複数の抽出器による高い光抽出効率の発光ダイオード(LED)
(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合発光ダイオード(LED)が、追加の光抽出方法としての機能を果たす第2の光抽出器と組み合わされる。この第2の光抽出方法は、ZnO構造によって抽出されなかった光、より具体的には、(Al,In,Ga)N層に捕捉される光を抽出することを目的とする。この第2の方法は、表面のパターニングまたはテクスチャリング、あるいは回折格子としての機能を果たすフォトニック結晶を使用し、薄膜からの抽出に適している。ZnO構造および第2の光抽出方法の両方の組み合わせは、LEDからの大部分の発光を抽出可能にする。本発明のより一般的な拡張において、追加の光抽出を達成するために、ZnO構造は別の材料によって置換され得る。別の拡張において、追加の光抽出を達成するために、(Al,In,Ga)N層は、他の材料の成分を含む構造によって置換され得る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
(関連出願の参照)
本特許出願は、以下の同時係属中かつ同一人に譲渡された米国特許出願の、米国特許法第119条(e)の下での利益を主張する。すなわち、
Steven P.DenBaars、Aurelien J.F.David、およびClaude C.A.Weisbuchによる、米国仮特許出願第60/866,014号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFCIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)(LED)THROUGH MULTIPLE EXTRACTORS」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.191−US−P1(2007−047−1));および、
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、Akihiko Murai、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/883,977号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFCIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)(LED)THROUGH MULTIPLE EXTRACTORS」(2007年1月8日出願、代理人整理番号30794.191−US−P2(2007−047−2));
上記のこれらの出願は、本明細書において参考として援用される。
【0002】
本特許出願は、以下の同時係属中かつ同一人に譲渡された特許出願と関連する。すなわち、
Tetsuo Fujii、Yan Gao、Evelyn.L.Hu、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第10/581,940号、名称「HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING」(2006年6月7日出願、代理人整理番号30794.108−US−WO(2004−063))、該出願は、Tetsuo Fujii、Yan Gao、Evelyn L.Hu、およびShuji Nakamuraによる、PCT特許出願第US2003/03921号、名称「HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING」(2003年12月9日出願、代理人整理番号30794.108−US−WO−01(2004−063))の米国特許法第365条(c)の下での利益を主張する;
Rajat Sharma、P.Morgan Pattison、John F.Kaeding、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第11/054,271号、名称「SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE」(2005年2月9日出願、代理人整理番号30794.112−US−01(2004−208));
Carole Schwach、Claude C.A.Weisbuch、Steven P.DenBaars Henri Benisty、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第10/938,704号、名称「WHITE,SINGLE OR MULTICOLOR LED BY RECYCLING GUIDED MODES」(2004年9月10日出願、代理人整理番号30794.115−US−01(2004−064));
Akihiko Murai、Lee McCarthy、Umesh K.Mishra、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/175,761号、名称「METHOD FOR WAFER BONDING (Al,In,Ga)N AND Zn(S,Se) FOR OPTOELECTRONICS APPLICATIONS」(2005年7月6日出願、代理人整理番号30794.116−US−U1(2004−455))、該出願は、Akihiko Murai、Lee McCarthy、Umesh K.Mishra、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/585,673号、名称「METHOD FOR WAFER BONDING (Al,In,Ga)N and Zn(S,Se) FOR OPTOELECTRONICS APPLICATIONS」(2004年7月6日出願、代理人整理番号30794.116−US−P1(2004−455−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,957号、名称「HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DISTRIBUTED FEEDBACK(DFB) LASERS BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.121−US−01(2005−144−1));
Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,910号、名称「SINGLE OR MULTI−COLOR HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.122−US−01(2005−145−1));
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,956号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) WITH OPTIMIZED PHOTONIC CRYSTAL EXTRACTOR」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.126−US−01(2005−198−1));
James S.Speck、Troy J.Baker、およびBenjamin A.Haskellによる、米国特許出願第11/403,634号、名称「WAFER SEPARATION TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF FREE−STANDING (AL,IN,GA)N WAFERS」(2006年4月13日出願、代理人整理番号30794.131−US−U1(2005−482−2))、該出願は、James S.Speck、Troy J.Baker、およびBenjamin A.Haskellによる、米国仮特許出願第60/670,810号、名称「WAFER SEPARATION TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF FREE−STANDING (AL,IN,GA)N WAFERS」(2005年4月13日出願、代理人整理番号30794.131−US−P1(2005−482−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
James S.Speck、Benjamin A.Haskell、P.Morgan Pattison、およびTroy J.Bakerによる、米国特許出願第11/403,288号、名称「ETCHING TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF THIN (AL,IN,GA)N LAYERS」(2006年4月13日出願、代理人整理番号30794.132−US−U1(2005−509−2))、該出願は、James S.Speck、Benjamin A.Haskell、P.Morgan Pattison、およびTroy J.Bakerによる、米国仮特許出願第60/670,790号、名称「ETCHING TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF THIN (AL,IN,GA)N LAYERS」(2005年4月13日出願、代理人整理番号30794.132−US−P1(2005−509−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国特許出願第11/454,691号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD」(2006年6月16日出願、代理人整理番号30794.134−US−U1(2005−536−4))、該出願は、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/691,710号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS,AND ITS FABRICATION METHOD」(2005年6月17日出願、代理人整理番号30794.134−US−P1(2005−536−1))と、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/732,319号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS,AND ITS FABRICATION METHOD」(2005年11月1日出願、代理人整理番号30794.134−US−P2(2005−536−2))と、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/764,881号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD」(2006年2月3日出願、代理人整理番号30794.134−US−P3(2005−536−3))との、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Frederic S.Diana、Aurelien J.F.David、Pierre M.Petroff、およびClaude C.A.Weisbuchによる、米国特許出願第11/251,365号、名称「PHOTONIC STRUCTURES FOR EFFICIENT LIGHT EXTRACTION AND CONVERSION IN MULTI−COLOR LIGHT EMITTING DEVICES」(2005年10月14日出願、代理人整理番号30794.142−US−01(2005−534−1));
Claude C.A.Weisbuch、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第11/643,148号、名称「IMPROVED HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DFB LASERS FABRICATED BY GROWTH OVER PATTERNED SUBSTRATE WITH MULTIPLE OVERGROWTH」(2006年12月4日出願、代理人整理番号30794.143−US−U1(2005−721−2))、該出願は、Claude C.A.Weisbuch、およびShuji Nakamuraによる、米国仮特許出願第60/741,935号、名称「IMPROVED HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DFB LASERS FABRICATED BY GROWTH OVER PATTERNED SUBSTRATE WITH MULTIPLE OVERGROWTH」(2005年12月2日出願、代理人整理番号30794.143−US−P1(2005−721−))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N.Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国特許出願第11/593,268号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年11月6日出願、代理人整理番号30794.161−US−U1(2006−271−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N.Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国仮特許出願第60/734,040号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2005年11月4日出願、代理人整理番号30794.161−US−P1(2006−271−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国特許出願第11/608,439号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年12月8日出願、代理人整理番号30794.164−US−U1(2006−318−3))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/764,975号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年2月3日出願、代理人整理番号30794.164−US−P2(2006−318−2))と、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/748,480号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2005年12月8日出願、代理人整理番号30794.164−US−P1(2006−318−1))との、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Hong Zhong、John F.Kaeding、Rajat Sharma、James S.Speck、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第11/676,999号、名称「METHOD FOR GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga,B)N OPTOELECTRONIC DEVICES」(2007年2月24日出願、代理人整理番号30794.173−US−U1(2006−422−2))、該出願は、Hong Zhong、John F.Kaeding、Rajat Sharma、James S.Speck、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国仮特許出願第60/774,467号、名称「METHOD FOR GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga、B)N OPTOELECTRONIC DEVICES」(2006年2月17日出願、代理人整理番号30794.173−US−P1(2006−422−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Claude C.A.Weisbuch、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH EFFICIENCY WHITE,SINGLE OR MULTI−COLOUR LED BY INDEX MATCHING STRUCTURES」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.196−US−U1(2007−114−2))、該出願は、Claude C.A.Weisbuch、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/866,026号、名称「HIGH EFFICIENCY WHITE,SINGLE OR MULTI−COLOUR LED BY INDEX MATCHING STRUCTURES」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.196−US−P1(2007−114−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、Steven P.DenBaars、およびStacia Kellerによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LED WITH EMITTERS WITHIN STRUCTURED MATERIALS」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.197−US−U1(2007−113−2))、該出願は、Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、Steven P.DenBaars、およびStacia Kellerによる、米国仮特許出願第60/866,015号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LED WITH EMITTERS WITHIN STRUCTURED