内にパターン形成された光反射性電極と、該光反射性電極上に形成された有機ＥＬ層と、少なくとも前記有機ＥＬ層上に形成された光透過性電極とを有してなるとともに、前記基板を前記光変調体側に配設してなるものとすることができる。このように基板とは反対側から有機ＥＬ層からの光が射出される構成（トップエミッション）の場合、該基板を光変調体側に配設すれば有機ＥＬ表示体からの表示に加え、光変調体からの表示も実現することができるようになる。そして、この場合、特に光透過性電極についてはパターニングの必要がなくなるため、工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００１１】
前記有機ＥＬ表示体は、基板上であって少なくとも前記各サブ画素部内に形成された光透過性電極と、該光透過性電極上であって前記各サブ画素部内にパターン形成された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に形成された光反射性電極とを有してなるとともに、前記基板を表示面側に配設してなるものとすることができる。このように基板側から有機ＥＬ層からの光が射出される構成（トップエミッション）の場合、該基板を光変調体とは反対側（表示面側）に配設すれば有機ＥＬ表示体からの表示に加え、光変調体からの表示も実現することができるようになる。
【００１２】
前記光変調体は液晶装置により構成されてなるものとすることができ、液晶装置によれば好適に光源光を変調することが可能となる。また、前記光源は無機材料からなる無機ＬＥＤ体により構成されてなるものとすることができ、無機ＬＥＤ体によれば有機ＥＬ素子よりも長寿命及び高輝度の表示を実現することが可能となる。さらに、前記光源は、赤色に相当する光を発光する第１発光部と、緑色に相当する光を発光する第２発光部と、青色に相当する光を発光する第３発光部とからなるものとすることができ、この場合、光変調体からフルカラーの表示を実現することができるようになる。
【００１３】
また、本発明の電子機器は、上述の表示装置を備えたことを特徴とする。これにより、長寿命で且つ明るい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の表示装置の一実施の形態について説明する。
図１は本実施の形態の表示装置について１画素の断面構成を示す概念図で、図７は該１画素の平面構成を示す概念図である。なお、本実施の形態の表示装置は、各図に示した構成の画素を平面内にストライプ状等の配列で複数有して表示領域を構成している。
【００１５】
図１に示すように、本実施の形態の表示装置１は、有機ＥＬ表示体１００と液晶表示体（光変調体）２５０とを重ね合わせた構成を有してなり、液晶表示体２５０が有機ＥＬ表示体１００の表示面（光が射出される面）とは反対の背面側に配設されてなるものである。表示に際しては、有機ＥＬ表示体１００に基づく表示と、液晶表示体（液晶装置）２５０に基づく表示とを適宜選択して、一方若しくは両方の表示が可能とされている。
【００１６】
有機ＥＬ表示体１００は、基材（基板）４上に所定領域を区画するバンク（区画部）１１２を有してなり、図７にも示すように、画素（画素部）２０の平面内に発光部２１と光透過部２２とを有している。発光部２１には、陽極１１Ｒ（１１Ｇ、１１Ｂ）と陰極１２との間に有機ＥＬ層１１０Ｒ（１１０Ｇ、１１０Ｂ）を具備してなる有機ＥＬ素子１１０が形成されている。そして、該発光部２１には、有機ＥＬ層１１０Ｒ（１１０Ｇ、１１０Ｂ）の発光色に応じて赤色サブ画素部Ｒ、緑色サブ画素部Ｇ、青色サブ画素部Ｂが構成されている。
【００１７】
また、有機ＥＬ表示体１００の光透過部２２には、有機ＥＬ素子１１０は形成されておらず、本実施の形態では無色の光透過性の陰極１２のみが形成されており、該光透過部２２にはサブ領域Ｎが構成されている。なお、本実施の形態では、光透過部２２に陰極１２を形成するものとしているが、光透過部２２には何も形成しないか、若しくはその他の無色光透過性部材を形成する構成であっても良い。
【００１８】
以上のような画素２０内に構成された各サブ画素部Ｒ，Ｇ，Ｂ及びサブ領域Ｎは、それぞれ上述したバンク１１２により取り囲まれて区画されており、それぞれ同一のパターンで構成されている。
【００１９】
一方、液晶表示体２５０は、光源７０と、該光源７０からの光を導光する導光板３００と、液晶パネル（光変調部）２００とを有している。光源７０は、無機材料のＥＬ発光体からなり、フルカラーの光を発すべく、赤色発光部７０Ｒと緑色発光部７０Ｇと青色発光部７０Ｂとを有して構成されている。また、液晶パネル２００は光源７０から導出された光を変調して有機ＥＬ表示体１００側に射出するもので、アクティブマトリクスタイプの透過型液晶装置を採用しており、カラーフィルタは形成されていない。
【００２０】
図１にも示す通り、表示装置１は画素２０のうち、赤色サブ画素部Ｒからは有機ＥＬ表示体１００に基づいて赤色（Ｒ）の光を射出し、緑色サブ画素部Ｇからは有機ＥＬ表示体１００に基づいて緑色（Ｇ）の光を、青色サブ画素部Ｂからは有機ＥＬ表示体１００に基づいて青色（Ｂ）の光を、サブ領域Ｎからは液晶表示体２５０に基づいて赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色若しくは混色の光を射出するものとされている。そして、これら各色光に基づいて、単色若しくは混色による画素表示が可能とされている。
【００２１】
