電気光学装置、及び、電子機器
【課題】部品点数の削減等によって実装・組み立て工程を簡素化し、また、光源の位置精
度を向上させることにより輝度ばらつきを低減できる電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、第１基板１１０と、第１基板に対向してな
る第２基板１２０と、第１基板と第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、前記第１基
板の前記第２基板とは反対側の面に対向してなる導光手段１４０と、前記第１基板の第２
基板側の面に設けられた光源１３２と、を具備し、光源から出射された光を第１基板を透
過して導光手段に入射し、導光手段を伝播して導光手段から出射され、再び第１基板に入
射して電気光学パネルの表示に寄与することを特徴とする。
度を向上させることにより輝度ばらつきを低減できる電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、第１基板１１０と、第１基板に対向してな
る第２基板１２０と、第１基板と第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、前記第１基
板の前記第２基板とは反対側の面に対向してなる導光手段１４０と、前記第１基板の第２
基板側の面に設けられた光源１３２と、を具備し、光源から出射された光を第１基板を透
過して導光手段に入射し、導光手段を伝播して導光手段から出射され、再び第１基板に入
射して電気光学パネルの表示に寄与することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学装置、及び、電子機器に係り、特に、表示を可能にするための光源を
備えた電気光学装置の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、各種の電子機器には、表示部として液晶表示体その他の電気光学装置が搭載さ
れる場合が多い。特に、携帯電話機、携帯型コンピュータなどの携帯型電子機器では、一
対の基板間に電気光学物質を配し、この電気光学物質に所定の電界を印加することにより
光の変調状態を制御して表示を実現するものが用いられている。
【０００３】
例えば、液晶表示装置においては、一般的に、一対の基板をシール材を介して貼り合わ
せ、この基板間に液晶を封入してなる液晶パネルと、この液晶パネルの背後や前面上に光
源と導光板とを備えたバックライト若しくはフロントライトを配置し、これらのバックラ
イトやフロントライトから照射された照明光を用いて所望の表示が視認されるように構成
している。上記バックライトやフロントライト等の照明装置としては、透明部材からなる
導光板の端面上に有機ＥＬ素子等の電界発光素子を配置してなるものが知られている（例
えば、以下の特許文献１参照）。
【０００４】
また、上記の導光板の機能のうちの一部が液晶パネルを構成する一方の基板によって実
現されるように構成することにより、液晶表示装置の厚みを低減した装置構造が知られて
いる（例えば、以下の特許文献２参照）。この種の液晶表示装置では、液晶パネルを構成
する一方の基板の外面上に導光体フィルムを貼着し、一方の基板に入射した光を導光体フ
ィルムによって他方の基板側へ出射させるように構成している。
【特許文献１】特開平１０−５０１２４号公報
【特許文献２】特開２００３−３３００２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の液晶表示装置では、ＬＥＤ等の光源をＦＰＣ基板上に実装して、
導光板に隣接する位置に配置した照明装置を構成し、この照明装置を液晶パネルの背後に
配置するなど、部品点数が多くなり、組み立て作業も煩雑であるため、製造コストが上昇
するという問題点がある。また、光源と導光板との間の相対的位置関係やこれらと液晶パ
ネルとの間の相対的位置関係が微妙にずれることにより、装置毎に輝度分布がばらつき、
安定した品質の製品を製造することが困難であるという問題点もある。
【０００６】
また、前述の導光体フィルムを用いた液晶表示装置では、導光体フィルムを用いること
によって液晶パネルよりも厚みが増大するため、充分な薄型化を図ることができず、また
、基板と導光体フィルムとの境界面等において光の損失が生ずるので、光の利用効率も低
下するという問題点がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、部品点数の削減等に
よって実装・組み立て工程を簡素化することのできる電気光学装置を提供することにある
。また、別の課題は、光源の位置精度を向上させることにより輝度ばらつきを低減できる
電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
斯かる実情に鑑み、本発明の電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向してな
る第２基板と、前記第１基板と前記第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、前記第１
基板の前記第２基板とは反対側の面に対向してなる導光手段と、前記第１基板の前記第２
基板側の面に設けられた光源と、を具備し、前記光源から出射された光は、前記第１基板
を透過して前記導光手段に入射し、前記導光手段を伝播して前記導光手段から出射され、
再び前記第１基板に入射して前記電気光学パネルの表示に寄与することを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、光源を第１基板の第２基板側の面に設けることにより、ＦＰＣ基板
等を用いる従来構造よりも部品点数を削減することができ、実装・組み立て工程も簡素化
できるため、製造コストを低減できる。また、装置内の第１基板に対する光源の位置精度
を高めることが可能になるので、光源位置のばらつきに起因する輝度のばらつきを抑制す
ることができる。
【００１０】
また、本発明の別の電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向してなる第２基
板と、前記第１基板と前記第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、前記第１基板の前
記第２基板側の面に設けられた光源と、を具備し、前記光源から出射された光は、前記第
１基板に入射し、前記第１基板を伝播して前記第１基板の前記第２基板側の面から出射さ
れ、前記電気光学物質に入射して表示に寄与することを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、前述の効果に加えて、第１基板を導光体として用いることで、部品
点数の削減や薄型化を図ることができる。また、第１基板に向けて光源が光を放出し、導
光手段が第１基板内に入射した光を配置領域に導くようにすることによって、光源の光放
出面を第１基板によって保護することができるため、光放出経路への塵埃の混入や汚染を
防止することができる。
【００１２】
本発明において、前記光源は、前記電気光学物質が配置される領域から外れた領域に設
けられていることが好ましい。これによれば、上記電気光学物質が配置される領域から外
れた領域に光源を設けることにより、電気光学物質が配置される領域内の構造に影響を与
えずに光源を構成することができる。
【００１３】
本発明において、前記光源は、前記第１基板における前記第２基板の外形よりも外側へ
張り出した基板張出部に設けられていることが好ましい。これによれば、基板張出部に光
源が設けられていることにより、光源を容易に形成したり実装したりすることができる。
【００１４】
本発明において、前記第１基板は、薄膜積層構造によって構成されたスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続されてなり、前記電気光学物質に電圧を印加するための
電極と、を有し、前記光源は、前記スイッチング素子の薄膜積層構造の少なくとも一部と
同じ薄膜積層構造を有することが好ましい。これによれば、スイッチング素子の少なくと
も一部の薄膜構成と同じ構造を光源に用いることができるため、製造工程を簡略化でき、
製造コストを抑制できる。
【００１５】
本発明において、前記第１基板は、前記電気光学物質を電気的に制御するための電極を
含む画素構造を有し、前記光源は、前記画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有す
ることが好ましい。これによれば、光源が画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有
することによって、製造工程を簡略化でき、製造コストを抑制できる。
【００１６】
本発明において、光源は有機エレクトロルミネッセンス素子等の電界発光素子や発光ダ
イオード素子等の各種発光素子で構成することができる。特に、これらを薄膜積層構造に
よって構成することにより、コンパクトに構成することが可能になる。例えば、電界発光
素子や発光ダイオード素子等の発光素子は、１又は複数の発光層、反射層、電極層などを
表面部分上に直接に積層することによって容易に形成することができる。
【００１７】
本発明において、前記第１基板は、内部に入射した光を偏向させ、前記第２基板側の面
から出射させる光偏向用斜面が前記第２基板とは反対側の面に設けられてなることが好ま
しい。これによれば、簡易な構造で第１基板内を伝播する光を確実に第２基板側に偏向し
、出射させることができる。
【００１８】
本発明において、複数の画素を備え、前記光偏向用斜面が前記画素に対応した位置にそ
れぞれ設けられていることが好ましい。第１基板に設けられた複数の光偏向用斜面が画素
にそれぞれ対応した位置に設けられることにより、光偏向用斜面と画素との平面的な位置
関係を一定に構成することができるので、光偏向用斜面に基づく照明光の照度ムラに起因
するモアレ縞の発生を防止することができるとともに、例えば、光偏向用斜面に基づく照
明光の照度の高い領域を画素内に一致させるなどの方法で照明光を効率的に画素内に導く
ことが可能になるため、光の利用効率を高めることができる。
【００１９】
また、複数の画素が周期的に配列され、複数の前記光偏向用斜面が前記画素の配列周期
に一致する周期で形成されていることが好ましい。これによれば、複数の画素の配列周期
と一致する周期で複数の光偏向用斜面が形成されていることにより、光偏向用斜面の形成
周期に起因するモアレ縞の発生を防止することができるとともに、例えば、光偏向用斜面
に基づく照明光の照度の高い領域を画素内に一致させるなどの方法で照明光を効率的に画
素内に導くことが可能になるため、光の利用効率を高めることができる。
【００２０】
本発明において、前記第１基板の前記第２基板側の面上に、偏光子又は検光子を構成す
る内面偏光層が形成されていることが好ましい。ＴＮ型液晶やＳＴＮ型液晶等のように偏
光子や検光子を必要とする電気光学物質を用いる場合においては、第１基板の第２基板側
の面上に内面偏光層を形成することにより、第１基板から出射される照明光に基づく表示
を実現可能とすることができる。
【００２１】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置を表示部として備え
ていることを特徴とする。電子機器としては特に限定されないが、携帯電話機、携帯型コ
ンピュータ、電子時計等の携帯型電子機器であることが特に望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［第１実施形態］
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本実施形
態の電気光学装置１００を示す概略縦断面図、図２は同装置１００の概略平面図、図３は
同装置１００の概略底面図である。なお、各図面中において、配線や素子構造などの細部
については適宜に省略して示してある。
【００２３】
電気光学装置１００は、ガラスやプラスチック等で構成された透明基板からなる第１基
板１１０と、同様の透明基板からなる第２基板１２０とを有し、第１基板１１０と第２基
板１２０とがシール材１３０を介して３〜１０μｍ程度の所定間隔で貼り合わせられ、両
基板間に電気光学物質である液晶１３１が封入された液晶パネルを構成している。
【００２４】
第１基板１１０及び第２基板１２０はそれぞれ矩形状の平面形状を有し、第１基板１１
０には第２基板１２０の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１１０Ｅ、１１０Ｆ
が設けられている。本発明においては特に限定されるものではないが、基板張出部１１０
Ｅと１１０Ｆは液晶１３１が配置された液晶配置領域Ｌの両側に設けられている。
【００２５】
本実施形態では、第１基板１１０の内面（第２基板１２０に向いた面）上に、絶縁膜等
からなる下地層１１１、配線、素子、絶縁層等が適宜に形成された配線素子構造１１２、
絶縁層１１３、第１電極１１４などが順次に形成されている。また、第２基板１２０の内
面（第１基板１１０に向いた面）上に、絶縁膜等からなる下地層１２１、カラーフィルタ
１２２、保護膜１２３、第２電極１２４などが順次に形成されている。なお、上記の構造