MATERIALS」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.197−US−P1(2007−113−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Evelyn L.Hu、Shuji Nakamura、Yong Seok Choi、Rajat Sharma、およびChiou−Fu Wangによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「ION BEAM TREATMENT FOR THE STRUCTURAL INTEGRITY OF AIR−GAP III−NITRIDE DEVICES PRODUCED BY PHOTOELECTROCHEMICAL(PEC) ETCHING」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.201−US−U1(2007−161−2))、該出願は、Evelyn L.Hu、Shuji Nakamura、Yong Seok Choi、Rajat Sharma、およびChiou−Fu Wangによる、米国仮特許出願第60/866,027号、名称「ION BEAM TREATMENT FOR THE STRUCTURAL INTEGRITY OF AIR−GAP III−NITRIDE DEVICES PRODUCED BY PHOTOELECTROCHEMICAL(PEC) ETCHING」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.201−US−P1(2007−161−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Natalie N.Fellows、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「TEXTURED PHOSPHOR CONVERSION LAYER LIGHT EMITTING DIODE」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.203−US−U1(2007−270−2))、該出願は、Natalie N.Fellows、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国仮特許出願第60/866,024号、名称「TEXTURED PHOSPHOR CONVERSION LAYER LIGHT EMITTING DIODE」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.203−US−P1(2007−270−1))の、米国特許法 第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびHisashi Masuiによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY SPHERE LED」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.204−US−U1(2007−271−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびHisashi Masuiによる、米国仮特許出願第60/866,025号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY SPHERE LED」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.204−US−P1(2007−271−1))の、米国特許法 第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Shuji Nakamura、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「STANDING TRANSPARENT MIRROR−LESS(STML) LIGHT EMITTING DIODE」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.205−US−U1(2007−272−2))、該出願は、Shuji Nakamura、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/866,017号、名称「STANDING TRANSPARENT MIRROR−LESS(STML) LIGHT EMITTING DIODE」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.205−US−P1(2007−272−1))の、米国特許法 第119条(e)のもとでの利益を主張する;および、
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「TRANSPARENT MIRROR−LESS(TML) LIGHT EMITTING DIODE」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.206−US−U1(2007−273−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/866,023号、名称「TRANSPARENT MIRROR−LESS(TML) LIGHT EMITTING DIODE」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.206−US−P1(2007−273−1))の、米国特許法 第119条(e)のもとでの利益を主張する;
上記のこれらの出願は、本明細書において参考として援用される。
【0003】
(発明の背景)
(1.発明の分野)
本発明は、オプトエレクトロニクス応用のための発光ダイオード(LED)光抽出に関する。
【背景技術】
【0004】
(2.関連技術の記載)
(注記:本出願は、例えば[x]のような括弧内の1つ以上の参照番号によって明細書の中で示される、多数の異なる刊行物および特許を参照する。これらの参照番号に従って並べられたこれらの種々の刊行物および特許のリストは、後の(参考文献)の節において見ることができる。これらの刊行物および特許の各々は、本明細書において参考として援用される。)
多数の刊行物および特許が、発光半導体材料からの光抽出に関する問題を取り上げている。当業者は、角錐、アウトカップリングテーパ、またはテクスチャ化表面のような、幾何光学に依存する効果を使用し得る[8(非特許文献1)〜14(非特許文献7)]。また、当業者は、マイクロキャビティ共鳴またはフォトニック結晶抽出のような、波動光学に依存する効果を使用し得る[15〜18]。ペンデオ成長またはカンチレバー成長[19、20]、ならびに、横方向エピタキシャル過成長[21、22]のような、特別な成長技術がまた、使用され得る。
【0005】
LED抽出の分野における最近の進歩については、ほとんど公表されていないが、フォトニック結晶効果または酸化亜鉛(ZnO)角錐による光抽出の概念が、上記(関連出願の参照)に記載された特許の中で十分に説明されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】M.R.Kramesほか、「High−power truncated−inverted−pyramid (AlXGa1−X)0.5In0.5P/GaP light−emitting diodes exhibiting greater than 50% external quantum efficiency」、Applied physics letters、1999年、vol.75、pp.2365−2367
【非特許文献2】W.Schmid、J.R.Eberhard F.、King R.、Miller M.、Joos M. およびK.J.Ebeling、「45% Quantum Efficiency Light−Emitting−Diodes with Radial Outcoupling Taper」、SPIEにて発表、2000年、San Jose、California
【非特許文献3】I.Schnitzerほか、「30% External Quantum Efficiency from Surface Textured,Thin−Film Light−Emitting−Diodes」、Applied Physics Letters、1993年、vol.63、pp.2174−2176
【非特許文献4】T.Fujiiほか、「Cone−shaped surface GaN−based light−emiting diodes」、Physica Status Solidi C、2005年、no.7、pp.2836−40
【非特許文献5】Z.H.Feng、およびK.M Lau、「Enhanced luminescence from GaN−based blue LEDs grown on grooved sapphire substrates」、IEEE Photonics Technology Letters、2005年9月、vol.17、no.9、pp.1812−14
【非特許文献6】T.Gessmannほか、「Light−emitting diodes with integrated omnidirectionally reflective contacts」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.53−61
【非特許文献7】R.Windischほか、「InGaAlP thin film LEDs with high luminous efficiency」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.43−52
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0007】
(発明の概要)
本発明は、追加の光抽出方法と組み合わされた、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合発光ダイオード(LED)について説明する。この追加の光抽出方法は、ZnO構造によって抽出されなかった光、より具体的には、(Al,In,Ga)N層に捕捉された光を、抽出することを目的とする。この追加の光抽出方法は、表面のパターニングまたはテクスチャリング、あるいは回折格子としての機能を果たすフォトニック結晶を使用し、薄膜からの抽出に適している。ZnO構造と追加の光抽出方法との両方の組み合わせは、大部分の放射光の抽出を可能にする。本発明のより一般的な拡張においては、ZnO構造は、追加の光抽出を達成するために、別の材料によって置換され得る。別の拡張においては、(Al,In,Ga)N層は、追加の光抽出を達成するために、他の材料の成分を含む構造によって置換され得る。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1a】図1aは、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の、概略断面図である。
【図1b】図1bは、図1aに示された(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造が、プラスチックレンズなどの成形された光抽出器に組み合わされた、またはそれに埋め込まれた状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図である。
【図2】図2は、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図である。
【図3】図3は、抽出前の内部発光したLED光の、計算された角度分布を示す。
【図4】図4は、本特許において開示される本発明の概略図であり、別の(第2の)抽出器と関連付けられるZnO角錐抽出器を示す。
【図5】図5は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層は、ZnO接合前にカスプを有するようにパターニングされている。
【図6】図6は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、基板は除去されており、(Al,In,Ga)Nは、いくらかのランダム粗面化または構造化を有する。
【図7】図7は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層は、ZnO接合前にフォトニック結晶としてパターニングされている。
【図8】図8は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層は、ZnO接合前にカスプを有するようにパターニングされており、カスプは、蛍光体材料によって充填されている。
【図9】図9は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、横方向エピタキシャル過成長(LEO)によって得られる。
【図10】図10は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、ペンデオエピタキシーによって得られ、含有された空気が、パターニングされたマスク材料の上の層に埋め込まれている。
【図11】図11は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、エッチングされたパターンの上でペンデオエピタキシーによって得られ、含有された空気が(Al,In,Ga)N層に埋め込まれている。
【図12】図12は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、損傷表面領域のパターン上にペンデオエピタキシーによって得られ、含有された空気が(Al,In,Ga)N層に埋め込まれている。
【図13】図13は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、ランダムにパターニングされた領域上で成長している。
【図14】図14は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、ZnOは、接合前にパターニングされている。
【図15】図15は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、パターニングされた基板上に成長している。
【図16】図16は、エポキシ環境の中に置かれ、最終的にLEDを囲む成形された鏡面を組み込む、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の、概略断面図である。
【図17a】図17aは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、フォトニック結晶のようないくらかの粗面化または構造化を有し、電気接点が、局所的にまたは界面全体を覆う金属接触パッドによって、テクスチャ化された界面に確保される。
【図17b】図17bは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、いくらかの粗面化または構造化を有し、接点が、金属層によって、およびSiO2またはAlGaNのような低屈折率絶縁層または障壁層を介して、テクスチャ化された界面に対して確保される。
【図17c】図17cは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、いくらかの粗面化または構造化を有し、接点が、SiO2またはAlGaNのような低屈折率絶縁層または障壁層を通してエッチングされたビアを貫通する金属層によって、テクスチャ化された界面に対して確保される。
【図18】図18は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、LEOまたはペンデオエピタキシーを使用して、または、フォトニック結晶またはランダムパターニングのような、(Al,In,Ga)N層の底部における構造化の不規則性によって得られる含有物を含み、基板は除去されており、接点が、局所的または表面全体に、構造の底部における(Al,In,Ga)N層に対して作られる。
【図19】図19は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、2つの接合されたZnO角錐のような、いくつかの抽出構造と、1つ、2つ、または3つの回折構造またはランダム化された構造とを備える。
【図20】図20は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、埋め込みフォトニック結晶は、所望の方向の発光を得るように調整される。
【図21】図21は、埋め込みフォトニック結晶を備える、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、パターニングされた基板上で成長している。
【図22】図22は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、ZnOは、接合前にパターニングされており、AlGaNのような低屈折率層が、表面導波(surface guided)モードの存在を確実にするために層に組み込まれている。
【図23】図23は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層は、ZnO接合前にフォトニック結晶としてパターニングされており、金属鏡面が、基板の底部に作られている。
【図24】図24は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、ZnO材料は、複数の角錐のようなさらに複雑な形に構造化されている。
【図25】図25は、メガ円錐形LEDの構造を示し、ここでは、光学素子(ZnO)が、パターニングされたIII族窒化物(GaN)メサ上に形成されている。
【図26】図26(A)はパターニングされたGaNメサ(本例においては、三角形のパターンを有する)の上面図を示す顕微鏡写真であり、図26(B)および図26(C)は、製作の結果得られたLEDの上面図を示す顕微鏡写真であり、図26(C)は、電流注入下のLEDを示す。
【図27a】図27aは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、n−接点は(Al,In,Ga)N層上に堆積され、p−接点はZnO角錐の下側に堆積され、表面パターニングは、ZnO角錐との界面における(Al,In,Ga)N層に存在する。
【図27b】図27bは、図27aのLED構造の背面図を示す顕微鏡写真であり、構造から放射される光を示す。
