配線回路基板
【課題】信頼性の高い導体パターンが形成された配線回路基板を提供すること。
【解決手段】ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０の金属箔からなる金属支持層２の上に、絶縁層３を形成し、その絶縁層３の上に、ピッチＩＰが３０μｍ以下に設定されている複数のインナリード７を含む導体パターン４を形成し、その後、導体パターン４の形状の良否を反射型光学センサ２４により検査する。その後、被覆層１１および開口部１６を形成することにより、ＴＡＢテープキャリア１を得る。
【解決手段】ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０の金属箔からなる金属支持層２の上に、絶縁層３を形成し、その絶縁層３の上に、ピッチＩＰが３０μｍ以下に設定されている複数のインナリード７を含む導体パターン４を形成し、その後、導体パターン４の形状の良否を反射型光学センサ２４により検査する。その後、被覆層１１および開口部１６を形成することにより、ＴＡＢテープキャリア１を得る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、ＴＡＢ用テープキャリアなどに用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＢ用テープキャリアなどの配線回路基板では、銅箔などの金属支持層を、補強層として有している。このような配線回路基板は、まず、金属支持層の上に、絶縁層を形成し、その絶縁層の上に導体パターンを形成し、その後、金属支持層を、補強が必要な部分を残してエッチング除去することにより、製造されている（例えば、特許文献１、図２参照。）。
【０００３】
そして、上記の製造においては、通常、金属支持層を除去する前に、導体パターンの形状の良否を、光学的に検査するようにしており、より具体的には、例えば、図７に示すように、導体パターン４１を含む絶縁層３２の表面に光（実線矢印で示す。）を照射して、導体パターン４１で反射した光を検知することにより、その形状の良否を判定している。
また、例えば、このような配線回路基板において、金属支持層の表面光沢度を１５０〜５００％に設定することにより、導体パターンの検査において、その金属支持層からの反射光を拡散させて、検査の誤判定を低減することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２０００−３４０６１７号公報
【特許文献２】特開２００５−３３３０２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した検査においては、金属支持層３３からの反射光（図７において、鎖線矢印で示す。）が、検査の誤判定を招く場合があり、検査精度の向上を図るには、このような誤判定を防止する必要がある。
しかるに、特許文献２に記載の配線回路基板では、このような誤判定を防止しているが、近年における導体パターンのファインピッチ化に伴って、良否判定の検査精度の向上がより一層要求されているところ、上記特許文献２に記載の配線回路基板では、かかる要求に十分に対応することが困難な場合がある。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高い導体パターンが形成された配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０の金属箔からなる金属支持層と、前記金属支持層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板は、前記導体パターンは、複数の配線を備え、前記配線の幅と、互いに隣接する各前記配線間の間隔との合計の長さが、３０μｍ以下の部分を含んでいることが好適である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線回路基板では、金属支持層の金属箔の、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０に設定されているので、導体パターンの形状の良否を光学的に検査するときには、その金属支持層からの反射光を拡散させることができる。そのため、検査の誤判定を低減して、検査精度の向上を図ることができる。その結果、信頼性の高い導体パターンが形成された配線回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としてのＴＡＢ用テープキャリアを示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分背面図、図４および図５は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図の、図２におけるＡ−Ａ’線断面である。
このＴＡＢ用テープキャリア１は、例えば、図５（ｊ）に示すように、長手方向に連続して延びるテープ状の金属支持層２と、その金属支持層２の上に形成された絶縁層３と、その絶縁層３の上に形成された導体パターン４とを備えている。
【０００９】
また、このＴＡＢ用テープキャリア１では、図１に示すように、絶縁層３に、金属支持層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ。以下、単に長手方向という場合がある。）において互いに所定間隔を隔てて、導体パターン形成部５が複数設けられている。
各導体パターン形成部５は、図２に示すように、平面視略矩形状をなし、その中央部には、図示しない電子部品を実装するための平面視略矩形状の実装部１０が設けられている。
【００１０】
導体パターン４は、各導体パターン形成部５において、実装部１０の長手方向両側に形成されている。すなわち、この導体パターン４は、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線６からなり、各配線６は、インナリード７、アウタリード８および中継リード９を連続して一体的に備えている。
各インナリード７は、実装部１０内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向において並列するように配置されている。
【００１１】
各インナリード７のピッチ（すなわち、１つのインナリード７の幅と、互いに隣接する各インナリード７間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰが、３０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下で、通常、２０μｍ以上に設定されている。このように、各インナリード７のピッチＩＰを、３０μｍ以下に設定することにより、高密度配線を実現することができる。
【００１２】
また、各インナリード７の幅は、７〜１５μｍ、好ましくは、８〜１１μｍ、互いに隣接する各インナリード７間の幅（間隔）は、１０〜２３μｍ、好ましくは、１０〜１５μｍに設定されている。
各アウタリード８は、各導体パターン形成部５における長手方向両端部において、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔てて幅方向において並列するように配置されている。
【００１３】
各アウタリード８のピッチ（すなわち、１つのアウタリード８の幅と、互いに隣接する各アウタリード８間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード７のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード８のピッチＯＰは、各インナリード７のピッチＩＰに対して、広幅に設定されているか、あるいは、同幅に設定されている。
【００１４】
各中継リード９は、各インナリード７と各アウタリード８とが連続するように、各インナリード７と各アウタリード８とを中継しており、例えば、ピッチの狭い各インナリード７側からピッチの広い各アウタリード８側に向かって、長手方向において、放射状に広がるように配置されている。