は特に限定されるものではなく、電気光学物質である液晶１３１に対して画素ごとにそれ
ぞれ制御された電界を付与できる構造を備えていればよい。
【００２６】
第１基板１１０及び第２基板１２０の外面上には、必要に応じて偏光板１１７，１２７
が配置される。典型的には、偏光板１１７，１２７は基板外面上に貼着される。また、上
記の基板張出部１１０Ｅには上記第１電極１１４及び第２電極１２４に直接若しくは間接
的に接続された入力端子（図示せず）が設けられ、基板張出部１１０Ｅに実装された配線
基板１３５の配線が上記入力端子に導電接続されている。
【００２７】
図１３及び図１４は、本実施形態の上記構成を反射半透過型の液晶表示体に適用してな
る構成例の画素構造を示す拡大平面配置図及び拡大縦断面図である。ここで、上記構成に
対応する部分には同一符合を付してある。上記の第１基板１１０上に設けられる配線素子
構造１１２は、多結晶シリコン等で構成された半導体層１１２ａと、この半導体層１１２
ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１２ｂと、ゲート絶縁膜１１２ｂを介して半導体層１１
２ａに対向配置されるゲート電極１１２ｃとを備えたスイッチング素子（ＴＦＴ；薄膜ト
ランジスタ）を含んでいる。半導体層１１２ａは、ゲート電極１１２ｃに対向配置される
チャネル領域と、セルフアライメントで不純物が導入されてなるソース領域及びドレイン
領域とを有し、当該ソース領域はデータ線１１２ｄに導電接続され、上記ドレイン領域は
接続部１１２ｅを介して後述する反射膜１１５及び画素電極１１４に導電接続される。ま
た、ゲート電極１１２ｃは走査線１１２ｇに導電接続されている。
【００２８】
この構成例では、各画素Ｐにおいて反射表示領域Ｐｒと透過表示領域Ｐｔとがそれぞれ
設けられ、反射表示領域Ｐｒでは上記スイッチング素子にも用いられる層間絶縁膜１１３
Ａが微細な凹凸状（図示例の場合には離散的）に形成され、上記の層間絶縁膜１１３Ａ上
に層間絶縁膜１１３Ｂが積層され、これによって層間絶縁膜１１３Ｂの表面は下層の層間
絶縁膜１１３Ａの形状を反映して表面が微細な凹凸状に形成される。この層間絶縁膜１１
３Ｂ上にはアルミニウム等の金属薄膜で反射膜１１５が形成され、これにより、反射膜１
１５の表面は微細な凹凸構造を備えた散乱性反射面とされている。一方、透過表示領域Ｐ
ｔでは層間絶縁膜１１３Ａ及び層間絶縁膜１１３Ｂが形成されていない。
【００２９】
反射膜１１５上にはＩＴＯ等の透明導電体によって画素電極（上記の第１電極）１１４
が形成される。この画素電極１１４は反射表示領域Ｐｒ及び透過表示領域Ｐｔの双方に形
成される。また、画素電極１１４上にはポリイミド樹脂等からなる配向膜１１６が形成さ
れる。
【００３０】
一方、第２基板上においては、画素Ｐの境界域に遮光膜１２６が形成される。図示例の
場合、遮光膜１２６は上記カラーフィルタ１２２と同層に形成され、例えば、複数のカラ
ーフィルタ層を積層した構造、黒色樹脂等からなるブラックマトリクスなどで構成される
。また、Ｃｒ等の金属層で遮光膜１２６を構成することも可能である。
【００３１】
本実施形態では、上記層間絶縁膜１１３Ａ、１１３Ｂの有無によって設けられた段差に
より、反射表示領域Ｐｒでは液晶１３１の厚みは透過表示領域Ｐｔにおける厚みより小さ
く（例えばほぼ半分程度に）なっている。これによって、反射表示領域Ｐｒにおいて往復
２回液晶層を通過する反射光（反射表示を構成する光）と、透過表示領域Ｐｔにおいて１
回のみ液晶層を通過する透過光（透過表示を構成する光）とに対する液晶１３１のリタデ
ーションの差を低減することができる。なお、図示例では層間絶縁膜の有無によって反射
表示領域Ｐｒと透過表示領域Ｐｔの液晶１３１の厚みを変えているが、層間絶縁膜の厚み
を異ならしめることによって両領域間の液晶１３１の厚みを変えてもよく、或いは、第２
基板１２０上に形成された段差によって液晶の厚みを変えても構わない。
【００３２】
再び図１に戻って説明を続ける。第１基板１１０の基板張出部１１０Ｆには光源１３２
が固定されている。この光源１３２は、ＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザーダイ
オード）等の半導体素子、或いは、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有
機ＥＬ素子」という。）等の電界発光素子などの各種の発光素子で構成することができる
。
【００３３】
図示例の場合には、第１基板１１０の液晶１３１側の面である内面上に光源１３２が形
成されている。すなわち、光源１３２は基板張出部１１０Ｆの上面に直接に被着された薄
膜積層構造によって構成されている。そして、光源１３２の光放出面１３２ｘは第１基板
１１０の上面に密接した状態となっている。
【００３４】
図示例の光源１３２は有機ＥＬ素子であり、基板張出部１１０Ｆの上面に、ＩＴＯ等の
透明導電体で構成された下電極１３２ａ、好ましくは遮光材料で構成されるバンク１３２
ｂ、発光構造１３２ｃ、好ましくは金属等の反射性材料で構成される上電極１３２ｄ及び
封止層１３２ｅを順次に形成してなる薄膜積層構造を有する。ここで、発光構造１３２ｃ
は、実際には、有機正孔輸送層、有機発光膜、有機電子輸送層などの複数の層を積層した
構造となっている。下電極１３２ａと上電極１３２ｄとの間に所定の電圧を印加すると、
電界が印加されることにより発光構造１３２ｃが発光し、光放出面１３２ｘから光が放出
される。
【００３５】
また、光源１３２を発光ダイオードとしたときには、第１基板１１０の表面上に透明導
電体よりなる下電極、ｎｐ接合構造を備えた半導体構造、上電極を積層し、下電極と上電
極との間に電圧を印加することによって正孔・電子の再結合による発光が生ずるように構
成すればよい。
【００３６】
なお、上記の光源１３２を構成する発光素子としては、チップ状、或いは、パッケージ
状に構成された有機ＥＬ素子やＬＥＤ素子等の発光素子を用いることもできるが、この場
合には、発光素子を直接に第１基板１１０の表面上に密着させた状態で封止樹脂等により
固定することが好ましい。また、この場合においても、光源１３２の光放出面１３２ｘを
基板表面に直接密着させることが好ましい。
【００３７】
光源１３２は、その構造内に光放出面１３２ｘ以外の部分からの光漏れを防止する構造
（遮光構造若しくは反射構造）を有することが好ましいが、必要に応じて、図示例のよう
に反射板１３４を設けることができる。
【００３８】
図１５は、上記光源１３２の構成例を示す拡大縦断面図である。第１基板１１０上には
、上述の下電極１３２ａ、バンク１３２ｂ、発光構造１３２ｃ、上電極１３２ｄ、封止層
１３２ｅが積層されているが、このようにして設けられた発光部分は、併設されたスイッ
チング素子１３２２の動作によってオンオフ制御（必要に応じて階調制御）が可能となる
ように構成されている。第１基板１１０上にはＳｉＯ２等の絶縁膜で構成される下地層１
３２１が形成され、この上に、半導体層１３２２ａ、ゲート絶縁膜１３２２ｂ及びゲート
電極１３２２ｃよりなる上記スイッチング素子１３２２が設けられている。半導体層１３
２２ａには上記ゲート電極１３２２ｃに対向配置されるチャネル領域の両側にソース領域
及びドレイン領域が設けられ、当該ソース領域にはデータ線１３２２ｄが導電接続され、
前記ドレイン領域には接続部１３２２ｅを介して下電極１３２ａが導電接続されている。
なお、層間絶縁膜１３２３Ａ、１３２３Ｂ、１３２３Ｃはそれぞれスイッチング素子１３
２２やＥＬ構造の各導電層間の絶縁を確保している。
【００３９】
スイッチング素子１３２２は、ゲート電極１３２２ｃに導電接続された図示しない制御
線の電位によってオンオフ制御され、オン状態ではデータ線１３２２ｄに供給された電位
を下電極１３２ａに供給する。すると、当該電位と上記上電極１３２ｄの電位の差よりな
る電圧が発光構造１３２ｃに印加されることとなるため、当該電圧に応じて発光構造１３
２ｃが発光する。ここで、下電極１３２ａはＩＴＯ等の透明導電体よりなり、上電極１３
２ｄはアルミニウム等の金属導電体よりなるため、光は下方へ出射して第１基板１１０内
に入射する。
【００４０】
上記のように構成された液晶パネルの背後には、アクリル樹脂等の透明素材によって構
成された導光板１４０が配置される。この導光板１４０は、本発明の導光手段を構成する
ものであり、上記液晶パネルの液晶配置領域Ｌに重なる本体部１４０Ｄと、上記第１基板
１１０の基板張出部１１０Ｆと対向配置される延長部１４０Ｆとを有し、これらの本体部
１４０Ｄと延長部１４０Ｆとが一体に構成されている。図示例では、導光板１４０は本体
部１４０Ｄと延長部１４０Ｆが連続した一体の板形状となっている。
【００４１】
導光板１４０では、上記光源１３２から放出された光が第１基板１１０の基板張出部１
１０Ｆを透過した後に入射するように構成された光取り込み面１４０ａが延長部１４０Ｆ
の上面部分として設けられ、また、この光取り込み面１４０ａに入射した後の内部伝播光
を偏向させる光偏向手段１４０ｘ及び１４０ｙが設けられ、さらに、これらの光偏向手段
１４０ｘ及び１４０ｙによって偏向され、分散された光を出射する光出射面１４０ｂが設
けられている。図示例の場合、光取り込み面１４０ａと光出射面１４０ｂは導光板１４０
の連続した上面で構成されている。
【００４２】
光偏向手段は、上記延長部１４０Ｆにおいて光取り込み面１４０ａの反対側の面（下面
）に設けられた複数の光偏向用斜面１４０ｘと、上記本体部１４０Ｄにおいて光出射面１
４０ｂの反対側の面（下面）に設けられた複数の光偏向用斜面１４０ｙとを有する。光偏
向用斜面１４０ｘは、光取り込み面１４０ａに入射した光を本体部１４０Ｄ側へ反射させ
ることにより偏向・分散させる。また、光偏向用斜面１４０ｙは、延長部１４０Ｆから進
入した内部伝播光を光出射面１４０ｂに向けて反射させることにより偏向・分散させる。
光偏向用斜面１４０ｘと１４０ｙは相互に反対側に向いた面となっている。これらの光偏
向用斜面１４０ｘ、１４０ｙによって、光は光出射面１４０ｂから液晶配置領域Ｌ内にほ
ぼ均等な照度で出射される。
【００４３】
なお、導光板１４０の本体部１４０Ｄの背後には、金属や樹脂等からなる反射板１４１
を配置することが好ましい。また、必要に応じて、光偏向用斜面１４０ｘによる光反射率
を高めるために、光偏向用斜面１４０ｘの面上若しくはその先に反射層或いは反射板を配
置してもよい。
【００４４】
導光板１４０の本体部１４０Ｄと液晶パネルの第１基板１１０との間には、集光シート
や光拡散シート等の光学層１４２，１４３，１４４が適宜に配置されることが好ましい。
なお、これらの光学層の代わりに、第１基板１１０の延長部１１０Ｆの下面、光取り込み
面１４０ａ、光出射面１４０ｂ等にプリズム加工、ブラスト加工等を施して光拡散作用を
持たせてもよい。
【００４５】
本実施形態では、光源１３２から放出された光は第１基板１１０の内部を通過して導光
板１４０の光取り込み面１４０ａに入射し、光偏向用斜面１４０ｘ及び１４０ｙで偏向・
分散されることにより、光出射面１４０ｂから出射し、液晶パネルの液晶配置領域Ｌを照
明する。この照明光は液晶パネルを通過して第２基板１２０の外側から視認される所定の
表示を構成する。
【００４６】
本実施形態によれば、光源１３２を、液晶パネルを構成する一方の基板である第１基板
１１０に固定したことにより、従来構造のように光源を配線基板上に実装したり、配線基
板を固定したりする必要がなくなるので、実装・組み立て工程を簡素化することができ、
製造コストを低減できる。特に、光源１３２を第１基板上に形成された薄膜積層構造で構
成する場合には、光源１３２をさらに薄型化することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、光源１３２が第１基板１１０に直接固定されているため、液晶
パネルに対する光源の位置精度が向上し、これによって、装置の輝度のばらつきを低減す
ることができる。特に、第１基板１１０上に薄膜積層構造を有する光源１３２を形成する
ことで、第１基板１１０の電極構造等の内面構造とほぼ同様のパターニング精度で光源１
３２を位置決めできるため、光源の位置精度をさらに高めることができる。
【００４８】
さらに、光源１３２の光放出面１３２ｘが第１基板１１０の表面に密接していることに
より、光放出面１３２ｘを保護することができ、塵埃等が光路に介在して光の通過を妨げ
たり、光放出面１３２ｘが汚染されたりする可能性を低減することができる。
【００４９】
光源１３２の下電極１３２ａ、バンク１３２ｂ、上電極１３２ｄ、封止層１３２ｅ等は
、第１基板１１０の製造プロセスと同時に行っても構わない。例えば、下電極１３２ａを
ＩＴＯ等の透明導電体で第１電極（画素電極）１１４と同時に形成したり、バンク１３２
ｂを第１基板１１０上の絶縁層と同時に形成したりといった具合である。このようにする
と、光源１３２の位置精度を第１基板１１０のパターニング精度と同等の精度とすること
ができるとともに、製造工程数を削減することができるため、製造コストの低減を図るこ
とが可能になる。
【００５０】
図１６乃至図２６は光源１３２の製造工程の一例（図１５に示す光源１３２の構成例に
対応する製造工程）を示す概略工程図である。最初に、図１６に示すように第１基板１１
０上にＳｉＯ２等の絶縁体よりなる下地層１３２１をスパッタリング法等により形成する