【発明を実施するための形態】
【0009】
(発明の詳細な説明)
好適な実施形態に関する以下の説明において、説明の一部を形成する添付の図面が参照され、これらの図面の中では、本発明が実践され得る特定の実施形態が、例示として示される。他の実施形態が使用され得、かつ、本発明の範囲を逸脱することなく構造的変更が加えられ得ることが、理解されるべきである。
【0010】
(概要)
本発明の目的は、光抽出のための2つの方法を組み合わせることによって、発光ダイオード(LED)からの光抽出効率を高める手段を提供することである。
【0011】
第1の方法は、(Al,In,Ga)N−ZnO構造の使用であり、ここで、ZnOは、ZnOの中を伝播する光の抽出を増加させるように成形される。
【0012】
第2の方法は、(Al,In,Ga)N薄膜層の中に光が捕捉されたままであるために、第1の方法によって抽出されない光に対処する。この第2の方法は、表面のパターニングまたはテクスチャリング、あるいは回折格子としての機能を果たすフォトニック結晶を使用することによって、薄膜からの光抽出に適している。
【0013】
さらなる拡張は、成形された高屈折率光抽出材料と、(Al,In,Ga)N薄膜内に捕捉された光の抽出に適した第2の光抽出方法との、一般的な組み合わせである。
【0014】
(技術的な説明)
本開示を通じて簡略化のために、「(Al,In,Ga)N層または薄膜」は、分子線エピタキシー(MBE)、有機金属化学蒸着法(MOCVD)、または気相エピタキシー(VPE)のような、任意の技術によって成長した層の集合を言う。集合は、通常、基板上に成長する緩衝層、活性層(量子井戸または量子ドット、障壁、および任意の他の発光半導体層)、電流阻止層、接続層、およびLED用に成長しかつ最新技術により周知の他の層を備える。また、これらの層が、(Al,In,Ga)N材料系以外の材料を使用して、種々の特定の実装に適合され得ること、特に、LEDから放射される所望の波長範囲ごとに適合され得ることは、周知である。
【0015】
(Al,In,Ga)N LEDからの光抽出を向上するための効率的な方法は、(Al,In,Ga)N LEDに接合される成形されたZnO構造の使用を含む。ZnO構造は、特にその優れた電気的性質により、効率的な接点としての役割を果たし得る。さらに、ZnO構造が成形されるために、ZnO内部で伝播する光の抽出が強化される。
【0016】
ZnO構造が角錐台に成形される、本方法を実装する代表的な構造が図1aに示される。図1aは、(Al,In,Ga)NおよびZnO直接ウエハ接合LED構造10の概略断面図であり、基板12、(Al,In,Ga)N層(単数または複数)14、量子井戸16のような、(Al,In,Ga)N層(単数または複数)14内の活性領域または発光種(light emitting species)、接点18、ZnO角錐20、および接点22を含み、本図面において、矢印24は導波モードの光放射を表し、矢印26は抽出される光放射を表す。
【0017】
本構造は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N. Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国特許出願第11/593,268号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年11月6日出願、代理人整理番号30794.161−US−U1(2006−271−2))の開示に記載されており、本出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N. Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国仮特許出願第60/734,040号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE (LED)」(2005年11月4日出願、代理人整理番号30794.161−US−P1(2006−271−1))の、米国特許法 Section119(e)の下での利益を主張し、これら両出願は、本明細書において参考として援用される。
【0018】
図1aの方法に対する改善は、該構造を、テーパ状レンズのような光抽出構造と組み合わせる、またはその中に埋め込むステップを含み、その結果として、上述の米国特許出願および仮特許出願の記載ならびに図1aの図示のように、レンズに入る大部分の光が臨界角内に存在して抽出され、この場合には、LED構造10は、プラスチックレンズのような成形された光抽出器28と組み合わされ、またはその中に埋め込まれる。
【0019】
一部の場合には、図2に示すように、元の基板12は除去され得る。
【0020】
しかしながら、LEDによって放射される光の一部は、(Al,In,Ga)N薄膜に捕捉されたままとなり、ZnOの中に伝播しないために、抽出されない。この光は、導波光24として示される。この捕捉された光は、ZnOの屈折率が、(Al,In,Ga)N領域の屈折率よりも低いという事実から生じる。一般的には、LEDによって放射される全ての光の40%から50%までが、このように捕捉されたままとなる。
【0021】
図3は、ZnOとサファイアとの間に挟着される2ミクロン厚の(Al,In,Ga)N層で作られる構造の、量子井戸によって放射される光を表す双極子放射を示す。図3において、黒色の太線の間に放射される光24は、導波光24に対応し、放射光全体の45%にも達する。本発明は、小入射角で放射され、半導体−空気界面における内部全反射により導波される光を抽出することを目的とする。
【0022】
また、導波光を抽出するために、(Al,In,Ga)N−ZnO構造は、別の追加の光抽出器と組み合わされ、この追加の光抽出器は、(Al,In,Ga)N薄膜の中に局在するか、あるいは、それと隣接または近接して配置され、ここで、追加の光抽出器は、(Al,In,Ga)N薄膜の中に捕捉された光の抽出に有効である。
【0023】
図4は、両方の光抽出方法を組み合わせたオプトエレクトロニクスデバイスに関する一般的な実施形態を表し、ここで、ZnO角錐は、成形された光学素子構造を備える第1の抽出器20であり、(Al,In,Ga)N層14から放射された光の少なくとも一部を抽出するために、(Al,In,Ga)N層14に隣接して配置され、すなわち、(Al,In,Ga)N層14の上に成長または接合されており、また、黒色領域は第2の光抽出器30を表しており、第1の光抽出器20によって抽出されなかった導波光のような追加の光を、(Al,In,Ga)N層14から抽出するために、(Al,In,Ga)N層14および第1の光抽出器20に近接して置かれる。
【0024】
第2の光抽出器30は、(Al,In,Ga)N層14の上部または底部のいずれかの界面の改質、または(Al,In,Ga)N層14の内部の改質を含み得、この改質は、光抽出を増加させる。この改質は、(Al,In,Ga)N薄膜14の片面または両面の表面パターニングまたはテクスチャリングを含み得、ここで、パターニングまたはテクスチャリングは、規則的またはランダムであり得る。
【0025】
図5は、表面のパターンニング32が(Al,In,Ga)N層14の前面(または上面)上に形成される、本発明の実施形態を表し、図6は、初期の基板12が除去された後に、ランダムな表面テクスチャ34が(Al,In,Ga)N層14の後面(または底面)に形成される、別の実施形態である。図5および図6に示される両方の場合において、表面テクスチャリングは、導波光に対するさらなる軌道を提供し、導波光の抽出を増加させる。
【0026】
図7に示されるさらに別の実施形態において、第2の光抽出器を含む改質は、回折格子として機能するフォトニック結晶36のような、規則的な構造化であり得る。フォトニック結晶36は、導波光を、構造から脱出可能な放射光に変えることから、光抽出を強化する。
【0027】
一般的に、パターニング、テクスチャリング、またはフォトニック結晶を使用するかにかかわらず、表面改質によって形成された孔は、空気を含有し得るか、または、誘電材料、金属材料、または蛍光体のような別の発光材料のような、別の材料で充填され得る。図8は、規則的な表面パターニング38が蛍光体で充填される、本発明の実施形態を表す。蛍光体によって捕獲される光は異なる波長で再放射され、したがって、構造化表面38(第2の抽出方法)および角錐20(第1の抽出方法)によって、高抽出効率の多色発光が得られる。多色発光は、最終的に白色光として出現し得る。
【0028】
上述のように、第2の光抽出方法はまた、(Al,In,Ga)N層14構造の、表面ではなく、その構造自体の改質を含み得る。例えば、第2の光抽出器は、(Al,In,Ga)N層14の内部に埋め込まれ得る。例えば、第2の光抽出器は、図7の実施形態と同じ効果を有する、(Al,In,Ga)N層14の内部に埋め込まれるフォトニック結晶であり得る。したがって、(Al,In,Ga)N層14の構造内の発光種16は、第2の光抽出器の下、内部、または上に配置され得る。
【0029】
埋設されたフォトニック結晶のような、(Al,In,Ga)N層14内部に埋め込まれた第2の光抽出器は、異なる方法で形成され得る。本発明の一実施形態において、フォトニック結晶40は、横方向エピタキシャル過成長(LEO)マスク上に、(Al,In,Ga)N14を過成長することによって形成される(ここで、LEOマスクは、例えば、二酸化ケイ素SiO2である)。この場合には、LEOマスクはまた、図9に示され、かつ、Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,910号、名称「SINGLE OR MULTI−COLOR HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE (LED) BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.122−US−01(2005−145−1))に記載されるように、その屈折率が(Al,In,Ga)N材料と対照的であるために、フォトニック結晶40としての役割を果たす。上記出願は、本明細書において参考として援用される。
【0030】
図10に示される別の実施形態において、再成長は、LEOマスク42の全体に及ばず、LEOマスク42の上に空気領域44が存在する。この場合には、フォトニック結晶効果46はまた、空気44と(Al,In,Ga)N材料14との間の対照的な屈折率に起因する。
【0031】
第3の実施形態において、(Al,In,Ga)N層14の一部が成長し、フォトニック結晶48が、例えば、ナノインプリントおよびドライエッチングによって、(Al,In,Ga)N層14の表面に形成される。次いで、(Al,In,Ga)N14が、フォトニック結晶48構造の上に再成長し、その結果として、フォトニック結晶48は、図11に示されるように、最終的な(Al,In,Ga)N14構造に埋め込まれる。
【0032】
さらに別の実施形態において、(Al,In,Ga)N層14の一部が成長し、(Al,In,Ga)N層14の表面の一部が、例えば、イオン注入によって変化50する。次いで、(Al,In,Ga)N14が、この構造50の上に再成長するが、再成長は、表面の変化部分50の上52に発生しないために、図12に示されるように、フォトニック結晶54を形成する。
【0033】
これらの実施形態の全てにおいて、活性層は、フォトニック結晶領域の下、上、または内部のいずれかに位置し得る。これらの実施形態はまた、例えば、熱アニーリングステップを使用して、フォトニック結晶領域の形成後に、(Al,In,Ga)N材料の品質を強化または回復させるための製作ステップと組み合わされ得る。
【0034】
別の実施形態において、埋め込みフォトニック結晶は、埋め込みパターン56によって置換され得、ここで、図13に示されるように、パターン56は規則的またはランダムであり得、それ故に、導波光に対してさらなる軌道を提供し、導波光抽出を増加させる。繰り返すが、パターン56は、LEO、GaNにエッチングされたフォトニック結晶上の再成長、または変化したGaN表面上の再成長のような、多種多様の方法によって形成され得る。図13は、ランダムなテクスチャ56が(Al,In,Ga)N層14の中に埋め込まれる、本発明の実施形態を表す。
【0035】
図9〜図13に記載の実施形態に関して、発光種を含む層は、第2の光抽出器を含む構造化された層の下、内部、または上に位置し得る。
【0036】
第2の光抽出器はまた、第1の光抽出器20の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは第1の光抽出器20の内部の改質を含み得、ここで、改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む。
【0037】
例えば、第2の光抽出器58は、図14に示されるように、(Al,In,Ga)N層14との界面に近い、ZnO構造20に形成され得る。繰り返すが、第2の光抽出器58は、(Al,In,Ga)N層14に接合されたZnO20表面のパターニングまたはテクスチャリング(規則的またはランダムのいずれか)を含み得、あるいは、ZnO20表面上での光回折格子の形成を含み得る。この場合には、導波光の抽出は、導波光がZnO20領域において短いスケールで漏出するために発生し、それ故に、(Al,In,Ga)N層14との界面に近いZnO20の形状に敏感である。図14は、フォトニック結晶58が、接合された界面におけるZnO領域に(例えば、ZnO表面上に)形成される、本発明の実施形態を表す。
【0038】
さらに、第2の光抽出器は、(Al,In,Ga)N層14を支持する基板12の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは、基板12内の改質を含み得、ここで、改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む。
【0039】
例えば、第2の光抽出器60は、図15に示されるように、(Al,In,Ga)N層14との界面における基板12内に形成され得る。本実施形態において、第2の光抽出器60は、基板の表面上または基板12内に形成される規則的なパターニングであり、(Al,In,Ga)N層14が、その後で、このパターニングの上に成長する。繰り返すが、第2の光抽出器60は、基板のパターニングまたはテクスチャリング(規則的またはランダムのいずれか)を含み得、あるいは、基板12表面上での光回折格子の形成を含み得る。この場合には、導波光の抽出は、導波光が基板12領域において短いスケールで漏出するために発生し、それ故に、(Al,In,Ga)N層14との界面に近い基板12の形状に敏感である。
【0040】
これら全ての実施形態において、ZnO20内を伝播する光は、第1の抽出方法のZnO20の成形によって効率的に抽出され、導波光は、第2の光抽出方法によって効率的に抽出され、その結果として、放射された光の大部分が抽出される。
【0041】
(可能な修正)
素子構造全体は、(Al,In,Ga)N層からさらなる光を抽出するために、光抽出構造、例えば、成形された高屈折率光抽出材料と組み合わされ、その中に埋め込まれ、または配置され得る。例えば、図16は、エポキシドーム62を備える環境内に配置された素子構造全体を示し、このエポキシドームは、ホルダ64構造上に存在し、ロバスト性および光抽出増加を提供する。この環境は、最適な光抽出のために成形され得る。
【0042】
さらに、環境および/またはZnO構造は、(Al,In,Ga)N層によって放射される光に対して波長変換を実行する発光種を含有し得、これによって、例えば、全体として白色発光の達成に使用され得る、新しい放射波長を提供する。
【0043】
ZnO構造は、類似の特徴、つまり、優れた透過性、効果的な光抽出のための高屈折率、および優れた電気的性質を有する、別の材料によって置換され得る。例えば、この材料は、炭化ケイ素(SiC)またはインジウムスズ酸化物(ITO)であり得る。
【0044】
(Al,In,Ga)N層が上に成長した元の基板は、例えば、レーザリフトオフ、ドライエッチング、または化学エッチングによって除去され得る。(Al,In,Ga)N層が基板から分離された後に、(Al,In,Ga)Nはさらに修正され得る。(Al,In,Ga)Nは薄くされて、第2の光抽出器領域が、新しい(Al,In,Ga)N表面の上に形成され得る。
【0045】
図17aは、(Al,In,Ga)N層14が上に存在する基板が除去され、(Al,In,Ga)N層14の、その結果として得られた露出した表面上に、フォトニック結晶66が形成される、本発明の実施形態を表す。さらに、底部電気接点68が、(Al,In,Ga)N層14の得られた露出した表面の一部または全部の上に形成され得る。
【0046】
導波光の吸収を減少させるために、図17bに示すように、(Al,In,Ga)N層14の得られた露出した表面と、金属接点72との間に、低屈折率層70(AlGaNまたはSiO2のような)を置くことが、有利であると立証され得る。
【0047】
図17cは、金属接点72(鏡面として機能する)と、(Al,In,Ga)N層14の得られた露出した表面との間の接触抵抗を減少させ、その一方で、導波路の光学的損失を低く維持する実施形態を示す。この実施形態において、低屈折率層70は、ビア孔を有するようにパターニング、テクスチャリング、またはエッチングされ、ビア孔は次いで、金属で充填され得る。
【0048】
さらに、(Al,In,Ga)N層14の得られた表面は、フォトニック結晶76などの埋め込み構造化とともに、図18に示されるように、基板として機能を果たす金属基板のような別の基板78に接合され得る。
【0049】
第2のZnO構造80のような第2の光学素子が、図19に示されるように、第2の光抽出器上に形成され得る。これは、LEDの両側に効率的な電流注入を提供し得る。第2のZnO構造80は、前述のように、例えばランダムパターンまたはフォトニック結晶のような、1つ以上の埋め込み回折層82、84と結合され得、また、別の接点86を含み得る。
【0050】
光抽出方法は、特定の方向に方向性が増加する特定の遠視野パターンを得るために、組み合わされ得る。第2の光抽出方法がフォトニック結晶格子86である場合には、図20に示されるように、第2の光抽出器は、光抽出88が特定の角度でまたはその角度の近傍で発生し、ZnO20界面における反射が最小化されるように、設計され得る。
【0051】
第2の光抽出器の形状、サイズ、および他のパラメータ(フォトニック結晶の場合には、結晶パラメータなどの)は、構造に応じて変化し得、配置に依存する光抽出挙動を提供する。
【0052】
ランダムパターン、規則的パターン、およびフォトニック結晶の組み合わせのように、いくつかの第2の光抽出器が組み合わされ得る。図21は、基板12上に規則的パターン90が形成され、(Al,In,Ga)N層14の一部が成長し、LEOマスク92が形成され、(Al,In,Ga)N層14の残りが、LEOマスク90上に成長する、本発明の実施形態を示す。