また、各中継リード９が配置される領域には、絶縁層３の上に、各中継リード９を被覆するように、ソルダレジストなどの被覆層１１が設けられている。すなわち、被覆層１１は、各パターン形成部５において、実装部１０を囲むようにして、略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード９を被覆するように設けられている。
【００１５】
なお、インナリード７およびアウタリード８は、図示しないが、好ましくは、ニッケルめっき層や金めっき層によって適宜被覆されている。
また、このＴＡＢ用テープキャリア１には、金属支持層２に、図３に示すように、各導体パターン形成部５（図１参照）の裏面に対応して、実装部１０が露出する背面視矩形状の開口部１６が形成されている。
【００１６】
また、このＴＡＢ用テープキャリア１には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部１２が形成されている。搬送部１２は、図１に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。各搬送部１２には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどと噛み合わせるための複数の送り孔１３が、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。各送り孔１３は、ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向において、等間隔毎に、ＴＡＢ用テープキャリア１を貫通する（金属支持層２および絶縁層３を貫通する）ように穿孔されている。なお、各送り孔１３は、例えば、１．９８１×１．９８１ｍｍの角孔形状に穿孔され、各送り孔１３間の間隔は、例えば、４．７５ｍｍに設定されている。
【００１７】
次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法について説明する。
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、金属支持層２を用意する。
金属支持層２は、ステンレス箔、銅箔、銅合金箔などの金属箔からなる。好ましくは、ステンレス箔からなる。なお、ステンレス箔としては、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７などが用いられる。
【００１８】
また、金属箔は、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が、例えば、１０．１〜１３．０、好ましくは、１０．５〜１３．０、さらに好ましくは、１０．５〜１２．５のものが用意される。粒度番号が上記した範囲にないと、金属箔の表面における粒子径（粒度）が過度に大きくまたは小さくなるので、後述する導体パターン４の形状の良否の検査において、誤判定が生じ易くなる。
【００１９】
金属支持層２の厚さは、例えば、３〜１００μｍ、好ましくは、５〜３０μｍ、さらに好ましくは、８〜２０μｍである。金属支持層２の厚さが上記した範囲未満であれば、ＴＡＢテープキャリア１の剛性が低下する場合がある。また、金属支持層２の厚さが上記した範囲を超えれば、ＴＡＢテープキャリア１の折り曲げ性が低下する場合がある。
また、金属支持層２の幅は、ＴＡＢテープキャリア１の目的および用途により適宜選択され、例えば、１００〜１０００ｍｍ、好ましくは、１５０〜４００ｍｍである。
【００２０】
金属支持層２に用いられる金属箔の粒度番号は、ＪＩＳ Ｇ０５５１（２００５年版）「粒度番号−測定方法」に準拠して測定することができる。より具体的には、金属箔の粒度番号は、その表面の１ｍｍ2当たりの平均結晶数ｍを用いて表される次式により、算出されるＧの値をいう。
ｍ＝８×２G
このような粒度番号の測定は、例えば、金属箔の表面を、研磨紙（＃１０００）で研磨し、次いで、研磨した表面を、研磨紙の研磨により生じる表面の傷が目視で確認されなくなるまでダイヤモンド研磨し、その後、電解エッチングで結晶粒を現出させる。そして、この結晶粒の平均結晶粒数ｍを、顕微鏡でカウントする。これにより、粒度番号を測定することができる。
【００２１】
また、金属箔の粒度番号は、例えば、金属箔の製造時において、焼鈍し（アニール）工程における条件が適宜調整されることにより、上記の範囲に調整することができる。すなわち、焼鈍し工程においては、例えば、適当な温度（焼鈍し温度）に加熱した後、その温度で適当な時間、保持し、その後、冷却する。より具体的には、この焼鈍し工程において、焼鈍し温度が、例えば、９００〜１１００℃、好ましくは、９００〜９８０℃、保定時間が、例えば、１０〜６０秒、好ましくは、３５〜５５秒、冷却速度が、例えば、１０〜６０℃／秒、冷却コストの観点から、好ましくは、２０〜４０℃／秒となるように設定する。また、焼鈍し工程の最終温度は、例えば、１５〜３０℃である。
【００２２】
また、上記した焼鈍し工程では、例えば、大気などの酸素含有雰囲気下、例えば、窒素などの不活性ガス雰囲気下、好ましくは、不活性ガス雰囲気下で、処理する。不活性ガス雰囲気下で処理すれば、金属箔の表面における粒子径が過度に大きくなることを防止して、金属箔の粒度番号が上記した範囲に良好に調整される。
なお、金属支持層２に用いられる金属箔としては、上記した条件で焼鈍しされていない金属箔を、ＴＡＢテープキャリア１の製造時において、上記した条件で改めて焼鈍しするようにしてもよい。
【００２３】
また、金属支持層２に用いられる金属箔は、上記した粒度番号の範囲において、さらに、入射角４５°における鏡面光沢度が、例えば、１５０〜５００％、好ましくは、１５０〜４５０％、さらに好ましくは、１５０〜２５０％のものを用いることもできる。
鏡面光沢度は、ＪＩＳ Ｚ ８７４１−１９９７「鏡面光沢度−測定方法」に準拠して、入射角４５°にて測定することができる。このような鏡面光沢度は、通常の光沢度計によって測定することができる。
【００２４】
なお、金属支持層２の鏡面光沢度は、例えば、金属箔の製造時の圧延工程において、圧延ロールの表面の粗度を調整することにより、上記の範囲に調整することができる。また、鏡面光沢度の高い金属箔に対しては、薬液などによる粗面化処理により、上記の範囲に調整することができる。
なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１について示しているが、通常は、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。
【００２５】
例えば、幅２５０ｍｍの金属箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製する。また、幅３００ｍｍの金属箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を６列、または、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列、同時に作製する。
次いで、図４（ｂ）に示すように、その金属支持層２の上に絶縁層３を形成する。絶縁層３を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２６】
そして、金属支持層２の上に絶縁層３を形成するには、例えば、樹脂溶液を金属支持層２の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させる。樹脂溶液は、上記した樹脂を、有機溶媒などに溶解して調製できる。樹脂溶液としては、例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸樹脂の溶液などが用いられる。また、樹脂の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の塗布方法が用いられる。そして、適宜加熱により乾燥させた後、例えば、２００〜６００℃で加熱硬化させることにより、金属支持層２の上に、可撓性を有する樹脂フィルムからなる絶縁層３を形成する。
【００２７】
また、絶縁層３は、例えば、感光性ポリアミック酸樹脂などの感光性樹脂の溶液を、金属支持層２の上に塗布し、露光および現像することにより、所定のパターンとして形成することもできる。