。この下地層１３２１は、図１３及び図１４に示す構成例の下地層１１１と同工程で形成
できる。その後、下地層１３２１上に多結晶シリコン等で構成される半導体層１３２２ａ
を形成し、これを図１７に示すようにエッチング処理等によってパターニングする。ここ
で、半導体層１３２２ａは図１３及び図１４に示す構成例の半導体層１１２ａと同工程で
形成できる。その後、半導体層１３２２ａ上にゲート絶縁膜１３２２ｂを形成する。この
ゲート絶縁膜１３２２ｂは図１３及び図１４に示す構成例のゲート絶縁膜１１２ｂと同工
程で形成できる。
【００５１】
次に、図１８に示すように、ゲート電極１３２２ｃを好ましくは図示しない制御線とと
もに形成する。このゲート電極１３２２ｃは図１３及び図１４に示す構成例のゲート電極
１１２ｃ（及び走査線１１２ｇ）と同工程で形成できる。その後、このゲート電極１３２
２ｃをマスクとしてセルフアライメントで半導体層１３２２ａ内に不純物をイオン注入法
等で注入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する。これらの不純物領域は図１３及び
図１４に示す構成例の不純物領域の形成工程で形成できる。
【００５２】
次に、図１９に示すように、ＳｉＯ２等よりなる層間絶縁膜１３２３ＡをＣＶＤ法等に
よって形成し、さらに、層間絶縁膜１３２３Ａ及びゲート絶縁膜１３２２ｂにコンタクト
ホールを形成することによって、半導体層１３２２ａのソース領域及びドレイン領域が一
部露出するように構成する。これらの処理は、図１３及び図１４に示す構成例の層間絶縁
膜１１３Ａ及びそのパターニングを行う工程で実施できる。
【００５３】
その後、図２０に示すように、データ線１３２２ｄ及び接続部１３２２ｅを金属等の蒸
着やスパッタリング法並びにパターニングによって形成する。これらの処理は、図１３及
び図１４に示す構成例のデータ線１１２ｄ及び接続部１１２ｅを形成する工程で実施でき
る。さらに、この上には層間絶縁膜１３２３Ｂ（パシベーション膜）を形成する。この層
間絶縁膜１３２３Ｂは、例えば、図１３及び図１４に示す構成例の層間絶縁膜１１３Ｂを
形成する工程で形成できる。
【００５４】
次に、図２１に示すように、層間絶縁膜１３２３Ｂ上にＩＴＯ等の透明導電体で下電極
１３２ａを形成する。この下電極１３２ａは、上記第１電極１１４（図１３及び図１４に
示す構成例の画素電極１１４）を形成する工程で形成することができる。
【００５５】
その後、図２２に示すように、ＣＶＤ法などによってＳｉＯ２やＳｉＮ等からなる層間
絶縁膜１３２３Ｃを形成し、パターニングすることによって下電極１３２ａの既定部分を
露出させる。そして、図２３に示すように、下電極１３２ａの露出部分を除く領域上に樹
脂材料等からなるバンク１３２ｂを形成する。このバンク１３２ｂは好ましくは遮光材料
で形成され、光が周囲に漏れないように構成される。バンク１３２ｂは例えばポリイミド
樹脂等で構成できる。
【００５６】
しかる後に、図２４に示すように、バンク１３２ｂで囲まれ、底部に下電極１３２ｂが
露出した領域に発光構造１３２ｃを形成する。この発光構造１３２ｃは、例えば、チオフ
ェン系ポリマーとスチレンポリマーによりなるバッファー層（PEDT/PSS）と発光ポリマー
(LEP)からなる積層構造、ポリパラフェニレンビニレン等の有機半導体層などで構成でき
る。また、これら各層は、例えば、それぞれの構成材料を含む未硬化の液滴が上記領域に
インクジェットヘッド等の吐出ヘッドから滴下され、その後、バンク１３２ｂ内にて乾燥
、硬化されるといった方法でそれぞれ形成することができる。
【００５７】
次に、図２５に示すように、上記発光構造１３２ｃ上に蒸着法等によってアルミニウム
等の反射性材料により上電極１３２ｄを形成する。この工程は、図１３及び図１４に示す
構成例の反射膜１１５を形成する工程などで同時に形成することができる。ただし、上述
のように画素電極１１４と同時に下電極１３２ａを形成する場合には、工程の前後関係に
より上電極１３２ｄを反射膜１１５の形成工程で形成することはできない。その後、図２
６に示すように、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止剤１３２ｅを塗布してシールを
行う。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態では、光源１３２の構造と、図１３及び図１４に示す
画素Ｐ内の構造（特にスイッチング素子の構造）とを同じ工程で実現することによって、
工程数の増加を抑制して製造コストを低減することができる。なお、以上のような光源１
３２の構造や製法は、以下の他の実施形態においても同様に適用することが可能である。
特に、本実施形態では、画素構造内に設けられたスイッチング素子と同じ構造を有する発
光制御用のスイッチング素子１３２２が光源１３２内に設けられているため、光源１３２
の形成工程の多くを画素構造の形成工程と共通化することができる。
【００５９】
［第２実施形態］
次に、図４を参照して、本発明に係る第２実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第１実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６０】
本実施形態では、導光板１４０′の延長部１４０Ｆ′を研磨加工等により楔状に構成し
、光取り込み面１４０ａに入射した光を本体部１４０Ｄ側へ偏向させるための光偏向用斜
面１４０ｘ′を形成している。この光偏向用斜面１４０ｘ′の外面上には反射層１４０ｚ
を配置し、光取り込み面１４０ａに入射した光が反射層１４０ｚによって効率的に本体部
１４０Ｄへ導かれるように構成している。これによって、光偏向用斜面１４０ｘ′及び反
射層１４０ｚによる偏向時の光の伝播効率を高めることができる。
【００６１】
［第３実施形態］
次に、図５を参照して、本発明に係る第３実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第１実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６２】
本実施形態では、導光板１４０″の延長部１４０Ｆ″を本体部１４０Ｄの光出射面１４
０ｂよりも第１基板１１０側に突出させ、光取り込み面１４０ａ″を光源１３２に近づけ
た位置に形成している。これによって、光源１３２から放出された光は、より早い段階で
導光板１４０″の内部に入射し、その内部を伝播していくため、導光板１４０″内への光
の取り込み効率を高めることができる。
【００６３】
この場合、延長部１４０Ｆ″の突出部分の側面には、適宜に反射層１４０ｖ等を形成し
て光漏れを防止することが好ましい。また、光取り込み面１４０ａ″と第１基板１１０と
の間には光拡散板１４０ｗ等を配置してもよい。
【００６４】
なお、上記の反射層１４０ｖや光拡散板１４０ｗは上記第１実施形態や第２実施形態に
も適用することができる。また、第２実施形態の反射層１４０ｚを第１実施形態の光偏向
斜面１４０ｘや本実施形態の光偏向用斜面１４０ｘに適用しても構わない。
【００６５】
［第４実施形態］
次に、図６乃至図８を参照して、本発明に係る第３実施形態の電気光学装置について説
明する。図６は本実施形態の概略縦断面図、図７は本実施形態の概略平面図、図８は本実
施形態の概略底面図である。本実施形態において、上記第１実施形態と同様の構成を有す
る同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６６】
本実施形態では、光源１３２を第１基板１１０′内に入射させる点では先の各実施形態
と同様であるが、この光を第１基板１１０′から出射させずに、そのまま第１基板１１０
′内で光偏向手段１１０ｘ、１１０ｙによって偏向・分散させ、第１基板１１０′の液晶
配置領域Ｌ内の内面１１０ｂから照明光を出射させる点で異なる。
【００６７】
本実施形態では、第１基板１１０′の外面上に光偏向手段となる光偏向用斜面１１０ｘ
、１１０ｙが設けられている。光偏向用斜面１１０ｘは、光源１３２が形成された表面部
分である光取り込み面１１０ａの反対側の面（外面）に形成され、光源１３２から入射し
た光を液晶配置領域Ｌ側へ偏向・分散させるものである。また、光偏向用斜面１１０ｙは
第１基板１１０′の液晶配置領域Ｌ内の外面上に形成され、内部伝播光を偏向・分散させ
て第１基板１１０′の内面１１０ｂから光を出射させるためのものである。ここで、光偏
向用斜面１１０ｘと１１０ｙは相互に逆向きの斜面となっている。
【００６８】
本実施形態では第１基板１１０′を導光手段として用いるため、液晶パネルの構造も先
の各実施形態とは若干異ならせてある。例えば、第１基板１１０′の内面上には、第１基
板１１０′よりも屈折率の低い透明材料で構成された、例えばフッ化マグネシウム等の低
屈折率層１１１′が形成される。このように低屈折率層１１１′を形成すると、第１基板
１１０′に入射した光はやや大きな入射角の光であっても、第１基板１１０′と低屈折率
層１１１′の界面で反射しながら第１基板１１０′内を進行するので、第１基板１１０′
から電気光学物質（液晶）１３１へ向けて出射される照明光の照度を向上させ、或いは、
均一にすることができる。この低屈折率層１１１′は蒸着法などで形成することができる
。
【００６９】
低屈折率層１１１′上には内面偏光層１１７′が形成されている。この内面偏光層１１
７′は、水溶性のリオトロピック液晶染料材料、或いは、二色染料を含有するサーモトロ
ピック高分子液晶材料で構成することができる。また、内面偏光層１１７′としてワイヤ
グリッド構造を採用することもできる。このワイヤグリッド構造は、多数の平行導体線を
光の波長よりも短いピッチで配列したものである。ワイヤグリッドは、入射光に対しては
、平行導体線の方向と一致した偏光面を有する偏光成分を反射し、平行導体線の方向に対
して直交する偏光面を有する偏光成分を透過させる。この構造では、平行導体線の幅をａ
、ピッチをｄとしたとき、ａ／ｄが約０．６であることが好ましい。また、光の波長をλ
としたとき、λ／ｄ≧５であることが好ましい。さらに、導体線の下側の層を反射率の高
い膜で構成し、上側の層を反射率の低い膜で構成してもよい。反射率の高い膜としてはＡ
ｇ，Ａｕ，Ａｌなどで構成されたものが挙げられ、反射率の低い膜としてはＣｒ，Ｔｉで
構成されたものが挙げられる。低コストの観点、或いは、スパッタリング法で成膜できる
という観点では、Ａｌを材料とすることが望ましい。
【００７０】
なお、上記低屈折率層１１１′は、第１基板１１０′の液晶配置領域Ｌだけでなく、光
源１３２が固定されている基板張出部１１０Ｆ上にも形成されていることが好ましい。こ
のようにすると、基板張出部１１０Ｆ′内の光に対しても第１基板１１０′内への閉じ込
め効果を得ることができる。
【００７１】
また、上記第１基板１１０′の外面上には、上記光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙを形
成する凹溝内に充填されるとともに、当該外面上に連続する補強層１１９が形成されるこ
とが好ましい。この補強層１１９は、凹溝が形成されることによる第１基板１１０′の剛
性不足を補うものである。この補強層１１９は、上記光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙの
全反射特性を阻害しないように、低屈折率素材、例えばフッ化マグネシウム等で構成され
ることが好ましい。この補強膜１１９は蒸着法などで形成することができる。補強膜１１
９の表面は図示例のように平坦に構成することが好ましい。このようにすると、洗浄やふ
き取り等のような表面の清浄化処理が容易になる。
【００７２】
一方、図示例では、第２基板１２０の内面上にも、上記と同様の内面偏光層１２７′が
形成されている。しかしながら、この第２基板１２０に関しては、内面偏光層１２７′を
設ける代わりに、先の実施形態と同様に第２基板１２０の外面上に偏光板を配置しても構
わない。
【００７３】
さらに、第１基板１１０′の端面には光反射層１３６が形成されている。すなわち、図
示例の場合、第１基板１１０′の矩形の平面形状で構成された４辺に各々端面部が設けら
れ、これらの端面部のうちの光源１３２及び反射板１３４が配置されている側の一辺の端
面部（光取り込み面１１０ａの設けられている側の端面）を除いた、残りの３辺の端面部
上に全て光反射層１３６が形成されている。この光反射層１３６は、具体的には、アルミ
ニウムや白色樹脂などの反射性素材を上記端面部に被着させたものである。なお、反射板
１３４′が配置されない場合には、第１基板１１０′の端面全て（すなわち全周）に光反
射層１３６を形成してもよい。
【００７４】
本実施形態では、第１基板１１０′を導光体として用いることによって、他の導光体を
重ねて配置する必要がなくなるので、全体として大幅な薄型化を図ることができる。また
、光源１３２から放射されて直接に第１基板１１０′に取り込まれた光はそのままパネル
内にとどまって表示光として出射されるので、全体として光の利用効率を高めることがで
きる。
【００７５】
なお、本実施形態では、光源１３２から放出された光の第１基板１１０′内の伝播方向
に沿った画素の配列態様に整合するように、光偏向用斜面１１０ｘが形成されていること
が好ましい。特に、上記伝播方向に沿った一つの画素に必ず一つの光偏向用斜面１１０ｘ
