配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法
【課題】
高速信号の伝送特性が良好な配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層と交互に積層される導電層と、前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の第１導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第１メッキレジスト部と、前記第１メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部とを含む。
高速信号の伝送特性が良好な配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層と交互に積層される導電層と、前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の第１導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第１メッキレジスト部と、前記第１メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板の内層配線に接続するビアを形成する方法の一つとして、貫通孔の内壁に金属膜を形成してから配線基板の裏面側から削り取ることで、伝送線路から分岐して並列に接続され信号の反射および／またはノイズを発生させるスタブを除去する方法が提案されている。
【０００３】
また、配線基板の内層の導電層の一部を除去して形成した間隙内にメッキレジストを形成し、このメッキレジストを挟んで上下の２つのセクションに分割されたビアを形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６，６６３，４４２号明細書
【特許文献２】特開２００８−５３２３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、配線基板の形成後、スタブを配線基板の裏面側から削り取る方法（所謂、バックドリル法）では、例えば、工作精度等の理由により、スタブを完全に取り除くことはできない。従って、完全に取り除けずに残存した部分は、依然として信号の反射又はノイズの発生等の原因になるという問題が生じる。
【０００６】
また、バックドリル法では、ビアとして残る導体を傷つける問題が生じ得る。削り取りに伴って生じる削り屑が貫通孔内に残存する。また、ドリル等の機械的な処理のため、配線基板の裏面側の貫通孔の孔径が大きくなり、配線層等への影響が残る。
【０００７】
その一方、メッキレジストを挟んで上下の２つのセクションに分割されたビアを形成する方法では、一層の導電層を除去した部分、又は、絶縁層の両面に形成された二層の導電層とその間の絶縁層とを除去した部分にメッキレジストを形成するので、メッキレジストの上下に依然としてスタブが残るという問題がある。スタブが残ることにより、信号の反射又はノイズの発生等の原因になるという問題が生じる。
【０００８】
また、一層の導電層を除去した部分に形成したメッキレジストだけでは、メッキレジストの厚さが足りない場合があり、メッキレジストを乗り越えて上下のビアが接続される場合がある。
【０００９】
以上のような問題が生じると、配線基板における信号の伝送特性が低下し、特に、高速信号の伝送特性が大きく低下するという問題が生じる。
【００１０】
そこで、高速信号の伝送特性が良好な配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の実施の形態の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層と交互に積層される導電層と、前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の第１導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第１メッキレジスト部と、前記第１メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と、を含む。
【発明の効果】
【００１２】
高速信号の伝送特性が良好な配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１の配線基板を含むサーバ１を示す図である。
【図２】実施の形態１の配線基板１００にＣＰＵ等を実装した配線基板ユニット２を示す図である。
【図３】実施の形態１の配線基板１００の断面構造を示す図である。
【図４】実施の形態１の配線基板１００の製造方法を示す断面図である。
【図５】実施の形態１の配線基板１００の製造方法を示す断面図である。
【図６】実施の形態２の配線基板２００の断面構造を示す図である。
【図７】実施の形態２の配線基板２００（２０１）の製造工程を示す図である。
【図８】実施の形態２の変形例の配線基板２０２の断面構造を示す図である。
【図９】実施の形態２の変形例の配線基板２０２（２０３）の製造工程を示す図である。
【図１０】実施の形態３の配線基板３００の断面構造を示す図である。
【図１１】実施の形態３の配線基板３００の製造方法を示す断面図である。
【図１２】実施の形態３の配線基板３００の製造方法を示す断面図である。
【図１３】実施の形態４の配線基板４００の断面構造を示す図である。
【図１４】実施の形態４の配線基板４００（４０１）の製造方法を示す断面図である。
【図１５】実施の形態４の配線基板４００（４０１）の製造方法を示す断面図である。
【図１６】実施の形態５の配線基板５００の断面構造を示す図である。
【図１７】実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法を示す断面図である。
【図１８】実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法を示す断面図である。
【図１９】実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
【００１５】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１の配線基板を含むサーバ１を示す図である。
【００１６】
図１に示すサーバ１は、実施の形態１の配線基板を含む電子装置の一例である。サーバ１は、例えば、実施の形態１の配線基板に実装されたＣＰＵ（Central Processing Unit：中央演算装置）及びメモリモジュール等を含む。なお、図１には、電子装置の一例としてサーバ１を示すが、電子装置は、パソコン（Personal Computer）であってもよい。
【００１７】
図２は、実施の形態１の配線基板１００にＣＰＵ等を実装した配線基板ユニット２を示す図である。
【００１８】
配線基板ユニット２は、配線基板１００、ＢＧＡ（Ball Grid Array）３Ａ、３Ｂ、ＣＰＵ４Ａ、４Ｂ、メモリモジュール５Ａ〜５Ｆ、及び電源モジュール６Ａ、６Ｂを含む。ＢＧＡ３Ａ、３Ｂ、ＣＰＵ４Ａ、４Ｂ、メモリモジュール５Ａ〜５Ｆ、及び電源モジュール６Ａ、６Ｂは、それぞれ、電子部品の一例である。
【００１９】
配線基板１００の上にはＢＧＡ３Ａ、３Ｂ、メモリモジュール５Ａ〜５Ｆ、及び電源モジュール６Ａ、６Ｂが実装され、ＢＧＡ３Ａ、３Ｂには、ＣＰＵ４Ａ、４Ｂが実装されている。
【００２０】
このような配線基板ユニット２は、図１に示すサーバ１に含まれている。
【００２１】
図３は、実施の形態１の配線基板１００の断面構造を示す図である。
【００２２】
配線基板１００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２、２３、２４、２５、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、ビア４０、及びメッキレジスト部５０を含む。配線基板１００には表面１００Ａから裏面１００Ｂまで貫通する貫通孔６０が形成されており、ビア４０とメッキレジスト部５０は、貫通孔６０の内壁に沿って筒状に形成されている。
【００２３】
貫通孔６０は、ビア４０が形成されている孔部６１と、メッキレジスト部５０が形成されている孔部６２とを含む。孔部６１と孔部６２の内径は異なり、孔部６２の内径の方が孔部６１の内径よりも大きい。
【００２４】
なお、孔部６１の内径とは、ビア４０の厚さを含まない内径（図５（Ｂ）参照）であり、孔部６２の内径とはメッキレジスト５０の厚さを含まない（図４（Ｂ）参照）である。孔部６２の内径は、後述する孔部７０の内径と等しい。
【００２５】
配線基板１００は、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant Type 4）又はＦＲ５（Flame Retardant Type 5）等のガラス布基材とエポキシ樹脂で形成されるプリント基板である。
【００２６】
例えば、絶縁層１１、１３、１５は、繊維のものに熱硬化性樹脂を含浸させたもの、例えばガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ層であり、絶縁層１２、１４は、コア層である。しかし、プリプレグ層としては、繊維のものを含まないエポキシ樹脂で形成されたものでもよい。
【００２７】
導電層２１、２２、２３、２４、２５は、例えば、銅箔である。導電層２１、２２、２３、２４、２５は、例えば、配線層、電源層、又はグランド層等として用いられる。
【００２８】
ここで、図３に示す部分では、配線基板１００に含まれる導電層２１、２２、２３、２４、２５は、ビア４０と接続するか接続しないかにより、平面視における形状（パターン）が決められている。
【００２９】
例えば、ビア４０に接続されない導電層２２、２４、２５は、貫通孔６０を避けるために平面視で貫通孔６０よりも大きな円形の開口部を有する。貫通孔６０と導電層２２、２４、２５とは、平面視で中心を一致させて同心円状に配置されるように設計されている。図３には、導電層２１、２２、２４、２５は、それぞれ２つに分かれているが、実際には層毎に接続されている。
【００３０】
絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５は、コア層である絶縁層１２と絶縁層１４の両面に、それぞれ、導電層２２、２３と導電層２４、２５を形成した状態で熱硬化処理が施されることによって固着される。
【００３１】
ここで、説明の便宜上、図３には配線基板１００の一部分の断面を示す。配線基板１００は、図３に示さない部分において、裏面１００Ｂにも導電層が形成されている。また、配線基板１００は、貫通孔６０を複数含んでもよい。
【００３２】
また、図３には、配線基板１００の表面１００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板１００の表面１００Ａは絶縁層１１の表面である。
【００３３】
同様に、配線基板１００の裏面１００Ｂとして絶縁層１５の下面を示すが、絶縁層１５の下面に導電層が形成されている場合には、配線基板１００の裏面１００Ｂは絶縁層１５の下面に形成される導電層の表面である。
【００３４】
また、配線基板１００は、ＦＲ４又はＦＲ５に限られるものではなく、内層の導電層を含んでいれば、ＦＲ規格の他のグレードのものであってもよく、あるいは、他の規格のものであってもよい。
【００３５】
配線基板１００には、配線基板１００の表面１００Ａから裏面１００Ｂまで貫通する貫通孔６０が形成されている。貫通孔６０は、導電層２１と導電層２３とを接続するビア４０を形成するために形成される。
【００３６】
貫通孔６０には、まず、配線基板１００の裏面１００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０を形成する。その後に、無電解メッキ層を形成し、さらに無電解メッキ層の上に電解メッキ層を形成することにより、貫通孔６０の内部のメッキレジスト部５０が形成されていない部分に、ビア４０が形成される。
【００３７】
上述したように、貫通孔６０のうち、メッキレジスト部５０が形成されている孔部６２の内径は、ビア４０が形成されている孔部６１の内径よりも大きい。貫通孔６０の形成方法については後述する。
【００３８】
ビア４０は、無電解メッキ層と電解メッキ層とによって貫通孔６０の内壁に沿って形成される筒状のメッキ部の一例である。ビア４０は、貫通孔６０内のメッキレジスト部５０が形成されていない部分（貫通孔６０の上端６０Ａから導電層２３の下面２３Ａと同一の高さまでの部分）に形成される。
【００３９】
これにより、ビア４０は、上端が導電層２１に接続され、下端が導電層２３に接続されることになり、配線基板１００の最上層の導電層２１と内層の導電層２３は、ビア４０によって接続される。
【００４０】
また、ビア４０を形成する際には、同時に、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃが導電層２１の上に形成される。メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃは、図示しないマスクとレジスト等を用いて、貫通孔６０の上端６０Ａの周囲で導電層２１のパターンに合わせてパターニングされる。
【００４１】
図３に示すメッキ層３０Ａと３０Ｂは、ビア４０に接続されるとともに、平面視では、貫通孔６０の周囲で互いに接続されている。メッキ層３０Ｃは、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、及びビア４０とは接続されていない。
【００４２】
図３では、説明の便宜上、ビア４０とメッキ層３０Ａ、３０Ｂとを分けて説明するが、ビア４０とメッキ層３０Ａ、３０Ｂは、一体的に形成される。なお、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを特に区別しない場合には、単にメッキ層３０と称す。
【００４３】
ビア４０及びメッキ層３０を構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア４０及びメッキ層３０は銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。
【００４４】
メッキレジスト部５０は、配線基板１００の裏面１００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで貫通孔６０の内壁に形成される筒状のメッキレジスト部の一例である。
【００４５】
ここで、配線基板１００の裏面１００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０を形成するとは、メッキレジスト部５０を貫通孔６０の下端６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに当接するまで形成することをいう。
【００４６】
メッキレジスト部５０としては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。
【００４７】
次に、図４及び図５を用いて、実施の形態１の配線基板１００（１０１）の製造方法について説明する。ここで、配線基板１０１は、配線基板１００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【００４８】
図４及び図５は、実施の形態１の配線基板１００（１０１）の製造方法を示す断面図である。図４及び図５では、図３よりも配線基板１００（１０１）を縮小して示す。
【００４９】
まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、配線基板１０１を作成する。
【００５０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、配線基板１０１の裏面１０１Ｂから、レーザ加工等を行うことにより、孔部７０を形成する。孔部７０は、配線基板１０１の裏面１０１Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまで絶縁層１３、１４、１５を除去することによって形成される。
【００５１】
例えば、ＣＯ２レーザの出力を絶縁層１３、１４、１５を加工するのに適した値に設定してレーザ加工を行えば、絶縁層１３、１４、１５を除去する加工を導電層２３の下面２３Ａで停止させることができる。
【００５２】
これは、絶縁層１３、１４、１５よりも導電層２３の方が加工に必要なレーザの出力が高いためである。従って、絶縁層１３、１４、１５を加工する際のレーザの出力は、導電層２３を加工するために必要な出力よりも小さく、かつ、絶縁層１３、１４、１５を加工するのに十分な出力に設定すればよい。
【００５３】
このようにして、配線基板１０１の下面から導電層２３の下面２３Ａに至る孔部７０を形成することができる。
【００５４】
なお、孔部７０は、後に貫通孔６０を形成する位置において、平面視で貫通孔６０と同心円状になるように、中心の位置を合わせて形成される。
【００５５】
孔部７０の内径は、後にメッキレジスト部５０を形成することを考慮して、貫通孔６０の内径よりもメッキレジスト部５０として必要な厚さだけ大きく設定すればよい。
【００５６】
次に、図５（Ａ）に示すように、孔部７０（図４（Ｂ）参照）の内部にメッキレジストを充填することにより、メッキレジスト部５０Ａを形成する。メッキレジスト部５０Ａは、配線基板１０１の裏面１０１Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまで形成される。
【００５７】
メッキレジストとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂等を用いればよい。
【００５８】
次に、図５（Ｂ）に示すように、配線基板１０１の表面１０１Ａ又は裏面１０１Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面１０１Ａから裏面１０１Ｂまで貫通する貫通孔６０を形成する。
【００５９】
この時点で、メッキレジスト部５０が配線基板１０１の裏面１０１Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで、貫通孔６０の内部に形成される。
【００６０】
次に、メッキレジスト部５０が形成された配線基板１０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図５（Ｃ）に示すように、ビア４０及びメッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを形成する。
【００６１】
貫通孔６０の内部では、貫通孔６０の下端６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０が形成されているため、メッキレジスト部５０が形成されている部分にはビア４０は形成されない。
【００６２】
ビア４０は、貫通孔６０の内部において、メッキレジスト部５０が形成されていない部分（下面２３Ａから上端６０Ａまでの孔部６１）に形成される。
【００６３】
これにより、ビア４０は、下端が内層の導電層２３に接続されるとともに、上端が導電層２１及びメッキ層３０に接続される。
【００６４】
以上により、図５（Ｃ）に示す配線基板１００が形成される。図５（Ｃ）に示す配線基板１００は、図３に示す配線基板１００と同一である。
【００６５】
配線基板１００に形成されるビア４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【００６６】
これは、配線基板１００の裏面１００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０を精度よく形成できることにより、ビア４０の下端が導電層２３の下面２３Ａよりも下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるからである。
【００６７】
このため、実施の形態１によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板１００を提供することができる。
【００６８】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔６０内に残存することがなく、ビア４０を形成しない側の貫通孔６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【００６９】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【００７０】
＜実施の形態２＞
実施の形態２の配線基板２００は、メッキレジスト部５０Ａの形成の仕方が実施の形態１の配線基板１００と異なる。以下、実施の形態１の配線基板１００と同一又は同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。また、実施の形態１の図面を一部援用する。
【００７１】
図６は、実施の形態２の配線基板２００の断面構造を示す図である。
【００７２】
配線基板２００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２、２３、２４、２５、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、ビア４０、及びメッキレジスト部５０を含む。配線基板２００には表面２００Ａから裏面２００Ｂまで貫通する貫通孔６０が形成されており、ビア４０とメッキレジスト部５０は、貫通孔６０の内壁に沿って筒状に形成されている。
【００７３】
このように、図６に示す配線基板２００は、実施の形態１の配線基板１００（図３参照）と同一の構成を有する。
【００７４】