さらに、絶縁層３は、予めフィルム状に形成された樹脂フィルムを、接着剤を介して金属支持層２に貼着することにより、形成することもできる。
【００２８】
このようにして形成される絶縁層３の厚さは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、２５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。なお、絶縁層３の厚さが、上記した範囲未満であれば、後述する導体パターン４の形状の良否の検査において、誤判定を招き易くなる場合がある。
次いで、この方法では、この絶縁層３の表面に、導体パターン７を、上記した配線回路パターンとして形成する。
【００２９】
導体パターン４を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体が用いられる。好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン４の形成は、特に制限されることなく、絶縁層３の表面に、導体パターン４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。導体パターン４をファインピッチで形成できる観点から、これらパターンニング法のうちでは、好ましくは、図４（ｃ）〜図５（ｈ）に示すように、アディティブ法が用いられる。
【００３０】
すなわち、アディティブ法では、まず、図４（ｃ）に示すように、絶縁層３の全面に、種膜１４となる導体の薄膜を形成する。種膜１４の形成は、例えば、真空蒸着法、好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。また、種膜１４となる導体は、好ましくは、クロムや銅などが用いられる。より具体的には、例えば、絶縁層３の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成する。なお、種膜１４の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定する。
【００３１】
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、上記した複数の送り孔１３を、金属支持層２、絶縁層３および種膜１４の厚さ方向を貫通するように穿孔する。送り孔１３の穿孔は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の加工方法が用いられる。好ましくは、パンチング加工が用いられる。
【００３２】
そして、この方法では、図５（ｅ）に示すように、種膜１４の上に、上記した配線回路パターンの反転パターンで、めっきレジスト１５を形成する。めっきレジスト１５は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成する。なお、このめっきレジスト１５は、金属支持層２の全面にも形成する。
次いで、図５（ｆ）に示すように、めっきレジスト１５から露出する種膜１４の上に、電解めっきにより、導体パターン４を上記した配線回路パターンで形成する。電解めっきは、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
【００３３】
そして、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト１５を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｈ）に示すように、導体パターン４から露出する種膜１４を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
これによって、絶縁層３の上に、導体パターン４が、上記したように、インナリード７、アウタリード８および中継リード９が連続して一体的に形成される配線６の配線回路パターンとして形成される。なお、導体パターン４の厚さは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。
【００３４】
そして、この方法では、この段階において、導体パターン４の形状の良否を光学的に検査する。この検査は、図６に示すように、導体パターン４を含む絶縁層３の上方に、発光部２２および受光部２３を備える反射型光学センサ２４を、導体パターン４に対して対向配置して、発光部２２から導体パターン４を含む絶縁層３に向けて検知光を照射し、導体パターン４で反射した反射光（検知光）を、受光部２３で検知することにより、導体パターン４の形状の良否を判定する。
【００３５】
この検査では、図６における鎖線矢印で示すように、発光部２２から照射された検知光が、絶縁層３を透過して、金属支持層２で反射しても、金属支持層２の金属箔の粒度番号が１０．１〜１３．０に設定されているので、金属支持層２において、反射光（検知光）を拡散させることができる。そのため、検査の誤判定を低減して、検査精度の向上を図ることができる。
【００３６】
次いで、この方法では、図５（ｉ）に示すように、被覆層１１を、各配線６の中継リード９が被覆され、かつ、実装部１０を囲む矩形枠状に形成する。被覆層１１は、感光性ソルダレジストなどを用いる公知の方法によって、形成する。
その後、図示しないが、各配線６における露出部分、すなわち、インナリード７およびアウタリード８を、ニッケルめっき層および金めっき層によって被覆する。ニッケルめっき層および金めっき層は、例えば、ニッケルめっきおよび金めっきにより、それぞれ形成する。
【００３７】
そして、図５（ｊ）に示すように、金属支持層２における導体パターン形成部５に対応する位置に、開口部１６を形成することにより、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
金属支持層２に開口部１６を形成するには、金属支持層２における導体パターン形成部５に重なる部分を、ウエットエッチング（化学エッチング）によって、開口する。エッチングするには、開口部１６以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを除去する。その後、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を作製している場合は、１列ごとにスリットする。
【００３８】
なお、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする場合は、ＴＡＢ用テープキャリア１間のスリット部の金属支持層２は、開口部１６と同時に除去する。
このようにして得られるＴＡＢ用テープキャリア１では、上記したように、金属支持層２の金属箔の粒度番号が１０．１〜１３．０に設定されているので、導体パターン４の形状の良否が、正確かつ確実に判定される。そのため、信頼性の高い導体パターン４が形成されたＴＡＢ用テープキャリア１として提供することができる。
【００３９】
しかも、このＴＡＢテープキャリア１では、導体パターン４のインナリード７のピッチＩＰが３０μｍ以下に設定されているので、高密度配線を実現することができる。なお、このようにファインピッチで形成された導体パターン４の検査では、誤判定を招き易くなる場合があるが、このＴＡＢテープキャリア１では、金属支持層２の金属箔の粒度番号が１０．１〜１３．０に設定されているので、上記したファインピッチで導体パターン４が形成されていても、誤判定を有効に低減することができる。そのため、信頼性の高い導体パターン４が形成されたＴＡＢ用テープキャリア１として提供することができる。
【００４０】
なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、ＴＡＢ用テープキャリアを例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、金属支持層２が補強層として設けられた各種フレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、以下の実施例および比較例では、幅３００ｍｍのステンレス箔を用いて、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを６列同時に作製する操作を、複数回繰り返した。
実施例１