【0053】
(Al,In,Ga)Nエピタキシャル構造は、分布ブラッグ反射器(Distributed Bragg Reflector; DBR)または光障壁のような、屈折率変調を提供する層を含み得、これは、Aurelien J.F.David、Claude C.A Weisbuch、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,956号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE (LED) WITH OPTIMIZED PHOTONIC CRYSTAL EXTRACTOR」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.126−US−01(2005−198−1))に記載されており、該出願は、本明細書において参考として援用される。
【0054】
これらの変調層は、構造の光抽出特性を修正し得、または、導波光の分布を修正し得、それ故に、第2の光抽出器を、導波光の抽出においてさらにより効果的にする。図22は、このような構造の実装を示し、ここで、光閉じ込め層94または光障壁(より低い屈折率の材料から作られる)は、ZnO構造20に形成されるフォトニック結晶98の近くに、いわゆる「表面」導波モード96を生成する。次いで、このようなモード96は、ZnO構造20に形成されるフォトニック結晶98によって、効率的に抽出される。
【0055】
薄い金属層のような材料が、(Al,In,Ga)N層とZnO構造との間の界面に付加され得る。これは、電気接点の特性を強化するために使用され得る。
【0056】
金属または誘電体の鏡面100が、図23に示されるように、構造の周囲、例えば、基板12の下に、基板12の代わりに、またはZnO構造20の一部の側面に配置され、パターニング104によって抽出される光を含む光を、特定の方向に再指向し得る。
【0057】
ZnO構造は、粗面化されたファセットを有する角錐、または角錐の集合体などの、複雑な表面を有し得る。図24は、いくつかのZnO角錐20が、フォトニック結晶108の上に存在する構造を示す。
【0058】
ZnOは、金属酸化物のような、任意の透明な高屈折率材料によって置換され得る。成形された透明な高屈折率材料(ZnOなどの)は、例えば、ウエハ接合、粘着接合、スパッタリング、エピタキシャル成長、接着接合、または電子ビーム蒸着を使用して取り付けられ得る。
【0059】
図25は、本発明の一実施形態を示し、ここで、オプトエレクトロニクスデバイスは、メガ円錐形LED110を備え、メガ円錐形LED110において、高屈折率材料から成るZnO光学素子112は、パターニングされたIII族窒化物(GaN)メサ114の上面に成長または接合され、パターニングされたIII族窒化物(GaN)メサ114は、1つ以上のIII族窒化物層から成り、かつ基板116上に形成される発光種を備える活性層を含む。この構造、特に、パターニングされたメサ114は、低入射角の光118が、より効率的にZnO光学素子112に入ることを可能にし、その結果として、より多くの光出力を得るために、大部分の光がZnO光学素子112に入ることが可能になる。これに対して、このようなGaNメサ114のパターニングが無い場合には、低入射角の光118は、GaN(n=2.4)とZnO(n=2.1)との間の光の屈折率の違いにより、効率的にZnO光学素子112に入ることができない。
【0060】
図26(A)は、パターニングされたGaNメサ(本例においては、三角のパターンを有する)の上面図を示す顕微鏡写真であり、図26(B)および図26(C)は、その結果として製作されたLEDの上面図を示す顕微鏡写真であり、図26(C)は、電流注入下のLEDを示す。
【0061】
これらの構造は、以下の表に記載のように、改善された出力を提供する。
【0062】
【表1】
図27aは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、成形された光学素子は、ZnO角錐120であり、(Al,In,Ga)N層122は、ZnO角錐120との界面においてパターニング124され、n−接点126は、(Al,In,Ga)N層122上に堆積され、p−接点128は、ZnO角錐120の下側に堆積される。この構造は、p−接点128がZnO角錐120の上部からZnO角錐120の底部にまで移されていることから、光抽出を強化することがわかる。ZnO角錐の上部におけるp−接点は、光抽出を減少させると考えられる。
【0063】
図27bは、図27aのLED構造の背面を示す顕微鏡写真であり、これは、(Al,In,Ga)N層122、(Al,In,Ga)N層122のZnO角錐120との界面のパターニング124、(Al,In,Ga)N層122上に堆積されたn−接点126、およびZnO角錐120の下側に堆積されたp−接点128を示す。本顕微鏡写真はまた、構造から放射される光を示す。パターニング124が光を効率的に放射することがわかる。
【0064】
(参考文献)
以下の参考文献は、本明細書において参考として援用される。
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[4] Chenほか、米国特許第6,163,038号、名称「White Light Emitting Diode and Method of Manufacturing the Same」、2000年12月19日発行。
[5] Kramesほか、米国特許第5,779,924号、名称「Ordered Interface Texturing For a Light Emitting Device」、1998年7月14日発行。
[6] Huntほか、米国特許第5,362,977号、名称「Single Mirror Light Emitting Diodes with Enhanced Intensity」、1994年11月8日発行。
[7] Choほか、米国特許第5,226,053号、名称「Light Emitting Diode」、1993年7月6日発行。
[8] M.R.Kramesほか、「High−power truncated−inverted−pyramid (AlXGa1−X)0.5In0.5P/GaP light−emitting diodes exhibiting greater than 50% external quantum efficiency」、Applied physics letters、1999年、vol.75、pp.2365−2367。
[9] W.Schmid、J.R.Eberhard F.、King R.、Miller M.、Joos M. およびK.J.Ebeling、「45% Quantum Efficiency Light−Emitting−Diodes with Radial Outcoupling Taper」、SPIEにて発表、2000年、San Jose、California。
[10] I.Schnitzerほか、「30% External Quantum Efficiency from Surface Textured,Thin−Film Light−Emitting−Diodes」、Applied Physics Letters、1993年、vol.63、pp.2174−2176。
[11] T.Fujiiほか、「Cone−shaped surface GaN−based light−emiting diodes」、Physica Status Solidi C、2005年、no.7、pp.2836−40。
[12] Z.H.Feng、およびK.M Lau、「Enhanced luminescence from GaN−based blue LEDs grown on grooved sapphire substrates」、IEEE Photonics Technology Letters、2005年9月、vol.17、no.9、pp.1812−14。
[13] T.Gessmannほか、「Light−emitting diodes with integrated omnidirectionally reflective contacts」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.53−61。
[14] R.Windischほか、「InGaAlP thin film LEDs with high luminous efficiency」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.43−52。
[15] Y.C.Shenほか、「Optical cavity effects in InGaN/GaN quantum−well−heterostructure flip−chip light−emitting diodes」、
Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.20−25。
[16] R.Jorayほか、「High efficiency planar MCLEDs」、Physica Status Solidi B、2005年、vol.242、pp.2315−25。
[17] C.Weisbuchほか、「Recent results and latest views on microcavity LEDs」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.1−19。
[18] A.Davidほか、「Photonic crystal laser lift−off GaN light−emitting diodes」、Applied Physics Letters、2006年、vol.88、pp.133514−1−3。
[19] R.Davisほか、「Pendeo−epitaxy−A new approach for lateral growth of gallium nitride films」、MRS Internet Journal Nitride Research 6、2001年、p.14。
[20] T.M.Katona、J.S.Speck、およびS.P.DenBaars、「Effect of the nucleation layer on stress during cantilever epitaxy of GaN on Si(111)」、Physica Status Solidi A、2002年、194、pp.541−544。
[21] Isao Kidoguchi、Akihiko Ishibashi、Gaku Sugahara、およびYuzaburoh Ban、「Air−bridged lateral epitaxial overgrowth of GaN thin films」、Applied Physics Letters、2000年、76、pp.3768−3770。
[22] B.Beaumont、P.Vennegues、およびP.Gibart、「Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN」、Physica Status Solidi(b)、2001年、227、pp.1−43。
【0065】
(結論)
本発明の好適な実施形態の説明は、ここで終了する。本発明の1つ以上の実施形態に関する上記の説明は、例示および説明の目的のために提示された。上記の説明は、網羅的であることも、本発明を開示された正確な形態に限定することも、意図されていない。上記の教示の観点から、多くの修正および変更が可能である。本発明の範囲は、発明を実施するための形態の記載内容によって限定されるのではなく、添付の請求項によって限定されることが意図される。
【技術分野】
【0001】
(関連出願の参照)
本特許出願は、以下の同時係属中かつ同一人に譲渡された米国特許出願の、米国特許法第119条(e)の下での利益を主張する。すなわち、
Steven P.DenBaars、Aurelien J.F.David、およびClaude C.A.Weisbuchによる、米国仮特許出願第60/866,014号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFCIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)(LED)THROUGH MULTIPLE EXTRACTORS」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.191−US−P1(2007−047−1));および、
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、Akihiko Murai、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/883,977号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFCIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)(LED)THROUGH MULTIPLE EXTRACTORS」(2007年1月8日出願、代理人整理番号30794.191−US−P2(2007−047−2));
上記のこれらの出願は、本明細書において参考として援用される。
【0002】
本特許出願は、以下の同時係属中かつ同一人に譲渡された特許出願と関連する。すなわち、
Tetsuo Fujii、Yan Gao、Evelyn.L.Hu、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第10/581,940号、名称「HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING」(2006年6月7日出願、代理人整理番号30794.108−US−WO(2004−063))、該出願は、Tetsuo Fujii、Yan Gao、Evelyn L.Hu、およびShuji Nakamuraによる、PCT特許出願第US2003/03921号、名称「HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING」(2003年12月9日出願、代理人整理番号30794.108−US−WO−01(2004−063))の米国特許法第365条(c)の下での利益を主張する;
Rajat Sharma、P.Morgan Pattison、John F.Kaeding、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第11/054,271号、名称「SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE」(2005年2月9日出願、代理人整理番号30794.112−US−01(2004−208));
Carole Schwach、Claude C.A.Weisbuch、Steven P.DenBaars Henri Benisty、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第10/938,704号、名称「WHITE,SINGLE OR MULTICOLOR LED BY RECYCLING GUIDED MODES」(2004年9月10日出願、代理人整理番号30794.115−US−01(2004−064));
Akihiko Murai、Lee McCarthy、Umesh K.Mishra、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/175,761号、名称「METHOD FOR WAFER BONDING (Al,In,Ga)N AND Zn(S,Se) FOR OPTOELECTRONICS APPLICATIONS」(2005年7月6日出願、代理人整理番号30794.116−US−U1(2004−455))、該出願は、Akihiko Murai、Lee McCarthy、Umesh K.Mishra、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/585,673号、名称「METHOD FOR WAFER BONDING (Al,In,Ga)N and Zn(S,Se) FOR OPTOELECTRONICS APPLICATIONS」(2004年7月6日出願、代理人整理番号30794.116−US−P1(2004−455−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,957号、名称「HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DISTRIBUTED FEEDBACK(DFB) LASERS BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.121−US−01(2005−144−1));
Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,910号、名称「SINGLE OR MULTI−COLOR HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.122−US−01(2005−145−1));
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,956号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) WITH OPTIMIZED PHOTONIC CRYSTAL EXTRACTOR」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.126−US−01(2005−198−1));
James S.Speck、Troy J.Baker、およびBenjamin A.Haskellによる、米国特許出願第11/403,634号、名称「WAFER SEPARATION TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF FREE−STANDING (AL,IN,GA)N WAFERS」(2006年4月13日出願、代理人整理番号30794.131−US−U1(2005−482−2))、該出願は、James S.Speck、Troy J.Baker、およびBenjamin A.Haskellによる、米国仮特許出願第60/670,810号、名称「WAFER SEPARATION TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF FREE−STANDING (AL,IN,GA)N WAFERS」(2005年4月13日出願、代理人整理番号30794.131−US−P1(2005−482−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