ここで、図６には、配線基板２００の表面２００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板２００の表面２００Ａは絶縁層１１の表面である。
【００７５】
同様に、配線基板２００の裏面２００Ｂとして絶縁層１５の下面を示すが、絶縁層１５の下面に導電層が形成されている場合には、配線基板２００の裏面２００Ｂは絶縁層１５の下面に形成される導電層の表面である。
【００７６】
次に、実施の形態２の配線基板２００の製造方法について説明する。実施の形態２の配線基板２００の製造方法は、実施の形態１において図４（Ａ）、（Ｂ）に示した工程と同様の工程を含み、実施の形態１において図５（Ａ）に示した工程を図７（Ａ）に示す工程に代えたものである。
【００７７】
このため、実施の形態２では、配線基板２０１について、実施の形態１の配線基板１０１について図４（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明した工程と同様の工程が行われるものとして説明を行う。
【００７８】
なお、配線基板２０１は、配線基板２００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【００７９】
図７は、実施の形態２の配線基板２００（２０１）の製造工程を示す図である。図７では、図６よりも配線基板２００（２０１）を縮小して示す。
【００８０】
配線基板２０１の裏面２０１Ｂにレーザ加工によって孔部７０（図４（Ｂ）参照）を形成した後に、図７（Ａ）に示すように、メッキレジスト部２５０Ａを形成する。
【００８１】
メッキレジスト部２５０Ａは、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂が付着したブラシ又はスポンジ等を孔部７０の下端７０Ｂ側から孔部７０の内部に挿入し、ブラシ又はスポンジ等を回転させて孔部７０の内壁に塗布すればよい。
【００８２】
また、このときに、ブラシ又はスポンジ等を回転させながら上昇させることにより、孔部７０の下端７０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部２５０Ａを形成すればよい。
【００８３】
この場合に、ブラシ又はスポンジ等を回転させる機構としては、例えば、貫通孔６０（図６参照）を穿孔するためのドリルの駆動機構を用いることができる。また、ドリルを回転させながら上昇させる機構についても、貫通孔６０を穿孔するためのドリルの駆動機構を用いることができる。
【００８４】
このようなドリルの駆動機構を用いれば、孔部７０の下端７０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部２５０Ａを形成することができる。
【００８５】
なお、フッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂は、例えば、溶媒に混ぜた状態でフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂に付着させて塗布してもよい。
【００８６】
次に、図７（Ｂ）に示すように、配線基板２０１の表面２０１Ａ又は裏面２０１Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面２０１Ａから裏面２０１Ｂまで貫通する貫通孔６０を形成する。
【００８７】
この時点で、メッキレジスト部２５０Ａ（図７（Ａ）参照）の中心が貫通され、メッキレジスト部５０が配線基板２０１の裏面２０１Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで、貫通孔６０の内部に形成される。
【００８８】
次に、メッキレジスト部５０が形成された配線基板２０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図７（Ｃ）に示すように、ビア４０及びメッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを形成する。
【００８９】
貫通孔６０の内部では、貫通孔６０の下端６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０が形成されているため、メッキレジスト部５０が形成されている部分にはビア４０は形成されない。
【００９０】
ビア４０は、貫通孔６０の内部において、メッキレジスト部５０が形成されていない部分（下面２３Ａから上端６０Ａまでの孔部６１）に形成される。
【００９１】
これにより、ビア４０は、下端が内層の導電層２３に接続されるとともに、上端が導電層２１及びメッキ層３０に接続される。
【００９２】
以上により、図７（Ｃ）に示す配線基板２００が形成される。図７（Ｃ）に示す配線基板２００は、図６に示す配線基板２００と同一であり、また、実施の形態１の配線基板（図３参照）とも同一である。
【００９３】
配線基板２００に形成されるビア４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【００９４】
これは、配線基板２００の裏面２００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０を精度よく形成できることにより、ビア４０の下端が導電層２３の下面２３Ａよりも下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるからである。
【００９５】
このため、実施の形態２によれば、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板２００を提供することができる。
【００９６】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔６０内に残存することがなく、ビア４０を形成しない側の貫通孔６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【００９７】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【００９８】
次に、図８及び図９を用いて、実施の形態２の変形例の配線基板２０２について説明する。
【００９９】
図８は、実施の形態２の変形例の配線基板２０２の断面構造を示す図である。
【０１００】
配線基板２０２は、貫通孔２６０の孔部２６１の内径が孔部６１（図６参照）より小さく設定されており、メッキレジスト部２５０の形状が実施の形態２の配線基板２００（図６参照）と異なる。メッキレジスト部２５０は、導電層２３の下面２３Ａの下に、凸部２５１を有する。その他の構成は、実施の形態２の配線基板２００（図６参照）と同様である。
【０１０１】
次に、実施の形態２の変形例の配線基板２０２（２０３）の製造方法について説明する。実施の形態２の変形例の配線基板２０２（２０３）の製造方法は、貫通孔２６０のうち、ビア４０が形成される孔部２６１の内径が実施の形態２の孔部６１（図６参照）の内径よりも小さい点が異なる。なお、配線基板２０３は、配線基板２０２が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【０１０２】
このため、実施の形態２の変形例では、配線基板２０３について、実施の形態２の配線基板２０１について図７（Ａ）を用いて説明した工程と同様の工程が行われ、配線基板２０３の裏面２０３Ｂに孔部７０が形成された後に、メッキレジスト部２５０Ａ（図７（Ａ）参照）が形成されているものとして説明を行う。
【０１０３】
図９は、実施の形態２の変形例の配線基板２０２（２０３）の製造工程を示す図である。図９では、図８よりも配線基板２０２（２０３）を縮小して示す。
【０１０４】
配線基板２０３の孔部７０内にメッキレジスト部２５０Ａ（図７（Ａ）参照）を形成した後に、図９（Ａ）に示すように、配線基板２０３の表面２０３Ａ又は裏面２０３Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面２０３Ａから裏面２０３Ｂまで貫通する貫通孔２６０を形成する。
【０１０５】
この時点で、メッキレジスト部２５０Ａ（図７（Ａ）参照）の中心が貫通され、メッキレジスト部２５０が配線基板２０３の裏面２０３Ｂ（貫通孔２６０の下端２６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで、貫通孔２６０の内部に形成される。
【０１０６】
貫通孔２６０の孔部２６１の内径が実施の形態２の貫通孔６０（図６参照）よりも小さいことにより、メッキレジスト部２５０は、導電層２３の下面２３Ａの下に、凸部２５１を有する。
【０１０７】
なお、メッキレジスト部２５０が形成される孔部２６２の内径は、実施の形態２の孔部６２の内径と同一である。
【０１０８】
次に、メッキレジスト部２５０が形成された配線基板２０３を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図９（Ｂ）に示すように、ビア４０及びメッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを形成する。
【０１０９】
貫通孔２６０の内部では、貫通孔２６０の下端２６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部２５０が形成されているため、メッキレジスト２５０が形成されている部分にはビア４０は形成されない。
【０１１０】
ビア４０は、貫通孔２６０の内部において、メッキレジスト２５０が形成されていない部分（下面２３Ａから上端６０Ａまでの孔部６１）に形成される。
【０１１１】
これにより、ビア４０は、下端が内層の導電層２３に接続されるとともに、上端が導電層２１及びメッキ層３０に接続される。
【０１１２】
以上により、図９（Ｂ）に示す配線基板２０２が形成される。図９（Ｂ）に示す配線基板２０２は、図８に示す配線基板２０２と同一である。
【０１１３】
配線基板２０２に形成されるビア４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【０１１４】
これは、配線基板２０２の裏面２０２Ｂ（貫通孔２６０の下端２６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部２５０を精度よく形成できることにより、ビア４０の下端が導電層２３の下面２３Ａよりも下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるからである。
【０１１５】
このため、実施の形態２の変形例によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板２０２を提供することができる。
【０１１６】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔６０内に残存することがなく、ビア４０を形成しない側の貫通孔６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【０１１７】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【０１１８】
＜実施の形態３＞
実施の形態３の配線基板３００は、メッキレジスト部３５０の形成の仕方が実施の形態１の配線基板１００と異なる。このため、貫通孔３６０の形状も実施の形態１の配線基板１００とは異なる。以下、実施の形態１の配線基板１００と同一又は同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。また、実施の形態１の図面を一部援用する。
【０１１９】
図１０は、実施の形態３の配線基板３００の断面構造を示す図である。
【０１２０】
配線基板３００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２、２３、２４、２５、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、ビア４０、及びメッキレジスト部３５０を含む。配線基板３００には表面３００Ａから裏面３００Ｂまで貫通する貫通孔３６０が形成されており、ビア４０とメッキレジスト部３５０は、貫通孔３６０の内壁に沿って筒状に形成されている。配線基板３００の構成は、メッキレジスト部３５０と貫通孔３６０以外は、実施の形態１の配線基板１００と同様である。
【０１２１】
配線基板３００には、配線基板３００の表面３００Ａから裏面３００Ｂまで貫通する貫通孔３６０が形成されている。貫通孔３６０は、導電層２１と導電層２３とを接続するビア４０を形成するために形成される。貫通孔３６０は、表面３００Ａから裏面３００Ｂまで一定度内径を有する。
【０１２２】
ここで、図１０には、配線基板３００の表面３００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板３００の表面３００Ａは絶縁層１１の表面である。
【０１２３】
同様に、配線基板３００の裏面３００Ｂとして絶縁層１５の下面を示すが、絶縁層１５の下面に導電層が形成されている場合には、配線基板３００の裏面３００Ｂは絶縁層１５の下面に形成される導電層の表面である。
【０１２４】
また、貫通孔３６０の内径とは、ビア４０及びメッキレジスト部３５０の厚さを含まない内径（図１１（Ｂ）参照）である。なお、貫通孔３６０は、例えば、ドリルを用いて形成される。
【０１２５】
貫通孔３６０には、まず、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成する。その後に、無電解メッキ層を形成し、さらに無電解メッキの上に電解メッキ層を形成することにより、貫通孔３６０の内部のメッキレジスト部３５０が形成されていない部分に、ビア４０が形成される。
【０１２６】
ビア４０は、無電解メッキ層と電解メッキ層とによって貫通孔３６０の内壁に沿って形成される筒状のメッキ部の一例である。ビア４０は、貫通孔３６０内のメッキレジスト部３５０が形成されていない部分（貫通孔３６０の上端３６０Ａから導電層２３の下面２３Ａと同一の高さまでの部分）に形成される。
【０１２７】
これにより、ビア４０は、上端が導電層２１に接続され、下端が導電層２３に接続されることになり、配線基板３００の最上層の導電層２１と内層の導電層２３は、ビア４０によって接続される。
【０１２８】
また、ビア４０を形成する際には、同時に、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃが導電層２１の上に形成される。メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃは、図示しないマスクとレジスト等を用いて、貫通孔３６０の上端３６０Ａの周囲で導電層２１のパターンに合わせてパターニングされる。
【０１２９】
図１０に示すメッキ層３０Ａと３０Ｂは、ビア４０に接続されるとともに、平面視では、貫通孔３６０の周囲で互いに接続されている。メッキ層３０Ｃは、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、及びビア４０とは接続されていない。
【０１３０】
図１０では、説明の便宜上、ビア４０とメッキ層３０Ａ、３０Ｂとを分けて説明するが、ビア４０とメッキ層３０Ａ、３０Ｂは、一体的に形成される。なお、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを特に区別しない場合には、単にメッキ層３０と称す。
【０１３１】
ビア４０及びメッキ層３０を構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア４０及びメッキ層３０は銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。
【０１３２】
メッキレジスト部３５０は、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで貫通孔３６０の内壁に形成される筒状のメッキレジスト部の一例である。
【０１３３】
ここで、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成するとは、メッキレジスト部３５０を貫通孔３６０の下端３６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに当接するまで形成することをいう。
【０１３４】
しかしながら、図１０に示すようにメッキレジスト部３５０が下面２３Ａに当接しない場合には、貫通孔３６０を形成する前の導電層２３の下面（図１１（Ａ）参照）、又は、貫通孔３６０内にある仮想的な導電層２３の下面までメッキレジスト部３５０を形成することをいう。
【０１３５】
また、厳密には、製造誤差等により、メッキレジスト部３５０が下面２３Ａに届かない場合、又は、メッキレジスト部３５０が下面２３Ａを少し超える場合もあり得る。このような場合でも、メッキレジスト部３５０は、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで形成されていることとする。
【０１３６】
メッキレジスト部３５０としては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。
【０１３７】
次に、図１１及び図１２を用いて、実施の形態３の配線基板３００（３０１）の製造方法について説明する。ここで、配線基板３０１は、配線基板３００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【０１３８】
図１１及び図１２は、実施の形態３の配線基板３００の製造方法を示す断面図である。図１１及び図１２では、図１０よりも配線基板３００（３０１）を縮小して示す。
【０１３９】
まず、図１１（Ａ）に示すように、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、配線基板３０１を作成する。
【０１４０】
次に、配線基板３０１の表面３０１Ａ側からドリルで穿孔することにより、表面３０１Ａから裏面３０１Ｂまで貫通する貫通孔３６０を形成する。
【０１４１】
ここで、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す部分では、配線基板３０１に含まれる導電層２１、２２、２３、２４、２５は、ビア４０と接続するか接続しないかにより、平面視における形状（パターン）が決められている。
【０１４２】
例えば、ビア４０に接続されない導電層２２、２４、２５は、貫通孔３６０を避けるために平面視で貫通孔３６０よりも大きな円形の開口部を有する。貫通孔３６０と導電層２２、２４、２５とは、平面視で中心を一致させて同心円状に配置されるように設計されている。図１１（Ａ）、（Ｂ）には、導電層２１、２２、２４、２５は、それぞれ２つに分かれているが、実際には層毎に接続されている。
【０１４３】
次に、図１２（Ａ）に示すように、配線基板３０１の裏面３０１Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成する。メッキレジスト部３５０は、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂が付着したブラシ又はスポンジ等を下端３６０Ｂ側から貫通孔３６０に挿入し、ブラシ又はスポンジ等を回転させて貫通孔３６０の内壁に塗布すればよい。
【０１４４】
また、このときに、ブラシ又はスポンジ等を回転させながら上昇させることにより、配線基板３０１の裏面３０１Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成すればよい。
【０１４５】
この場合に、ブラシ又はスポンジ等を回転させる機構としては、例えば、貫通孔３６０を穿孔するためのドリルの駆動機構を用いることができる。また、ドリルを回転させながら上昇させる機構についても、貫通孔３６０を穿孔するためのドリルの駆動機構を用いることができる。
【０１４６】
このようなドリルの駆動機構を用いれば、配線基板３０１の裏面３０１Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成することができる。
【０１４７】
なお、フッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂は、例えば、溶媒に混ぜた状態でフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂に付着させて塗布してもよい。
【０１４８】
次に、メッキレジスト部３５０が形成された配線基板３０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図１２（Ｂ）に示すように、ビア４０及びメッキ層３０を形成する。
【０１４９】
貫通孔３６０の内部では、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０が形成されているため、メッキレジスト部３５０が形成されている部分にはビア４０は形成されない。
【０１５０】
ビア４０は、貫通孔３６０の内部において、メッキレジスト部３５０が形成されていない部分（下面２３Ａから上端３６０Ａまでの部分）に形成される。
【０１５１】
これにより、ビア４０は、下端が内層の導電層２３に接続されるとともに、上端が導電層２１及びメッキ層３０に接続される。
【０１５２】
以上により、図１２（Ｂ）に示す配線基板３００が形成される。図１２（Ｂ）に示す配線基板３００は、図１０に示す配線基板３００と同一である。
【０１５３】
配線基板３００に形成されるビア４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【０１５４】