焼鈍し温度が９４０℃、保定時間が３０秒、冷却速度が２０℃／秒、最終温度が５００℃付近となるように設定して、窒素雰囲気下で、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ、幅３００ｍｍ）を処理した。これにより、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１１．５のステンレス箔を得た。これを金属支持層として用いた（図４（ａ）参照）。
【００４２】
次いで、この金属支持層の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、加熱硬化させて、厚さ２５μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成した（図４（ｂ）参照）。
次いで、絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、厚さ３００Åのクロム薄膜および厚さ２０００Åの銅薄膜を順次形成することにより、種膜を形成した（図４（ｃ）参照）。
【００４３】
その後、送り孔を、金属支持層、絶縁層および種膜の厚さ方向を貫通するように、パンチング加工により穿孔した後（図４（ｄ）参照）、めっきレジストを、種膜の表面に所定のパターンとして形成するとともに、金属支持層の全面に形成した（図５（ｅ）参照）。
次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、めっきレジストから露出する種膜の上に、２．５Ａ／ｄｍ2で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｆ）参照）。
【００４４】
なお、この導体パターンは、互いに所定間隔を隔てて配置され、インナリード、アウタリードおよび中継リードが連続して一体的に形成される複数の配線のパターンとして形成された。また、インナリードは、ピッチ（１つのインナリードの幅と、互いに隣接する各インナリード間の幅との合計の長さ）が３０μｍ、幅が１０μｍ、アウタリードは、ピッチ（１つのアウタリードの幅と、互いに隣接する各アウタリード間の幅との合計の長さ）が１００μｍ、幅が８０μｍであった。
【００４５】
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図５（ｇ）参照）、導体パターンから露出する種膜を、同じく、化学エッチングにより除去した。（図５（ｈ）参照）。
その後、自動外観検査装置（反射型光学センサ）を用いて、光反射法により、導体パターンの形状に基づく、配線間の短絡の有無を検査し（図６参照）、良品と不良品とを判定して選別した。その後、電気的な導通検査により確認検査を実施して、自動外観検査装置による誤判定がないことを確認した。
【００４６】
その後、感光性ソルダレジストを、各配線の中継リードが被覆されるように、導体パターン形成部を囲むようにして形成した後（図５（ｉ）参照）、インナリードおよびアウタリードを、ニッケルめっきおよび金めっきすることにより被覆した。
そして、金属支持層における導体パターン形成部およびスリット形成部と対応する位置以外を、エッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液を用いて、金属支持層をエッチングすることにより、開口部およびＴＡＢ用テープキャリア間のスリット部を形成した（図５（ｊ）参照）。これによって、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００４７】
実施例２
焼鈍し温度が９７０℃、保定時間が４０秒、冷却速度が２０℃／秒、最終温度が５００℃程度となるように設定して、窒素雰囲気下で、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ、幅３００ｍｍ）を処理した。これにより、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．６のステンレス箔を得た。これを金属支持層として用いた（図４（ａ）参照）。以下、実施例１と同様にして、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００４８】
なお、このＴＡＢ用テープキャリアの、導体パターンの形状の光反射法による検査では、その後の導通検査により、誤判定がないことが確認された。
比較例１
焼鈍し温度が１０００℃、保定時間が４０秒、冷却速度が２０℃／秒、最終温度が５００℃程度となるように設定して、窒素雰囲気下で、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ、幅３００ｍｍ）を処理した。これにより、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．０のステンレス箔を得た。これを金属支持層として用いた（図４（ａ）参照）。以下、実施例１と同様にして、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００４９】
なお、このＴＡＢ用テープキャリアの、導体パターンの形状の光反射法による検査において、良品とされたものの中に、その後の導通検査により、短絡している不良品が混在していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態としてのＴＡＢ用テープキャリアを示す部分平面図である。
【図２】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図である。
【図３】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分背面図である。
【図４】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図の、図２におけるＡ−Ａ’線断面であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、金属支持層の上に絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、絶縁層の全面に種膜を形成する工程、（ｄ）は、送り孔を穿孔する工程を示す。
【図５】図４に続いて、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図の、図２におけるＡ−Ａ’線断面であって、（ｅ）は、種膜の上にめっきレジストを形成する工程、（ｆ）は、めっきレジストから露出する種膜に、電解めっきにより、導体パターンを形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｈ）は、導体パターンから露出する種膜を除去する工程、（ｉ）は、被覆層を形成する工程、（ｊ）は、金属支持層における導体パターン形成部に対応する位置に開口部を形成する工程を示す。
【図６】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの製造において、導体パターンの形状の良否を光学的に検査する工程を説明するための説明図である。
【図７】従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造において、導体パターンの形状の良否を光学的に検査する工程を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ ＴＡＢ用テープキャリア
２ 金属支持層
３ 絶縁層
４ 導体パターン
６ 配線
７ インナリード
８ アウタリード
９ 中継リード
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、ＴＡＢ用テープキャリアなどに用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＢ用テープキャリアなどの配線回路基板では、銅箔などの金属支持層を、補強層として有している。このような配線回路基板は、まず、金属支持層の上に、絶縁層を形成し、その絶縁層の上に導体パターンを形成し、その後、金属支持層を、補強が必要な部分を残してエッチング除去することにより、製造されている（例えば、特許文献１、図２参照。）。