James S.Speck、Benjamin A.Haskell、P.Morgan Pattison、およびTroy J.Bakerによる、米国特許出願第11/403,288号、名称「ETCHING TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF THIN (AL,IN,GA)N LAYERS」(2006年4月13日出願、代理人整理番号30794.132−US−U1(2005−509−2))、該出願は、James S.Speck、Benjamin A.Haskell、P.Morgan Pattison、およびTroy J.Bakerによる、米国仮特許出願第60/670,790号、名称「ETCHING TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF THIN (AL,IN,GA)N LAYERS」(2005年4月13日出願、代理人整理番号30794.132−US−P1(2005−509−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国特許出願第11/454,691号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD」(2006年6月16日出願、代理人整理番号30794.134−US−U1(2005−536−4))、該出願は、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/691,710号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS,AND ITS FABRICATION METHOD」(2005年6月17日出願、代理人整理番号30794.134−US−P1(2005−536−1))と、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/732,319号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS,AND ITS FABRICATION METHOD」(2005年11月1日出願、代理人整理番号30794.134−US−P2(2005−536−2))と、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/764,881号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD」(2006年2月3日出願、代理人整理番号30794.134−US−P3(2005−536−3))との、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Frederic S.Diana、Aurelien J.F.David、Pierre M.Petroff、およびClaude C.A.Weisbuchによる、米国特許出願第11/251,365号、名称「PHOTONIC STRUCTURES FOR EFFICIENT LIGHT EXTRACTION AND CONVERSION IN MULTI−COLOR LIGHT EMITTING DEVICES」(2005年10月14日出願、代理人整理番号30794.142−US−01(2005−534−1));
Claude C.A.Weisbuch、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第11/643,148号、名称「IMPROVED HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DFB LASERS FABRICATED BY GROWTH OVER PATTERNED SUBSTRATE WITH MULTIPLE OVERGROWTH」(2006年12月4日出願、代理人整理番号30794.143−US−U1(2005−721−2))、該出願は、Claude C.A.Weisbuch、およびShuji Nakamuraによる、米国仮特許出願第60/741,935号、名称「IMPROVED HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DFB LASERS FABRICATED BY GROWTH OVER PATTERNED SUBSTRATE WITH MULTIPLE OVERGROWTH」(2005年12月2日出願、代理人整理番号30794.143−US−P1(2005−721−))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N.Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国特許出願第11/593,268号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年11月6日出願、代理人整理番号30794.161−US−U1(2006−271−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N.Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国仮特許出願第60/734,040号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2005年11月4日出願、代理人整理番号30794.161−US−P1(2006−271−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国特許出願第11/608,439号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年12月8日出願、代理人整理番号30794.164−US−U1(2006−318−3))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/764,975号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年2月3日出願、代理人整理番号30794.164−US−P2(2006−318−2))と、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/748,480号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2005年12月8日出願、代理人整理番号30794.164−US−P1(2006−318−1))との、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Hong Zhong、John F.Kaeding、Rajat Sharma、James S.Speck、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第11/676,999号、名称「METHOD FOR GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga,B)N OPTOELECTRONIC DEVICES」(2007年2月24日出願、代理人整理番号30794.173−US−U1(2006−422−2))、該出願は、Hong Zhong、John F.Kaeding、Rajat Sharma、James S.Speck、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国仮特許出願第60/774,467号、名称「METHOD FOR GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga、B)N OPTOELECTRONIC DEVICES」(2006年2月17日出願、代理人整理番号30794.173−US−P1(2006−422−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Claude C.A.Weisbuch、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH EFFICIENCY WHITE,SINGLE OR MULTI−COLOUR LED BY INDEX MATCHING STRUCTURES」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.196−US−U1(2007−114−2))、該出願は、Claude C.A.Weisbuch、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/866,026号、名称「HIGH EFFICIENCY WHITE,SINGLE OR MULTI−COLOUR LED BY INDEX MATCHING STRUCTURES」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.196−US−P1(2007−114−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、Steven P.DenBaars、およびStacia Kellerによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LED WITH EMITTERS WITHIN STRUCTURED MATERIALS」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.197−US−U1(2007−113−2))、該出願は、Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、Steven P.DenBaars、およびStacia Kellerによる、米国仮特許出願第60/866,015号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LED WITH EMITTERS WITHIN STRUCTURED MATERIALS」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.197−US−P1(2007−113−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Evelyn L.Hu、Shuji Nakamura、Yong Seok Choi、Rajat Sharma、およびChiou−Fu Wangによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「ION BEAM TREATMENT FOR THE STRUCTURAL INTEGRITY OF AIR−GAP III−NITRIDE DEVICES PRODUCED BY PHOTOELECTROCHEMICAL(PEC) ETCHING」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.201−US−U1(2007−161−2))、該出願は、Evelyn L.Hu、Shuji Nakamura、Yong Seok Choi、Rajat Sharma、およびChiou−Fu Wangによる、米国仮特許出願第60/866,027号、名称「ION BEAM TREATMENT FOR THE STRUCTURAL INTEGRITY OF AIR−GAP III−NITRIDE DEVICES PRODUCED BY PHOTOELECTROCHEMICAL(PEC) ETCHING」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.201−US−P1(2007−161−1))の、米国特許法第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Natalie N.Fellows、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「TEXTURED PHOSPHOR CONVERSION LAYER LIGHT EMITTING DIODE」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.203−US−U1(2007−270−2))、該出願は、Natalie N.Fellows、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国仮特許出願第60/866,024号、名称「TEXTURED PHOSPHOR CONVERSION LAYER LIGHT EMITTING DIODE」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.203−US−P1(2007−270−1))の、米国特許法 第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびHisashi Masuiによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY SPHERE LED」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.204−US−U1(2007−271−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびHisashi Masuiによる、米国仮特許出願第60/866,025号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY SPHERE LED」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.204−US−P1(2007−271−1))の、米国特許法 第119条(e)のもとでの利益を主張する;
Shuji Nakamura、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「STANDING TRANSPARENT MIRROR−LESS(STML) LIGHT EMITTING DIODE」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.205−US−U1(2007−272−2))、該出願は、Shuji Nakamura、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/866,017号、名称「STANDING TRANSPARENT MIRROR−LESS(STML) LIGHT EMITTING DIODE」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.205−US−P1(2007−272−1))の、米国特許法 第119条(e)のもとでの利益を主張する;および、
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「TRANSPARENT MIRROR−LESS(TML) LIGHT EMITTING DIODE」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.206−US−U1(2007−273−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/866,023号、名称「TRANSPARENT MIRROR−LESS(TML) LIGHT EMITTING DIODE」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.206−US−P1(2007−273−1))の、米国特許法 第119条(e)のもとでの利益を主張する;
上記のこれらの出願は、本明細書において参考として援用される。
【0003】
(発明の背景)
(1.発明の分野)
本発明は、オプトエレクトロニクス応用のための発光ダイオード(LED)光抽出に関する。
【背景技術】
【0004】
(2.関連技術の記載)
(注記:本出願は、例えば[x]のような括弧内の1つ以上の参照番号によって明細書の中で示される、多数の異なる刊行物および特許を参照する。これらの参照番号に従って並べられたこれらの種々の刊行物および特許のリストは、後の(参考文献)の節において見ることができる。これらの刊行物および特許の各々は、本明細書において参考として援用される。)
多数の刊行物および特許が、発光半導体材料からの光抽出に関する問題を取り上げている。当業者は、角錐、アウトカップリングテーパ、またはテクスチャ化表面のような、幾何光学に依存する効果を使用し得る[8(非特許文献1)〜14(非特許文献7)]。また、当業者は、マイクロキャビティ共鳴またはフォトニック結晶抽出のような、波動光学に依存する効果を使用し得る[15〜18]。ペンデオ成長またはカンチレバー成長[19、20]、ならびに、横方向エピタキシャル過成長[21、22]のような、特別な成長技術がまた、使用され得る。
【0005】
LED抽出の分野における最近の進歩については、ほとんど公表されていないが、フォトニック結晶効果または酸化亜鉛(ZnO)角錐による光抽出の概念が、上記(関連出願の参照)に記載された特許の中で十分に説明されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】M.R.Kramesほか、「High−power truncated−inverted−pyramid (AlXGa1−X)0.5In0.5P/GaP light−emitting diodes exhibiting greater than 50% external quantum efficiency」、Applied physics letters、1999年、vol.75、pp.2365−2367
【非特許文献2】W.Schmid、J.R.Eberhard F.、King R.、Miller M.、Joos M. およびK.J.Ebeling、「45% Quantum Efficiency Light−Emitting−Diodes with Radial Outcoupling Taper」、SPIEにて発表、2000年、San Jose、California