これは、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を精度よく形成できることにより、ビア４０の下端が導電層２３の下面２３Ａよりも下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるからである。
【０１５５】
このため、実施の形態３によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板３００を提供することができる。
【０１５６】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔３６０内に残存することがなく、ビア４０を形成しない側の貫通孔３６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【０１５７】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【０１５８】
＜実施の形態４＞
実施の形態４の配線基板４００は、表面４００Ａ側と裏面４００Ｂ側にメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂを形成し、ビア４４０を貫通孔４６０の中間部に形成した点が実施の形態１の配線基板１００と異なる。以下、実施の形態１の配線基板１００と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【０１５９】
図１３は、実施の形態４の配線基板４００の断面構造を示す図である。
【０１６０】
配線基板４００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２、２３、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２５、ビア４４０、及びメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂを含む。配線基板４００には表面４００Ａから裏面４００Ｂまで貫通する貫通孔４６０が形成されており、ビア４４０とメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂは、貫通孔４６０の内壁に沿って筒状に形成されている。
【０１６１】
ここで、図１３には、配線基板４００の表面４００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板４００の表面４００Ａは絶縁層１１の表面である。
【０１６２】
同様に、配線基板４００の裏面４００Ｂとして絶縁層１５の下面を示すが、絶縁層１５の下面に導電層が形成されている場合には、配線基板４００の裏面４００Ｂは絶縁層１５の下面に形成される導電層の表面である。
【０１６３】
貫通孔４６０は、ビア４４０が形成されている孔部４６１と、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されている孔部４６２Ａ、４６２Ｂとを含む。孔部４６１と孔部４６２Ａ、４６２Ｂの内径は異なり、孔部４６２Ａ、４６２Ｂの内径の方が孔部４６１の内径よりも大きい。
【０１６４】
なお、孔部４６１、４６２Ａ、４６２Ｂは、貫通孔４６０の上端４６０Ａから下端４６０Ｂにかけて、孔部４６２Ａ、４６１、４６２Ｂの順に連なっている。
【０１６５】
ここで、孔部４６１、４６２Ａ、４６２Ｂの内径とは、それぞれ、ビア４４０、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂの厚さを含まない内径である。
【０１６６】
ここで、図１３に示す部分では、配線基板４００に含まれる導電層２１、２２、２３、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２５は、ビア４４０と接続するか接続しないかにより、平面視における形状（パターン）が決められている。
【０１６７】
例えば、ビア４４０に接続されない導電層２１、２２、２５のうち、導電層２１は、配線基板４００の上面４００Ａに貫通孔４６０を避けた位置（図中右側）に形成されており、例えば、パッドとして用いられる。また、導電層２２、２５は、貫通孔４６０を避けるために平面視で貫通孔４６０よりも大きな円形の開口部を有する。貫通孔４６０と導電層２２、２５とは、平面視で中心を一致させて同心円状に配置されるように設計されている。図１３に示す導電層２２、２５は、それぞれ２つに分かれているが、実際には層毎に接続されている。
【０１６８】
また、導電層２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃについては、導電層２４Ａ、２４Ｂは互いに接続されるとともに、ともにビア４４０の下端に接続されている。導電層２４Ｃは、導電層２４Ａ、２４Ｂとは接続されていない。なお、導電層２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃを特に区別しない場合は、導電層２４と称す。
【０１６９】
絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５は、コア層である絶縁層１２と絶縁層１４の両面に、それぞれ、導電層２２、２３と導電層２４、２５を形成した状態で熱硬化処理が施されることによって固着される。
【０１７０】
なお、説明の便宜上、図１３には配線基板４００の一部分の断面を示す。配線基板４００は、図１３に示さない部分において、裏面４００Ｂにも導電層が形成されている。また、配線基板４００は、貫通孔４６０を複数含んでもよい。
【０１７１】
配線基板４００には、配線基板４００の表面４００Ａから裏面４００Ｂまで貫通する貫通孔４６０が形成されている。貫通孔４６０は、導電層２３と導電層２４とを接続するビア４４０を形成するために形成される。
【０１７２】
貫通孔４６０には、まず、貫通孔４６０の上端４６０Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまでメッキレジスト部４５０Ａを形成するとともに、配線基板４００の裏面４００Ｂ（貫通孔４６０の下端４６０Ｂ）から導電層２４の下面２４Ｄに至るまでメッキレジスト部４５０Ｂを形成する。
【０１７３】
その後に、無電解メッキ層を形成し、さらに無電解メッキ層の上に電解メッキ層を形成することにより、貫通孔４６０の内部のメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されていない部分に、ビア４４０が形成される。
【０１７４】
上述したように、貫通孔４６０のうち、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されている孔部４６２Ａ、４６２Ｂの内径は、ビア４４０が形成されている孔部４６１の内径よりも大きい。貫通孔４６０の形成方法については後述する。
【０１７５】
ビア４４０は、無電解メッキ層と電解メッキ層とによって貫通孔４６０の内壁に沿って形成される筒状のメッキ部の一例である。ビア４４０は、貫通孔４６０内のメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されていない部分（導電層２４の下面２４Ｄと同一の高さから導電層２３の上面２３Ｂと同一の高さの部分）に形成される。
【０１７６】
これにより、ビア４４０は、上端が導電層２３に接続され、下端が導電層２４Ａ、２４Ｂに接続されることになり、配線基板４００の内層の導電層２３と内層の導電層２４は、ビア４４０によって接続される。
【０１７７】
ビア４４０を構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア４４０は銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。
【０１７８】
メッキレジスト部４５０Ｂは、配線基板４００の裏面４００Ｂ（貫通孔４６０の下端４６０Ｂ）から導電層２４の下面２４Ｄに至るまで貫通孔４６０の内壁に形成される筒状のメッキレジスト部の一例である。
【０１７９】
メッキレジスト部４５０Ａは、配線基板４００の表面４００Ａ（貫通孔４６０の上端４６０Ａ）から導電層２３の上面２３Ｂに至るまで貫通孔４６０の内壁に形成される筒状の第２メッキレジスト部の一例である。
【０１８０】
メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。
【０１８１】
次に、図１４及び図１５を用いて、実施の形態４の配線基板４００（４０１）の製造方法について説明する。ここで、配線基板４０１は、配線基板４００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【０１８２】
図１４及び図１５は、実施の形態４の配線基板４００（４０１）の製造方法を示す断面図である。図１４及び図１５では、図１３よりも配線基板４００（４０１）を縮小して示す。
【０１８３】
まず、図１４（Ａ）に示すように、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、配線基板４０１を作成する。
【０１８４】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、配線基板４０１の表面４０１Ａと裏面４０１Ｂから、レーザ加工等を行うことにより、孔部４７０Ａと孔部４７０Ｂを順次形成する。孔部４７０Ａは、配線基板４０１の表面４０１Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまで絶縁層１１、１２を除去することによって形成される。同様に、孔部４７０Ｂは、配線基板４０１の裏面４０１Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至るまで絶縁層１４、１５を除去することによって形成される。
【０１８５】
例えば、ＣＯ２レーザの出力を絶縁層１１、１２を加工するのに適した値に設定して配線基板４０１の表面４０１Ａ側からレーザ加工を行えば、絶縁層１１、１２を除去する加工を導電層２３の上面２３Ｂで停止させることができる。
【０１８６】
同様に、ＣＯ２レーザの出力を絶縁層１４、１５を加工するのに適した値に設定して配線基板４０１の裏面４０１Ｂ側からレーザ加工を行えば、絶縁層１４、１５を除去する加工を導電層２４の下面２４Ｄで停止させることができる。
【０１８７】
これは、絶縁層１１、１２、１４、１５よりも導電層２３、２４の方が加工に必要なレーザの出力が高いためである。従って、絶縁層１１、１２、１４、１５を加工する際のレーザの出力は、導電層２３、２４を加工するために必要な出力よりも小さく、かつ、絶縁層１１、１２、１４、１５を加工するのに十分な出力に設定すればよい。
【０１８８】
このようにして、配線基板４０１の上面４０１Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至る孔部４７０Ａを形成するとともに、配線基板４０１の下面４０１Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至る孔部４７０Ｂを形成することができる。
【０１８９】
なお、孔部４７０Ａ、４７０Ｂは、後に貫通孔４６０を形成する位置において、平面視で貫通孔４６０と同心円状になるように、中心の位置を合わせて形成される。
【０１９０】
孔部４７０Ａ、４７０Ｂの内径は、後にメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂを形成することを考慮して、貫通孔４６０の内径よりもメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂとして必要な厚さだけ大きく設定すればよい。
【０１９１】
次に、図１５（Ａ）に示すように、孔部４７０Ａ、４７０Ｂの内部にメッキレジストを充填することにより、メッキレジスト部４５１Ａ、４５１Ｂを形成する。メッキレジスト部４５１Ａは、配線基板４０１の表面４０１Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまで形成され、メッキレジスト部４５１Ｂは、配線基板４０１の裏面４０１Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至るまで形成される。
【０１９２】
メッキレジストとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂等を用いればよい。
【０１９３】
次に、図１５（Ｂ）に示すように、配線基板４０１の表面４０１Ａ又は裏面４０１Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面４０１Ａから裏面４０１Ｂまで貫通する貫通孔４６０を形成する。
【０１９４】
この時点で、メッキレジスト部４５０Ａが貫通孔４６０の上端４６０Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまで、貫通孔４６０の内部に形成され、メッキレジスト部４５０Ｂが貫通孔４６０の下端４６０Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至るまで、貫通孔４６０の内部に形成される。
【０１９５】
次に、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成された配線基板４０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図１５（Ｃ）に示すように、ビア４４０を形成する。
【０１９６】
貫通孔４６０の内部では、貫通孔４６０の上端４６０Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまでメッキレジスト部４５０Ａが形成されるとともに、貫通孔４６０の下端４６０Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至るまでメッキレジスト部４５０Ｂが形成されているため、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されている部分にはビア４４０は形成されない。
【０１９７】
ビア４４０は、貫通孔４６０の内部において、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されていない部分（下面２４Ｂと同一の位置から上面２３Ｂと同一の位置までの孔部４６１（貫通孔４６０の中間部））に形成される。
【０１９８】
これにより、ビア４４０は、下端が内層の導電層２４に接続されるとともに、上端が導電層２３に接続される。
【０１９９】
以上により、図１５（Ｃ）に示す配線基板４００が形成される。図１５（Ｃ）に示す配線基板４００は、図１３に示す配線基板４００と同一である。
【０２００】
配線基板４００に形成されるビア４４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３、２４に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【０２０１】
これは、配線基板４００の表面４００Ｂ（貫通孔４６０の上端４６０Ａ）から導電層２３の上面２３Ｂに至るまでメッキレジスト部４５０Ａを精度よく形成できることにより、ビア４４０の上端が導電層２３の上面２３Ｂより上に形成されること（スタブの発生）を抑制できるためである。
【０２０２】
また、これに加えて、配線基板４００の裏面４００Ｂ（貫通孔４６０の下端４６０Ｂ）から導電層２４の下面２４Ｄに至るまでメッキレジスト部４５０Ｂを精度よく形成できることにより、ビア４４０の下端が導電層２４の下面２４Ｄより下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるためである。
【０２０３】
このため、実施の形態４によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板４００を提供することができる。
【０２０４】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔４６０内に残存することがなく、ビア４４０を形成しない側の貫通孔４６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【０２０５】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【０２０６】
＜実施の形態５＞
実施の形態５の配線基板５００は、貫通孔５６０の中間部と裏面５００Ｂ側にメッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂを形成し、ビア５４０Ａを貫通孔５６０の中間部に形成するとともに、ビア５４０Ｂを裏面５００Ｂ側に形成した点が実施の形態１の配線基板１００と異なる。以下、実施の形態１の配線基板１００と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【０２０７】
図１６は、実施の形態５の配線基板５００の断面構造を示す図である。
【０２０８】
配線基板５００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２６、メッキ層５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５３０Ｄ、ビア５４０Ａ、５４０Ｂ、及びメッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂを含む。
【０２０９】
配線基板５００には表面５００Ａから裏面５００Ｂまで貫通する貫通孔５６０が形成されており、ビア５４０Ａ、５４０Ｂとメッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂは、貫通孔５６０の内壁に沿って筒状に形成されている。
【０２１０】
ここで、図１６には、配線基板５００の表面５００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板５００の表面５００Ａは絶縁層１１の表面である。
【０２１１】
同様に、配線基板５００の裏面５００Ｂは、導電層２６が形成されている部分では導電層の下面であり、貫通孔５６０の下端５６０Ｂの近傍のように導電層２６が形成されていない部分では、配線基板５００の裏面５００Ｂは絶縁層１５の下面である。
【０２１２】
貫通孔５６０は、ビア５４０Ａ、５４０Ｂがそれぞれ形成されている孔部５６１Ａ、５６１Ｂと、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂがそれぞれ形成されている孔部５６２Ａ、５６２Ｂとを含む。
【０２１３】
孔部５６１Ａ、５６１Ｂと孔部５６２Ａ、５６２Ｂの内径は異なり、孔部５６２Ａ、５６２Ｂの内径の方が孔部５６１Ａ、５６１Ｂの内径よりも大きい。孔部５６１Ａと孔部５６１Ｂの内径は等しい。同様に、孔部５６２Ａと孔部５６２Ｂの内径は等しい。
【０２１４】
なお、孔部５６１Ａ、５６１Ｂ、５６２Ａ、５６２Ｂは、貫通孔５６０の上端５６０Ａから下端５６０Ｂにかけて、孔部５６１Ａ、５６２Ａ、５６１Ｂ、５６２Ｂの順に連なっている。
【０２１５】
ここで、孔部５６１Ａ、５６１Ｂ、５６２Ａ、５６２Ｂの内径とは、それぞれ、ビア５４０Ａ、５４０Ｂ、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂの厚さを含まない内径である。
【０２１６】
ここで、図１６に示す部分では、配線基板５００に含まれる導電層２１、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２６は、ビア５４０Ａ、５４０Ｂと接続するか接続しないかにより、平面視における形状（パターン）が決められている。
【０２１７】
例えば、ビア５４０Ａ、５４０Ｂに接続されない導電層２４Ｃ、２５Ｃ、２６のうち、導電層２４Ｃ、２５Ｃは、貫通孔５６０を避けた位置（図中右側）に形成されている。また、導電層２６は、貫通孔５６０を避けるために平面視で貫通孔５６０よりも大きな円形の開口部を有する。貫通孔５６０と導電層２６とは、平面視で中心を一致させて同心円状に配置されるように設計されている。図１６に示す導電層２１、２３は、それぞれ２つに分かれているが、実際には層毎に接続されている。
【０２１８】
また、導電層２２Ａ、２２Ｂ、２４Ａ、２４Ｂ、２Ａ、２５Ｂについては、導電層２２Ａ、２２Ｂは互いに接続されるとともに、ともにビア５４０Ａの中間部に接続されている。導電層２４Ａ、２４Ｂは互いに接続されるとともに、ともにビア５４０Ｂの上端に接続され、導電層２５Ａ、２５Ｂは互いに接続されるとともに、ともにビア５４０Ｂの下端に接続されている。
【０２１９】
なお、以下では、導電層２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃを特に区別しない場合には、単に導電層２２と称す。同様に、導電層２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃと、導電層２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃをそれぞれ特に区別しない場合には、それぞれ、単に導電層２４、２５と称す。
【０２２０】
絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５は、コア層である絶縁層１２と絶縁層１４の両面に、それぞれ、導電層２２、２３と導電層２４、２５を形成した状態で熱硬化処理が施されることによって固着される。
【０２２１】
なお、説明の便宜上、図１６には配線基板５００の一部分の断面を示す。配線基板５００は、貫通孔５６０を複数含んでもよい。
【０２２２】