【０００３】
そして、上記の製造においては、通常、金属支持層を除去する前に、導体パターンの形状の良否を、光学的に検査するようにしており、より具体的には、例えば、図７に示すように、導体パターン４１を含む絶縁層３２の表面に光（実線矢印で示す。）を照射して、導体パターン４１で反射した光を検知することにより、その形状の良否を判定している。
また、例えば、このような配線回路基板において、金属支持層の表面光沢度を１５０〜５００％に設定することにより、導体パターンの検査において、その金属支持層からの反射光を拡散させて、検査の誤判定を低減することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２０００−３４０６１７号公報
【特許文献２】特開２００５−３３３０２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した検査においては、金属支持層３３からの反射光（図７において、鎖線矢印で示す。）が、検査の誤判定を招く場合があり、検査精度の向上を図るには、このような誤判定を防止する必要がある。
しかるに、特許文献２に記載の配線回路基板では、このような誤判定を防止しているが、近年における導体パターンのファインピッチ化に伴って、良否判定の検査精度の向上がより一層要求されているところ、上記特許文献２に記載の配線回路基板では、かかる要求に十分に対応することが困難な場合がある。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高い導体パターンが形成された配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０の金属箔からなる金属支持層と、前記金属支持層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板は、前記導体パターンは、複数の配線を備え、前記配線の幅と、互いに隣接する各前記配線間の間隔との合計の長さが、３０μｍ以下の部分を含んでいることが好適である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線回路基板では、金属支持層の金属箔の、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０に設定されているので、導体パターンの形状の良否を光学的に検査するときには、その金属支持層からの反射光を拡散させることができる。そのため、検査の誤判定を低減して、検査精度の向上を図ることができる。その結果、信頼性の高い導体パターンが形成された配線回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としてのＴＡＢ用テープキャリアを示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分背面図、図４および図５は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図の、図２におけるＡ−Ａ’線断面である。
このＴＡＢ用テープキャリア１は、例えば、図５（ｊ）に示すように、長手方向に連続して延びるテープ状の金属支持層２と、その金属支持層２の上に形成された絶縁層３と、その絶縁層３の上に形成された導体パターン４とを備えている。
【０００９】
また、このＴＡＢ用テープキャリア１では、図１に示すように、絶縁層３に、金属支持層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ。以下、単に長手方向という場合がある。）において互いに所定間隔を隔てて、導体パターン形成部５が複数設けられている。
各導体パターン形成部５は、図２に示すように、平面視略矩形状をなし、その中央部には、図示しない電子部品を実装するための平面視略矩形状の実装部１０が設けられている。
【００１０】
導体パターン４は、各導体パターン形成部５において、実装部１０の長手方向両側に形成されている。すなわち、この導体パターン４は、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線６からなり、各配線６は、インナリード７、アウタリード８および中継リード９を連続して一体的に備えている。
各インナリード７は、実装部１０内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向において並列するように配置されている。
【００１１】
各インナリード７のピッチ（すなわち、１つのインナリード７の幅と、互いに隣接する各インナリード７間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰが、３０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下で、通常、２０μｍ以上に設定されている。このように、各インナリード７のピッチＩＰを、３０μｍ以下に設定することにより、高密度配線を実現することができる。
【００１２】
また、各インナリード７の幅は、７〜１５μｍ、好ましくは、８〜１１μｍ、互いに隣接する各インナリード７間の幅（間隔）は、１０〜２３μｍ、好ましくは、１０〜１５μｍに設定されている。
各アウタリード８は、各導体パターン形成部５における長手方向両端部において、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔てて幅方向において並列するように配置されている。
【００１３】
各アウタリード８のピッチ（すなわち、１つのアウタリード８の幅と、互いに隣接する各アウタリード８間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード７のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード８のピッチＯＰは、各インナリード７のピッチＩＰに対して、広幅に設定されているか、あるいは、同幅に設定されている。
【００１４】
各中継リード９は、各インナリード７と各アウタリード８とが連続するように、各インナリード７と各アウタリード８とを中継しており、例えば、ピッチの狭い各インナリード７側からピッチの広い各アウタリード８側に向かって、長手方向において、放射状に広がるように配置されている。
また、各中継リード９が配置される領域には、絶縁層３の上に、各中継リード９を被覆するように、ソルダレジストなどの被覆層１１が設けられている。すなわち、被覆層１１は、各パターン形成部５において、実装部１０を囲むようにして、略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード９を被覆するように設けられている。
【００１５】
なお、インナリード７およびアウタリード８は、図示しないが、好ましくは、ニッケルめっき層や金めっき層によって適宜被覆されている。
また、このＴＡＢ用テープキャリア１には、金属支持層２に、図３に示すように、各導体パターン形成部５（図１参照）の裏面に対応して、実装部１０が露出する背面視矩形状の開口部１６が形成されている。
【００１６】
また、このＴＡＢ用テープキャリア１には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部１２が形成されている。搬送部１２は、図１に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。各搬送部１２には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどと噛み合わせるための複数の送り孔１３が、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。各送り孔１３は、ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向において、等間隔毎に、ＴＡＢ用テープキャリア１を貫通する（金属支持層２および絶縁層３を貫通する）ように穿孔されている。なお、各送り孔１３は、例えば、１．９８１×１．９８１ｍｍの角孔形状に穿孔され、各送り孔１３間の間隔は、例えば、４．７５ｍｍに設定されている。