続いて、図２を参照して、有機ＥＬ表示体１００及び液晶表示体２５０の詳細な構成について説明する。
有機ＥＬ表示体１００は、透光性の基材４と、この基材４上にマトリックス状に形成配置された多数の有機ＥＬ素子１１０とを主として具備するものである。有機ＥＬ素子１１０は、アルミニウム等からなる光反射性の陽極（画素電極）１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂと、有機ＥＬ層（発光層）１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂと、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなる光透過性の陰極１２とによって構成されてなるものである。このような有機ＥＬ表示体１００は、有機ＥＬ層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂから放たれた光が、陰極１２側から射出される所謂トップエミッション型の表示体である。
【００２２】
基材４は、透光性のガラス基板等からなる基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４を有して構成されている。回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上には多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域及びドレイン領域が高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成されており、また、Ｐが導入されなかった部分はチャネル領域となっている。さらに、回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂとが形成されている。ゲート電極１４３は、半導体膜１４１のチャネル領域に対応する位置に設けられている。
【００２３】
また、第１及び第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、半導体膜１４１のソース・ドレイン領域にそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されており、これらコンタクトホール１４５、１４６内にはそれぞれ導電材料が埋め込まれている。そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、光反射性の陽極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（以下、これらを画素電極１１とも言う）が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５が画素電極１１に接続されている。他方、もう一方のコンタクトホール１４６は電源線（図示略）に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１に接続された第２の薄膜トランジスタ１２３が各サブ画素部Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に形成されている。
【００２４】
基材４上には、バンク１１２と、該バンク１１２にて区画された有機ＥＬ素子１１０とが形成されている。
バンク部１１２は、基材４側にＳｉＯ２等からなる無機バンク層１１２ａと、この無機バンク層１１２ａ上に形成された有機バンク層１１２ｂとから構成されたものである。無機バンク層１１２ａは、画素電極１１の周縁部上に乗上げるように形成されたもので、平面視した状態で画素電極１１の周囲と無機バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機バンク層１１２ｂも、平面視した状態で画素電極１１の一部と重なるように配置されている。なお、有機バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、溶媒に対する耐久性（非溶性若しくは難溶性）のある材料によって形成されている。
【００２５】
一方、有機ＥＬ素子１１０は、複数の画素電極１１と、該画素電極１１上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂと、陰極（以下、対向電極とも言う）１２とを有して構成されている。ここで、画素電極１１は光反射性導電材料（例えばアルミニウム）によって形成されたもので、平面視略矩形にパターニングされたものである。また、陰極１２は光透過性導電材料（例えばインジウム錫酸化物）によって形成されたもので、表示領域の全面にベタ状に形成されたものである。
【００２６】
有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂは、基材４側から有機ＥＬ材料からなる発光層１５０（１５０Ｒ、１５０Ｇ、１５０Ｂ）と、正孔注入／輸送層１５１（１５１Ｒ、１５１Ｇ、１５１Ｂ）とを有している。なお、正孔注入／輸送層１５１は、画素電極１１の正孔を発光層１５０に注入する機能を有し、または正孔をその内部において輸送する機能を有したものである。このような正孔注入／輸送層を画素電極１１と発光層１５０との間に設けることにより、発光層１５０の発光効率、寿命等の特性を向上させることができる。また、発光層１５０では、正孔注入／輸送層１５１から注入された正孔と、対向電極（陰極）１２から注入される電子とが再結合し、発光がなされるようになっている。