配線基板５００には、配線基板５００の表面５００Ａから裏面５００Ｂまで貫通する貫通孔５６０が形成されている。貫通孔５６０は、導電層２１、２２、２３を接続するビア５４０Ａと、導電層２４、２５を接続するビア５４０Ｂとを形成するために形成される。ビア５４０Ａ、５４０Ｂ、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂ、及び貫通孔５６０の形成方法については後述する。
【０２２３】
ビア５４０Ａ、５４０Ｂは、無電解メッキ層と電解メッキ層とによって貫通孔５６０の内壁に沿って形成される筒状のメッキ部の一例である。ビア５４０Ａ、５４０Ｂは、貫通孔５６０内のメッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂが形成されていない部分に形成される。
【０２２４】
これにより、ビア５４０Ａとビア５４０Ｂは、それぞれ、導電層２１、２２、２３と導電層２４、２５を接続することになる。
【０２２５】
ビア５４０Ａには、メッキ層５３０Ａ、５３０Ｂが接続される。また、配線基板５００の裏面５００Ｂの導体層２６には、メッキ層５３０Ｃ、５３０Ｄが形成される。
【０２２６】
メッキ層５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５３０Ｄは、ビア５４０Ａ、５４０Ｂとともにメッキ処理によって形成される。
【０２２７】
ビア５４０Ａ、５４０Ｂとメッキ層５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５３０Ｄを構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア５４０Ａ、５４０Ｂは銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。
【０２２８】
メッキレジスト部５５０Ｂは、配線基板５００の裏面５００Ｂ（貫通孔５６０の下端５６０Ｂ）から導電層２５の下面２５Ｄに至るまで貫通孔５６０の内壁に形成されるメッキレジスト部の一例である。
【０２２９】
メッキレジスト部５５０Ａは、導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｄに至るまで貫通孔５６０の内壁に形成されるメッキレジスト部の一例である。
【０２３０】
メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。
【０２３１】
次に、図１７乃至図１９を用いて、実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法について説明する。ここで、配線基板５０１は、配線基板５００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【０２３２】
図１７乃至図１９は、実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法を示す断面図である。図１７乃至図１９では、図１６よりも配線基板５００（５０１）を縮小して示す。
【０２３３】
まず、図１７（Ａ）の（１）に示すように、プリプレグ層である絶縁層１３を用意し、図１７（Ａ）の（２）に示すように、プリプレグ層である絶縁層１３の一部に貫通孔１３０を形成する。貫通孔１３０は、後に形成する貫通孔５６０よりも平面視で大きければよく、平面視における形状は、円形に限らず、例えば、矩形であってもよい。貫通孔１３０は、ドリルを用いた機械的な加工によって形成してもよいし、ウェットエッチングを行うことによって形成してもよい。
【０２３４】
次に、図１７（Ａ）の（３）に示すように、貫通孔１３０内にメッキレジスト部５５１を充填する。
【０２３５】
次に、図１７（Ｂ）に示すように、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、配線基板５０１を作成する。絶縁層１３の貫通孔１３０（図１７（Ａ）参照）にはメッキレジスト部５５１が充填されている。
【０２３６】
メッキレジスト部５５１は、後に貫通孔５６０が貫通されることにより、メッキレジスト部５５０Ａになるメッキレジスト部である。このため、メッキレジスト部５５１は、後に形成される貫通孔５６０を平面視で内包するように、位置合わせが行われて形成される。
【０２３７】
次に、図１８（Ａ）に示すように、配線基板５０１の裏面５０１Ｂから、レーザ加工等を行うことにより、孔部５７０を形成する。孔部５７０は、導電層２６の一部を除去した後に、導電層２５の下面２５Ｄに至るまで絶縁層１５を除去することによって形成される。
【０２３８】
例えば、まず、ＣＯ２レーザの出力を導電層２６を加工するのに適した値に設定して、導電層２６の一部を除去する。次に、ＣＯ２レーザの出力を絶縁層１５を加工するのに適した値に設定して絶縁層１５のレーザ加工を行えば、絶縁層１５を除去する加工を導電層２５の下面２５Ｄで停止させることができる。
【０２３９】
これは、絶縁層１５よりも導電層２５の方が加工に必要なレーザの出力が高いためである。従って、絶縁層１５を加工する際のレーザの出力は、導電層２５を加工するために必要な出力よりも小さく、かつ、絶縁層１５を加工するのに十分な出力に設定すればよい。
【０２４０】
このようにして、配線基板５０１の下面５０１Ｂから導電層２５の下面２５Ｄに至る孔部５７０を形成することができる。
【０２４１】
なお、孔部５７０は、後に形成される貫通孔５６０を平面視で内包するように、位置合わせが行われて形成される。孔部５７０は、後に内部にメッキレジストを充填し、そのメッキレジストをメッキレジスト部５５０Ｂとして用いるために形成される。
【０２４２】
このため、孔部５７０が円筒状である場合は、孔部５７０の内径は、後にメッキレジスト部５５０Ｂを形成することを考慮して、貫通孔５６０の内径よりもメッキレジスト部５５０Ｂとして必要な厚さだけ大きく設定すればよい。
【０２４３】
また、孔部５７０が円筒状ではなく、平面視で矩形である場合は、メッキレジスト部５５０Ｂとして必要な厚さが確保できるような縦横の寸法に設定すればよい。
【０２４４】
次に、図１８（Ｂ）に示すように、孔部５７０の内部にメッキレジストを充填することにより、メッキレジスト部５５２を形成する。メッキレジスト部５５２は、配線基板５０１の裏面５０１Ｂから導電層２５の下面２５Ｄに至るまで形成される。
【０２４５】
メッキレジストとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂等を用いればよい。
【０２４６】
次に、図１９（Ａ）に示すように、配線基板５０１の表面５０１Ａ又は裏面５０１Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面５０１Ａから裏面５０１Ｂまで貫通する貫通孔５６０を形成する。
【０２４７】
この時点で、メッキレジスト部５５０Ａが導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｅに至るまで、貫通孔５６０の内部に形成される。また、メッキレジスト部５５０Ｂが配線基板５０１の裏面５０１Ｂ（貫通孔５６０の下端５６０Ｂ）から導電層２５の下面２５Ｄに至るまで、貫通孔５６０の内部に形成される。
【０２４８】
次に、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂが形成された配線基板５０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図１９（Ｂ）に示すように、ビア５４０Ａ、５４０Ｂを形成する。
【０２４９】
貫通孔５６０の内部では、導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｅに至るまでメッキレジスト部５５０Ａが形成されるとともに、貫通孔５６０の下端５６０Ｂから導電層２５の下面２５Ｄに至るまでメッキレジスト部５５０Ｂが形成されている。このため、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂが形成されている部分にはビア５４０Ａ、５４０Ｂは形成されない。
【０２５０】
ビア５４０Ａ、５４０Ｂは、貫通孔５６０の内部において、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂが形成されていない部分に形成される。
【０２５１】
これにより、ビア５４０Ａは、導電層２１、２２、２３に接続され、ビア５４０Ｂは、導電層２４、２５に接続される。
【０２５２】
以上により、図１９（Ｂ）に示す配線基板５００が形成される。図１９（Ｂ）に示す配線基板５００は、図１６に示す配線基板５００と同一である。
【０２５３】
配線基板５００に形成されるビア５４０Ａ、５４０Ｂは、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２１〜２５に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【０２５４】
これは、導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｅに至るまで、メッキレジスト部５５０Ａを５６０の内部に精度よく形成できるからである。メッキレジスト部５５０Ａは、プリプレグ層である絶縁層１３を導電層２１〜２６と絶縁層１１、１２、１４、１５と貼り合わせる前に、貫通孔１３０内に充填したメッキレジスト部５５１（図１７（Ａ）参照）から形成されている。
【０２５５】
プリプレグ層である絶縁層１３は、上側に導電層２３が張り合わされ、下側に導電層２４が張り合わされる（図１７（Ｂ）参照）。このため、絶縁層１３を貫通するメッキレジスト部５５１（図１７（Ａ）参照）の平面視における中央部に貫通孔５６０を貫通させることにより、導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｅに至るまで、メッキレジスト部５５０Ａを５６０の内部に精度よく形成できる。
【０２５６】
そして、この結果、ビア５４０Ａの下端とビア５４０Ｂの上端におけるスタブの発生を抑制することができる。
【０２５７】
また、実施の形態５でスタブの発生を抑制できるのは、上述の理由に加えて、メッキレジスト部５５０Ｂを配線基板５００の裏面５００Ｂ（貫通孔５６０の下端５６０Ｂ）から導電層２５の下面２５Ｄに至るまで、貫通孔５６０の内部に精度よく形成できるからである。
【０２５８】
上述のように、レーザ加工によって貫通孔５６０の下端５６０Ｂから導電層２５の下面２５Ｄに至るまで孔部５７０（図１８（Ａ）参照）を形成し、孔部５７０内に充填したメッキレジスト部５５２（図１８（Ｂ）参照）からメッキレジスト部５５０Ｂを形成する。
【０２５９】
このため、配線基板５００の裏面５００Ｂ（貫通孔５６０の下端５６０Ｂ）から導電層２５の下面２５Ｄに至るまでメッキレジスト部５５０Ｂを精度よく形成することができる。
【０２６０】
以上より、実施の形態５によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板５００を提供することができる。
【０２６１】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア５４０Ａ、５４０Ｂを傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔５６０内に残存することがなく、ビア５４０Ａ、５４０Ｂを形成しない側の貫通孔５６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【０２６２】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【０２６３】
また、メッキレジスト部５５０Ａが十分な厚さを有するようにメッキレジスト部５５０Ａを形成できるので、ビア５４０Ａとビア５４０Ｂとを確実に絶縁させることが可能である。
【０２６４】
なお、以上で説明した実施の形態１乃至５では、レーザ加工で孔部７０、４７０Ａ、４７０Ｂ、５７０を形成する場合について説明したが、ドリルを用いて孔部７０、４７０Ａ、４７０Ｂ、５７０を形成してもよい。
【０２６５】
以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
絶縁層と、
前記絶縁層と交互に積層される導電層と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の第１導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第１メッキレジスト部と、
前記第１メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と
を含む配線基板。
（付記２）
前記第１メッキレジスト部の形成区間の前記貫通孔の内径と、前記メッキ部の形成区間の前記貫通孔の内径とは等しい、付記１記載の配線基板。
（付記３）
前記第１メッキレジスト部の形成区間の前記貫通孔の内径は、前記メッキ部の形成区間の前記貫通孔の内径よりも大きい、付記１記載の配線基板。
（付記４）
前記貫通孔の他端側からいずれかの層間の第２導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第２メッキレジスト部をさらに含み、
前記メッキ部は、前記第１メッキレジスト部及び前記第２メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成される、付記１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
（付記５）
前記第１メッキレジスト部が形成される区間の前記貫通孔の内径と、前記メッキ部が形成される区間の前記貫通孔の内径とは異なる、付記１記載の配線基板。
（付記６）
前記第１メッキレジスト部は、フッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂によって形成される、付記１乃至５のいずれか一項記載の配線基板。
（付記７）
プリプレグを含む絶縁層と、
前記絶縁層と交互に積層される導電層と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記プリプレグの絶縁層内に形成され、隣接の導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成されるメッキレジスト部と、
前記メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と
を含み、前記メッキレジスト部は、複数のメッキ部の間に配置される、配線基板。
（付記８）
付記１乃至７のいずれか一項記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載される電子部品と
を含む、配線基板ユニット。
（付記９）
付記８記載の配線基板ユニットを含む、電子装置。
（付記１０）
導電層と絶縁層を交互に積層する工程と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の導電層に至るまで前記貫通孔内にメッキレジスト部を形成する工程と、
前記メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に、メッキ部を形成する工程と
を含む配線基板の製造方法。
（付記１１）
前記貫通孔を形成する前に、前記いずれかの層間の導電層に至るまで前記貫通孔より内径の大きい非貫通孔を形成する工程をさらに含み、
前記メッキレジスト部は、前記非貫通孔の内部にメッキレジスト材が形成され、該メッキレジスト材を貫通するように前記貫通孔が形成されることにより前記非貫通孔の内壁部に形成される、付記１０記載の配線基板の製造方法。
（付記１２）
プリプレグを含む絶縁層に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔内にメッキレジスト材を形成する工程と、
前記メッキレジスト材が形成された絶縁層に導電層および他の絶縁層を積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体に、前記メッキレジスト材の内部を貫通する第２貫通孔を形成する工程と、
前記前記メッキレジスト以外の前記貫通孔の内壁上に、メッキ部を形成する工程と
を含む配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【０２６６】
１ サーバ
２ 配線基板ユニット
３Ａ、３Ｂ ＢＧＡ
４Ａ、４Ｂ ＣＰＵ
５Ａ〜５Ｆ メモリモジュール
６Ａ、６Ｂ 電源モジュール
１１、１２、１３、１４、１５ 絶縁層
２１、２２、２３、２４、２５ 導電層
２３Ａ 下面
３０ メッキ層
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ メッキ層
４０ ビア
５０ メッキレジスト部
６０ 貫通孔
６０Ａ 上端
６０Ｂ 下端
６１、６２ 孔部
１００ 配線基板
１００Ｂ 裏面
１０１ 配線基板
１０１Ａ 表面
１０１Ｂ 裏面
２００、２０１ 配線基板
２００Ａ、２０１Ａ 表面
２００Ｂ、２０１Ｂ 裏面
７０ 孔部
７０Ｂ 下端
２５０、２５０Ａ メッキレジスト部
２５１ 凸部
２０２、２０３ 配線基板
２０２Ａ、２０３Ａ 表面
２０３Ｂ、２０３Ｂ 裏面
２６０ 貫通孔
２６０Ａ 上端
２６０Ｂ 下端
３００、３０１ 配線基板
３００Ａ、３０１Ａ 表面
３００Ｂ、３０１Ｂ 裏面
３５０ メッキレジスト部
３６０ 貫通孔
３６０Ａ 上端
３６０Ｂ 下端
４００、４０１ 配線基板
４００Ａ、４０１Ａ 表面
４００Ｂ、４０１Ｂ 裏面
２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ 導電層
４４０ ビア
４５０Ａ、４５０Ｂ メッキレジスト部
４６０ 貫通孔
４６０Ａ 上端
４６０Ｂ 下端
４６１、４６２Ａ、４６２Ｂ 孔部
５００、５０１ 配線基板
５００Ａ、５０１Ａ 表面
５００Ｂ、５０１Ｂ 裏面
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２６ 導電層
５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５３０Ｄ メッキ層
５４０Ａ、５４０Ｂ ビア
５５０Ａ、５５０Ｂ メッキレジスト部
５６０ 貫通孔
５６０Ａ 上端
５６０Ｂ 下端
５６１Ａ、５６１Ｂ、５６２Ａ、５６２Ｂ 孔部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板の内層配線に接続するビアを形成する方法の一つとして、貫通孔の内壁に金属膜を形成してから配線基板の裏面側から削り取ることで、伝送線路から分岐して並列に接続され信号の反射および／またはノイズを発生させるスタブを除去する方法が提案されている。
【０００３】
また、配線基板の内層の導電層の一部を除去して形成した間隙内にメッキレジストを形成し、このメッキレジストを挟んで上下の２つのセクションに分割されたビアを形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６，６６３，４４２号明細書
【特許文献２】特開２００８−５３２３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、配線基板の形成後、スタブを配線基板の裏面側から削り取る方法（所謂、バックドリル法）では、例えば、工作精度等の理由により、スタブを完全に取り除くことはできない。従って、完全に取り除けずに残存した部分は、依然として信号の反射又はノイズの発生等の原因になるという問題が生じる。
【０００６】
また、バックドリル法では、ビアとして残る導体を傷つける問題が生じ得る。削り取りに伴って生じる削り屑が貫通孔内に残存する。また、ドリル等の機械的な処理のため、配線基板の裏面側の貫通孔の孔径が大きくなり、配線層等への影響が残る。
【０００７】
その一方、メッキレジストを挟んで上下の２つのセクションに分割されたビアを形成する方法では、一層の導電層を除去した部分、又は、絶縁層の両面に形成された二層の導電層とその間の絶縁層とを除去した部分にメッキレジストを形成するので、メッキレジストの上下に依然としてスタブが残るという問題がある。スタブが残ることにより、信号の反射又はノイズの発生等の原因になるという問題が生じる。
【０００８】
また、一層の導電層を除去した部分に形成したメッキレジストだけでは、メッキレジストの厚さが足りない場合があり、メッキレジストを乗り越えて上下のビアが接続される場合がある。
【０００９】
以上のような問題が生じると、配線基板における信号の伝送特性が低下し、特に、高速信号の伝送特性が大きく低下するという問題が生じる。
【００１０】
そこで、高速信号の伝送特性が良好な配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の実施の形態の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層と交互に積層される導電層と、前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の第１導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第１メッキレジスト部と、前記第１メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と、を含む。
【発明の効果】
【００１２】
高速信号の伝送特性が良好な配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１の配線基板を含むサーバ１を示す図である。
【図２】実施の形態１の配線基板１００にＣＰＵ等を実装した配線基板ユニット２を示す図である。
【図３】実施の形態１の配線基板１００の断面構造を示す図である。
【図４】実施の形態１の配線基板１００の製造方法を示す断面図である。