が配置されるように構成されることが望ましい。このようにすると、照明光の照度分布と
画素の配列態様との関係で生ずるモアレ縞の発生を防止することができる。また、画素が
上記伝播方向に一定の配列周期で配列されている場合には、光偏向用斜面１１０ｘもまた
、上記伝播方向に同じ周期で形成されることが好ましい。
【００７６】
ただし、光偏向用斜面１１０ｘによる照明光の照度分布は一般的には第１基板１１０′
の法線方向にピークを有するとは限らず、例えば、法線方向に対してやや伝播方向へ傾斜
した方向にピークを有することが多いので、光偏向用斜面１１０ｘから見て照度分布のピ
ーク方向に画素（の中央部）が存在するように、光偏向用斜面１１０ｘと画素との位置関
係を設定することが好ましい。このようにすると、照明光を効率的に表示に寄与する光と
なるように用いることが可能になるので、光の利用効率を高めることができる。
【００７７】
なお、光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙは、レジスト等からなる適宜のパターンのマス
クを設けた上で、フッ化水素酸等を含有するウエットエッチング等を施すことによって容
易に形成することができる。
【００７８】
製造工程としては、複数の液晶パネル分を包含するマザー基板（多数個取り基板）を用
いる場合、個々の液晶パネルを分離して完成させてから第１基板１１０′の外面にエッチ
ング加工等によって光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙを形成してもよく、或いは、マザー
基板において最初に光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙを形成してもよいが、外面の損傷や
汚染を防止するためには前者である方が好ましい。また、当然のことながら、マザー基板
を用いずに個々に液晶パネルを形成することもでき、この場合でも工程順については上記
と同様である。
【００７９】
また、光源１３２の形成については、第１実施形態と同様に、第１基板の内面構造と同
じプロセスで光源１３２の薄膜のうちの一部、例えば、下電極、バンク、上電極、封止層
などを形成してもよい。
【００８０】
［第５実施形態］
次に、図９を参照して、本発明に係る第２実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第４実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００８１】
本実施形態では、第１基板１１０″の基板張出部１１０Ｆ″を楔状に構成し、光取り込
み面１１０ａに入射した内部伝播光を液晶配置領域Ｌ側へ偏向させるための光偏向用斜面
１１０ｘ″を形成している。この光偏向用斜面１１０ｘ″の外面上には反射層１１０ｚを
配置し、光取り込み面１１０ａに入射した光が反射層１１０ｚによって効率的に第１基板
１１０″の液晶配置領域Ｌと重なる領域へ導かれるように構成している。これによって、
光偏向用斜面１１０ｘ″及び反射層１１０ｚによる偏向時の光の伝播効率を高めることが
できる。
【００８２】
［第６実施形態］
次に、図１０を参照して、本発明に係る第６実施形態について説明する。図１０は、本
実施形態の電気光学装置の概略平面図である。本実施形態の構造は、上記第１乃至第５実
施形態のいずれの実施形態でも同様の構成を採ることができるものである。ここで、本実
施形態においては第１基板上の構造のみが上記実施形態と異なるので、当該構造について
のみ説明する。
【００８３】
本実施形態では、第１基板２１０と第２基板２２０との間の液晶配置領域Ｌに図示しな
い電気光学物質である液晶が配置され、液晶配置領域Ｌの外側、具体的には、第１基板２
１０に設けられた基板張出部２１０Ｅ上に光源２３２が固定されている。また、この基板
張出部２１０Ｅ上には配線基板２３５も実装されており、配線基板２３５の図示しない配
線は、基板張出部２１０Ｅ上に引き出された配線２３８，２３９と導電接続されている。
【００８４】
基板張出部２１０Ｅ上に形成された配線２３８は、液晶配置領域Ｌ内に形成される図示
しない第１電極及び第２電極に対して直接若しくは間接的に接続されている。また、光源
２３２は基板張出部２１０Ｅ上に形成された配線２３９に導電接続され、この配線２１９
を介して配線基板２３５から電力を供給されるように構成されている。
【００８５】
本実施形態では、基板張出部２１０Ｅの幅方向に複数の光源２３２が間隔を有して配列
されており、配線２３８は、光源２３２の配置されていない領域を通過して液晶配置領域
Ｌ内に延在している。
【００８６】
［第７実施形態］
次に、図１１を参照して、本発明に係る第７実施形態について説明する。図１１は、本
実施形態の電気光学装置の概略平面図である。本実施形態の構造についても、上記第１乃
至第５実施形態のいずれの実施形態でも同様の構成を採ることができるものである。本実
施形態においても第１基板上の構造のみが上記実施形態と異なるので、当該構造について
のみ説明する。
【００８７】
本実施形態では、第１基板２１０′と第２基板２２０′との間の液晶配置領域Ｌに図示
しない電気光学物質である液晶が配置され、液晶配置領域Ｌの外側、具体的には、第１基
板２１０′に設けられた基板張出部２１０Ｅ′上に、液晶配置領域Ｌ内に形成された第１
電極及び第２電極に直接若しくは間接的に接続された配線２３８′が引き出され、その先
端に入力端子２３８ｘ′が設けられている。また、第１基板２１０′にはもう一つの基板
張出部２１０Ｆ′が設けられ、この基板張出部２１０Ｆ′上に光源２３２′が固定されて
いる。本実施形態の光源２３２は、液晶配置領域Ｌの幅に対応する範囲に亘って延在する
形状に構成された延長形状の光放出面を有する光源（基本的には線状光源）となっている
。なお、このような延長形状の光源は上記のいずれの実施形態でも採用できる。
【００８８】
また、基板張出部２１０Ｅ′と２１０Ｆ′の合流部（第１基板２１０の角部）には光源
２３２′に接続される配線２３９′に設けられた入力端子２３９ｘ′が形成されている。
【００８９】
本実施形態の場合、基板張出部２１０Ｅ′は矩形の第１基板２１０′の一つの辺に沿っ
て設けられ、基板張出部２１０Ｆ′は、当該一つの辺に隣接する他の辺に沿って設けられ
ている。上記入力端子２３８ｘ′及び２３９ｘ′は、基板張出部２１０Ｅ′上に実装され
る図示しない配線基板等に導電接続される。
【００９０】
［第８実施形態］
最後に、上記各実施形態の電気光学装置１００を搭載した電子機器の実施形態について
説明する。図１２は、本実施形態の電子機器の一例としての携帯電話機３００を示してい
る。ここに示す携帯電話機３００は、複数の操作ボタン３０１ａ，３０１ｂ及び送話口な
どを備えた操作部３０１と、表示画面３０２ａや受話口などを備えた表示部３０２とを有
し、表示部３０２の内部に上記の電気光学装置１００が組み込まれてなる。
【００９１】
そして表示部３０２の表示画面３０２ａにおいて電気光学装置１００により形成された
表示画像を視認することができるようになっている。この場合、携帯電話機３００の内部
には、上記電気光学装置１００を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路
は、電気光学装置１００に対して映像信号その他の入力データや所定の制御信号を送り、
その動作態様を決定するように構成されている。
【００９２】
尚、本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各
実施形態では電気光学装置として液晶を用いた液晶装置を例として説明したが、本発明は
、電気泳動表示装置等の他の電気光学装置にも適用可能である。また、上記実施形態では
図１乃至図１１に示す例では透過型液晶装置として、図１３及び図１３に示す例では半透
過反射型液晶装置として説明したが、フロントライト型の反射型液晶装置等の他の形式の
装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】第１実施形態の概略縦断面図。
【図２】第１実施形態の概略平面図。
【図３】第１実施形態の概略底面図。
【図４】第２実施形態の概略縦断面図。
【図５】第３実施形態の概略縦断面図。
【図６】第４実施形態の概略縦断面図。
【図７】第４実施形態の概略平面図。
【図８】第４実施形態の概略底面図。
【図９】第５実施形態の概略縦断面図。
【図１０】第６実施形態の概略縦断面図。
【図１１】第７実施形態の概略縦断面図。
【図１２】電子機器の一例（第８実施形態）を示す概略斜視図。
【図１３】第１実施形態の他の構成例の画素構造を示す拡大平面図。
【図１４】第１実施形態の他の構成例の画素構造を示す拡大縦断面図。
【図１５】第１実施形態の光源の構成例を示す拡大縦断面図。
【図１６】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図１７】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図１８】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図１９】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２０】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２１】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２２】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２３】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２４】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２５】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２６】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【符号の説明】
【００９４】
１００…電気光学装置、１１０…第１基板、１２２…配線素子構造、１２２ａ…半導体層
、１２２ｂ…ゲート絶縁膜、１２２ｃ…ゲート電極、１２２ｄ…データ線、１２２ｇ…走
査線、１２３Ａ，１２３Ｂ…層間絶縁膜、１２０…第２基板、１３１…液晶、１３２…光
源、１３２ｘ…光放出面、１３２ａ…下電極、１３２ｂ…バンク、１３２ｃ…発光構造、
１３２ｄ…上電極、１３２２…スイッチング素子、１３２２ａ…半導体層、１３２２ｂ…
ゲート絶縁膜、１３２２ｃ…ゲート電極、１３２２ｄ…データ線、１３２３Ａ，１３２３
Ｂ、１３２３Ｃ…層間絶縁膜、１４０…導光板、１４０ａ…光取り込み面、１４０ｂ…光
出射面、１４０ｘ、１４０ｙ…光偏向用斜面
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学装置、及び、電子機器に係り、特に、表示を可能にするための光源を
備えた電気光学装置の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、各種の電子機器には、表示部として液晶表示体その他の電気光学装置が搭載さ
れる場合が多い。特に、携帯電話機、携帯型コンピュータなどの携帯型電子機器では、一
対の基板間に電気光学物質を配し、この電気光学物質に所定の電界を印加することにより
光の変調状態を制御して表示を実現するものが用いられている。
【０００３】
例えば、液晶表示装置においては、一般的に、一対の基板をシール材を介して貼り合わ
せ、この基板間に液晶を封入してなる液晶パネルと、この液晶パネルの背後や前面上に光
源と導光板とを備えたバックライト若しくはフロントライトを配置し、これらのバックラ
イトやフロントライトから照射された照明光を用いて所望の表示が視認されるように構成
している。上記バックライトやフロントライト等の照明装置としては、透明部材からなる
導光板の端面上に有機ＥＬ素子等の電界発光素子を配置してなるものが知られている（例
えば、以下の特許文献１参照）。
【０００４】
また、上記の導光板の機能のうちの一部が液晶パネルを構成する一方の基板によって実
現されるように構成することにより、液晶表示装置の厚みを低減した装置構造が知られて
いる（例えば、以下の特許文献２参照）。この種の液晶表示装置では、液晶パネルを構成
する一方の基板の外面上に導光体フィルムを貼着し、一方の基板に入射した光を導光体フ
ィルムによって他方の基板側へ出射させるように構成している。
【特許文献１】特開平１０−５０１２４号公報
【特許文献２】特開２００３−３３００２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の液晶表示装置では、ＬＥＤ等の光源をＦＰＣ基板上に実装して、
導光板に隣接する位置に配置した照明装置を構成し、この照明装置を液晶パネルの背後に
配置するなど、部品点数が多くなり、組み立て作業も煩雑であるため、製造コストが上昇
するという問題点がある。また、光源と導光板との間の相対的位置関係やこれらと液晶パ
ネルとの間の相対的位置関係が微妙にずれることにより、装置毎に輝度分布がばらつき、