【００２７】
本例において正孔注入／輸送層１５１は、例えば３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）との混合物によって形成されている。
【００２８】
また、赤色のサブ画素部Ｒにおける発光層１５０Ｒは、その形成材料として、以下の化合物１として示すＣＮ−ＰＰＶが用いられている。
【００２９】
【化１】
【００３０】
緑色のサブ画素部Ｇにおける発光層１５０Ｇは、その形成材料として、以下の化合物２として示すＦ８ＢＴと化合物３として示すＴＦＢとを、１：１に混合したものが用いられている。
【００３１】
【化２】
【００３２】
【化３】
【００３３】
青色のサブ画素部Ｂにおける発光層１５０Ｂは、その形成材料として、以下の化合物４として示すＦ８（ポリジオクチルフルオレン）が用いられている。
【００３４】
【化４】
【００３５】
このような構成の有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ上には、対向電極（陰極）１２が画素２０全面に形成されている。この対向電極（陰極）１２は、画素電極１１と対になって有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ上に電流を流すよう機能するもので、ＩＴＯによって形成されている。
【００３６】
一方、液晶表示体２５０は、図１に示した光源７０と、該光源７０からの光を変調する液晶パネル２００とを主体として構成されている。液晶パネル２００は、一対の基板２０，３０間に液晶層４０が挟持されてなり、光源側の基板３０側に画素電極３１が、これとは反対の基板２０側に対向電極２１が形成されている。
【００３７】
光源側の基板３０は透光性のガラス基板により構成されており、画素駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、図示略）を有して構成されている。画素部５０毎に形成されたＴＦＴは、同じく画素毎にマトリクス状に形成された画素電極３１に電気的に接続されてなり、当該画素電極３１に対する通電制御に基づいて画素表示が可能となっている。ここで、液晶表示体２５０の画素部５０と有機ＥＬ表示体１００の画素部２０とは平面視重畳配置され、少なくとも光透過部２２からは液晶表示体２５０からの光を透過できる構成となっている。なお、画素電極３１はＩＴＯ等の透光性導電膜からなり、また画素電極３１の液晶層４０側には図示しない液晶配向用の配向膜が形成されている。
【００３８】
また、有機ＥＬ表示体側の基板２０も透光性のガラス基板により構成されており、該基板２０の液晶層側に、当該基板全面にベタ状に配された対向電極２１が形成されている。なお、対向電極２１はＩＴＯ等の透光性導電膜からなり、また対向電極２１の液晶層４０側には図示しない液晶配向用の配向膜が形成されている。さらに、各基板２０，３０の液晶層４０と異なる側、つまり有機ＥＬ表示体１００及び導光板３００（図１参照）側には図示しない偏光板が配設されている。
【００３９】
このような構成の液晶表示体２５０においては、画素部５０毎に階調表示が可能で、該表示は有機ＥＬ表示体１００のサブ領域Ｎを通過して表示に供される。つまり、本実施形態の表示装置１では、有機ＥＬ表示体１００及び液晶表示体２５０の一方若しくは双方に基づいて表示が可能で、発光部２１からは有機ＥＬ素子１１０に由来する表示を実現でき、光透過部２２からは光源７０に由来する表示を実現できる。従って、表示環境に応じて光源７０を適宜選択すれば有機ＥＬ素子にはない表示特性、又は有機ＥＬ体では劣る表示特性を発現できるものとなる。特に本実施形態では光源７０として無機ＬＥＤ体からなるものを用いているため、当該表示装置１の長寿命化及び／又は高輝度化が図られており、例えば光源７０からの光により固定表示を行うことで、当該表示装置１の寿命特性及び／又は輝度特性を向上させることが可能となる。
【００４０】
次に、図３〜図５を参照しつつ、表示装置の変形例について説明する。
なお、以下の各表示装置について、図１及び図２に示した表示装置１と同一の構成部材及び構成要素に関しては、各図において図１及び図２と同一の符号を付し、説明を省略する場合もある。
【００４１】
図３に示した表示装置１ａは、表示装置１とは異なり、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示体１００ａを有して構成されている。つまり、有機ＥＬ表示体１００ａが、基材４側から光が射出される構成を有しており、具体的には透光性の基材４と、基材４上に形成された透光性の陽極（画素電極）１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（以下、画素電極１１とも言う）と、有機ＥＬ層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂと、発光部２１に選択的に形成された光反射性の陰極１２とを有している。
【００４２】
なお、光透過部２２には基材４上に電極及び有機ＥＬ層のいずれもが形成されていない。このようなボトムエミッション型の有機ＥＬ表示体１００ａであっても、トップエミッション型の有機ＥＬ表示体１００に比して陰極１２をパターニングする必要はあるものの、本発明の効果を十分に発現することが可能である。
【００４３】