【図５】実施の形態１の配線基板１００の製造方法を示す断面図である。
【図６】実施の形態２の配線基板２００の断面構造を示す図である。
【図７】実施の形態２の配線基板２００（２０１）の製造工程を示す図である。
【図８】実施の形態２の変形例の配線基板２０２の断面構造を示す図である。
【図９】実施の形態２の変形例の配線基板２０２（２０３）の製造工程を示す図である。
【図１０】実施の形態３の配線基板３００の断面構造を示す図である。
【図１１】実施の形態３の配線基板３００の製造方法を示す断面図である。
【図１２】実施の形態３の配線基板３００の製造方法を示す断面図である。
【図１３】実施の形態４の配線基板４００の断面構造を示す図である。
【図１４】実施の形態４の配線基板４００（４０１）の製造方法を示す断面図である。
【図１５】実施の形態４の配線基板４００（４０１）の製造方法を示す断面図である。
【図１６】実施の形態５の配線基板５００の断面構造を示す図である。
【図１７】実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法を示す断面図である。
【図１８】実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法を示す断面図である。
【図１９】実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
【００１５】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１の配線基板を含むサーバ１を示す図である。
【００１６】
図１に示すサーバ１は、実施の形態１の配線基板を含む電子装置の一例である。サーバ１は、例えば、実施の形態１の配線基板に実装されたＣＰＵ（Central Processing Unit：中央演算装置）及びメモリモジュール等を含む。なお、図１には、電子装置の一例としてサーバ１を示すが、電子装置は、パソコン（Personal Computer）であってもよい。
【００１７】
図２は、実施の形態１の配線基板１００にＣＰＵ等を実装した配線基板ユニット２を示す図である。
【００１８】
配線基板ユニット２は、配線基板１００、ＢＧＡ（Ball Grid Array）３Ａ、３Ｂ、ＣＰＵ４Ａ、４Ｂ、メモリモジュール５Ａ〜５Ｆ、及び電源モジュール６Ａ、６Ｂを含む。ＢＧＡ３Ａ、３Ｂ、ＣＰＵ４Ａ、４Ｂ、メモリモジュール５Ａ〜５Ｆ、及び電源モジュール６Ａ、６Ｂは、それぞれ、電子部品の一例である。
【００１９】
配線基板１００の上にはＢＧＡ３Ａ、３Ｂ、メモリモジュール５Ａ〜５Ｆ、及び電源モジュール６Ａ、６Ｂが実装され、ＢＧＡ３Ａ、３Ｂには、ＣＰＵ４Ａ、４Ｂが実装されている。
【００２０】
このような配線基板ユニット２は、図１に示すサーバ１に含まれている。
【００２１】
図３は、実施の形態１の配線基板１００の断面構造を示す図である。
【００２２】
配線基板１００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２、２３、２４、２５、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、ビア４０、及びメッキレジスト部５０を含む。配線基板１００には表面１００Ａから裏面１００Ｂまで貫通する貫通孔６０が形成されており、ビア４０とメッキレジスト部５０は、貫通孔６０の内壁に沿って筒状に形成されている。
【００２３】
貫通孔６０は、ビア４０が形成されている孔部６１と、メッキレジスト部５０が形成されている孔部６２とを含む。孔部６１と孔部６２の内径は異なり、孔部６２の内径の方が孔部６１の内径よりも大きい。
【００２４】
なお、孔部６１の内径とは、ビア４０の厚さを含まない内径（図５（Ｂ）参照）であり、孔部６２の内径とはメッキレジスト５０の厚さを含まない（図４（Ｂ）参照）である。孔部６２の内径は、後述する孔部７０の内径と等しい。
【００２５】
配線基板１００は、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant Type 4）又はＦＲ５（Flame Retardant Type 5）等のガラス布基材とエポキシ樹脂で形成されるプリント基板である。
【００２６】
例えば、絶縁層１１、１３、１５は、繊維のものに熱硬化性樹脂を含浸させたもの、例えばガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ層であり、絶縁層１２、１４は、コア層である。しかし、プリプレグ層としては、繊維のものを含まないエポキシ樹脂で形成されたものでもよい。
【００２７】
導電層２１、２２、２３、２４、２５は、例えば、銅箔である。導電層２１、２２、２３、２４、２５は、例えば、配線層、電源層、又はグランド層等として用いられる。
【００２８】
ここで、図３に示す部分では、配線基板１００に含まれる導電層２１、２２、２３、２４、２５は、ビア４０と接続するか接続しないかにより、平面視における形状（パターン）が決められている。
【００２９】
例えば、ビア４０に接続されない導電層２２、２４、２５は、貫通孔６０を避けるために平面視で貫通孔６０よりも大きな円形の開口部を有する。貫通孔６０と導電層２２、２４、２５とは、平面視で中心を一致させて同心円状に配置されるように設計されている。図３には、導電層２１、２２、２４、２５は、それぞれ２つに分かれているが、実際には層毎に接続されている。
【００３０】
絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５は、コア層である絶縁層１２と絶縁層１４の両面に、それぞれ、導電層２２、２３と導電層２４、２５を形成した状態で熱硬化処理が施されることによって固着される。
【００３１】
ここで、説明の便宜上、図３には配線基板１００の一部分の断面を示す。配線基板１００は、図３に示さない部分において、裏面１００Ｂにも導電層が形成されている。また、配線基板１００は、貫通孔６０を複数含んでもよい。
【００３２】
また、図３には、配線基板１００の表面１００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板１００の表面１００Ａは絶縁層１１の表面である。
【００３３】
同様に、配線基板１００の裏面１００Ｂとして絶縁層１５の下面を示すが、絶縁層１５の下面に導電層が形成されている場合には、配線基板１００の裏面１００Ｂは絶縁層１５の下面に形成される導電層の表面である。
【００３４】
また、配線基板１００は、ＦＲ４又はＦＲ５に限られるものではなく、内層の導電層を含んでいれば、ＦＲ規格の他のグレードのものであってもよく、あるいは、他の規格のものであってもよい。
【００３５】
配線基板１００には、配線基板１００の表面１００Ａから裏面１００Ｂまで貫通する貫通孔６０が形成されている。貫通孔６０は、導電層２１と導電層２３とを接続するビア４０を形成するために形成される。
【００３６】
貫通孔６０には、まず、配線基板１００の裏面１００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０を形成する。その後に、無電解メッキ層を形成し、さらに無電解メッキ層の上に電解メッキ層を形成することにより、貫通孔６０の内部のメッキレジスト部５０が形成されていない部分に、ビア４０が形成される。
【００３７】
上述したように、貫通孔６０のうち、メッキレジスト部５０が形成されている孔部６２の内径は、ビア４０が形成されている孔部６１の内径よりも大きい。貫通孔６０の形成方法については後述する。
【００３８】
ビア４０は、無電解メッキ層と電解メッキ層とによって貫通孔６０の内壁に沿って形成される筒状のメッキ部の一例である。ビア４０は、貫通孔６０内のメッキレジスト部５０が形成されていない部分（貫通孔６０の上端６０Ａから導電層２３の下面２３Ａと同一の高さまでの部分）に形成される。
【００３９】
これにより、ビア４０は、上端が導電層２１に接続され、下端が導電層２３に接続されることになり、配線基板１００の最上層の導電層２１と内層の導電層２３は、ビア４０によって接続される。
【００４０】
また、ビア４０を形成する際には、同時に、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃが導電層２１の上に形成される。メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃは、図示しないマスクとレジスト等を用いて、貫通孔６０の上端６０Ａの周囲で導電層２１のパターンに合わせてパターニングされる。
【００４１】
図３に示すメッキ層３０Ａと３０Ｂは、ビア４０に接続されるとともに、平面視では、貫通孔６０の周囲で互いに接続されている。メッキ層３０Ｃは、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、及びビア４０とは接続されていない。
【００４２】
図３では、説明の便宜上、ビア４０とメッキ層３０Ａ、３０Ｂとを分けて説明するが、ビア４０とメッキ層３０Ａ、３０Ｂは、一体的に形成される。なお、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを特に区別しない場合には、単にメッキ層３０と称す。
【００４３】
ビア４０及びメッキ層３０を構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア４０及びメッキ層３０は銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。
【００４４】
メッキレジスト部５０は、配線基板１００の裏面１００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで貫通孔６０の内壁に形成される筒状のメッキレジスト部の一例である。
【００４５】
ここで、配線基板１００の裏面１００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０を形成するとは、メッキレジスト部５０を貫通孔６０の下端６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに当接するまで形成することをいう。
【００４６】
メッキレジスト部５０としては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。
【００４７】
次に、図４及び図５を用いて、実施の形態１の配線基板１００（１０１）の製造方法について説明する。ここで、配線基板１０１は、配線基板１００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【００４８】
図４及び図５は、実施の形態１の配線基板１００（１０１）の製造方法を示す断面図である。図４及び図５では、図３よりも配線基板１００（１０１）を縮小して示す。
【００４９】
まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、配線基板１０１を作成する。
【００５０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、配線基板１０１の裏面１０１Ｂから、レーザ加工等を行うことにより、孔部７０を形成する。孔部７０は、配線基板１０１の裏面１０１Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまで絶縁層１３、１４、１５を除去することによって形成される。
【００５１】
例えば、ＣＯ２レーザの出力を絶縁層１３、１４、１５を加工するのに適した値に設定してレーザ加工を行えば、絶縁層１３、１４、１５を除去する加工を導電層２３の下面２３Ａで停止させることができる。
【００５２】
これは、絶縁層１３、１４、１５よりも導電層２３の方が加工に必要なレーザの出力が高いためである。従って、絶縁層１３、１４、１５を加工する際のレーザの出力は、導電層２３を加工するために必要な出力よりも小さく、かつ、絶縁層１３、１４、１５を加工するのに十分な出力に設定すればよい。
【００５３】
このようにして、配線基板１０１の下面から導電層２３の下面２３Ａに至る孔部７０を形成することができる。
【００５４】
なお、孔部７０は、後に貫通孔６０を形成する位置において、平面視で貫通孔６０と同心円状になるように、中心の位置を合わせて形成される。
【００５５】
孔部７０の内径は、後にメッキレジスト部５０を形成することを考慮して、貫通孔６０の内径よりもメッキレジスト部５０として必要な厚さだけ大きく設定すればよい。
【００５６】
次に、図５（Ａ）に示すように、孔部７０（図４（Ｂ）参照）の内部にメッキレジストを充填することにより、メッキレジスト部５０Ａを形成する。メッキレジスト部５０Ａは、配線基板１０１の裏面１０１Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまで形成される。
【００５７】
メッキレジストとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂等を用いればよい。
【００５８】
次に、図５（Ｂ）に示すように、配線基板１０１の表面１０１Ａ又は裏面１０１Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面１０１Ａから裏面１０１Ｂまで貫通する貫通孔６０を形成する。
【００５９】
この時点で、メッキレジスト部５０が配線基板１０１の裏面１０１Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで、貫通孔６０の内部に形成される。
【００６０】
次に、メッキレジスト部５０が形成された配線基板１０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図５（Ｃ）に示すように、ビア４０及びメッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを形成する。
【００６１】
貫通孔６０の内部では、貫通孔６０の下端６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０が形成されているため、メッキレジスト部５０が形成されている部分にはビア４０は形成されない。
【００６２】
ビア４０は、貫通孔６０の内部において、メッキレジスト部５０が形成されていない部分（下面２３Ａから上端６０Ａまでの孔部６１）に形成される。
【００６３】
これにより、ビア４０は、下端が内層の導電層２３に接続されるとともに、上端が導電層２１及びメッキ層３０に接続される。
【００６４】
以上により、図５（Ｃ）に示す配線基板１００が形成される。図５（Ｃ）に示す配線基板１００は、図３に示す配線基板１００と同一である。
【００６５】
配線基板１００に形成されるビア４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【００６６】
これは、配線基板１００の裏面１００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０を精度よく形成できることにより、ビア４０の下端が導電層２３の下面２３Ａよりも下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるからである。
【００６７】
このため、実施の形態１によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板１００を提供することができる。
【００６８】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔６０内に残存することがなく、ビア４０を形成しない側の貫通孔６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【００６９】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【００７０】
＜実施の形態２＞
実施の形態２の配線基板２００は、メッキレジスト部５０Ａの形成の仕方が実施の形態１の配線基板１００と異なる。以下、実施の形態１の配線基板１００と同一又は同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。また、実施の形態１の図面を一部援用する。
【００７１】
図６は、実施の形態２の配線基板２００の断面構造を示す図である。
【００７２】
配線基板２００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２、２３、２４、２５、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、ビア４０、及びメッキレジスト部５０を含む。配線基板２００には表面２００Ａから裏面２００Ｂまで貫通する貫通孔６０が形成されており、ビア４０とメッキレジスト部５０は、貫通孔６０の内壁に沿って筒状に形成されている。
【００７３】
このように、図６に示す配線基板２００は、実施の形態１の配線基板１００（図３参照）と同一の構成を有する。
【００７４】
ここで、図６には、配線基板２００の表面２００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板２００の表面２００Ａは絶縁層１１の表面である。
【００７５】
同様に、配線基板２００の裏面２００Ｂとして絶縁層１５の下面を示すが、絶縁層１５の下面に導電層が形成されている場合には、配線基板２００の裏面２００Ｂは絶縁層１５の下面に形成される導電層の表面である。
【００７６】
次に、実施の形態２の配線基板２００の製造方法について説明する。実施の形態２の配線基板２００の製造方法は、実施の形態１において図４（Ａ）、（Ｂ）に示した工程と同様の工程を含み、実施の形態１において図５（Ａ）に示した工程を図７（Ａ）に示す工程に代えたものである。
【００７７】
このため、実施の形態２では、配線基板２０１について、実施の形態１の配線基板１０１について図４（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明した工程と同様の工程が行われるものとして説明を行う。
【００７８】
なお、配線基板２０１は、配線基板２００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【００７９】
図７は、実施の形態２の配線基板２００（２０１）の製造工程を示す図である。図７では、図６よりも配線基板２００（２０１）を縮小して示す。
【００８０】
配線基板２０１の裏面２０１Ｂにレーザ加工によって孔部７０（図４（Ｂ）参照）を形成した後に、図７（Ａ）に示すように、メッキレジスト部２５０Ａを形成する。
【００８１】
メッキレジスト部２５０Ａは、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂が付着したブラシ又はスポンジ等を孔部７０の下端７０Ｂ側から孔部７０の内部に挿入し、ブラシ又はスポンジ等を回転させて孔部７０の内壁に塗布すればよい。
【００８２】
また、このときに、ブラシ又はスポンジ等を回転させながら上昇させることにより、孔部７０の下端７０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部２５０Ａを形成すればよい。
【００８３】
この場合に、ブラシ又はスポンジ等を回転させる機構としては、例えば、貫通孔６０（図６参照）を穿孔するためのドリルの駆動機構を用いることができる。また、ドリルを回転させながら上昇させる機構についても、貫通孔６０を穿孔するためのドリルの駆動機構を用いることができる。
【００８４】
このようなドリルの駆動機構を用いれば、孔部７０の下端７０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部２５０Ａを形成することができる。
【００８５】
なお、フッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂は、例えば、溶媒に混ぜた状態でフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂に付着させて塗布してもよい。
【００８６】
次に、図７（Ｂ）に示すように、配線基板２０１の表面２０１Ａ又は裏面２０１Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面２０１Ａから裏面２０１Ｂまで貫通する貫通孔６０を形成する。
【００８７】
この時点で、メッキレジスト部２５０Ａ（図７（Ａ）参照）の中心が貫通され、メッキレジスト部５０が配線基板２０１の裏面２０１Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで、貫通孔６０の内部に形成される。
【００８８】
次に、メッキレジスト部５０が形成された配線基板２０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図７（Ｃ）に示すように、ビア４０及びメッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを形成する。
【００８９】
貫通孔６０の内部では、貫通孔６０の下端６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０が形成されているため、メッキレジスト部５０が形成されている部分にはビア４０は形成されない。
【００９０】
ビア４０は、貫通孔６０の内部において、メッキレジスト部５０が形成されていない部分（下面２３Ａから上端６０Ａまでの孔部６１）に形成される。
【００９１】
これにより、ビア４０は、下端が内層の導電層２３に接続されるとともに、上端が導電層２１及びメッキ層３０に接続される。
【００９２】
以上により、図７（Ｃ）に示す配線基板２００が形成される。図７（Ｃ）に示す配線基板２００は、図６に示す配線基板２００と同一であり、また、実施の形態１の配線基板（図３参照）とも同一である。