安定した品質の製品を製造することが困難であるという問題点もある。
【０００６】
また、前述の導光体フィルムを用いた液晶表示装置では、導光体フィルムを用いること
によって液晶パネルよりも厚みが増大するため、充分な薄型化を図ることができず、また
、基板と導光体フィルムとの境界面等において光の損失が生ずるので、光の利用効率も低
下するという問題点がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、部品点数の削減等に
よって実装・組み立て工程を簡素化することのできる電気光学装置を提供することにある
。また、別の課題は、光源の位置精度を向上させることにより輝度ばらつきを低減できる
電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
斯かる実情に鑑み、本発明の電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向してな
る第２基板と、前記第１基板と前記第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、前記第１
基板の前記第２基板とは反対側の面に対向してなる導光手段と、前記第１基板の前記第２
基板側の面に設けられた光源と、を具備し、前記光源から出射された光は、前記第１基板
を透過して前記導光手段に入射し、前記導光手段を伝播して前記導光手段から出射され、
再び前記第１基板に入射して前記電気光学パネルの表示に寄与することを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、光源を第１基板の第２基板側の面に設けることにより、ＦＰＣ基板
等を用いる従来構造よりも部品点数を削減することができ、実装・組み立て工程も簡素化
できるため、製造コストを低減できる。また、装置内の第１基板に対する光源の位置精度
を高めることが可能になるので、光源位置のばらつきに起因する輝度のばらつきを抑制す
ることができる。
【００１０】
また、本発明の別の電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向してなる第２基
板と、前記第１基板と前記第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、前記第１基板の前
記第２基板側の面に設けられた光源と、を具備し、前記光源から出射された光は、前記第
１基板に入射し、前記第１基板を伝播して前記第１基板の前記第２基板側の面から出射さ
れ、前記電気光学物質に入射して表示に寄与することを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、前述の効果に加えて、第１基板を導光体として用いることで、部品
点数の削減や薄型化を図ることができる。また、第１基板に向けて光源が光を放出し、導
光手段が第１基板内に入射した光を配置領域に導くようにすることによって、光源の光放
出面を第１基板によって保護することができるため、光放出経路への塵埃の混入や汚染を
防止することができる。
【００１２】
本発明において、前記光源は、前記電気光学物質が配置される領域から外れた領域に設
けられていることが好ましい。これによれば、上記電気光学物質が配置される領域から外
れた領域に光源を設けることにより、電気光学物質が配置される領域内の構造に影響を与
えずに光源を構成することができる。
【００１３】
本発明において、前記光源は、前記第１基板における前記第２基板の外形よりも外側へ
張り出した基板張出部に設けられていることが好ましい。これによれば、基板張出部に光
源が設けられていることにより、光源を容易に形成したり実装したりすることができる。
【００１４】
本発明において、前記第１基板は、薄膜積層構造によって構成されたスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続されてなり、前記電気光学物質に電圧を印加するための
電極と、を有し、前記光源は、前記スイッチング素子の薄膜積層構造の少なくとも一部と
同じ薄膜積層構造を有することが好ましい。これによれば、スイッチング素子の少なくと
も一部の薄膜構成と同じ構造を光源に用いることができるため、製造工程を簡略化でき、
製造コストを抑制できる。
【００１５】
本発明において、前記第１基板は、前記電気光学物質を電気的に制御するための電極を
含む画素構造を有し、前記光源は、前記画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有す
ることが好ましい。これによれば、光源が画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有
することによって、製造工程を簡略化でき、製造コストを抑制できる。
【００１６】
本発明において、光源は有機エレクトロルミネッセンス素子等の電界発光素子や発光ダ
イオード素子等の各種発光素子で構成することができる。特に、これらを薄膜積層構造に
よって構成することにより、コンパクトに構成することが可能になる。例えば、電界発光
素子や発光ダイオード素子等の発光素子は、１又は複数の発光層、反射層、電極層などを
表面部分上に直接に積層することによって容易に形成することができる。
【００１７】
本発明において、前記第１基板は、内部に入射した光を偏向させ、前記第２基板側の面
から出射させる光偏向用斜面が前記第２基板とは反対側の面に設けられてなることが好ま
しい。これによれば、簡易な構造で第１基板内を伝播する光を確実に第２基板側に偏向し
、出射させることができる。
【００１８】
本発明において、複数の画素を備え、前記光偏向用斜面が前記画素に対応した位置にそ
れぞれ設けられていることが好ましい。第１基板に設けられた複数の光偏向用斜面が画素
にそれぞれ対応した位置に設けられることにより、光偏向用斜面と画素との平面的な位置
関係を一定に構成することができるので、光偏向用斜面に基づく照明光の照度ムラに起因
するモアレ縞の発生を防止することができるとともに、例えば、光偏向用斜面に基づく照
明光の照度の高い領域を画素内に一致させるなどの方法で照明光を効率的に画素内に導く
ことが可能になるため、光の利用効率を高めることができる。
【００１９】
また、複数の画素が周期的に配列され、複数の前記光偏向用斜面が前記画素の配列周期
に一致する周期で形成されていることが好ましい。これによれば、複数の画素の配列周期
と一致する周期で複数の光偏向用斜面が形成されていることにより、光偏向用斜面の形成
周期に起因するモアレ縞の発生を防止することができるとともに、例えば、光偏向用斜面
に基づく照明光の照度の高い領域を画素内に一致させるなどの方法で照明光を効率的に画
素内に導くことが可能になるため、光の利用効率を高めることができる。
【００２０】
本発明において、前記第１基板の前記第２基板側の面上に、偏光子又は検光子を構成す
る内面偏光層が形成されていることが好ましい。ＴＮ型液晶やＳＴＮ型液晶等のように偏
光子や検光子を必要とする電気光学物質を用いる場合においては、第１基板の第２基板側
の面上に内面偏光層を形成することにより、第１基板から出射される照明光に基づく表示
を実現可能とすることができる。
【００２１】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置を表示部として備え
ていることを特徴とする。電子機器としては特に限定されないが、携帯電話機、携帯型コ
ンピュータ、電子時計等の携帯型電子機器であることが特に望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［第１実施形態］
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本実施形
態の電気光学装置１００を示す概略縦断面図、図２は同装置１００の概略平面図、図３は
同装置１００の概略底面図である。なお、各図面中において、配線や素子構造などの細部
については適宜に省略して示してある。
【００２３】
電気光学装置１００は、ガラスやプラスチック等で構成された透明基板からなる第１基
板１１０と、同様の透明基板からなる第２基板１２０とを有し、第１基板１１０と第２基
板１２０とがシール材１３０を介して３〜１０μｍ程度の所定間隔で貼り合わせられ、両
基板間に電気光学物質である液晶１３１が封入された液晶パネルを構成している。
【００２４】
第１基板１１０及び第２基板１２０はそれぞれ矩形状の平面形状を有し、第１基板１１
０には第２基板１２０の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１１０Ｅ、１１０Ｆ
が設けられている。本発明においては特に限定されるものではないが、基板張出部１１０
Ｅと１１０Ｆは液晶１３１が配置された液晶配置領域Ｌの両側に設けられている。
【００２５】
本実施形態では、第１基板１１０の内面（第２基板１２０に向いた面）上に、絶縁膜等
からなる下地層１１１、配線、素子、絶縁層等が適宜に形成された配線素子構造１１２、
絶縁層１１３、第１電極１１４などが順次に形成されている。また、第２基板１２０の内
面（第１基板１１０に向いた面）上に、絶縁膜等からなる下地層１２１、カラーフィルタ
１２２、保護膜１２３、第２電極１２４などが順次に形成されている。なお、上記の構造
は特に限定されるものではなく、電気光学物質である液晶１３１に対して画素ごとにそれ
ぞれ制御された電界を付与できる構造を備えていればよい。
【００２６】
第１基板１１０及び第２基板１２０の外面上には、必要に応じて偏光板１１７，１２７
が配置される。典型的には、偏光板１１７，１２７は基板外面上に貼着される。また、上
記の基板張出部１１０Ｅには上記第１電極１１４及び第２電極１２４に直接若しくは間接
的に接続された入力端子（図示せず）が設けられ、基板張出部１１０Ｅに実装された配線
基板１３５の配線が上記入力端子に導電接続されている。
【００２７】
図１３及び図１４は、本実施形態の上記構成を反射半透過型の液晶表示体に適用してな
る構成例の画素構造を示す拡大平面配置図及び拡大縦断面図である。ここで、上記構成に
対応する部分には同一符合を付してある。上記の第１基板１１０上に設けられる配線素子
構造１１２は、多結晶シリコン等で構成された半導体層１１２ａと、この半導体層１１２
ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１２ｂと、ゲート絶縁膜１１２ｂを介して半導体層１１
２ａに対向配置されるゲート電極１１２ｃとを備えたスイッチング素子（ＴＦＴ；薄膜ト
ランジスタ）を含んでいる。半導体層１１２ａは、ゲート電極１１２ｃに対向配置される
チャネル領域と、セルフアライメントで不純物が導入されてなるソース領域及びドレイン
領域とを有し、当該ソース領域はデータ線１１２ｄに導電接続され、上記ドレイン領域は
接続部１１２ｅを介して後述する反射膜１１５及び画素電極１１４に導電接続される。ま
た、ゲート電極１１２ｃは走査線１１２ｇに導電接続されている。
【００２８】
この構成例では、各画素Ｐにおいて反射表示領域Ｐｒと透過表示領域Ｐｔとがそれぞれ
設けられ、反射表示領域Ｐｒでは上記スイッチング素子にも用いられる層間絶縁膜１１３
Ａが微細な凹凸状（図示例の場合には離散的）に形成され、上記の層間絶縁膜１１３Ａ上
に層間絶縁膜１１３Ｂが積層され、これによって層間絶縁膜１１３Ｂの表面は下層の層間
絶縁膜１１３Ａの形状を反映して表面が微細な凹凸状に形成される。この層間絶縁膜１１
３Ｂ上にはアルミニウム等の金属薄膜で反射膜１１５が形成され、これにより、反射膜１
１５の表面は微細な凹凸構造を備えた散乱性反射面とされている。一方、透過表示領域Ｐ
ｔでは層間絶縁膜１１３Ａ及び層間絶縁膜１１３Ｂが形成されていない。
【００２９】
反射膜１１５上にはＩＴＯ等の透明導電体によって画素電極（上記の第１電極）１１４
が形成される。この画素電極１１４は反射表示領域Ｐｒ及び透過表示領域Ｐｔの双方に形
成される。また、画素電極１１４上にはポリイミド樹脂等からなる配向膜１１６が形成さ
れる。
【００３０】
一方、第２基板上においては、画素Ｐの境界域に遮光膜１２６が形成される。図示例の
場合、遮光膜１２６は上記カラーフィルタ１２２と同層に形成され、例えば、複数のカラ
ーフィルタ層を積層した構造、黒色樹脂等からなるブラックマトリクスなどで構成される
。また、Ｃｒ等の金属層で遮光膜１２６を構成することも可能である。
【００３１】
本実施形態では、上記層間絶縁膜１１３Ａ、１１３Ｂの有無によって設けられた段差に
より、反射表示領域Ｐｒでは液晶１３１の厚みは透過表示領域Ｐｔにおける厚みより小さ
く（例えばほぼ半分程度に）なっている。これによって、反射表示領域Ｐｒにおいて往復
２回液晶層を通過する反射光（反射表示を構成する光）と、透過表示領域Ｐｔにおいて１
回のみ液晶層を通過する透過光（透過表示を構成する光）とに対する液晶１３１のリタデ
ーションの差を低減することができる。なお、図示例では層間絶縁膜の有無によって反射
表示領域Ｐｒと透過表示領域Ｐｔの液晶１３１の厚みを変えているが、層間絶縁膜の厚み
を異ならしめることによって両領域間の液晶１３１の厚みを変えてもよく、或いは、第２
基板１２０上に形成された段差によって液晶の厚みを変えても構わない。
【００３２】
再び図１に戻って説明を続ける。第１基板１１０の基板張出部１１０Ｆには光源１３２