【非特許文献3】I.Schnitzerほか、「30% External Quantum Efficiency from Surface Textured,Thin−Film Light−Emitting−Diodes」、Applied Physics Letters、1993年、vol.63、pp.2174−2176
【非特許文献4】T.Fujiiほか、「Cone−shaped surface GaN−based light−emiting diodes」、Physica Status Solidi C、2005年、no.7、pp.2836−40
【非特許文献5】Z.H.Feng、およびK.M Lau、「Enhanced luminescence from GaN−based blue LEDs grown on grooved sapphire substrates」、IEEE Photonics Technology Letters、2005年9月、vol.17、no.9、pp.1812−14
【非特許文献6】T.Gessmannほか、「Light−emitting diodes with integrated omnidirectionally reflective contacts」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.53−61
【非特許文献7】R.Windischほか、「InGaAlP thin film LEDs with high luminous efficiency」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.43−52
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0007】
(発明の概要)
本発明は、追加の光抽出方法と組み合わされた、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合発光ダイオード(LED)について説明する。この追加の光抽出方法は、ZnO構造によって抽出されなかった光、より具体的には、(Al,In,Ga)N層に捕捉された光を、抽出することを目的とする。この追加の光抽出方法は、表面のパターニングまたはテクスチャリング、あるいは回折格子としての機能を果たすフォトニック結晶を使用し、薄膜からの抽出に適している。ZnO構造と追加の光抽出方法との両方の組み合わせは、大部分の放射光の抽出を可能にする。本発明のより一般的な拡張においては、ZnO構造は、追加の光抽出を達成するために、別の材料によって置換され得る。別の拡張においては、(Al,In,Ga)N層は、追加の光抽出を達成するために、他の材料の成分を含む構造によって置換され得る。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1a】図1aは、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の、概略断面図である。
【図1b】図1bは、図1aに示された(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造が、プラスチックレンズなどの成形された光抽出器に組み合わされた、またはそれに埋め込まれた状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図である。
【図2】図2は、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図である。
【図3】図3は、抽出前の内部発光したLED光の、計算された角度分布を示す。
【図4】図4は、本特許において開示される本発明の概略図であり、別の(第2の)抽出器と関連付けられるZnO角錐抽出器を示す。
【図5】図5は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層は、ZnO接合前にカスプを有するようにパターニングされている。
【図6】図6は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、基板は除去されており、(Al,In,Ga)Nは、いくらかのランダム粗面化または構造化を有する。
【図7】図7は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層は、ZnO接合前にフォトニック結晶としてパターニングされている。
【図8】図8は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層は、ZnO接合前にカスプを有するようにパターニングされており、カスプは、蛍光体材料によって充填されている。
【図9】図9は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、横方向エピタキシャル過成長(LEO)によって得られる。
【図10】図10は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、ペンデオエピタキシーによって得られ、含有された空気が、パターニングされたマスク材料の上の層に埋め込まれている。
【図11】図11は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、エッチングされたパターンの上でペンデオエピタキシーによって得られ、含有された空気が(Al,In,Ga)N層に埋め込まれている。
【図12】図12は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、損傷表面領域のパターン上にペンデオエピタキシーによって得られ、含有された空気が(Al,In,Ga)N層に埋め込まれている。
【図13】図13は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層の上部は、ランダムにパターニングされた領域上で成長している。
【図14】図14は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、ZnOは、接合前にパターニングされている。
【図15】図15は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、パターニングされた基板上に成長している。
【図16】図16は、エポキシ環境の中に置かれ、最終的にLEDを囲む成形された鏡面を組み込む、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の、概略断面図である。
【図17a】図17aは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、フォトニック結晶のようないくらかの粗面化または構造化を有し、電気接点が、局所的にまたは界面全体を覆う金属接触パッドによって、テクスチャ化された界面に確保される。
【図17b】図17bは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、いくらかの粗面化または構造化を有し、接点が、金属層によって、およびSiO2またはAlGaNのような低屈折率絶縁層または障壁層を介して、テクスチャ化された界面に対して確保される。
【図17c】図17cは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、いくらかの粗面化または構造化を有し、接点が、SiO2またはAlGaNのような低屈折率絶縁層または障壁層を通してエッチングされたビアを貫通する金属層によって、テクスチャ化された界面に対して確保される。
【図18】図18は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、LEOまたはペンデオエピタキシーを使用して、または、フォトニック結晶またはランダムパターニングのような、(Al,In,Ga)N層の底部における構造化の不規則性によって得られる含有物を含み、基板は除去されており、接点が、局所的または表面全体に、構造の底部における(Al,In,Ga)N層に対して作られる。
【図19】図19は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、2つの接合されたZnO角錐のような、いくつかの抽出構造と、1つ、2つ、または3つの回折構造またはランダム化された構造とを備える。
【図20】図20は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、埋め込みフォトニック結晶は、所望の方向の発光を得るように調整される。
【図21】図21は、埋め込みフォトニック結晶を備える、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)Nは、パターニングされた基板上で成長している。
【図22】図22は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、ZnOは、接合前にパターニングされており、AlGaNのような低屈折率層が、表面導波(surface guided)モードの存在を確実にするために層に組み込まれている。
【図23】図23は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、(Al,In,Ga)N層は、ZnO接合前にフォトニック結晶としてパターニングされており、金属鏡面が、基板の底部に作られている。
【図24】図24は、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、ZnO材料は、複数の角錐のようなさらに複雑な形に構造化されている。
【図25】図25は、メガ円錐形LEDの構造を示し、ここでは、光学素子(ZnO)が、パターニングされたIII族窒化物(GaN)メサ上に形成されている。
【図26】図26(A)はパターニングされたGaNメサ(本例においては、三角形のパターンを有する)の上面図を示す顕微鏡写真であり、図26(B)および図26(C)は、製作の結果得られたLEDの上面図を示す顕微鏡写真であり、図26(C)は、電流注入下のLEDを示す。
【図27a】図27aは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、n−接点は(Al,In,Ga)N層上に堆積され、p−接点はZnO角錐の下側に堆積され、表面パターニングは、ZnO角錐との界面における(Al,In,Ga)N層に存在する。
【図27b】図27bは、図27aのLED構造の背面図を示す顕微鏡写真であり、構造から放射される光を示す。
【発明を実施するための形態】
【0009】
(発明の詳細な説明)
好適な実施形態に関する以下の説明において、説明の一部を形成する添付の図面が参照され、これらの図面の中では、本発明が実践され得る特定の実施形態が、例示として示される。他の実施形態が使用され得、かつ、本発明の範囲を逸脱することなく構造的変更が加えられ得ることが、理解されるべきである。
【0010】
(概要)
本発明の目的は、光抽出のための2つの方法を組み合わせることによって、発光ダイオード(LED)からの光抽出効率を高める手段を提供することである。
【0011】
第1の方法は、(Al,In,Ga)N−ZnO構造の使用であり、ここで、ZnOは、ZnOの中を伝播する光の抽出を増加させるように成形される。
【0012】
第2の方法は、(Al,In,Ga)N薄膜層の中に光が捕捉されたままであるために、第1の方法によって抽出されない光に対処する。この第2の方法は、表面のパターニングまたはテクスチャリング、あるいは回折格子としての機能を果たすフォトニック結晶を使用することによって、薄膜からの光抽出に適している。
【0013】
さらなる拡張は、成形された高屈折率光抽出材料と、(Al,In,Ga)N薄膜内に捕捉された光の抽出に適した第2の光抽出方法との、一般的な組み合わせである。
【0014】
(技術的な説明)
本開示を通じて簡略化のために、「(Al,In,Ga)N層または薄膜」は、分子線エピタキシー(MBE)、有機金属化学蒸着法(MOCVD)、または気相エピタキシー(VPE)のような、任意の技術によって成長した層の集合を言う。集合は、通常、基板上に成長する緩衝層、活性層(量子井戸または量子ドット、障壁、および任意の他の発光半導体層)、電流阻止層、接続層、およびLED用に成長しかつ最新技術により周知の他の層を備える。また、これらの層が、(Al,In,Ga)N材料系以外の材料を使用して、種々の特定の実装に適合され得ること、特に、LEDから放射される所望の波長範囲ごとに適合され得ることは、周知である。
【0015】
(Al,In,Ga)N LEDからの光抽出を向上するための効率的な方法は、(Al,In,Ga)N LEDに接合される成形されたZnO構造の使用を含む。ZnO構造は、特にその優れた電気的性質により、効率的な接点としての役割を果たし得る。さらに、ZnO構造が成形されるために、ZnO内部で伝播する光の抽出が強化される。
【0016】
ZnO構造が角錐台に成形される、本方法を実装する代表的な構造が図1aに示される。図1aは、(Al,In,Ga)NおよびZnO直接ウエハ接合LED構造10の概略断面図であり、基板12、(Al,In,Ga)N層(単数または複数)14、量子井戸16のような、(Al,In,Ga)N層(単数または複数)14内の活性領域または発光種(light emitting species)、接点18、ZnO角錐20、および接点22を含み、本図面において、矢印24は導波モードの光放射を表し、矢印26は抽出される光放射を表す。
【0017】
本構造は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N. Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国特許出願第11/593,268号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年11月6日出願、代理人整理番号30794.161−US−U1(2006−271−2))の開示に記載されており、本出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N. Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国仮特許出願第60/734,040号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE (LED)」(2005年11月4日出願、代理人整理番号30794.161−US−P1(2006−271−1))の、米国特許法 Section119(e)の下での利益を主張し、これら両出願は、本明細書において参考として援用される。
【0018】
図1aの方法に対する改善は、該構造を、テーパ状レンズのような光抽出構造と組み合わせる、またはその中に埋め込むステップを含み、その結果として、上述の米国特許出願および仮特許出願の記載ならびに図1aの図示のように、レンズに入る大部分の光が臨界角内に存在して抽出され、この場合には、LED構造10は、プラスチックレンズのような成形された光抽出器28と組み合わされ、またはその中に埋め込まれる。
【0019】
一部の場合には、図2に示すように、元の基板12は除去され得る。
【0020】
しかしながら、LEDによって放射される光の一部は、(Al,In,Ga)N薄膜に捕捉されたままとなり、ZnOの中に伝播しないために、抽出されない。この光は、導波光24として示される。この捕捉された光は、ZnOの屈折率が、(Al,In,Ga)N領域の屈折率よりも低いという事実から生じる。一般的には、LEDによって放射される全ての光の40%から50%までが、このように捕捉されたままとなる。
【0021】
図3は、ZnOとサファイアとの間に挟着される2ミクロン厚の(Al,In,Ga)N層で作られる構造の、量子井戸によって放射される光を表す双極子放射を示す。図3において、黒色の太線の間に放射される光24は、導波光24に対応し、放射光全体の45%にも達する。本発明は、小入射角で放射され、半導体−空気界面における内部全反射により導波される光を抽出することを目的とする。
【0022】
また、導波光を抽出するために、(Al,In,Ga)N−ZnO構造は、別の追加の光抽出器と組み合わされ、この追加の光抽出器は、(Al,In,Ga)N薄膜の中に局在するか、あるいは、それと隣接または近接して配置され、ここで、追加の光抽出器は、(Al,In,Ga)N薄膜の中に捕捉された光の抽出に有効である。
【0023】
図4は、両方の光抽出方法を組み合わせたオプトエレクトロニクスデバイスに関する一般的な実施形態を表し、ここで、ZnO角錐は、成形された光学素子構造を備える第1の抽出器20であり、(Al,In,Ga)N層14から放射された光の少なくとも一部を抽出するために、(Al,In,Ga)N層14に隣接して配置され、すなわち、(Al,In,Ga)N層14の上に成長または接合されており、また、黒色領域は第2の光抽出器30を表しており、第1の光抽出器20によって抽出されなかった導波光のような追加の光を、(Al,In,Ga)N層14から抽出するために、(Al,In,Ga)N層14および第1の光抽出器20に近接して置かれる。
【0024】
第2の光抽出器30は、(Al,In,Ga)N層14の上部または底部のいずれかの界面の改質、または(Al,In,Ga)N層14の内部の改質を含み得、この改質は、光抽出を増加させる。この改質は、(Al,In,Ga)N薄膜14の片面または両面の表面パターニングまたはテクスチャリングを含み得、ここで、パターニングまたはテクスチャリングは、規則的またはランダムであり得る。
【0025】
図5は、表面のパターンニング32が(Al,In,Ga)N層14の前面(または上面)上に形成される、本発明の実施形態を表し、図6は、初期の基板12が除去された後に、ランダムな表面テクスチャ34が(Al,In,Ga)N層14の後面(または底面)に形成される、別の実施形態である。図5および図6に示される両方の場合において、表面テクスチャリングは、導波光に対するさらなる軌道を提供し、導波光の抽出を増加させる。
【0026】
図7に示されるさらに別の実施形態において、第2の光抽出器を含む改質は、回折格子として機能するフォトニック結晶36のような、規則的な構造化であり得る。フォトニック結晶36は、導波光を、構造から脱出可能な放射光に変えることから、光抽出を強化する。
【0027】