【００９３】
配線基板２００に形成されるビア４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【００９４】
これは、配線基板２００の裏面２００Ｂ（貫通孔６０の下端６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部５０を精度よく形成できることにより、ビア４０の下端が導電層２３の下面２３Ａよりも下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるからである。
【００９５】
このため、実施の形態２によれば、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板２００を提供することができる。
【００９６】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔６０内に残存することがなく、ビア４０を形成しない側の貫通孔６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【００９７】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【００９８】
次に、図８及び図９を用いて、実施の形態２の変形例の配線基板２０２について説明する。
【００９９】
図８は、実施の形態２の変形例の配線基板２０２の断面構造を示す図である。
【０１００】
配線基板２０２は、貫通孔２６０の孔部２６１の内径が孔部６１（図６参照）より小さく設定されており、メッキレジスト部２５０の形状が実施の形態２の配線基板２００（図６参照）と異なる。メッキレジスト部２５０は、導電層２３の下面２３Ａの下に、凸部２５１を有する。その他の構成は、実施の形態２の配線基板２００（図６参照）と同様である。
【０１０１】
次に、実施の形態２の変形例の配線基板２０２（２０３）の製造方法について説明する。実施の形態２の変形例の配線基板２０２（２０３）の製造方法は、貫通孔２６０のうち、ビア４０が形成される孔部２６１の内径が実施の形態２の孔部６１（図６参照）の内径よりも小さい点が異なる。なお、配線基板２０３は、配線基板２０２が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【０１０２】
このため、実施の形態２の変形例では、配線基板２０３について、実施の形態２の配線基板２０１について図７（Ａ）を用いて説明した工程と同様の工程が行われ、配線基板２０３の裏面２０３Ｂに孔部７０が形成された後に、メッキレジスト部２５０Ａ（図７（Ａ）参照）が形成されているものとして説明を行う。
【０１０３】
図９は、実施の形態２の変形例の配線基板２０２（２０３）の製造工程を示す図である。図９では、図８よりも配線基板２０２（２０３）を縮小して示す。
【０１０４】
配線基板２０３の孔部７０内にメッキレジスト部２５０Ａ（図７（Ａ）参照）を形成した後に、図９（Ａ）に示すように、配線基板２０３の表面２０３Ａ又は裏面２０３Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面２０３Ａから裏面２０３Ｂまで貫通する貫通孔２６０を形成する。
【０１０５】
この時点で、メッキレジスト部２５０Ａ（図７（Ａ）参照）の中心が貫通され、メッキレジスト部２５０が配線基板２０３の裏面２０３Ｂ（貫通孔２６０の下端２６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで、貫通孔２６０の内部に形成される。
【０１０６】
貫通孔２６０の孔部２６１の内径が実施の形態２の貫通孔６０（図６参照）よりも小さいことにより、メッキレジスト部２５０は、導電層２３の下面２３Ａの下に、凸部２５１を有する。
【０１０７】
なお、メッキレジスト部２５０が形成される孔部２６２の内径は、実施の形態２の孔部６２の内径と同一である。
【０１０８】
次に、メッキレジスト部２５０が形成された配線基板２０３を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図９（Ｂ）に示すように、ビア４０及びメッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを形成する。
【０１０９】
貫通孔２６０の内部では、貫通孔２６０の下端２６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部２５０が形成されているため、メッキレジスト２５０が形成されている部分にはビア４０は形成されない。
【０１１０】
ビア４０は、貫通孔２６０の内部において、メッキレジスト２５０が形成されていない部分（下面２３Ａから上端６０Ａまでの孔部６１）に形成される。
【０１１１】
これにより、ビア４０は、下端が内層の導電層２３に接続されるとともに、上端が導電層２１及びメッキ層３０に接続される。
【０１１２】
以上により、図９（Ｂ）に示す配線基板２０２が形成される。図９（Ｂ）に示す配線基板２０２は、図８に示す配線基板２０２と同一である。
【０１１３】
配線基板２０２に形成されるビア４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【０１１４】
これは、配線基板２０２の裏面２０２Ｂ（貫通孔２６０の下端２６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部２５０を精度よく形成できることにより、ビア４０の下端が導電層２３の下面２３Ａよりも下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるからである。
【０１１５】
このため、実施の形態２の変形例によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板２０２を提供することができる。
【０１１６】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔６０内に残存することがなく、ビア４０を形成しない側の貫通孔６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【０１１７】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【０１１８】
＜実施の形態３＞
実施の形態３の配線基板３００は、メッキレジスト部３５０の形成の仕方が実施の形態１の配線基板１００と異なる。このため、貫通孔３６０の形状も実施の形態１の配線基板１００とは異なる。以下、実施の形態１の配線基板１００と同一又は同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。また、実施の形態１の図面を一部援用する。
【０１１９】
図１０は、実施の形態３の配線基板３００の断面構造を示す図である。
【０１２０】
配線基板３００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２、２３、２４、２５、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、ビア４０、及びメッキレジスト部３５０を含む。配線基板３００には表面３００Ａから裏面３００Ｂまで貫通する貫通孔３６０が形成されており、ビア４０とメッキレジスト部３５０は、貫通孔３６０の内壁に沿って筒状に形成されている。配線基板３００の構成は、メッキレジスト部３５０と貫通孔３６０以外は、実施の形態１の配線基板１００と同様である。
【０１２１】
配線基板３００には、配線基板３００の表面３００Ａから裏面３００Ｂまで貫通する貫通孔３６０が形成されている。貫通孔３６０は、導電層２１と導電層２３とを接続するビア４０を形成するために形成される。貫通孔３６０は、表面３００Ａから裏面３００Ｂまで一定度内径を有する。
【０１２２】
ここで、図１０には、配線基板３００の表面３００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板３００の表面３００Ａは絶縁層１１の表面である。
【０１２３】
同様に、配線基板３００の裏面３００Ｂとして絶縁層１５の下面を示すが、絶縁層１５の下面に導電層が形成されている場合には、配線基板３００の裏面３００Ｂは絶縁層１５の下面に形成される導電層の表面である。
【０１２４】
また、貫通孔３６０の内径とは、ビア４０及びメッキレジスト部３５０の厚さを含まない内径（図１１（Ｂ）参照）である。なお、貫通孔３６０は、例えば、ドリルを用いて形成される。
【０１２５】
貫通孔３６０には、まず、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成する。その後に、無電解メッキ層を形成し、さらに無電解メッキの上に電解メッキ層を形成することにより、貫通孔３６０の内部のメッキレジスト部３５０が形成されていない部分に、ビア４０が形成される。
【０１２６】
ビア４０は、無電解メッキ層と電解メッキ層とによって貫通孔３６０の内壁に沿って形成される筒状のメッキ部の一例である。ビア４０は、貫通孔３６０内のメッキレジスト部３５０が形成されていない部分（貫通孔３６０の上端３６０Ａから導電層２３の下面２３Ａと同一の高さまでの部分）に形成される。
【０１２７】
これにより、ビア４０は、上端が導電層２１に接続され、下端が導電層２３に接続されることになり、配線基板３００の最上層の導電層２１と内層の導電層２３は、ビア４０によって接続される。
【０１２８】
また、ビア４０を形成する際には、同時に、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃが導電層２１の上に形成される。メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃは、図示しないマスクとレジスト等を用いて、貫通孔３６０の上端３６０Ａの周囲で導電層２１のパターンに合わせてパターニングされる。
【０１２９】
図１０に示すメッキ層３０Ａと３０Ｂは、ビア４０に接続されるとともに、平面視では、貫通孔３６０の周囲で互いに接続されている。メッキ層３０Ｃは、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、及びビア４０とは接続されていない。
【０１３０】
図１０では、説明の便宜上、ビア４０とメッキ層３０Ａ、３０Ｂとを分けて説明するが、ビア４０とメッキ層３０Ａ、３０Ｂは、一体的に形成される。なお、メッキ層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを特に区別しない場合には、単にメッキ層３０と称す。
【０１３１】
ビア４０及びメッキ層３０を構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア４０及びメッキ層３０は銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。
【０１３２】
メッキレジスト部３５０は、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで貫通孔３６０の内壁に形成される筒状のメッキレジスト部の一例である。
【０１３３】
ここで、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成するとは、メッキレジスト部３５０を貫通孔３６０の下端３６０Ｂから導電層２３の下面２３Ａに当接するまで形成することをいう。
【０１３４】
しかしながら、図１０に示すようにメッキレジスト部３５０が下面２３Ａに当接しない場合には、貫通孔３６０を形成する前の導電層２３の下面（図１１（Ａ）参照）、又は、貫通孔３６０内にある仮想的な導電層２３の下面までメッキレジスト部３５０を形成することをいう。
【０１３５】
また、厳密には、製造誤差等により、メッキレジスト部３５０が下面２３Ａに届かない場合、又は、メッキレジスト部３５０が下面２３Ａを少し超える場合もあり得る。このような場合でも、メッキレジスト部３５０は、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまで形成されていることとする。
【０１３６】
メッキレジスト部３５０としては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。
【０１３７】
次に、図１１及び図１２を用いて、実施の形態３の配線基板３００（３０１）の製造方法について説明する。ここで、配線基板３０１は、配線基板３００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【０１３８】
図１１及び図１２は、実施の形態３の配線基板３００の製造方法を示す断面図である。図１１及び図１２では、図１０よりも配線基板３００（３０１）を縮小して示す。
【０１３９】
まず、図１１（Ａ）に示すように、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、配線基板３０１を作成する。
【０１４０】
次に、配線基板３０１の表面３０１Ａ側からドリルで穿孔することにより、表面３０１Ａから裏面３０１Ｂまで貫通する貫通孔３６０を形成する。
【０１４１】
ここで、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す部分では、配線基板３０１に含まれる導電層２１、２２、２３、２４、２５は、ビア４０と接続するか接続しないかにより、平面視における形状（パターン）が決められている。
【０１４２】
例えば、ビア４０に接続されない導電層２２、２４、２５は、貫通孔３６０を避けるために平面視で貫通孔３６０よりも大きな円形の開口部を有する。貫通孔３６０と導電層２２、２４、２５とは、平面視で中心を一致させて同心円状に配置されるように設計されている。図１１（Ａ）、（Ｂ）には、導電層２１、２２、２４、２５は、それぞれ２つに分かれているが、実際には層毎に接続されている。
【０１４３】
次に、図１２（Ａ）に示すように、配線基板３０１の裏面３０１Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成する。メッキレジスト部３５０は、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂が付着したブラシ又はスポンジ等を下端３６０Ｂ側から貫通孔３６０に挿入し、ブラシ又はスポンジ等を回転させて貫通孔３６０の内壁に塗布すればよい。
【０１４４】
また、このときに、ブラシ又はスポンジ等を回転させながら上昇させることにより、配線基板３０１の裏面３０１Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成すればよい。
【０１４５】
この場合に、ブラシ又はスポンジ等を回転させる機構としては、例えば、貫通孔３６０を穿孔するためのドリルの駆動機構を用いることができる。また、ドリルを回転させながら上昇させる機構についても、貫通孔３６０を穿孔するためのドリルの駆動機構を用いることができる。
【０１４６】
このようなドリルの駆動機構を用いれば、配線基板３０１の裏面３０１Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を形成することができる。
【０１４７】
なお、フッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂は、例えば、溶媒に混ぜた状態でフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂に付着させて塗布してもよい。
【０１４８】
次に、メッキレジスト部３５０が形成された配線基板３０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図１２（Ｂ）に示すように、ビア４０及びメッキ層３０を形成する。
【０１４９】
貫通孔３６０の内部では、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０が形成されているため、メッキレジスト部３５０が形成されている部分にはビア４０は形成されない。
【０１５０】
ビア４０は、貫通孔３６０の内部において、メッキレジスト部３５０が形成されていない部分（下面２３Ａから上端３６０Ａまでの部分）に形成される。
【０１５１】
これにより、ビア４０は、下端が内層の導電層２３に接続されるとともに、上端が導電層２１及びメッキ層３０に接続される。
【０１５２】
以上により、図１２（Ｂ）に示す配線基板３００が形成される。図１２（Ｂ）に示す配線基板３００は、図１０に示す配線基板３００と同一である。
【０１５３】
配線基板３００に形成されるビア４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【０１５４】
これは、配線基板３００の裏面３００Ｂ（貫通孔３６０の下端３６０Ｂ）から導電層２３の下面２３Ａに至るまでメッキレジスト部３５０を精度よく形成できることにより、ビア４０の下端が導電層２３の下面２３Ａよりも下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるからである。
【０１５５】
このため、実施の形態３によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板３００を提供することができる。
【０１５６】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔３６０内に残存することがなく、ビア４０を形成しない側の貫通孔３６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【０１５７】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【０１５８】
＜実施の形態４＞
実施の形態４の配線基板４００は、表面４００Ａ側と裏面４００Ｂ側にメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂを形成し、ビア４４０を貫通孔４６０の中間部に形成した点が実施の形態１の配線基板１００と異なる。以下、実施の形態１の配線基板１００と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【０１５９】
図１３は、実施の形態４の配線基板４００の断面構造を示す図である。
【０１６０】
配線基板４００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２、２３、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２５、ビア４４０、及びメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂを含む。配線基板４００には表面４００Ａから裏面４００Ｂまで貫通する貫通孔４６０が形成されており、ビア４４０とメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂは、貫通孔４６０の内壁に沿って筒状に形成されている。
【０１６１】
ここで、図１３には、配線基板４００の表面４００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板４００の表面４００Ａは絶縁層１１の表面である。
【０１６２】
同様に、配線基板４００の裏面４００Ｂとして絶縁層１５の下面を示すが、絶縁層１５の下面に導電層が形成されている場合には、配線基板４００の裏面４００Ｂは絶縁層１５の下面に形成される導電層の表面である。
【０１６３】
貫通孔４６０は、ビア４４０が形成されている孔部４６１と、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されている孔部４６２Ａ、４６２Ｂとを含む。孔部４６１と孔部４６２Ａ、４６２Ｂの内径は異なり、孔部４６２Ａ、４６２Ｂの内径の方が孔部４６１の内径よりも大きい。
【０１６４】
なお、孔部４６１、４６２Ａ、４６２Ｂは、貫通孔４６０の上端４６０Ａから下端４６０Ｂにかけて、孔部４６２Ａ、４６１、４６２Ｂの順に連なっている。
【０１６５】
ここで、孔部４６１、４６２Ａ、４６２Ｂの内径とは、それぞれ、ビア４４０、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂの厚さを含まない内径である。
【０１６６】
ここで、図１３に示す部分では、配線基板４００に含まれる導電層２１、２２、２３、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２５は、ビア４４０と接続するか接続しないかにより、平面視における形状（パターン）が決められている。
【０１６７】
例えば、ビア４４０に接続されない導電層２１、２２、２５のうち、導電層２１は、配線基板４００の上面４００Ａに貫通孔４６０を避けた位置（図中右側）に形成されており、例えば、パッドとして用いられる。また、導電層２２、２５は、貫通孔４６０を避けるために平面視で貫通孔４６０よりも大きな円形の開口部を有する。貫通孔４６０と導電層２２、２５とは、平面視で中心を一致させて同心円状に配置されるように設計されている。図１３に示す導電層２２、２５は、それぞれ２つに分かれているが、実際には層毎に接続されている。
【０１６８】
また、導電層２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃについては、導電層２４Ａ、２４Ｂは互いに接続されるとともに、ともにビア４４０の下端に接続されている。導電層２４Ｃは、導電層２４Ａ、２４Ｂとは接続されていない。なお、導電層２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃを特に区別しない場合は、導電層２４と称す。