また、図４に示した表示装置１ｂは、表示装置１と同様、トップエミッション型の有機ＥＬ表示体１００ｂを有しているものの、光透過部２２がバンク１１２の形成領域に設けられていることが特徴である。つまり、光反射性の画素電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおいて、バンク１１２と平面視重畳する位置に開口部１１ａを形成し、液晶表示体２００からの光を該開口部１１ａから透過させ、これを表示に供させる構成となっている。
【００４４】
この場合、図８にも示すように、図７の表示装置１の構成に比して光透過部２２を構成するためのサブ領域Ｎを別途設ける必要がないため、有機ＥＬ表示体１００ｂのサブ画素部Ｒ，Ｇ，Ｂの面積を大きくとることができるようになる。なお、図５に示した表示装置１ｃも、表示装置１ｂと同様にバンク１１２の形成領域に光透過部２２が設けられ、且つボトムエミッション型の有機ＥＬ表示体１００ｃを有して構成されている。この場合、陰極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、それぞれバンク１１２の形成領域に開口部１２ａを有するようにパターニングされ、該開口部１２ａから光が透過するものとされている。
【００４５】
以上のような表示装置１ａ、１ｂ、１ｃは、発光部２１から有機ＥＬ表示体１００ａ、１００ｂ、１００ｃに基づく表示を、光透過部２２から液晶表示体２５０に基づく表示を行うことが可能である。そして、各表示体からの表示を適宜切り換えることで、例えば固定表示を光透過部２２から行えば、有機ＥＬ表示体１００ａ、１００ｂ、１００ｃにおける焼き付き等の不具合発生を好適に防止ないし抑制することができ、該表示体の寿命を向上させることが可能となる。
【００４６】
次に、以上のような構成の表示装置１、１ａ〜１ｃを備えた電子機器の具体例について説明する。
図６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置１、１ａ〜１ｃのいずれかを用いた表示部を示している。この電子機器にあっては、前記の表示特性の向上が図られた表示装置１、１ａ〜１ｃを表示部として備えているので、表示部の表示特性が十分良好なものとなる。なお、本発明の表示装置は、その他にも例えばワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置や、腕時計型電子機器など、各種の電子機器における表示部として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の断面構成を示す図。
【図２】同、表示装置の断面構成を詳細に示す図。
【図３】表示装置の一変形例について画素部の断面構成を模式的に示す図。
【図４】表示装置の他の変形例について画素部の断面構成を模式的に示す図。
【図５】表示装置の他の変形例について画素部の断面構成を模式的に示す図。
【図６】本発明の電子機器の一例を示す斜視図。
【図７】図１の表示装置について画素部の平面構成を模式的に示す図。
【図８】図４の表示装置について画素部の平面構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００４８】
１…表示装置、２０…画素部（有機ＥＬ表示体側画素部）、２１…発光部、２２…光透過部、５０…画素部（光変調体側画素部）、７０…光源、１００…有機ＥＬ表示体、１１０…有機ＥＬ素子、２００…光変調部（液晶パネル）、２５０…光変調体（液晶表示体）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ表示体と、該有機ＥＬ表示体の表示面とは反対の背面側に配設された光変調体とを備え、
前記有機ＥＬ表示体は、その平面内に、有機ＥＬ素子を有する発光部と、前記背面側からの光を透過可能な光透過部とを含む画素部を複数有してなり、
前記光変調体は、光源と、該光源からの光を複数の画素部毎に変調して前記有機ＥＬ表示体側に射出する光変調部とを有し、
前記有機ＥＬ表示体の画素部と前記光変調体の画素部とが、平面視重畳配置されてなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ表示体の画素部は、それぞれ前記発光部を構成する赤色に相当する光を発光する第１サブ画素部と、緑色に相当する光を発光する第２サブ画素部と、青色に相当する光を発光する第３サブ画素部と、前記光透過部を構成するサブ領域とを有し、
前記各サブ画素部及びサブ領域はそれぞれ区画部により区画されてなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記各サブ画素部及びサブ領域は、それぞれ同一のパターンで形成されてなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機ＥＬ表示体の画素部は、それぞれ前記発光部を構成する赤色に相当する光を発光する第１サブ画素部と、緑色に相当する光を発光する第２サブ画素部と、青色に相当する光を発光する第３サブ画素部とを有し、