一般的に、パターニング、テクスチャリング、またはフォトニック結晶を使用するかにかかわらず、表面改質によって形成された孔は、空気を含有し得るか、または、誘電材料、金属材料、または蛍光体のような別の発光材料のような、別の材料で充填され得る。図8は、規則的な表面パターニング38が蛍光体で充填される、本発明の実施形態を表す。蛍光体によって捕獲される光は異なる波長で再放射され、したがって、構造化表面38(第2の抽出方法)および角錐20(第1の抽出方法)によって、高抽出効率の多色発光が得られる。多色発光は、最終的に白色光として出現し得る。
【0028】
上述のように、第2の光抽出方法はまた、(Al,In,Ga)N層14構造の、表面ではなく、その構造自体の改質を含み得る。例えば、第2の光抽出器は、(Al,In,Ga)N層14の内部に埋め込まれ得る。例えば、第2の光抽出器は、図7の実施形態と同じ効果を有する、(Al,In,Ga)N層14の内部に埋め込まれるフォトニック結晶であり得る。したがって、(Al,In,Ga)N層14の構造内の発光種16は、第2の光抽出器の下、内部、または上に配置され得る。
【0029】
埋設されたフォトニック結晶のような、(Al,In,Ga)N層14内部に埋め込まれた第2の光抽出器は、異なる方法で形成され得る。本発明の一実施形態において、フォトニック結晶40は、横方向エピタキシャル過成長(LEO)マスク上に、(Al,In,Ga)N14を過成長することによって形成される(ここで、LEOマスクは、例えば、二酸化ケイ素SiO2である)。この場合には、LEOマスクはまた、図9に示され、かつ、Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,910号、名称「SINGLE OR MULTI−COLOR HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE (LED) BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.122−US−01(2005−145−1))に記載されるように、その屈折率が(Al,In,Ga)N材料と対照的であるために、フォトニック結晶40としての役割を果たす。上記出願は、本明細書において参考として援用される。
【0030】
図10に示される別の実施形態において、再成長は、LEOマスク42の全体に及ばず、LEOマスク42の上に空気領域44が存在する。この場合には、フォトニック結晶効果46はまた、空気44と(Al,In,Ga)N材料14との間の対照的な屈折率に起因する。
【0031】
第3の実施形態において、(Al,In,Ga)N層14の一部が成長し、フォトニック結晶48が、例えば、ナノインプリントおよびドライエッチングによって、(Al,In,Ga)N層14の表面に形成される。次いで、(Al,In,Ga)N14が、フォトニック結晶48構造の上に再成長し、その結果として、フォトニック結晶48は、図11に示されるように、最終的な(Al,In,Ga)N14構造に埋め込まれる。
【0032】
さらに別の実施形態において、(Al,In,Ga)N層14の一部が成長し、(Al,In,Ga)N層14の表面の一部が、例えば、イオン注入によって変化50する。次いで、(Al,In,Ga)N14が、この構造50の上に再成長するが、再成長は、表面の変化部分50の上52に発生しないために、図12に示されるように、フォトニック結晶54を形成する。
【0033】
これらの実施形態の全てにおいて、活性層は、フォトニック結晶領域の下、上、または内部のいずれかに位置し得る。これらの実施形態はまた、例えば、熱アニーリングステップを使用して、フォトニック結晶領域の形成後に、(Al,In,Ga)N材料の品質を強化または回復させるための製作ステップと組み合わされ得る。
【0034】
別の実施形態において、埋め込みフォトニック結晶は、埋め込みパターン56によって置換され得、ここで、図13に示されるように、パターン56は規則的またはランダムであり得、それ故に、導波光に対してさらなる軌道を提供し、導波光抽出を増加させる。繰り返すが、パターン56は、LEO、GaNにエッチングされたフォトニック結晶上の再成長、または変化したGaN表面上の再成長のような、多種多様の方法によって形成され得る。図13は、ランダムなテクスチャ56が(Al,In,Ga)N層14の中に埋め込まれる、本発明の実施形態を表す。
【0035】
図9〜図13に記載の実施形態に関して、発光種を含む層は、第2の光抽出器を含む構造化された層の下、内部、または上に位置し得る。
【0036】
第2の光抽出器はまた、第1の光抽出器20の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは第1の光抽出器20の内部の改質を含み得、ここで、改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む。
【0037】
例えば、第2の光抽出器58は、図14に示されるように、(Al,In,Ga)N層14との界面に近い、ZnO構造20に形成され得る。繰り返すが、第2の光抽出器58は、(Al,In,Ga)N層14に接合されたZnO20表面のパターニングまたはテクスチャリング(規則的またはランダムのいずれか)を含み得、あるいは、ZnO20表面上での光回折格子の形成を含み得る。この場合には、導波光の抽出は、導波光がZnO20領域において短いスケールで漏出するために発生し、それ故に、(Al,In,Ga)N層14との界面に近いZnO20の形状に敏感である。図14は、フォトニック結晶58が、接合された界面におけるZnO領域に(例えば、ZnO表面上に)形成される、本発明の実施形態を表す。
【0038】
さらに、第2の光抽出器は、(Al,In,Ga)N層14を支持する基板12の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは、基板12内の改質を含み得、ここで、改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む。
【0039】
例えば、第2の光抽出器60は、図15に示されるように、(Al,In,Ga)N層14との界面における基板12内に形成され得る。本実施形態において、第2の光抽出器60は、基板の表面上または基板12内に形成される規則的なパターニングであり、(Al,In,Ga)N層14が、その後で、このパターニングの上に成長する。繰り返すが、第2の光抽出器60は、基板のパターニングまたはテクスチャリング(規則的またはランダムのいずれか)を含み得、あるいは、基板12表面上での光回折格子の形成を含み得る。この場合には、導波光の抽出は、導波光が基板12領域において短いスケールで漏出するために発生し、それ故に、(Al,In,Ga)N層14との界面に近い基板12の形状に敏感である。
【0040】
これら全ての実施形態において、ZnO20内を伝播する光は、第1の抽出方法のZnO20の成形によって効率的に抽出され、導波光は、第2の光抽出方法によって効率的に抽出され、その結果として、放射された光の大部分が抽出される。
【0041】
(可能な修正)
素子構造全体は、(Al,In,Ga)N層からさらなる光を抽出するために、光抽出構造、例えば、成形された高屈折率光抽出材料と組み合わされ、その中に埋め込まれ、または配置され得る。例えば、図16は、エポキシドーム62を備える環境内に配置された素子構造全体を示し、このエポキシドームは、ホルダ64構造上に存在し、ロバスト性および光抽出増加を提供する。この環境は、最適な光抽出のために成形され得る。
【0042】
さらに、環境および/またはZnO構造は、(Al,In,Ga)N層によって放射される光に対して波長変換を実行する発光種を含有し得、これによって、例えば、全体として白色発光の達成に使用され得る、新しい放射波長を提供する。
【0043】
ZnO構造は、類似の特徴、つまり、優れた透過性、効果的な光抽出のための高屈折率、および優れた電気的性質を有する、別の材料によって置換され得る。例えば、この材料は、炭化ケイ素(SiC)またはインジウムスズ酸化物(ITO)であり得る。
【0044】
(Al,In,Ga)N層が上に成長した元の基板は、例えば、レーザリフトオフ、ドライエッチング、または化学エッチングによって除去され得る。(Al,In,Ga)N層が基板から分離された後に、(Al,In,Ga)Nはさらに修正され得る。(Al,In,Ga)Nは薄くされて、第2の光抽出器領域が、新しい(Al,In,Ga)N表面の上に形成され得る。
【0045】
図17aは、(Al,In,Ga)N層14が上に存在する基板が除去され、(Al,In,Ga)N層14の、その結果として得られた露出した表面上に、フォトニック結晶66が形成される、本発明の実施形態を表す。さらに、底部電気接点68が、(Al,In,Ga)N層14の得られた露出した表面の一部または全部の上に形成され得る。
【0046】
導波光の吸収を減少させるために、図17bに示すように、(Al,In,Ga)N層14の得られた露出した表面と、金属接点72との間に、低屈折率層70(AlGaNまたはSiO2のような)を置くことが、有利であると立証され得る。
【0047】
図17cは、金属接点72(鏡面として機能する)と、(Al,In,Ga)N層14の得られた露出した表面との間の接触抵抗を減少させ、その一方で、導波路の光学的損失を低く維持する実施形態を示す。この実施形態において、低屈折率層70は、ビア孔を有するようにパターニング、テクスチャリング、またはエッチングされ、ビア孔は次いで、金属で充填され得る。
【0048】
さらに、(Al,In,Ga)N層14の得られた表面は、フォトニック結晶76などの埋め込み構造化とともに、図18に示されるように、基板として機能を果たす金属基板のような別の基板78に接合され得る。
【0049】
第2のZnO構造80のような第2の光学素子が、図19に示されるように、第2の光抽出器上に形成され得る。これは、LEDの両側に効率的な電流注入を提供し得る。第2のZnO構造80は、前述のように、例えばランダムパターンまたはフォトニック結晶のような、1つ以上の埋め込み回折層82、84と結合され得、また、別の接点86を含み得る。
【0050】
光抽出方法は、特定の方向に方向性が増加する特定の遠視野パターンを得るために、組み合わされ得る。第2の光抽出方法がフォトニック結晶格子86である場合には、図20に示されるように、第2の光抽出器は、光抽出88が特定の角度でまたはその角度の近傍で発生し、ZnO20界面における反射が最小化されるように、設計され得る。
【0051】
第2の光抽出器の形状、サイズ、および他のパラメータ(フォトニック結晶の場合には、結晶パラメータなどの)は、構造に応じて変化し得、配置に依存する光抽出挙動を提供する。
【0052】
ランダムパターン、規則的パターン、およびフォトニック結晶の組み合わせのように、いくつかの第2の光抽出器が組み合わされ得る。図21は、基板12上に規則的パターン90が形成され、(Al,In,Ga)N層14の一部が成長し、LEOマスク92が形成され、(Al,In,Ga)N層14の残りが、LEOマスク90上に成長する、本発明の実施形態を示す。
【0053】
(Al,In,Ga)Nエピタキシャル構造は、分布ブラッグ反射器(Distributed Bragg Reflector; DBR)または光障壁のような、屈折率変調を提供する層を含み得、これは、Aurelien J.F.David、Claude C.A Weisbuch、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,956号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE (LED) WITH OPTIMIZED PHOTONIC CRYSTAL EXTRACTOR」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.126−US−01(2005−198−1))に記載されており、該出願は、本明細書において参考として援用される。
【0054】
これらの変調層は、構造の光抽出特性を修正し得、または、導波光の分布を修正し得、それ故に、第2の光抽出器を、導波光の抽出においてさらにより効果的にする。図22は、このような構造の実装を示し、ここで、光閉じ込め層94または光障壁(より低い屈折率の材料から作られる)は、ZnO構造20に形成されるフォトニック結晶98の近くに、いわゆる「表面」導波モード96を生成する。次いで、このようなモード96は、ZnO構造20に形成されるフォトニック結晶98によって、効率的に抽出される。
【0055】
薄い金属層のような材料が、(Al,In,Ga)N層とZnO構造との間の界面に付加され得る。これは、電気接点の特性を強化するために使用され得る。
【0056】
金属または誘電体の鏡面100が、図23に示されるように、構造の周囲、例えば、基板12の下に、基板12の代わりに、またはZnO構造20の一部の側面に配置され、パターニング104によって抽出される光を含む光を、特定の方向に再指向し得る。
【0057】
ZnO構造は、粗面化されたファセットを有する角錐、または角錐の集合体などの、複雑な表面を有し得る。図24は、いくつかのZnO角錐20が、フォトニック結晶108の上に存在する構造を示す。
【0058】
ZnOは、金属酸化物のような、任意の透明な高屈折率材料によって置換され得る。成形された透明な高屈折率材料(ZnOなどの)は、例えば、ウエハ接合、粘着接合、スパッタリング、エピタキシャル成長、接着接合、または電子ビーム蒸着を使用して取り付けられ得る。
【0059】
図25は、本発明の一実施形態を示し、ここで、オプトエレクトロニクスデバイスは、メガ円錐形LED110を備え、メガ円錐形LED110において、高屈折率材料から成るZnO光学素子112は、パターニングされたIII族窒化物(GaN)メサ114の上面に成長または接合され、パターニングされたIII族窒化物(GaN)メサ114は、1つ以上のIII族窒化物層から成り、かつ基板116上に形成される発光種を備える活性層を含む。この構造、特に、パターニングされたメサ114は、低入射角の光118が、より効率的にZnO光学素子112に入ることを可能にし、その結果として、より多くの光出力を得るために、大部分の光がZnO光学素子112に入ることが可能になる。これに対して、このようなGaNメサ114のパターニングが無い場合には、低入射角の光118は、GaN(n=2.4)とZnO(n=2.1)との間の光の屈折率の違いにより、効率的にZnO光学素子112に入ることができない。
【0060】
図26(A)は、パターニングされたGaNメサ(本例においては、三角のパターンを有する)の上面図を示す顕微鏡写真であり、図26(B)および図26(C)は、その結果として製作されたLEDの上面図を示す顕微鏡写真であり、図26(C)は、電流注入下のLEDを示す。
【0061】
これらの構造は、以下の表に記載のように、改善された出力を提供する。
【0062】
【表1】
図27aは、基板を除去した状態の、(Al,In,Ga)NおよびZnOの直接ウエハ接合LED構造の概略断面図であり、成形された光学素子は、ZnO角錐120であり、(Al,In,Ga)N層122は、ZnO角錐120との界面においてパターニング124され、n−接点126は、(Al,In,Ga)N層122上に堆積され、p−接点128は、ZnO角錐120の下側に堆積される。この構造は、p−接点128がZnO角錐120の上部からZnO角錐120の底部にまで移されていることから、光抽出を強化することがわかる。ZnO角錐の上部におけるp−接点は、光抽出を減少させると考えられる。
【0063】
図27bは、図27aのLED構造の背面を示す顕微鏡写真であり、これは、(Al,In,Ga)N層122、(Al,In,Ga)N層122のZnO角錐120との界面のパターニング124、(Al,In,Ga)N層122上に堆積されたn−接点126、およびZnO角錐120の下側に堆積されたp−接点128を示す。本顕微鏡写真はまた、構造から放射される光を示す。パターニング124が光を効率的に放射することがわかる。
【0064】
(参考文献)
以下の参考文献は、本明細書において参考として援用される。
[1] Duggalほか、米国特許第6,538,371号、名称「white Light Illumination System」、2003年3月25日発行。
[2] Y−C.Chin、米国特許第6,525,464号、名称「Stacked Light−Mixing LED」、2003年2月25日発行。
[3] Heremansほか、米国特許第6,504,180号、名称「Method of Manufacturing Surface Textured High Efficiency Radiating Devices And Devices Obtained Threfrom」、2003年1月7日発行。
[4] Chenほか、米国特許第6,163,038号、名称「White Light Emitting Diode and Method of Manufacturing the Same」、2000年12月19日発行。
[5] Kramesほか、米国特許第5,779,924号、名称「Ordered Interface Texturing For a Light Emitting Device」、1998年7月14日発行。
[6] Huntほか、米国特許第5,362,977号、名称「Single Mirror Light Emitting Diodes with Enhanced Intensity」、1994年11月8日発行。
[7] Choほか、米国特許第5,226,053号、名称「Light Emitting Diode」、1993年7月6日発行。
[8] M.R.Kramesほか、「High−power truncated−inverted−pyramid (AlXGa1−X)0.5In0.5P/GaP light−emitting diodes exhibiting greater than 50% external quantum efficiency」、Applied physics letters、1999年、vol.75、pp.2365−2367。
[9] W.Schmid、J.R.Eberhard F.、King R.、Miller M.、Joos M. およびK.J.Ebeling、「45% Quantum Efficiency Light−Emitting−Diodes with Radial Outcoupling Taper」、SPIEにて発表、2000年、San Jose、California。
[10] I.Schnitzerほか、「30% External Quantum Efficiency from Surface Textured,Thin−Film Light−Emitting−Diodes」、Applied Physics Letters、1993年、vol.63、pp.2174−2176。
[11] T.Fujiiほか、「Cone−shaped surface GaN−based light−emiting diodes」、Physica Status Solidi C、2005年、no.7、pp.2836−40。