【０１６９】
絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５は、コア層である絶縁層１２と絶縁層１４の両面に、それぞれ、導電層２２、２３と導電層２４、２５を形成した状態で熱硬化処理が施されることによって固着される。
【０１７０】
なお、説明の便宜上、図１３には配線基板４００の一部分の断面を示す。配線基板４００は、図１３に示さない部分において、裏面４００Ｂにも導電層が形成されている。また、配線基板４００は、貫通孔４６０を複数含んでもよい。
【０１７１】
配線基板４００には、配線基板４００の表面４００Ａから裏面４００Ｂまで貫通する貫通孔４６０が形成されている。貫通孔４６０は、導電層２３と導電層２４とを接続するビア４４０を形成するために形成される。
【０１７２】
貫通孔４６０には、まず、貫通孔４６０の上端４６０Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまでメッキレジスト部４５０Ａを形成するとともに、配線基板４００の裏面４００Ｂ（貫通孔４６０の下端４６０Ｂ）から導電層２４の下面２４Ｄに至るまでメッキレジスト部４５０Ｂを形成する。
【０１７３】
その後に、無電解メッキ層を形成し、さらに無電解メッキ層の上に電解メッキ層を形成することにより、貫通孔４６０の内部のメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されていない部分に、ビア４４０が形成される。
【０１７４】
上述したように、貫通孔４６０のうち、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されている孔部４６２Ａ、４６２Ｂの内径は、ビア４４０が形成されている孔部４６１の内径よりも大きい。貫通孔４６０の形成方法については後述する。
【０１７５】
ビア４４０は、無電解メッキ層と電解メッキ層とによって貫通孔４６０の内壁に沿って形成される筒状のメッキ部の一例である。ビア４４０は、貫通孔４６０内のメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されていない部分（導電層２４の下面２４Ｄと同一の高さから導電層２３の上面２３Ｂと同一の高さの部分）に形成される。
【０１７６】
これにより、ビア４４０は、上端が導電層２３に接続され、下端が導電層２４Ａ、２４Ｂに接続されることになり、配線基板４００の内層の導電層２３と内層の導電層２４は、ビア４４０によって接続される。
【０１７７】
ビア４４０を構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア４４０は銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。
【０１７８】
メッキレジスト部４５０Ｂは、配線基板４００の裏面４００Ｂ（貫通孔４６０の下端４６０Ｂ）から導電層２４の下面２４Ｄに至るまで貫通孔４６０の内壁に形成される筒状のメッキレジスト部の一例である。
【０１７９】
メッキレジスト部４５０Ａは、配線基板４００の表面４００Ａ（貫通孔４６０の上端４６０Ａ）から導電層２３の上面２３Ｂに至るまで貫通孔４６０の内壁に形成される筒状の第２メッキレジスト部の一例である。
【０１８０】
メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。
【０１８１】
次に、図１４及び図１５を用いて、実施の形態４の配線基板４００（４０１）の製造方法について説明する。ここで、配線基板４０１は、配線基板４００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【０１８２】
図１４及び図１５は、実施の形態４の配線基板４００（４０１）の製造方法を示す断面図である。図１４及び図１５では、図１３よりも配線基板４００（４０１）を縮小して示す。
【０１８３】
まず、図１４（Ａ）に示すように、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、配線基板４０１を作成する。
【０１８４】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、配線基板４０１の表面４０１Ａと裏面４０１Ｂから、レーザ加工等を行うことにより、孔部４７０Ａと孔部４７０Ｂを順次形成する。孔部４７０Ａは、配線基板４０１の表面４０１Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまで絶縁層１１、１２を除去することによって形成される。同様に、孔部４７０Ｂは、配線基板４０１の裏面４０１Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至るまで絶縁層１４、１５を除去することによって形成される。
【０１８５】
例えば、ＣＯ２レーザの出力を絶縁層１１、１２を加工するのに適した値に設定して配線基板４０１の表面４０１Ａ側からレーザ加工を行えば、絶縁層１１、１２を除去する加工を導電層２３の上面２３Ｂで停止させることができる。
【０１８６】
同様に、ＣＯ２レーザの出力を絶縁層１４、１５を加工するのに適した値に設定して配線基板４０１の裏面４０１Ｂ側からレーザ加工を行えば、絶縁層１４、１５を除去する加工を導電層２４の下面２４Ｄで停止させることができる。
【０１８７】
これは、絶縁層１１、１２、１４、１５よりも導電層２３、２４の方が加工に必要なレーザの出力が高いためである。従って、絶縁層１１、１２、１４、１５を加工する際のレーザの出力は、導電層２３、２４を加工するために必要な出力よりも小さく、かつ、絶縁層１１、１２、１４、１５を加工するのに十分な出力に設定すればよい。
【０１８８】
このようにして、配線基板４０１の上面４０１Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至る孔部４７０Ａを形成するとともに、配線基板４０１の下面４０１Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至る孔部４７０Ｂを形成することができる。
【０１８９】
なお、孔部４７０Ａ、４７０Ｂは、後に貫通孔４６０を形成する位置において、平面視で貫通孔４６０と同心円状になるように、中心の位置を合わせて形成される。
【０１９０】
孔部４７０Ａ、４７０Ｂの内径は、後にメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂを形成することを考慮して、貫通孔４６０の内径よりもメッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂとして必要な厚さだけ大きく設定すればよい。
【０１９１】
次に、図１５（Ａ）に示すように、孔部４７０Ａ、４７０Ｂの内部にメッキレジストを充填することにより、メッキレジスト部４５１Ａ、４５１Ｂを形成する。メッキレジスト部４５１Ａは、配線基板４０１の表面４０１Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまで形成され、メッキレジスト部４５１Ｂは、配線基板４０１の裏面４０１Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至るまで形成される。
【０１９２】
メッキレジストとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂等を用いればよい。
【０１９３】
次に、図１５（Ｂ）に示すように、配線基板４０１の表面４０１Ａ又は裏面４０１Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面４０１Ａから裏面４０１Ｂまで貫通する貫通孔４６０を形成する。
【０１９４】
この時点で、メッキレジスト部４５０Ａが貫通孔４６０の上端４６０Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまで、貫通孔４６０の内部に形成され、メッキレジスト部４５０Ｂが貫通孔４６０の下端４６０Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至るまで、貫通孔４６０の内部に形成される。
【０１９５】
次に、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成された配線基板４０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図１５（Ｃ）に示すように、ビア４４０を形成する。
【０１９６】
貫通孔４６０の内部では、貫通孔４６０の上端４６０Ａから導電層２３の上面２３Ｂに至るまでメッキレジスト部４５０Ａが形成されるとともに、貫通孔４６０の下端４６０Ｂから導電層２４の下面２４Ｄに至るまでメッキレジスト部４５０Ｂが形成されているため、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されている部分にはビア４４０は形成されない。
【０１９７】
ビア４４０は、貫通孔４６０の内部において、メッキレジスト部４５０Ａ、４５０Ｂが形成されていない部分（下面２４Ｂと同一の位置から上面２３Ｂと同一の位置までの孔部４６１（貫通孔４６０の中間部））に形成される。
【０１９８】
これにより、ビア４４０は、下端が内層の導電層２４に接続されるとともに、上端が導電層２３に接続される。
【０１９９】
以上により、図１５（Ｃ）に示す配線基板４００が形成される。図１５（Ｃ）に示す配線基板４００は、図１３に示す配線基板４００と同一である。
【０２００】
配線基板４００に形成されるビア４４０は、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２３、２４に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【０２０１】
これは、配線基板４００の表面４００Ｂ（貫通孔４６０の上端４６０Ａ）から導電層２３の上面２３Ｂに至るまでメッキレジスト部４５０Ａを精度よく形成できることにより、ビア４４０の上端が導電層２３の上面２３Ｂより上に形成されること（スタブの発生）を抑制できるためである。
【０２０２】
また、これに加えて、配線基板４００の裏面４００Ｂ（貫通孔４６０の下端４６０Ｂ）から導電層２４の下面２４Ｄに至るまでメッキレジスト部４５０Ｂを精度よく形成できることにより、ビア４４０の下端が導電層２４の下面２４Ｄより下に形成されること（スタブの発生）を抑制できるためである。
【０２０３】
このため、実施の形態４によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板４００を提供することができる。
【０２０４】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア４４０を傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔４６０内に残存することがなく、ビア４４０を形成しない側の貫通孔４６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【０２０５】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【０２０６】
＜実施の形態５＞
実施の形態５の配線基板５００は、貫通孔５６０の中間部と裏面５００Ｂ側にメッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂを形成し、ビア５４０Ａを貫通孔５６０の中間部に形成するとともに、ビア５４０Ｂを裏面５００Ｂ側に形成した点が実施の形態１の配線基板１００と異なる。以下、実施の形態１の配線基板１００と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【０２０７】
図１６は、実施の形態５の配線基板５００の断面構造を示す図である。
【０２０８】
配線基板５００は、５層の絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と、５層の導電層２１、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２６、メッキ層５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５３０Ｄ、ビア５４０Ａ、５４０Ｂ、及びメッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂを含む。
【０２０９】
配線基板５００には表面５００Ａから裏面５００Ｂまで貫通する貫通孔５６０が形成されており、ビア５４０Ａ、５４０Ｂとメッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂは、貫通孔５６０の内壁に沿って筒状に形成されている。
【０２１０】
ここで、図１６には、配線基板５００の表面５００Ａとして導電層２１の表面を示すが、導電層２１が形成されていない部分では、配線基板５００の表面５００Ａは絶縁層１１の表面である。
【０２１１】
同様に、配線基板５００の裏面５００Ｂは、導電層２６が形成されている部分では導電層の下面であり、貫通孔５６０の下端５６０Ｂの近傍のように導電層２６が形成されていない部分では、配線基板５００の裏面５００Ｂは絶縁層１５の下面である。
【０２１２】
貫通孔５６０は、ビア５４０Ａ、５４０Ｂがそれぞれ形成されている孔部５６１Ａ、５６１Ｂと、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂがそれぞれ形成されている孔部５６２Ａ、５６２Ｂとを含む。
【０２１３】
孔部５６１Ａ、５６１Ｂと孔部５６２Ａ、５６２Ｂの内径は異なり、孔部５６２Ａ、５６２Ｂの内径の方が孔部５６１Ａ、５６１Ｂの内径よりも大きい。孔部５６１Ａと孔部５６１Ｂの内径は等しい。同様に、孔部５６２Ａと孔部５６２Ｂの内径は等しい。
【０２１４】
なお、孔部５６１Ａ、５６１Ｂ、５６２Ａ、５６２Ｂは、貫通孔５６０の上端５６０Ａから下端５６０Ｂにかけて、孔部５６１Ａ、５６２Ａ、５６１Ｂ、５６２Ｂの順に連なっている。
【０２１５】
ここで、孔部５６１Ａ、５６１Ｂ、５６２Ａ、５６２Ｂの内径とは、それぞれ、ビア５４０Ａ、５４０Ｂ、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂの厚さを含まない内径である。
【０２１６】
ここで、図１６に示す部分では、配線基板５００に含まれる導電層２１、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２６は、ビア５４０Ａ、５４０Ｂと接続するか接続しないかにより、平面視における形状（パターン）が決められている。
【０２１７】
例えば、ビア５４０Ａ、５４０Ｂに接続されない導電層２４Ｃ、２５Ｃ、２６のうち、導電層２４Ｃ、２５Ｃは、貫通孔５６０を避けた位置（図中右側）に形成されている。また、導電層２６は、貫通孔５６０を避けるために平面視で貫通孔５６０よりも大きな円形の開口部を有する。貫通孔５６０と導電層２６とは、平面視で中心を一致させて同心円状に配置されるように設計されている。図１６に示す導電層２１、２３は、それぞれ２つに分かれているが、実際には層毎に接続されている。
【０２１８】
また、導電層２２Ａ、２２Ｂ、２４Ａ、２４Ｂ、２Ａ、２５Ｂについては、導電層２２Ａ、２２Ｂは互いに接続されるとともに、ともにビア５４０Ａの中間部に接続されている。導電層２４Ａ、２４Ｂは互いに接続されるとともに、ともにビア５４０Ｂの上端に接続され、導電層２５Ａ、２５Ｂは互いに接続されるとともに、ともにビア５４０Ｂの下端に接続されている。
【０２１９】
なお、以下では、導電層２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃを特に区別しない場合には、単に導電層２２と称す。同様に、導電層２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃと、導電層２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃをそれぞれ特に区別しない場合には、それぞれ、単に導電層２４、２５と称す。
【０２２０】
絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５は、コア層である絶縁層１２と絶縁層１４の両面に、それぞれ、導電層２２、２３と導電層２４、２５を形成した状態で熱硬化処理が施されることによって固着される。
【０２２１】
なお、説明の便宜上、図１６には配線基板５００の一部分の断面を示す。配線基板５００は、貫通孔５６０を複数含んでもよい。
【０２２２】
配線基板５００には、配線基板５００の表面５００Ａから裏面５００Ｂまで貫通する貫通孔５６０が形成されている。貫通孔５６０は、導電層２１、２２、２３を接続するビア５４０Ａと、導電層２４、２５を接続するビア５４０Ｂとを形成するために形成される。ビア５４０Ａ、５４０Ｂ、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂ、及び貫通孔５６０の形成方法については後述する。
【０２２３】
ビア５４０Ａ、５４０Ｂは、無電解メッキ層と電解メッキ層とによって貫通孔５６０の内壁に沿って形成される筒状のメッキ部の一例である。ビア５４０Ａ、５４０Ｂは、貫通孔５６０内のメッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂが形成されていない部分に形成される。
【０２２４】
これにより、ビア５４０Ａとビア５４０Ｂは、それぞれ、導電層２１、２２、２３と導電層２４、２５を接続することになる。
【０２２５】
ビア５４０Ａには、メッキ層５３０Ａ、５３０Ｂが接続される。また、配線基板５００の裏面５００Ｂの導体層２６には、メッキ層５３０Ｃ、５３０Ｄが形成される。
【０２２６】
メッキ層５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５３０Ｄは、ビア５４０Ａ、５４０Ｂとともにメッキ処理によって形成される。
【０２２７】
ビア５４０Ａ、５４０Ｂとメッキ層５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５３０Ｄを構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア５４０Ａ、５４０Ｂは銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。
【０２２８】
メッキレジスト部５５０Ｂは、配線基板５００の裏面５００Ｂ（貫通孔５６０の下端５６０Ｂ）から導電層２５の下面２５Ｄに至るまで貫通孔５６０の内壁に形成されるメッキレジスト部の一例である。
【０２２９】
メッキレジスト部５５０Ａは、導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｄに至るまで貫通孔５６０の内壁に形成されるメッキレジスト部の一例である。
【０２３０】
メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。
【０２３１】
次に、図１７乃至図１９を用いて、実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法について説明する。ここで、配線基板５０１は、配線基板５００が完成する前の製造段階における配線基板を表す。
【０２３２】
図１７乃至図１９は、実施の形態５の配線基板５００（５０１）の製造方法を示す断面図である。図１７乃至図１９では、図１６よりも配線基板５００（５０１）を縮小して示す。
【０２３３】
まず、図１７（Ａ）の（１）に示すように、プリプレグ層である絶縁層１３を用意し、図１７（Ａ）の（２）に示すように、プリプレグ層である絶縁層１３の一部に貫通孔１３０を形成する。貫通孔１３０は、後に形成する貫通孔５６０よりも平面視で大きければよく、平面視における形状は、円形に限らず、例えば、矩形であってもよい。貫通孔１３０は、ドリルを用いた機械的な加工によって形成してもよいし、ウェットエッチングを行うことによって形成してもよい。
【０２３４】
次に、図１７（Ａ）の（３）に示すように、貫通孔１３０内にメッキレジスト部５５１を充填する。
【０２３５】
次に、図１７（Ｂ）に示すように、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、配線基板５０１を作成する。絶縁層１３の貫通孔１３０（図１７（Ａ）参照）にはメッキレジスト部５５１が充填されている。
【０２３６】
メッキレジスト部５５１は、後に貫通孔５６０が貫通されることにより、メッキレジスト部５５０Ａになるメッキレジスト部である。このため、メッキレジスト部５５１は、後に形成される貫通孔５６０を平面視で内包するように、位置合わせが行われて形成される。
【０２３７】
次に、図１８（Ａ）に示すように、配線基板５０１の裏面５０１Ｂから、レーザ加工等を行うことにより、孔部５７０を形成する。孔部５７０は、導電層２６の一部を除去した後に、導電層２５の下面２５Ｄに至るまで絶縁層１５を除去することによって形成される。
【０２３８】
例えば、まず、ＣＯ２レーザの出力を導電層２６を加工するのに適した値に設定して、導電層２６の一部を除去する。次に、ＣＯ２レーザの出力を絶縁層１５を加工するのに適した値に設定して絶縁層１５のレーザ加工を行えば、絶縁層１５を除去する加工を導電層２５の下面２５Ｄで停止させることができる。
【０２３９】
これは、絶縁層１５よりも導電層２５の方が加工に必要なレーザの出力が高いためである。従って、絶縁層１５を加工する際のレーザの出力は、導電層２５を加工するために必要な出力よりも小さく、かつ、絶縁層１５を加工するのに十分な出力に設定すればよい。