【００１７】
次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法について説明する。
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、金属支持層２を用意する。
金属支持層２は、ステンレス箔、銅箔、銅合金箔などの金属箔からなる。好ましくは、ステンレス箔からなる。なお、ステンレス箔としては、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７などが用いられる。
【００１８】
また、金属箔は、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が、例えば、１０．１〜１３．０、好ましくは、１０．５〜１３．０、さらに好ましくは、１０．５〜１２．５のものが用意される。粒度番号が上記した範囲にないと、金属箔の表面における粒子径（粒度）が過度に大きくまたは小さくなるので、後述する導体パターン４の形状の良否の検査において、誤判定が生じ易くなる。
【００１９】
金属支持層２の厚さは、例えば、３〜１００μｍ、好ましくは、５〜３０μｍ、さらに好ましくは、８〜２０μｍである。金属支持層２の厚さが上記した範囲未満であれば、ＴＡＢテープキャリア１の剛性が低下する場合がある。また、金属支持層２の厚さが上記した範囲を超えれば、ＴＡＢテープキャリア１の折り曲げ性が低下する場合がある。
また、金属支持層２の幅は、ＴＡＢテープキャリア１の目的および用途により適宜選択され、例えば、１００〜１０００ｍｍ、好ましくは、１５０〜４００ｍｍである。
【００２０】
金属支持層２に用いられる金属箔の粒度番号は、ＪＩＳ Ｇ０５５１（２００５年版）「粒度番号−測定方法」に準拠して測定することができる。より具体的には、金属箔の粒度番号は、その表面の１ｍｍ2当たりの平均結晶数ｍを用いて表される次式により、算出されるＧの値をいう。
ｍ＝８×２G
このような粒度番号の測定は、例えば、金属箔の表面を、研磨紙（＃１０００）で研磨し、次いで、研磨した表面を、研磨紙の研磨により生じる表面の傷が目視で確認されなくなるまでダイヤモンド研磨し、その後、電解エッチングで結晶粒を現出させる。そして、この結晶粒の平均結晶粒数ｍを、顕微鏡でカウントする。これにより、粒度番号を測定することができる。
【００２１】
また、金属箔の粒度番号は、例えば、金属箔の製造時において、焼鈍し（アニール）工程における条件が適宜調整されることにより、上記の範囲に調整することができる。すなわち、焼鈍し工程においては、例えば、適当な温度（焼鈍し温度）に加熱した後、その温度で適当な時間、保持し、その後、冷却する。より具体的には、この焼鈍し工程において、焼鈍し温度が、例えば、９００〜１１００℃、好ましくは、９００〜９８０℃、保定時間が、例えば、１０〜６０秒、好ましくは、３５〜５５秒、冷却速度が、例えば、１０〜６０℃／秒、冷却コストの観点から、好ましくは、２０〜４０℃／秒となるように設定する。また、焼鈍し工程の最終温度は、例えば、１５〜３０℃である。
【００２２】
また、上記した焼鈍し工程では、例えば、大気などの酸素含有雰囲気下、例えば、窒素などの不活性ガス雰囲気下、好ましくは、不活性ガス雰囲気下で、処理する。不活性ガス雰囲気下で処理すれば、金属箔の表面における粒子径が過度に大きくなることを防止して、金属箔の粒度番号が上記した範囲に良好に調整される。
なお、金属支持層２に用いられる金属箔としては、上記した条件で焼鈍しされていない金属箔を、ＴＡＢテープキャリア１の製造時において、上記した条件で改めて焼鈍しするようにしてもよい。
【００２３】
また、金属支持層２に用いられる金属箔は、上記した粒度番号の範囲において、さらに、入射角４５°における鏡面光沢度が、例えば、１５０〜５００％、好ましくは、１５０〜４５０％、さらに好ましくは、１５０〜２５０％のものを用いることもできる。
鏡面光沢度は、ＪＩＳ Ｚ ８７４１−１９９７「鏡面光沢度−測定方法」に準拠して、入射角４５°にて測定することができる。このような鏡面光沢度は、通常の光沢度計によって測定することができる。
【００２４】
なお、金属支持層２の鏡面光沢度は、例えば、金属箔の製造時の圧延工程において、圧延ロールの表面の粗度を調整することにより、上記の範囲に調整することができる。また、鏡面光沢度の高い金属箔に対しては、薬液などによる粗面化処理により、上記の範囲に調整することができる。
なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１について示しているが、通常は、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。
【００２５】
例えば、幅２５０ｍｍの金属箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製する。また、幅３００ｍｍの金属箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を６列、または、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列、同時に作製する。
次いで、図４（ｂ）に示すように、その金属支持層２の上に絶縁層３を形成する。絶縁層３を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２６】
そして、金属支持層２の上に絶縁層３を形成するには、例えば、樹脂溶液を金属支持層２の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させる。樹脂溶液は、上記した樹脂を、有機溶媒などに溶解して調製できる。樹脂溶液としては、例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸樹脂の溶液などが用いられる。また、樹脂の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の塗布方法が用いられる。そして、適宜加熱により乾燥させた後、例えば、２００〜６００℃で加熱硬化させることにより、金属支持層２の上に、可撓性を有する樹脂フィルムからなる絶縁層３を形成する。
【００２７】
また、絶縁層３は、例えば、感光性ポリアミック酸樹脂などの感光性樹脂の溶液を、金属支持層２の上に塗布し、露光および現像することにより、所定のパターンとして形成することもできる。
さらに、絶縁層３は、予めフィルム状に形成された樹脂フィルムを、接着剤を介して金属支持層２に貼着することにより、形成することもできる。
【００２８】
このようにして形成される絶縁層３の厚さは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、２５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。なお、絶縁層３の厚さが、上記した範囲未満であれば、後述する導体パターン４の形状の良否の検査において、誤判定を招き易くなる場合がある。
次いで、この方法では、この絶縁層３の表面に、導体パターン７を、上記した配線回路パターンとして形成する。
【００２９】
導体パターン４を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体が用いられる。好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン４の形成は、特に制限されることなく、絶縁層３の表面に、導体パターン４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。導体パターン４をファインピッチで形成できる観点から、これらパターンニング法のうちでは、好ましくは、図４（ｃ）〜図５（ｈ）に示すように、アディティブ法が用いられる。
【００３０】