前記各サブ画素部はそれぞれ区画部により区画されてなり、前記区画部には前記光透過部を構成するサブ領域が形成されてなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ表示体は、基板上であって前記各サブ画素部内にパターン形成された光反射性電極と、該光反射性電極上に形成された有機ＥＬ層と、少なくとも前記有機ＥＬ層上に形成された光透過性電極とを有してなるとともに、前記基板を前記光変調体側に配設してなることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記有機ＥＬ表示体は、基板上であって少なくとも前記各サブ画素部内に形成された光透過性電極と、該光透過性電極上であって前記各サブ画素部内にパターン形成された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に形成された光反射性電極とを有してなるとともに、前記基板を表示面側に配設してなることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記光変調体は液晶装置により構成されてなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記光源は無機材料からなる無機ＬＥＤにより構成されてなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記光源は、赤色に相当する光を発光する第１発光部と、緑色に相当する光を発光する第２発光部と、青色に相当する光を発光する第３発光部とからなることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
有機ＥＬ表示体と、該有機ＥＬ表示体の表示面とは反対の背面側に配設された光変調体とを備え、
前記有機ＥＬ表示体は、その平面内に、有機ＥＬ素子を有する発光部と、前記背面側からの光を透過可能な光透過部とを含む画素部を複数有してなり、
前記光変調体は、光源と、該光源からの光を複数の画素部毎に変調して前記有機ＥＬ表示体側に射出する光変調部とを有し、
前記有機ＥＬ表示体の画素部と前記光変調体の画素部とが、平面視重畳配置されてなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ表示体の画素部は、それぞれ前記発光部を構成する赤色に相当する光を発光する第１サブ画素部と、緑色に相当する光を発光する第２サブ画素部と、青色に相当する光を発光する第３サブ画素部と、前記光透過部を構成するサブ領域とを有し、
前記各サブ画素部及びサブ領域はそれぞれ区画部により区画されてなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記各サブ画素部及びサブ領域は、それぞれ同一のパターンで形成されてなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機ＥＬ表示体の画素部は、それぞれ前記発光部を構成する赤色に相当する光を発光する第１サブ画素部と、緑色に相当する光を発光する第２サブ画素部と、青色に相当する光を発光する第３サブ画素部とを有し、
前記各サブ画素部はそれぞれ区画部により区画されてなり、前記区画部には前記光透過部を構成するサブ領域が形成されてなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ表示体は、基板上であって前記各サブ画素部内にパターン形成された光反射性電極と、該光反射性電極上に形成された有機ＥＬ層と、少なくとも前記有機ＥＬ層上に形成された光透過性電極とを有してなるとともに、前記基板を前記光変調体側に配設してなることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記有機ＥＬ表示体は、基板上であって少なくとも前記各サブ画素部内に形成された光透過性電極と、該光透過性電極上であって前記各サブ画素部内にパターン形成された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に形成された光反射性電極とを有してなるとともに、前記基板を表示面側に配設してなることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記光変調体は液晶装置により構成されてなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記光源は無機材料からなる無機ＬＥＤにより構成されてなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記光源は、赤色に相当する光を発光する第１発光部と、緑色に相当する光を発光する第２発光部と、青色に相当する光を発光する第３発光部とからなることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−１２８２４１（Ｐ２００６−１２８２４１Ａ）
【公開日】平成１８年５月１８日（２００６．５．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３１１８５６（Ｐ２００４−３１１８５６）
【出願日】平成１６年１０月２７日（２００４．１０．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年５月１８日（２００６．５．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１０月２７日（２００４．１０．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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