【０２４０】
このようにして、配線基板５０１の下面５０１Ｂから導電層２５の下面２５Ｄに至る孔部５７０を形成することができる。
【０２４１】
なお、孔部５７０は、後に形成される貫通孔５６０を平面視で内包するように、位置合わせが行われて形成される。孔部５７０は、後に内部にメッキレジストを充填し、そのメッキレジストをメッキレジスト部５５０Ｂとして用いるために形成される。
【０２４２】
このため、孔部５７０が円筒状である場合は、孔部５７０の内径は、後にメッキレジスト部５５０Ｂを形成することを考慮して、貫通孔５６０の内径よりもメッキレジスト部５５０Ｂとして必要な厚さだけ大きく設定すればよい。
【０２４３】
また、孔部５７０が円筒状ではなく、平面視で矩形である場合は、メッキレジスト部５５０Ｂとして必要な厚さが確保できるような縦横の寸法に設定すればよい。
【０２４４】
次に、図１８（Ｂ）に示すように、孔部５７０の内部にメッキレジストを充填することにより、メッキレジスト部５５２を形成する。メッキレジスト部５５２は、配線基板５０１の裏面５０１Ｂから導電層２５の下面２５Ｄに至るまで形成される。
【０２４５】
メッキレジストとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂等を用いればよい。
【０２４６】
次に、図１９（Ａ）に示すように、配線基板５０１の表面５０１Ａ又は裏面５０１Ｂ側からドリルで穿孔することにより、表面５０１Ａから裏面５０１Ｂまで貫通する貫通孔５６０を形成する。
【０２４７】
この時点で、メッキレジスト部５５０Ａが導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｅに至るまで、貫通孔５６０の内部に形成される。また、メッキレジスト部５５０Ｂが配線基板５０１の裏面５０１Ｂ（貫通孔５６０の下端５６０Ｂ）から導電層２５の下面２５Ｄに至るまで、貫通孔５６０の内部に形成される。
【０２４８】
次に、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂが形成された配線基板５０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図１９（Ｂ）に示すように、ビア５４０Ａ、５４０Ｂを形成する。
【０２４９】
貫通孔５６０の内部では、導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｅに至るまでメッキレジスト部５５０Ａが形成されるとともに、貫通孔５６０の下端５６０Ｂから導電層２５の下面２５Ｄに至るまでメッキレジスト部５５０Ｂが形成されている。このため、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂが形成されている部分にはビア５４０Ａ、５４０Ｂは形成されない。
【０２５０】
ビア５４０Ａ、５４０Ｂは、貫通孔５６０の内部において、メッキレジスト部５５０Ａ、５５０Ｂが形成されていない部分に形成される。
【０２５１】
これにより、ビア５４０Ａは、導電層２１、２２、２３に接続され、ビア５４０Ｂは、導電層２４、２５に接続される。
【０２５２】
以上により、図１９（Ｂ）に示す配線基板５００が形成される。図１９（Ｂ）に示す配線基板５００は、図１６に示す配線基板５００と同一である。
【０２５３】
配線基板５００に形成されるビア５４０Ａ、５４０Ｂは、従来の製造方法によるビアとは異なり、内層の導電層２１〜２５に接続される部分において、スタブの発生を抑制することができる。
【０２５４】
これは、導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｅに至るまで、メッキレジスト部５５０Ａを５６０の内部に精度よく形成できるからである。メッキレジスト部５５０Ａは、プリプレグ層である絶縁層１３を導電層２１〜２６と絶縁層１１、１２、１４、１５と貼り合わせる前に、貫通孔１３０内に充填したメッキレジスト部５５１（図１７（Ａ）参照）から形成されている。
【０２５５】
プリプレグ層である絶縁層１３は、上側に導電層２３が張り合わされ、下側に導電層２４が張り合わされる（図１７（Ｂ）参照）。このため、絶縁層１３を貫通するメッキレジスト部５５１（図１７（Ａ）参照）の平面視における中央部に貫通孔５６０を貫通させることにより、導電層２３の下面２３Ａから導電層２４の上面２４Ｅに至るまで、メッキレジスト部５５０Ａを５６０の内部に精度よく形成できる。
【０２５６】
そして、この結果、ビア５４０Ａの下端とビア５４０Ｂの上端におけるスタブの発生を抑制することができる。
【０２５７】
また、実施の形態５でスタブの発生を抑制できるのは、上述の理由に加えて、メッキレジスト部５５０Ｂを配線基板５００の裏面５００Ｂ（貫通孔５６０の下端５６０Ｂ）から導電層２５の下面２５Ｄに至るまで、貫通孔５６０の内部に精度よく形成できるからである。
【０２５８】
上述のように、レーザ加工によって貫通孔５６０の下端５６０Ｂから導電層２５の下面２５Ｄに至るまで孔部５７０（図１８（Ａ）参照）を形成し、孔部５７０内に充填したメッキレジスト部５５２（図１８（Ｂ）参照）からメッキレジスト部５５０Ｂを形成する。
【０２５９】
このため、配線基板５００の裏面５００Ｂ（貫通孔５６０の下端５６０Ｂ）から導電層２５の下面２５Ｄに至るまでメッキレジスト部５５０Ｂを精度よく形成することができる。
【０２６０】
以上より、実施の形態５によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ等が発生せず、高速信号の伝送特性が良好な配線基板５００を提供することができる。
【０２６１】
また、従来のビアの不要な部分を裏面側から削り取る方法のように機械的な加工を行わないため、ビア５４０Ａ、５４０Ｂを傷つけることがなく、削り屑等が貫通孔５６０内に残存することがなく、ビア５４０Ａ、５４０Ｂを形成しない側の貫通孔５６０の孔径が大きくなることがなく、導電層２１〜２５への影響が残らない。
【０２６２】
このため、従来の製造方法によるビアを含む配線基板に比べて、高速信号の伝送特性が大幅に良好になる。
【０２６３】
また、メッキレジスト部５５０Ａが十分な厚さを有するようにメッキレジスト部５５０Ａを形成できるので、ビア５４０Ａとビア５４０Ｂとを確実に絶縁させることが可能である。
【０２６４】
なお、以上で説明した実施の形態１乃至５では、レーザ加工で孔部７０、４７０Ａ、４７０Ｂ、５７０を形成する場合について説明したが、ドリルを用いて孔部７０、４７０Ａ、４７０Ｂ、５７０を形成してもよい。
【０２６５】
以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板、配線基板ユニット、電子装置、及び配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
絶縁層と、
前記絶縁層と交互に積層される導電層と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の第１導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第１メッキレジスト部と、
前記第１メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と
を含む配線基板。
（付記２）
前記第１メッキレジスト部の形成区間の前記貫通孔の内径と、前記メッキ部の形成区間の前記貫通孔の内径とは等しい、付記１記載の配線基板。
（付記３）
前記第１メッキレジスト部の形成区間の前記貫通孔の内径は、前記メッキ部の形成区間の前記貫通孔の内径よりも大きい、付記１記載の配線基板。
（付記４）
前記貫通孔の他端側からいずれかの層間の第２導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第２メッキレジスト部をさらに含み、
前記メッキ部は、前記第１メッキレジスト部及び前記第２メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成される、付記１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
（付記５）
前記第１メッキレジスト部が形成される区間の前記貫通孔の内径と、前記メッキ部が形成される区間の前記貫通孔の内径とは異なる、付記１記載の配線基板。
（付記６）
前記第１メッキレジスト部は、フッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂によって形成される、付記１乃至５のいずれか一項記載の配線基板。
（付記７）
プリプレグを含む絶縁層と、
前記絶縁層と交互に積層される導電層と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記プリプレグの絶縁層内に形成され、隣接の導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成されるメッキレジスト部と、
前記メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と
を含み、前記メッキレジスト部は、複数のメッキ部の間に配置される、配線基板。
（付記８）
付記１乃至７のいずれか一項記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載される電子部品と
を含む、配線基板ユニット。
（付記９）
付記８記載の配線基板ユニットを含む、電子装置。
（付記１０）
導電層と絶縁層を交互に積層する工程と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の導電層に至るまで前記貫通孔内にメッキレジスト部を形成する工程と、
前記メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に、メッキ部を形成する工程と
を含む配線基板の製造方法。
（付記１１）
前記貫通孔を形成する前に、前記いずれかの層間の導電層に至るまで前記貫通孔より内径の大きい非貫通孔を形成する工程をさらに含み、
前記メッキレジスト部は、前記非貫通孔の内部にメッキレジスト材が形成され、該メッキレジスト材を貫通するように前記貫通孔が形成されることにより前記非貫通孔の内壁部に形成される、付記１０記載の配線基板の製造方法。
（付記１２）
プリプレグを含む絶縁層に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔内にメッキレジスト材を形成する工程と、
前記メッキレジスト材が形成された絶縁層に導電層および他の絶縁層を積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体に、前記メッキレジスト材の内部を貫通する第２貫通孔を形成する工程と、
前記前記メッキレジスト以外の前記貫通孔の内壁上に、メッキ部を形成する工程と
を含む配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【０２６６】
１ サーバ
２ 配線基板ユニット
３Ａ、３Ｂ ＢＧＡ
４Ａ、４Ｂ ＣＰＵ
５Ａ〜５Ｆ メモリモジュール
６Ａ、６Ｂ 電源モジュール
１１、１２、１３、１４、１５ 絶縁層
２１、２２、２３、２４、２５ 導電層
２３Ａ 下面
３０ メッキ層
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ メッキ層
４０ ビア
５０ メッキレジスト部
６０ 貫通孔
６０Ａ 上端
６０Ｂ 下端
６１、６２ 孔部
１００ 配線基板
１００Ｂ 裏面
１０１ 配線基板
１０１Ａ 表面
１０１Ｂ 裏面
２００、２０１ 配線基板
２００Ａ、２０１Ａ 表面
２００Ｂ、２０１Ｂ 裏面
７０ 孔部
７０Ｂ 下端
２５０、２５０Ａ メッキレジスト部
２５１ 凸部
２０２、２０３ 配線基板
２０２Ａ、２０３Ａ 表面
２０３Ｂ、２０３Ｂ 裏面
２６０ 貫通孔
２６０Ａ 上端
２６０Ｂ 下端
３００、３０１ 配線基板
３００Ａ、３０１Ａ 表面
３００Ｂ、３０１Ｂ 裏面
３５０ メッキレジスト部
３６０ 貫通孔
３６０Ａ 上端
３６０Ｂ 下端
４００、４０１ 配線基板
４００Ａ、４０１Ａ 表面
４００Ｂ、４０１Ｂ 裏面
２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ 導電層
４４０ ビア
４５０Ａ、４５０Ｂ メッキレジスト部
４６０ 貫通孔
４６０Ａ 上端
４６０Ｂ 下端
４６１、４６２Ａ、４６２Ｂ 孔部
５００、５０１ 配線基板
５００Ａ、５０１Ａ 表面
５００Ｂ、５０１Ｂ 裏面
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２６ 導電層
５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５３０Ｄ メッキ層
５４０Ａ、５４０Ｂ ビア
５５０Ａ、５５０Ｂ メッキレジスト部
５６０ 貫通孔
５６０Ａ 上端
５６０Ｂ 下端
５６１Ａ、５６１Ｂ、５６２Ａ、５６２Ｂ 孔部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層と交互に積層される導電層と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の第１導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第１メッキレジスト部と、
前記第１メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と
を含む配線基板。
【請求項２】
前記第１メッキレジスト部の形成区間の前記貫通孔の内径と、前記メッキ部の形成区間の前記貫通孔の内径とは等しい、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１メッキレジスト部の形成区間の前記貫通孔の内径は、前記メッキ部の形成区間の前記貫通孔の内径よりも大きい、請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記貫通孔の他端側からいずれかの層間の第２導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第２メッキレジスト部をさらに含み、
前記メッキ部は、前記第１メッキレジスト部及び前記第２メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成される、請求項１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項５】
プリプレグを含む絶縁層と、
前記絶縁層と交互に積層される導電層と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記プリプレグの絶縁層内に形成され、隣接の導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成されるメッキレジスト部と、
前記メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と
を含み、前記メッキレジスト部は、複数のメッキ部の間に配置される、配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載される電子部品と
を含む、配線基板ユニット。
【請求項７】
請求項６記載の配線基板ユニットを含む、電子装置。
【請求項８】
導電層と絶縁層を交互に積層する工程と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の導電層に至るまで前記貫通孔内にメッキレジスト部を形成する工程と、
前記メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に、メッキ部を形成する工程と
を含む配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記貫通孔を形成する前に、前記いずれかの層間の導電層に至るまで前記貫通孔より内径の大きい非貫通孔を形成する工程をさらに含み、
前記メッキレジスト部は、前記非貫通孔の内部にメッキレジスト材が形成され、該メッキレジスト材を貫通するように前記貫通孔が形成されることにより前記非貫通孔の内壁部に形成される、請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
プリプレグを含む絶縁層に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔内にメッキレジスト材を形成する工程と、
前記メッキレジスト材が形成された絶縁層に導電層および他の絶縁層を積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体に、前記メッキレジスト材の内部を貫通する第２貫通孔を形成する工程と、
前記前記メッキレジスト以外の前記貫通孔の内壁上に、メッキ部を形成する工程と
を含む配線基板の製造方法。
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層と交互に積層される導電層と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の第１導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第１メッキレジスト部と、
前記第１メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と
を含む配線基板。
【請求項２】
前記第１メッキレジスト部の形成区間の前記貫通孔の内径と、前記メッキ部の形成区間の前記貫通孔の内径とは等しい、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１メッキレジスト部の形成区間の前記貫通孔の内径は、前記メッキ部の形成区間の前記貫通孔の内径よりも大きい、請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記貫通孔の他端側からいずれかの層間の第２導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成される第２メッキレジスト部をさらに含み、
前記メッキ部は、前記第１メッキレジスト部及び前記第２メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成される、請求項１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項５】
プリプレグを含む絶縁層と、
前記絶縁層と交互に積層される導電層と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記プリプレグの絶縁層内に形成され、隣接の導電層に至るまで前記貫通孔の壁上に形成されるメッキレジスト部と、
前記メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に形成されるメッキ部と
を含み、前記メッキレジスト部は、複数のメッキ部の間に配置される、配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載される電子部品と
を含む、配線基板ユニット。
【請求項７】
請求項６記載の配線基板ユニットを含む、電子装置。
【請求項８】
導電層と絶縁層を交互に積層する工程と、
前記導電層及び絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の一端側からいずれかの層間の導電層に至るまで前記貫通孔内にメッキレジスト部を形成する工程と、
前記メッキレジスト部以外の前記貫通孔の内壁上に、メッキ部を形成する工程と
を含む配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記貫通孔を形成する前に、前記いずれかの層間の導電層に至るまで前記貫通孔より内径の大きい非貫通孔を形成する工程をさらに含み、
前記メッキレジスト部は、前記非貫通孔の内部にメッキレジスト材が形成され、該メッキレジスト材を貫通するように前記貫通孔が形成されることにより前記非貫通孔の内壁部に形成される、請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
プリプレグを含む絶縁層に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔内にメッキレジスト材を形成する工程と、
前記メッキレジスト材が形成された絶縁層に導電層および他の絶縁層を積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体に、前記メッキレジスト材の内部を貫通する第２貫通孔を形成する工程と、
前記前記メッキレジスト以外の前記貫通孔の内壁上に、メッキ部を形成する工程と
を含む配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−１９５３８９（Ｐ２０１２−１９５３８９Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５７２７２（Ｐ２０１１−５７２７２）
【出願日】平成２３年３月１５日（２０１１．３．１５）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１５日（２０１１．３．１５）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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