が固定されている。この光源１３２は、ＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザーダイ
オード）等の半導体素子、或いは、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有
機ＥＬ素子」という。）等の電界発光素子などの各種の発光素子で構成することができる
。
【００３３】
図示例の場合には、第１基板１１０の液晶１３１側の面である内面上に光源１３２が形
成されている。すなわち、光源１３２は基板張出部１１０Ｆの上面に直接に被着された薄
膜積層構造によって構成されている。そして、光源１３２の光放出面１３２ｘは第１基板
１１０の上面に密接した状態となっている。
【００３４】
図示例の光源１３２は有機ＥＬ素子であり、基板張出部１１０Ｆの上面に、ＩＴＯ等の
透明導電体で構成された下電極１３２ａ、好ましくは遮光材料で構成されるバンク１３２
ｂ、発光構造１３２ｃ、好ましくは金属等の反射性材料で構成される上電極１３２ｄ及び
封止層１３２ｅを順次に形成してなる薄膜積層構造を有する。ここで、発光構造１３２ｃ
は、実際には、有機正孔輸送層、有機発光膜、有機電子輸送層などの複数の層を積層した
構造となっている。下電極１３２ａと上電極１３２ｄとの間に所定の電圧を印加すると、
電界が印加されることにより発光構造１３２ｃが発光し、光放出面１３２ｘから光が放出
される。
【００３５】
また、光源１３２を発光ダイオードとしたときには、第１基板１１０の表面上に透明導
電体よりなる下電極、ｎｐ接合構造を備えた半導体構造、上電極を積層し、下電極と上電
極との間に電圧を印加することによって正孔・電子の再結合による発光が生ずるように構
成すればよい。
【００３６】
なお、上記の光源１３２を構成する発光素子としては、チップ状、或いは、パッケージ
状に構成された有機ＥＬ素子やＬＥＤ素子等の発光素子を用いることもできるが、この場
合には、発光素子を直接に第１基板１１０の表面上に密着させた状態で封止樹脂等により
固定することが好ましい。また、この場合においても、光源１３２の光放出面１３２ｘを
基板表面に直接密着させることが好ましい。
【００３７】
光源１３２は、その構造内に光放出面１３２ｘ以外の部分からの光漏れを防止する構造
（遮光構造若しくは反射構造）を有することが好ましいが、必要に応じて、図示例のよう
に反射板１３４を設けることができる。
【００３８】
図１５は、上記光源１３２の構成例を示す拡大縦断面図である。第１基板１１０上には
、上述の下電極１３２ａ、バンク１３２ｂ、発光構造１３２ｃ、上電極１３２ｄ、封止層
１３２ｅが積層されているが、このようにして設けられた発光部分は、併設されたスイッ
チング素子１３２２の動作によってオンオフ制御（必要に応じて階調制御）が可能となる
ように構成されている。第１基板１１０上にはＳｉＯ２等の絶縁膜で構成される下地層１
３２１が形成され、この上に、半導体層１３２２ａ、ゲート絶縁膜１３２２ｂ及びゲート
電極１３２２ｃよりなる上記スイッチング素子１３２２が設けられている。半導体層１３
２２ａには上記ゲート電極１３２２ｃに対向配置されるチャネル領域の両側にソース領域
及びドレイン領域が設けられ、当該ソース領域にはデータ線１３２２ｄが導電接続され、
前記ドレイン領域には接続部１３２２ｅを介して下電極１３２ａが導電接続されている。
なお、層間絶縁膜１３２３Ａ、１３２３Ｂ、１３２３Ｃはそれぞれスイッチング素子１３
２２やＥＬ構造の各導電層間の絶縁を確保している。
【００３９】
スイッチング素子１３２２は、ゲート電極１３２２ｃに導電接続された図示しない制御
線の電位によってオンオフ制御され、オン状態ではデータ線１３２２ｄに供給された電位
を下電極１３２ａに供給する。すると、当該電位と上記上電極１３２ｄの電位の差よりな
る電圧が発光構造１３２ｃに印加されることとなるため、当該電圧に応じて発光構造１３
２ｃが発光する。ここで、下電極１３２ａはＩＴＯ等の透明導電体よりなり、上電極１３
２ｄはアルミニウム等の金属導電体よりなるため、光は下方へ出射して第１基板１１０内
に入射する。
【００４０】
上記のように構成された液晶パネルの背後には、アクリル樹脂等の透明素材によって構
成された導光板１４０が配置される。この導光板１４０は、本発明の導光手段を構成する
ものであり、上記液晶パネルの液晶配置領域Ｌに重なる本体部１４０Ｄと、上記第１基板
１１０の基板張出部１１０Ｆと対向配置される延長部１４０Ｆとを有し、これらの本体部
１４０Ｄと延長部１４０Ｆとが一体に構成されている。図示例では、導光板１４０は本体
部１４０Ｄと延長部１４０Ｆが連続した一体の板形状となっている。
【００４１】
導光板１４０では、上記光源１３２から放出された光が第１基板１１０の基板張出部１
１０Ｆを透過した後に入射するように構成された光取り込み面１４０ａが延長部１４０Ｆ
の上面部分として設けられ、また、この光取り込み面１４０ａに入射した後の内部伝播光
を偏向させる光偏向手段１４０ｘ及び１４０ｙが設けられ、さらに、これらの光偏向手段
１４０ｘ及び１４０ｙによって偏向され、分散された光を出射する光出射面１４０ｂが設
けられている。図示例の場合、光取り込み面１４０ａと光出射面１４０ｂは導光板１４０
の連続した上面で構成されている。
【００４２】
光偏向手段は、上記延長部１４０Ｆにおいて光取り込み面１４０ａの反対側の面（下面
）に設けられた複数の光偏向用斜面１４０ｘと、上記本体部１４０Ｄにおいて光出射面１
４０ｂの反対側の面（下面）に設けられた複数の光偏向用斜面１４０ｙとを有する。光偏
向用斜面１４０ｘは、光取り込み面１４０ａに入射した光を本体部１４０Ｄ側へ反射させ
ることにより偏向・分散させる。また、光偏向用斜面１４０ｙは、延長部１４０Ｆから進
入した内部伝播光を光出射面１４０ｂに向けて反射させることにより偏向・分散させる。
光偏向用斜面１４０ｘと１４０ｙは相互に反対側に向いた面となっている。これらの光偏
向用斜面１４０ｘ、１４０ｙによって、光は光出射面１４０ｂから液晶配置領域Ｌ内にほ
ぼ均等な照度で出射される。
【００４３】
なお、導光板１４０の本体部１４０Ｄの背後には、金属や樹脂等からなる反射板１４１
を配置することが好ましい。また、必要に応じて、光偏向用斜面１４０ｘによる光反射率
を高めるために、光偏向用斜面１４０ｘの面上若しくはその先に反射層或いは反射板を配
置してもよい。
【００４４】
導光板１４０の本体部１４０Ｄと液晶パネルの第１基板１１０との間には、集光シート
や光拡散シート等の光学層１４２，１４３，１４４が適宜に配置されることが好ましい。
なお、これらの光学層の代わりに、第１基板１１０の延長部１１０Ｆの下面、光取り込み
面１４０ａ、光出射面１４０ｂ等にプリズム加工、ブラスト加工等を施して光拡散作用を
持たせてもよい。
【００４５】
本実施形態では、光源１３２から放出された光は第１基板１１０の内部を通過して導光
板１４０の光取り込み面１４０ａに入射し、光偏向用斜面１４０ｘ及び１４０ｙで偏向・
分散されることにより、光出射面１４０ｂから出射し、液晶パネルの液晶配置領域Ｌを照
明する。この照明光は液晶パネルを通過して第２基板１２０の外側から視認される所定の
表示を構成する。
【００４６】
本実施形態によれば、光源１３２を、液晶パネルを構成する一方の基板である第１基板
１１０に固定したことにより、従来構造のように光源を配線基板上に実装したり、配線基
板を固定したりする必要がなくなるので、実装・組み立て工程を簡素化することができ、
製造コストを低減できる。特に、光源１３２を第１基板上に形成された薄膜積層構造で構
成する場合には、光源１３２をさらに薄型化することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、光源１３２が第１基板１１０に直接固定されているため、液晶
パネルに対する光源の位置精度が向上し、これによって、装置の輝度のばらつきを低減す
ることができる。特に、第１基板１１０上に薄膜積層構造を有する光源１３２を形成する
ことで、第１基板１１０の電極構造等の内面構造とほぼ同様のパターニング精度で光源１
３２を位置決めできるため、光源の位置精度をさらに高めることができる。
【００４８】
さらに、光源１３２の光放出面１３２ｘが第１基板１１０の表面に密接していることに
より、光放出面１３２ｘを保護することができ、塵埃等が光路に介在して光の通過を妨げ
たり、光放出面１３２ｘが汚染されたりする可能性を低減することができる。
【００４９】
光源１３２の下電極１３２ａ、バンク１３２ｂ、上電極１３２ｄ、封止層１３２ｅ等は
、第１基板１１０の製造プロセスと同時に行っても構わない。例えば、下電極１３２ａを
ＩＴＯ等の透明導電体で第１電極（画素電極）１１４と同時に形成したり、バンク１３２
ｂを第１基板１１０上の絶縁層と同時に形成したりといった具合である。このようにする
と、光源１３２の位置精度を第１基板１１０のパターニング精度と同等の精度とすること
ができるとともに、製造工程数を削減することができるため、製造コストの低減を図るこ
とが可能になる。
【００５０】
図１６乃至図２６は光源１３２の製造工程の一例（図１５に示す光源１３２の構成例に
対応する製造工程）を示す概略工程図である。最初に、図１６に示すように第１基板１１
０上にＳｉＯ２等の絶縁体よりなる下地層１３２１をスパッタリング法等により形成する
。この下地層１３２１は、図１３及び図１４に示す構成例の下地層１１１と同工程で形成
できる。その後、下地層１３２１上に多結晶シリコン等で構成される半導体層１３２２ａ
を形成し、これを図１７に示すようにエッチング処理等によってパターニングする。ここ
で、半導体層１３２２ａは図１３及び図１４に示す構成例の半導体層１１２ａと同工程で
形成できる。その後、半導体層１３２２ａ上にゲート絶縁膜１３２２ｂを形成する。この
ゲート絶縁膜１３２２ｂは図１３及び図１４に示す構成例のゲート絶縁膜１１２ｂと同工
程で形成できる。
【００５１】
次に、図１８に示すように、ゲート電極１３２２ｃを好ましくは図示しない制御線とと
もに形成する。このゲート電極１３２２ｃは図１３及び図１４に示す構成例のゲート電極
１１２ｃ（及び走査線１１２ｇ）と同工程で形成できる。その後、このゲート電極１３２
２ｃをマスクとしてセルフアライメントで半導体層１３２２ａ内に不純物をイオン注入法
等で注入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する。これらの不純物領域は図１３及び
図１４に示す構成例の不純物領域の形成工程で形成できる。
【００５２】
次に、図１９に示すように、ＳｉＯ２等よりなる層間絶縁膜１３２３ＡをＣＶＤ法等に
よって形成し、さらに、層間絶縁膜１３２３Ａ及びゲート絶縁膜１３２２ｂにコンタクト
ホールを形成することによって、半導体層１３２２ａのソース領域及びドレイン領域が一
部露出するように構成する。これらの処理は、図１３及び図１４に示す構成例の層間絶縁
膜１１３Ａ及びそのパターニングを行う工程で実施できる。
【００５３】
その後、図２０に示すように、データ線１３２２ｄ及び接続部１３２２ｅを金属等の蒸
着やスパッタリング法並びにパターニングによって形成する。これらの処理は、図１３及
び図１４に示す構成例のデータ線１１２ｄ及び接続部１１２ｅを形成する工程で実施でき
る。さらに、この上には層間絶縁膜１３２３Ｂ（パシベーション膜）を形成する。この層
間絶縁膜１３２３Ｂは、例えば、図１３及び図１４に示す構成例の層間絶縁膜１１３Ｂを
形成する工程で形成できる。
【００５４】
次に、図２１に示すように、層間絶縁膜１３２３Ｂ上にＩＴＯ等の透明導電体で下電極
１３２ａを形成する。この下電極１３２ａは、上記第１電極１１４（図１３及び図１４に
示す構成例の画素電極１１４）を形成する工程で形成することができる。
【００５５】
その後、図２２に示すように、ＣＶＤ法などによってＳｉＯ２やＳｉＮ等からなる層間
絶縁膜１３２３Ｃを形成し、パターニングすることによって下電極１３２ａの既定部分を
露出させる。そして、図２３に示すように、下電極１３２ａの露出部分を除く領域上に樹
脂材料等からなるバンク１３２ｂを形成する。このバンク１３２ｂは好ましくは遮光材料
で形成され、光が周囲に漏れないように構成される。バンク１３２ｂは例えばポリイミド
樹脂等で構成できる。
【００５６】
しかる後に、図２４に示すように、バンク１３２ｂで囲まれ、底部に下電極１３２ｂが
露出した領域に発光構造１３２ｃを形成する。この発光構造１３２ｃは、例えば、チオフ
ェン系ポリマーとスチレンポリマーによりなるバッファー層（PEDT/PSS）と発光ポリマー
(LEP)からなる積層構造、ポリパラフェニレンビニレン等の有機半導体層などで構成でき
る。また、これら各層は、例えば、それぞれの構成材料を含む未硬化の液滴が上記領域に
インクジェットヘッド等の吐出ヘッドから滴下され、その後、バンク１３２ｂ内にて乾燥
、硬化されるといった方法でそれぞれ形成することができる。
【００５７】
次に、図２５に示すように、上記発光構造１３２ｃ上に蒸着法等によってアルミニウム
等の反射性材料により上電極１３２ｄを形成する。この工程は、図１３及び図１４に示す
構成例の反射膜１１５を形成する工程などで同時に形成することができる。ただし、上述
のように画素電極１１４と同時に下電極１３２ａを形成する場合には、工程の前後関係に