すなわち、アディティブ法では、まず、図４（ｃ）に示すように、絶縁層３の全面に、種膜１４となる導体の薄膜を形成する。種膜１４の形成は、例えば、真空蒸着法、好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。また、種膜１４となる導体は、好ましくは、クロムや銅などが用いられる。より具体的には、例えば、絶縁層３の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成する。なお、種膜１４の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定する。
【００３１】
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、上記した複数の送り孔１３を、金属支持層２、絶縁層３および種膜１４の厚さ方向を貫通するように穿孔する。送り孔１３の穿孔は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の加工方法が用いられる。好ましくは、パンチング加工が用いられる。
【００３２】
そして、この方法では、図５（ｅ）に示すように、種膜１４の上に、上記した配線回路パターンの反転パターンで、めっきレジスト１５を形成する。めっきレジスト１５は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成する。なお、このめっきレジスト１５は、金属支持層２の全面にも形成する。
次いで、図５（ｆ）に示すように、めっきレジスト１５から露出する種膜１４の上に、電解めっきにより、導体パターン４を上記した配線回路パターンで形成する。電解めっきは、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
【００３３】
そして、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト１５を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｈ）に示すように、導体パターン４から露出する種膜１４を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
これによって、絶縁層３の上に、導体パターン４が、上記したように、インナリード７、アウタリード８および中継リード９が連続して一体的に形成される配線６の配線回路パターンとして形成される。なお、導体パターン４の厚さは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。
【００３４】
そして、この方法では、この段階において、導体パターン４の形状の良否を光学的に検査する。この検査は、図６に示すように、導体パターン４を含む絶縁層３の上方に、発光部２２および受光部２３を備える反射型光学センサ２４を、導体パターン４に対して対向配置して、発光部２２から導体パターン４を含む絶縁層３に向けて検知光を照射し、導体パターン４で反射した反射光（検知光）を、受光部２３で検知することにより、導体パターン４の形状の良否を判定する。
【００３５】
この検査では、図６における鎖線矢印で示すように、発光部２２から照射された検知光が、絶縁層３を透過して、金属支持層２で反射しても、金属支持層２の金属箔の粒度番号が１０．１〜１３．０に設定されているので、金属支持層２において、反射光（検知光）を拡散させることができる。そのため、検査の誤判定を低減して、検査精度の向上を図ることができる。
【００３６】
次いで、この方法では、図５（ｉ）に示すように、被覆層１１を、各配線６の中継リード９が被覆され、かつ、実装部１０を囲む矩形枠状に形成する。被覆層１１は、感光性ソルダレジストなどを用いる公知の方法によって、形成する。
その後、図示しないが、各配線６における露出部分、すなわち、インナリード７およびアウタリード８を、ニッケルめっき層および金めっき層によって被覆する。ニッケルめっき層および金めっき層は、例えば、ニッケルめっきおよび金めっきにより、それぞれ形成する。
【００３７】
そして、図５（ｊ）に示すように、金属支持層２における導体パターン形成部５に対応する位置に、開口部１６を形成することにより、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
金属支持層２に開口部１６を形成するには、金属支持層２における導体パターン形成部５に重なる部分を、ウエットエッチング（化学エッチング）によって、開口する。エッチングするには、開口部１６以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを除去する。その後、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を作製している場合は、１列ごとにスリットする。
【００３８】
なお、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする場合は、ＴＡＢ用テープキャリア１間のスリット部の金属支持層２は、開口部１６と同時に除去する。
このようにして得られるＴＡＢ用テープキャリア１では、上記したように、金属支持層２の金属箔の粒度番号が１０．１〜１３．０に設定されているので、導体パターン４の形状の良否が、正確かつ確実に判定される。そのため、信頼性の高い導体パターン４が形成されたＴＡＢ用テープキャリア１として提供することができる。
【００３９】
しかも、このＴＡＢテープキャリア１では、導体パターン４のインナリード７のピッチＩＰが３０μｍ以下に設定されているので、高密度配線を実現することができる。なお、このようにファインピッチで形成された導体パターン４の検査では、誤判定を招き易くなる場合があるが、このＴＡＢテープキャリア１では、金属支持層２の金属箔の粒度番号が１０．１〜１３．０に設定されているので、上記したファインピッチで導体パターン４が形成されていても、誤判定を有効に低減することができる。そのため、信頼性の高い導体パターン４が形成されたＴＡＢ用テープキャリア１として提供することができる。
【００４０】
なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、ＴＡＢ用テープキャリアを例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、金属支持層２が補強層として設けられた各種フレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、以下の実施例および比較例では、幅３００ｍｍのステンレス箔を用いて、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを６列同時に作製する操作を、複数回繰り返した。
実施例１
焼鈍し温度が９４０℃、保定時間が３０秒、冷却速度が２０℃／秒、最終温度が５００℃付近となるように設定して、窒素雰囲気下で、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ、幅３００ｍｍ）を処理した。これにより、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１１．５のステンレス箔を得た。これを金属支持層として用いた（図４（ａ）参照）。
【００４２】
次いで、この金属支持層の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、加熱硬化させて、厚さ２５μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成した（図４（ｂ）参照）。
次いで、絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、厚さ３００Åのクロム薄膜および厚さ２０００Åの銅薄膜を順次形成することにより、種膜を形成した（図４（ｃ）参照）。
【００４３】
その後、送り孔を、金属支持層、絶縁層および種膜の厚さ方向を貫通するように、パンチング加工により穿孔した後（図４（ｄ）参照）、めっきレジストを、種膜の表面に所定のパターンとして形成するとともに、金属支持層の全面に形成した（図５（ｅ）参照）。
次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、めっきレジストから露出する種膜の上に、２．５Ａ／ｄｍ2で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｆ）参照）。