[12] Z.H.Feng、およびK.M Lau、「Enhanced luminescence from GaN−based blue LEDs grown on grooved sapphire substrates」、IEEE Photonics Technology Letters、2005年9月、vol.17、no.9、pp.1812−14。
[13] T.Gessmannほか、「Light−emitting diodes with integrated omnidirectionally reflective contacts」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.53−61。
[14] R.Windischほか、「InGaAlP thin film LEDs with high luminous efficiency」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.43−52。
[15] Y.C.Shenほか、「Optical cavity effects in InGaN/GaN quantum−well−heterostructure flip−chip light−emitting diodes」、
Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.20−25。
[16] R.Jorayほか、「High efficiency planar MCLEDs」、Physica Status Solidi B、2005年、vol.242、pp.2315−25。
[17] C.Weisbuchほか、「Recent results and latest views on microcavity LEDs」、Proceedings of the SPIE、2004年、vol.5366、no.1、pp.1−19。
[18] A.Davidほか、「Photonic crystal laser lift−off GaN light−emitting diodes」、Applied Physics Letters、2006年、vol.88、pp.133514−1−3。
[19] R.Davisほか、「Pendeo−epitaxy−A new approach for lateral growth of gallium nitride films」、MRS Internet Journal Nitride Research 6、2001年、p.14。
[20] T.M.Katona、J.S.Speck、およびS.P.DenBaars、「Effect of the nucleation layer on stress during cantilever epitaxy of GaN on Si(111)」、Physica Status Solidi A、2002年、194、pp.541−544。
[21] Isao Kidoguchi、Akihiko Ishibashi、Gaku Sugahara、およびYuzaburoh Ban、「Air−bridged lateral epitaxial overgrowth of GaN thin films」、Applied Physics Letters、2000年、76、pp.3768−3770。
[22] B.Beaumont、P.Vennegues、およびP.Gibart、「Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN」、Physica Status Solidi(b)、2001年、227、pp.1−43。
【0065】
(結論)
本発明の好適な実施形態の説明は、ここで終了する。本発明の1つ以上の実施形態に関する上記の説明は、例示および説明の目的のために提示された。上記の説明は、網羅的であることも、本発明を開示された正確な形態に限定することも、意図されていない。上記の教示の観点から、多くの修正および変更が可能である。本発明の範囲は、発明を実施するための形態の記載内容によって限定されるのではなく、添付の請求項によって限定されることが意図される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
(a)基板と、
(b)発光種を備える活性層と、
(c)該活性層上に形成されたパターニングされたメサと、
(d)該パターニングされたメサの上面に成長または接合された光学素子と、
を備える、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項2】
前記パターニングされたメサは、1つ以上のIII族窒化物層から成る、請求項1に記載のデバイス。
【請求項3】
前記パターニングされたメサは、さらなる光出力を得るために、低入射角の光が、より効率的に前記光学素子に入ることを可能にする、請求項1に記載のデバイス。
【請求項4】
前記光学素子は、高屈折率材料を備える、請求項1に記載のデバイス。
【請求項5】
(a)発光種を含む1つ以上の(Al,In,Ga)N層と、
(b)該(Al,In,Ga)N層から放射される光の少なくとも一部分を抽出するための、該(Al,In,Ga)N層に隣接する成形された光学素子を備える、第1の光抽出器と、
(c)該第1の光抽出器によって抽出されなかった該(Al,In,Ga)N層から追加の光を抽出するための、該(Al,In,Ga)N層および該第1の光抽出器に近接した、第2の光抽出器と、
を備える、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項6】
前記第1の光抽出器は、前記(Al,In,Ga)N層上に成長するか、またはそれに接合される、成形された構造を備える、請求項5に記載のデバイス。
【請求項7】
前記第2の光抽出器は、前記(Al,In,Ga)N層の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは該(Al,In,Ga)N層内の改質を含み、該改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む、請求項5に記載のデバイス。
【請求項8】
前記改質によって形成された孔は、空気、誘電材料、金属材料、または発光材料を含有する、請求項7に記載のデバイス。
【請求項9】
前記発光種は、前記第2の光抽出器の下、内部、または上に配置される、請求項5に記載のデバイス。
【請求項10】
前記第2の光抽出器は、前記第1の光抽出器の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは該第1の光抽出器内の改質を含み、該改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む、請求項5に記載のデバイス。
【請求項11】
前記第2の光抽出器は、前記(Al,In,Ga)N層を支持する基板の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは該基板内の改質を含み、該改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む、請求項5に記載のデバイス。
【請求項12】
前記(Al,In,Ga)N層からさらなる光を抽出するための、成形された高屈折率光抽出材料をさらに備える、請求項5に記載のデバイス。
【請求項13】
光抽出構造において、前記デバイスを組み合わせることまたは埋め込むことをさらに備える、請求項5に記載のデバイス。
【請求項14】
前記光抽出構造は、前記(Al,In,Ga)N層によって放射される前記光に対して波長変換を実行する発光種を含有する、請求項13に記載のデバイス。
【請求項15】
前記(Al,In,Ga)N層がその上に存在する基板をさらに備える、請求項5に記載のデバイスであって、該基板は除去され、該(Al,In,Ga)N層の、その結果として得られる露出した表面上に、フォトニック結晶が形成される、デバイス。
【請求項16】
前記(Al,In,Ga)N層の、前記結果として得られる露出した表面上に形成される電気接点をさらに備える、請求項15に記載のデバイス。
【請求項17】
導波光の吸収を減少させるために、前記(Al,In,Ga)N層の前記結果として得られる露出した表面と、前記接点との間に配置される低屈折率層をさらに備える、請求項16に記載のデバイス。
【請求項18】
前記接点と、前記(Al,In,Ga)N層14の前記結果として得られる露出した表面との間の、接触抵抗を減少させ、その一方で、導波路の光学的損失を低く維持するために、前記低屈折率層は、孔を有するようにパターニング、テクスチャリング、またはエッチングされる、請求項17に記載のデバイス。
【請求項19】
前記(Al,In,Ga)N層の前記結果として得られる表面は、別の基板に接合される、請求項15に記載のデバイス。
【請求項20】
前記第2の光抽出器の上に形成される第2の光学素子をさらに備える、請求項5に記載のデバイス。
【請求項21】
オプトエレクトロニクスデバイスを製作する方法であって、
(a)基板を提供するステップと、
(b)発光種を含む活性層を該基板上に形成するステップと、
(c)該活性層上に形成されるパターニングされたメサを形成するステップと、
(d)該パターニングされたメサの上面に光学素子を成長させるか、または接合するステップと、
を包含する、方法。
【請求項22】
前記パターニングされたメサは、1つ以上のIII族窒化物層から成る、請求項21に記載の方法。
【請求項23】
前記パターニングされたメサは、さらなる光出力を得るために、低入射角の光が、より効率的に前記光学素子に入ることを可能にする、請求項21に記載の方法。
【請求項24】
前記光学素子は、高屈折率材料を備える、請求項21に記載の方法。
【請求項25】
オプトエレクトロニクスデバイスを製作する方法であって、
(a)発光種を含む1つ以上の(Al,In,Ga)N層を形成するステップと、
(b)該(Al,In,Ga)N層から放射される光の少なくとも一部分を抽出するための、該(Al,In,Ga)N層に隣接する成形された光学素子を備える、第1の光抽出器を作製するステップと、
(c)該第1の光抽出器によって抽出されなかった該(Al,In,Ga)N層からの追加の光を抽出するための、該(Al,In,Ga)N層および該第1の光抽出器に近接した、第2の光抽出器を作製するステップと、
を包含する、方法。
【請求項1】
(a)基板と、
(b)発光種を備える活性層と、
(c)該活性層上に形成されたパターニングされたメサと、
(d)該パターニングされたメサの上面に成長または接合された光学素子と、
を備える、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項2】
前記パターニングされたメサは、1つ以上のIII族窒化物層から成る、請求項1に記載のデバイス。
【請求項3】
前記パターニングされたメサは、さらなる光出力を得るために、低入射角の光が、より効率的に前記光学素子に入ることを可能にする、請求項1に記載のデバイス。
【請求項4】
前記光学素子は、高屈折率材料を備える、請求項1に記載のデバイス。
【請求項5】
(a)発光種を含む1つ以上の(Al,In,Ga)N層と、
(b)該(Al,In,Ga)N層から放射される光の少なくとも一部分を抽出するための、該(Al,In,Ga)N層に隣接する成形された光学素子を備える、第1の光抽出器と、
(c)該第1の光抽出器によって抽出されなかった該(Al,In,Ga)N層から追加の光を抽出するための、該(Al,In,Ga)N層および該第1の光抽出器に近接した、第2の光抽出器と、
を備える、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項6】
前記第1の光抽出器は、前記(Al,In,Ga)N層上に成長するか、またはそれに接合される、成形された構造を備える、請求項5に記載のデバイス。
【請求項7】
前記第2の光抽出器は、前記(Al,In,Ga)N層の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは該(Al,In,Ga)N層内の改質を含み、該改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む、請求項5に記載のデバイス。
【請求項8】
前記改質によって形成された孔は、空気、誘電材料、金属材料、または発光材料を含有する、請求項7に記載のデバイス。
【請求項9】
前記発光種は、前記第2の光抽出器の下、内部、または上に配置される、請求項5に記載のデバイス。
【請求項10】
前記第2の光抽出器は、前記第1の光抽出器の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは該第1の光抽出器内の改質を含み、該改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む、請求項5に記載のデバイス。
【請求項11】
前記第2の光抽出器は、前記(Al,In,Ga)N層を支持する基板の上部界面または底部界面のいずれかの改質、あるいは該基板内の改質を含み、該改質は、パターン、テクスチャ、またはフォトニック結晶を含む、請求項5に記載のデバイス。
【請求項12】
前記(Al,In,Ga)N層からさらなる光を抽出するための、成形された高屈折率光抽出材料をさらに備える、請求項5に記載のデバイス。
【請求項13】
光抽出構造において、前記デバイスを組み合わせることまたは埋め込むことをさらに備える、請求項5に記載のデバイス。
【請求項14】
前記光抽出構造は、前記(Al,In,Ga)N層によって放射される前記光に対して波長変換を実行する発光種を含有する、請求項13に記載のデバイス。
【請求項15】
前記(Al,In,Ga)N層がその上に存在する基板をさらに備える、請求項5に記載のデバイスであって、該基板は除去され、該(Al,In,Ga)N層の、その結果として得られる露出した表面上に、フォトニック結晶が形成される、デバイス。
【請求項16】
前記(Al,In,Ga)N層の、前記結果として得られる露出した表面上に形成される電気接点をさらに備える、請求項15に記載のデバイス。
【請求項17】
導波光の吸収を減少させるために、前記(Al,In,Ga)N層の前記結果として得られる露出した表面と、前記接点との間に配置される低屈折率層をさらに備える、請求項16に記載のデバイス。
【請求項18】
前記接点と、前記(Al,In,Ga)N層14の前記結果として得られる露出した表面との間の、接触抵抗を減少させ、その一方で、導波路の光学的損失を低く維持するために、前記低屈折率層は、孔を有するようにパターニング、テクスチャリング、またはエッチングされる、請求項17に記載のデバイス。
【請求項19】
前記(Al,In,Ga)N層の前記結果として得られる表面は、別の基板に接合される、請求項15に記載のデバイス。
【請求項20】
前記第2の光抽出器の上に形成される第2の光学素子をさらに備える、請求項5に記載のデバイス。
【請求項21】
オプトエレクトロニクスデバイスを製作する方法であって、
(a)基板を提供するステップと、
(b)発光種を含む活性層を該基板上に形成するステップと、
(c)該活性層上に形成されるパターニングされたメサを形成するステップと、
(d)該パターニングされたメサの上面に光学素子を成長させるか、または接合するステップと、
を包含する、方法。
【請求項22】
前記パターニングされたメサは、1つ以上のIII族窒化物層から成る、請求項21に記載の方法。
【請求項23】
前記パターニングされたメサは、さらなる光出力を得るために、低入射角の光が、より効率的に前記光学素子に入ることを可能にする、請求項21に記載の方法。
【請求項24】
前記光学素子は、高屈折率材料を備える、請求項21に記載の方法。
【請求項25】
オプトエレクトロニクスデバイスを製作する方法であって、
(a)発光種を含む1つ以上の(Al,In,Ga)N層を形成するステップと、
(b)該(Al,In,Ga)N層から放射される光の少なくとも一部分を抽出するための、該(Al,In,Ga)N層に隣接する成形された光学素子を備える、第1の光抽出器を作製するステップと、
(c)該第1の光抽出器によって抽出されなかった該(Al,In,Ga)N層からの追加の光を抽出するための、該(Al,In,Ga)N層および該第1の光抽出器に近接した、第2の光抽出器を作製するステップと、
を包含する、方法。
【図1a】
【図1b】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17a】
【図17b】
【図17c】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27a】
【図27b】
【図1b】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17a】
【図17b】
【図17c】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27a】
【図27b】
【公表番号】特表2010−510661(P2010−510661A)
【公表日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−537207(P2009−537207)
【出願日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【国際出願番号】PCT/US2007/023990
【国際公開番号】WO2008/060594
【国際公開日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【出願人】(592130699)ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア (364)
【氏名又は名称原語表記】The Regents of The University of California
【Fターム(参考)】
【公表日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【国際出願番号】PCT/US2007/023990
【国際公開番号】WO2008/060594
【国際公開日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【出願人】(592130699)ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア (364)
【氏名又は名称原語表記】The Regents of The University of California
【Fターム(参考)】
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