より上電極１３２ｄを反射膜１１５の形成工程で形成することはできない。その後、図２
６に示すように、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止剤１３２ｅを塗布してシールを
行う。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態では、光源１３２の構造と、図１３及び図１４に示す
画素Ｐ内の構造（特にスイッチング素子の構造）とを同じ工程で実現することによって、
工程数の増加を抑制して製造コストを低減することができる。なお、以上のような光源１
３２の構造や製法は、以下の他の実施形態においても同様に適用することが可能である。
特に、本実施形態では、画素構造内に設けられたスイッチング素子と同じ構造を有する発
光制御用のスイッチング素子１３２２が光源１３２内に設けられているため、光源１３２
の形成工程の多くを画素構造の形成工程と共通化することができる。
【００５９】
［第２実施形態］
次に、図４を参照して、本発明に係る第２実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第１実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６０】
本実施形態では、導光板１４０′の延長部１４０Ｆ′を研磨加工等により楔状に構成し
、光取り込み面１４０ａに入射した光を本体部１４０Ｄ側へ偏向させるための光偏向用斜
面１４０ｘ′を形成している。この光偏向用斜面１４０ｘ′の外面上には反射層１４０ｚ
を配置し、光取り込み面１４０ａに入射した光が反射層１４０ｚによって効率的に本体部
１４０Ｄへ導かれるように構成している。これによって、光偏向用斜面１４０ｘ′及び反
射層１４０ｚによる偏向時の光の伝播効率を高めることができる。
【００６１】
［第３実施形態］
次に、図５を参照して、本発明に係る第３実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第１実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６２】
本実施形態では、導光板１４０″の延長部１４０Ｆ″を本体部１４０Ｄの光出射面１４
０ｂよりも第１基板１１０側に突出させ、光取り込み面１４０ａ″を光源１３２に近づけ
た位置に形成している。これによって、光源１３２から放出された光は、より早い段階で
導光板１４０″の内部に入射し、その内部を伝播していくため、導光板１４０″内への光
の取り込み効率を高めることができる。
【００６３】
この場合、延長部１４０Ｆ″の突出部分の側面には、適宜に反射層１４０ｖ等を形成し
て光漏れを防止することが好ましい。また、光取り込み面１４０ａ″と第１基板１１０と
の間には光拡散板１４０ｗ等を配置してもよい。
【００６４】
なお、上記の反射層１４０ｖや光拡散板１４０ｗは上記第１実施形態や第２実施形態に
も適用することができる。また、第２実施形態の反射層１４０ｚを第１実施形態の光偏向
斜面１４０ｘや本実施形態の光偏向用斜面１４０ｘに適用しても構わない。
【００６５】
［第４実施形態］
次に、図６乃至図８を参照して、本発明に係る第３実施形態の電気光学装置について説
明する。図６は本実施形態の概略縦断面図、図７は本実施形態の概略平面図、図８は本実
施形態の概略底面図である。本実施形態において、上記第１実施形態と同様の構成を有す
る同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６６】
本実施形態では、光源１３２を第１基板１１０′内に入射させる点では先の各実施形態
と同様であるが、この光を第１基板１１０′から出射させずに、そのまま第１基板１１０
′内で光偏向手段１１０ｘ、１１０ｙによって偏向・分散させ、第１基板１１０′の液晶
配置領域Ｌ内の内面１１０ｂから照明光を出射させる点で異なる。
【００６７】
本実施形態では、第１基板１１０′の外面上に光偏向手段となる光偏向用斜面１１０ｘ
、１１０ｙが設けられている。光偏向用斜面１１０ｘは、光源１３２が形成された表面部
分である光取り込み面１１０ａの反対側の面（外面）に形成され、光源１３２から入射し
た光を液晶配置領域Ｌ側へ偏向・分散させるものである。また、光偏向用斜面１１０ｙは
第１基板１１０′の液晶配置領域Ｌ内の外面上に形成され、内部伝播光を偏向・分散させ
て第１基板１１０′の内面１１０ｂから光を出射させるためのものである。ここで、光偏
向用斜面１１０ｘと１１０ｙは相互に逆向きの斜面となっている。
【００６８】
本実施形態では第１基板１１０′を導光手段として用いるため、液晶パネルの構造も先
の各実施形態とは若干異ならせてある。例えば、第１基板１１０′の内面上には、第１基
板１１０′よりも屈折率の低い透明材料で構成された、例えばフッ化マグネシウム等の低
屈折率層１１１′が形成される。このように低屈折率層１１１′を形成すると、第１基板
１１０′に入射した光はやや大きな入射角の光であっても、第１基板１１０′と低屈折率
層１１１′の界面で反射しながら第１基板１１０′内を進行するので、第１基板１１０′
から電気光学物質（液晶）１３１へ向けて出射される照明光の照度を向上させ、或いは、
均一にすることができる。この低屈折率層１１１′は蒸着法などで形成することができる
。
【００６９】
低屈折率層１１１′上には内面偏光層１１７′が形成されている。この内面偏光層１１
７′は、水溶性のリオトロピック液晶染料材料、或いは、二色染料を含有するサーモトロ
ピック高分子液晶材料で構成することができる。また、内面偏光層１１７′としてワイヤ
グリッド構造を採用することもできる。このワイヤグリッド構造は、多数の平行導体線を
光の波長よりも短いピッチで配列したものである。ワイヤグリッドは、入射光に対しては
、平行導体線の方向と一致した偏光面を有する偏光成分を反射し、平行導体線の方向に対
して直交する偏光面を有する偏光成分を透過させる。この構造では、平行導体線の幅をａ
、ピッチをｄとしたとき、ａ／ｄが約０．６であることが好ましい。また、光の波長をλ
としたとき、λ／ｄ≧５であることが好ましい。さらに、導体線の下側の層を反射率の高
い膜で構成し、上側の層を反射率の低い膜で構成してもよい。反射率の高い膜としてはＡ
ｇ，Ａｕ，Ａｌなどで構成されたものが挙げられ、反射率の低い膜としてはＣｒ，Ｔｉで
構成されたものが挙げられる。低コストの観点、或いは、スパッタリング法で成膜できる
という観点では、Ａｌを材料とすることが望ましい。
【００７０】
なお、上記低屈折率層１１１′は、第１基板１１０′の液晶配置領域Ｌだけでなく、光
源１３２が固定されている基板張出部１１０Ｆ上にも形成されていることが好ましい。こ
のようにすると、基板張出部１１０Ｆ′内の光に対しても第１基板１１０′内への閉じ込
め効果を得ることができる。
【００７１】
また、上記第１基板１１０′の外面上には、上記光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙを形
成する凹溝内に充填されるとともに、当該外面上に連続する補強層１１９が形成されるこ
とが好ましい。この補強層１１９は、凹溝が形成されることによる第１基板１１０′の剛
性不足を補うものである。この補強層１１９は、上記光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙの
全反射特性を阻害しないように、低屈折率素材、例えばフッ化マグネシウム等で構成され
ることが好ましい。この補強膜１１９は蒸着法などで形成することができる。補強膜１１
９の表面は図示例のように平坦に構成することが好ましい。このようにすると、洗浄やふ
き取り等のような表面の清浄化処理が容易になる。
【００７２】
一方、図示例では、第２基板１２０の内面上にも、上記と同様の内面偏光層１２７′が
形成されている。しかしながら、この第２基板１２０に関しては、内面偏光層１２７′を
設ける代わりに、先の実施形態と同様に第２基板１２０の外面上に偏光板を配置しても構
わない。
【００７３】
さらに、第１基板１１０′の端面には光反射層１３６が形成されている。すなわち、図
示例の場合、第１基板１１０′の矩形の平面形状で構成された４辺に各々端面部が設けら
れ、これらの端面部のうちの光源１３２及び反射板１３４が配置されている側の一辺の端
面部（光取り込み面１１０ａの設けられている側の端面）を除いた、残りの３辺の端面部
上に全て光反射層１３６が形成されている。この光反射層１３６は、具体的には、アルミ
ニウムや白色樹脂などの反射性素材を上記端面部に被着させたものである。なお、反射板
１３４′が配置されない場合には、第１基板１１０′の端面全て（すなわち全周）に光反
射層１３６を形成してもよい。
【００７４】
本実施形態では、第１基板１１０′を導光体として用いることによって、他の導光体を
重ねて配置する必要がなくなるので、全体として大幅な薄型化を図ることができる。また
、光源１３２から放射されて直接に第１基板１１０′に取り込まれた光はそのままパネル
内にとどまって表示光として出射されるので、全体として光の利用効率を高めることがで
きる。
【００７５】
なお、本実施形態では、光源１３２から放出された光の第１基板１１０′内の伝播方向
に沿った画素の配列態様に整合するように、光偏向用斜面１１０ｘが形成されていること
が好ましい。特に、上記伝播方向に沿った一つの画素に必ず一つの光偏向用斜面１１０ｘ
が配置されるように構成されることが望ましい。このようにすると、照明光の照度分布と
画素の配列態様との関係で生ずるモアレ縞の発生を防止することができる。また、画素が
上記伝播方向に一定の配列周期で配列されている場合には、光偏向用斜面１１０ｘもまた
、上記伝播方向に同じ周期で形成されることが好ましい。
【００７６】
ただし、光偏向用斜面１１０ｘによる照明光の照度分布は一般的には第１基板１１０′
の法線方向にピークを有するとは限らず、例えば、法線方向に対してやや伝播方向へ傾斜
した方向にピークを有することが多いので、光偏向用斜面１１０ｘから見て照度分布のピ
ーク方向に画素（の中央部）が存在するように、光偏向用斜面１１０ｘと画素との位置関
係を設定することが好ましい。このようにすると、照明光を効率的に表示に寄与する光と
なるように用いることが可能になるので、光の利用効率を高めることができる。
【００７７】
なお、光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙは、レジスト等からなる適宜のパターンのマス
クを設けた上で、フッ化水素酸等を含有するウエットエッチング等を施すことによって容
易に形成することができる。
【００７８】
製造工程としては、複数の液晶パネル分を包含するマザー基板（多数個取り基板）を用
いる場合、個々の液晶パネルを分離して完成させてから第１基板１１０′の外面にエッチ
ング加工等によって光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙを形成してもよく、或いは、マザー
基板において最初に光偏向用斜面１１０ｘ、１１０ｙを形成してもよいが、外面の損傷や
汚染を防止するためには前者である方が好ましい。また、当然のことながら、マザー基板
を用いずに個々に液晶パネルを形成することもでき、この場合でも工程順については上記
と同様である。
【００７９】
また、光源１３２の形成については、第１実施形態と同様に、第１基板の内面構造と同
じプロセスで光源１３２の薄膜のうちの一部、例えば、下電極、バンク、上電極、封止層
などを形成してもよい。
【００８０】
［第５実施形態］
次に、図９を参照して、本発明に係る第２実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第４実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００８１】
本実施形態では、第１基板１１０″の基板張出部１１０Ｆ″を楔状に構成し、光取り込
み面１１０ａに入射した内部伝播光を液晶配置領域Ｌ側へ偏向させるための光偏向用斜面
１１０ｘ″を形成している。この光偏向用斜面１１０ｘ″の外面上には反射層１１０ｚを
配置し、光取り込み面１１０ａに入射した光が反射層１１０ｚによって効率的に第１基板
１１０″の液晶配置領域Ｌと重なる領域へ導かれるように構成している。これによって、
光偏向用斜面１１０ｘ″及び反射層１１０ｚによる偏向時の光の伝播効率を高めることが
できる。
【００８２】
［第６実施形態］
次に、図１０を参照して、本発明に係る第６実施形態について説明する。図１０は、本
実施形態の電気光学装置の概略平面図である。本実施形態の構造は、上記第１乃至第５実
施形態のいずれの実施形態でも同様の構成を採ることができるものである。ここで、本実
施形態においては第１基板上の構造のみが上記実施形態と異なるので、当該構造について
のみ説明する。
【００８３】
本実施形態では、第１基板２１０と第２基板２２０との間の液晶配置領域Ｌに図示しな
い電気光学物質である液晶が配置され、液晶配置領域Ｌの外側、具体的には、第１基板２
１０に設けられた基板張出部２１０Ｅ上に光源２３２が固定されている。また、この基板
張出部２１０Ｅ上には配線基板２３５も実装されており、配線基板２３５の図示しない配
線は、基板張出部２１０Ｅ上に引き出された配線２３８，２３９と導電接続されている。
【００８４】