【００４４】
なお、この導体パターンは、互いに所定間隔を隔てて配置され、インナリード、アウタリードおよび中継リードが連続して一体的に形成される複数の配線のパターンとして形成された。また、インナリードは、ピッチ（１つのインナリードの幅と、互いに隣接する各インナリード間の幅との合計の長さ）が３０μｍ、幅が１０μｍ、アウタリードは、ピッチ（１つのアウタリードの幅と、互いに隣接する各アウタリード間の幅との合計の長さ）が１００μｍ、幅が８０μｍであった。
【００４５】
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図５（ｇ）参照）、導体パターンから露出する種膜を、同じく、化学エッチングにより除去した。（図５（ｈ）参照）。
その後、自動外観検査装置（反射型光学センサ）を用いて、光反射法により、導体パターンの形状に基づく、配線間の短絡の有無を検査し（図６参照）、良品と不良品とを判定して選別した。その後、電気的な導通検査により確認検査を実施して、自動外観検査装置による誤判定がないことを確認した。
【００４６】
その後、感光性ソルダレジストを、各配線の中継リードが被覆されるように、導体パターン形成部を囲むようにして形成した後（図５（ｉ）参照）、インナリードおよびアウタリードを、ニッケルめっきおよび金めっきすることにより被覆した。
そして、金属支持層における導体パターン形成部およびスリット形成部と対応する位置以外を、エッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液を用いて、金属支持層をエッチングすることにより、開口部およびＴＡＢ用テープキャリア間のスリット部を形成した（図５（ｊ）参照）。これによって、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００４７】
実施例２
焼鈍し温度が９７０℃、保定時間が４０秒、冷却速度が２０℃／秒、最終温度が５００℃程度となるように設定して、窒素雰囲気下で、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ、幅３００ｍｍ）を処理した。これにより、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．６のステンレス箔を得た。これを金属支持層として用いた（図４（ａ）参照）。以下、実施例１と同様にして、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００４８】
なお、このＴＡＢ用テープキャリアの、導体パターンの形状の光反射法による検査では、その後の導通検査により、誤判定がないことが確認された。
比較例１
焼鈍し温度が１０００℃、保定時間が４０秒、冷却速度が２０℃／秒、最終温度が５００℃程度となるように設定して、窒素雰囲気下で、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ、幅３００ｍｍ）を処理した。これにより、ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．０のステンレス箔を得た。これを金属支持層として用いた（図４（ａ）参照）。以下、実施例１と同様にして、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００４９】
なお、このＴＡＢ用テープキャリアの、導体パターンの形状の光反射法による検査において、良品とされたものの中に、その後の導通検査により、短絡している不良品が混在していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態としてのＴＡＢ用テープキャリアを示す部分平面図である。
【図２】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図である。
【図３】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分背面図である。
【図４】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図の、図２におけるＡ−Ａ’線断面であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、金属支持層の上に絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、絶縁層の全面に種膜を形成する工程、（ｄ）は、送り孔を穿孔する工程を示す。
【図５】図４に続いて、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図の、図２におけるＡ−Ａ’線断面であって、（ｅ）は、種膜の上にめっきレジストを形成する工程、（ｆ）は、めっきレジストから露出する種膜に、電解めっきにより、導体パターンを形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｈ）は、導体パターンから露出する種膜を除去する工程、（ｉ）は、被覆層を形成する工程、（ｊ）は、金属支持層における導体パターン形成部に対応する位置に開口部を形成する工程を示す。
【図６】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの製造において、導体パターンの形状の良否を光学的に検査する工程を説明するための説明図である。
【図７】従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造において、導体パターンの形状の良否を光学的に検査する工程を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ ＴＡＢ用テープキャリア
２ 金属支持層
３ 絶縁層
４ 導体パターン
６ 配線
７ インナリード
８ アウタリード
９ 中継リード
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０の金属箔からなる金属支持層と、
前記金属支持層の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成された導体パターンと
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記導体パターンは、複数の配線を備え、前記配線の幅と、互いに隣接する各前記配線間の間隔との合計の長さが、３０μｍ以下の部分を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項１】
ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０の金属箔からなる金属支持層と、
前記金属支持層の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成された導体パターンと
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記導体パターンは、複数の配線を備え、前記配線の幅と、互いに隣接する各前記配線間の間隔との合計の長さが、３０μｍ以下の部分を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−４８８３（Ｐ２００８−４８８３Ａ）
【公開日】平成２０年１月１０日（２００８．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１７５４０９（Ｐ２００６−１７５４０９）
【出願日】平成１８年６月２６日（２００６．６．２６）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月１０日（２００８．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月２６日（２００６．６．２６）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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