基板張出部２１０Ｅ上に形成された配線２３８は、液晶配置領域Ｌ内に形成される図示
しない第１電極及び第２電極に対して直接若しくは間接的に接続されている。また、光源
２３２は基板張出部２１０Ｅ上に形成された配線２３９に導電接続され、この配線２１９
を介して配線基板２３５から電力を供給されるように構成されている。
【００８５】
本実施形態では、基板張出部２１０Ｅの幅方向に複数の光源２３２が間隔を有して配列
されており、配線２３８は、光源２３２の配置されていない領域を通過して液晶配置領域
Ｌ内に延在している。
【００８６】
［第７実施形態］
次に、図１１を参照して、本発明に係る第７実施形態について説明する。図１１は、本
実施形態の電気光学装置の概略平面図である。本実施形態の構造についても、上記第１乃
至第５実施形態のいずれの実施形態でも同様の構成を採ることができるものである。本実
施形態においても第１基板上の構造のみが上記実施形態と異なるので、当該構造について
のみ説明する。
【００８７】
本実施形態では、第１基板２１０′と第２基板２２０′との間の液晶配置領域Ｌに図示
しない電気光学物質である液晶が配置され、液晶配置領域Ｌの外側、具体的には、第１基
板２１０′に設けられた基板張出部２１０Ｅ′上に、液晶配置領域Ｌ内に形成された第１
電極及び第２電極に直接若しくは間接的に接続された配線２３８′が引き出され、その先
端に入力端子２３８ｘ′が設けられている。また、第１基板２１０′にはもう一つの基板
張出部２１０Ｆ′が設けられ、この基板張出部２１０Ｆ′上に光源２３２′が固定されて
いる。本実施形態の光源２３２は、液晶配置領域Ｌの幅に対応する範囲に亘って延在する
形状に構成された延長形状の光放出面を有する光源（基本的には線状光源）となっている
。なお、このような延長形状の光源は上記のいずれの実施形態でも採用できる。
【００８８】
また、基板張出部２１０Ｅ′と２１０Ｆ′の合流部（第１基板２１０の角部）には光源
２３２′に接続される配線２３９′に設けられた入力端子２３９ｘ′が形成されている。
【００８９】
本実施形態の場合、基板張出部２１０Ｅ′は矩形の第１基板２１０′の一つの辺に沿っ
て設けられ、基板張出部２１０Ｆ′は、当該一つの辺に隣接する他の辺に沿って設けられ
ている。上記入力端子２３８ｘ′及び２３９ｘ′は、基板張出部２１０Ｅ′上に実装され
る図示しない配線基板等に導電接続される。
【００９０】
［第８実施形態］
最後に、上記各実施形態の電気光学装置１００を搭載した電子機器の実施形態について
説明する。図１２は、本実施形態の電子機器の一例としての携帯電話機３００を示してい
る。ここに示す携帯電話機３００は、複数の操作ボタン３０１ａ，３０１ｂ及び送話口な
どを備えた操作部３０１と、表示画面３０２ａや受話口などを備えた表示部３０２とを有
し、表示部３０２の内部に上記の電気光学装置１００が組み込まれてなる。
【００９１】
そして表示部３０２の表示画面３０２ａにおいて電気光学装置１００により形成された
表示画像を視認することができるようになっている。この場合、携帯電話機３００の内部
には、上記電気光学装置１００を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路
は、電気光学装置１００に対して映像信号その他の入力データや所定の制御信号を送り、
その動作態様を決定するように構成されている。
【００９２】
尚、本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各
実施形態では電気光学装置として液晶を用いた液晶装置を例として説明したが、本発明は
、電気泳動表示装置等の他の電気光学装置にも適用可能である。また、上記実施形態では
図１乃至図１１に示す例では透過型液晶装置として、図１３及び図１３に示す例では半透
過反射型液晶装置として説明したが、フロントライト型の反射型液晶装置等の他の形式の
装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】第１実施形態の概略縦断面図。
【図２】第１実施形態の概略平面図。
【図３】第１実施形態の概略底面図。
【図４】第２実施形態の概略縦断面図。
【図５】第３実施形態の概略縦断面図。
【図６】第４実施形態の概略縦断面図。
【図７】第４実施形態の概略平面図。
【図８】第４実施形態の概略底面図。
【図９】第５実施形態の概略縦断面図。
【図１０】第６実施形態の概略縦断面図。
【図１１】第７実施形態の概略縦断面図。
【図１２】電子機器の一例（第８実施形態）を示す概略斜視図。
【図１３】第１実施形態の他の構成例の画素構造を示す拡大平面図。
【図１４】第１実施形態の他の構成例の画素構造を示す拡大縦断面図。
【図１５】第１実施形態の光源の構成例を示す拡大縦断面図。
【図１６】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図１７】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図１８】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図１９】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２０】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２１】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２２】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２３】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２４】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２５】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【図２６】第１実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。
【符号の説明】
【００９４】
１００…電気光学装置、１１０…第１基板、１２２…配線素子構造、１２２ａ…半導体層
、１２２ｂ…ゲート絶縁膜、１２２ｃ…ゲート電極、１２２ｄ…データ線、１２２ｇ…走
査線、１２３Ａ，１２３Ｂ…層間絶縁膜、１２０…第２基板、１３１…液晶、１３２…光
源、１３２ｘ…光放出面、１３２ａ…下電極、１３２ｂ…バンク、１３２ｃ…発光構造、
１３２ｄ…上電極、１３２２…スイッチング素子、１３２２ａ…半導体層、１３２２ｂ…
ゲート絶縁膜、１３２２ｃ…ゲート電極、１３２２ｄ…データ線、１３２３Ａ，１３２３
Ｂ、１３２３Ｃ…層間絶縁膜、１４０…導光板、１４０ａ…光取り込み面、１４０ｂ…光
出射面、１４０ｘ、１４０ｙ…光偏向用斜面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向してなる第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、
前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面に対向してなる導光手段と、
前記第１基板の前記第２基板側の面に設けられた光源と、を具備し、
前記光源から出射された光は、前記第１基板を透過して前記導光手段に入射し、前記導
光手段を伝播して前記導光手段から出射され、再び前記第１基板に入射して前記電気光学
パネルの表示に寄与することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
第１基板と、
前記第１基板に対向してなる第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、
前記第１基板の前記第２基板側の面に設けられた光源と、を具備し、
前記光源から出射された光は、前記第１基板に入射し、前記第１基板を伝播して前記第
１基板の前記第２基板側の面から出射され、前記電気光学物質に入射して表示に寄与する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記光源は、前記電気光学物質が配置される領域から外れた領域に設けられていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記光源は、前記第１基板における前記第２基板の外形よりも外側へ張り出した基板張
出部に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板は、薄膜積層構造によって構成されたスイッチング素子と、前記スイッチ
ング素子に接続されてなり、前記電気光学物質に電圧を印加するための電極と、を有し、
前記光源は、前記スイッチング素子の薄膜積層構造の少なくとも一部と同じ薄膜積層構
造を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１基板は、前記電気光学物質を電気的に制御するための電極を含む画素構造を有
し、前記光源は、前記画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有することを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記光源は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至
６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記光源は、発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一
項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１基板には、内部に入射した光を偏向させ、前記第２基板側の面から出射させる
光偏向用斜面が前記第２基板とは反対側の面に設けられてなることを特徴とする請求項２
に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
複数の画素を備え、
前記光偏向用斜面は、前記画素に対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴と
する請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
複数の画素が周期的に配列され、
複数の前記光偏向用斜面は、前記画素の配列周期に一致する周期で形成されていること
を特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１基板の前記第２基板側の面上に、偏光子又は検光子を構成する内面偏光層が形
成されていることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部として備えていること
を特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向してなる第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、
前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面に対向してなる導光手段と、
前記第１基板の前記第２基板側の面に設けられた光源と、を具備し、
前記光源から出射された光は、前記第１基板を透過して前記導光手段に入射し、前記導
光手段を伝播して前記導光手段から出射され、再び前記第１基板に入射して前記電気光学
パネルの表示に寄与することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
第１基板と、
前記第１基板に対向してなる第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板に挟持されてなる電気光学物質と、
前記第１基板の前記第２基板側の面に設けられた光源と、を具備し、
前記光源から出射された光は、前記第１基板に入射し、前記第１基板を伝播して前記第
１基板の前記第２基板側の面から出射され、前記電気光学物質に入射して表示に寄与する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記光源は、前記電気光学物質が配置される領域から外れた領域に設けられていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記光源は、前記第１基板における前記第２基板の外形よりも外側へ張り出した基板張
出部に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板は、薄膜積層構造によって構成されたスイッチング素子と、前記スイッチ
ング素子に接続されてなり、前記電気光学物質に電圧を印加するための電極と、を有し、
前記光源は、前記スイッチング素子の薄膜積層構造の少なくとも一部と同じ薄膜積層構
造を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１基板は、前記電気光学物質を電気的に制御するための電極を含む画素構造を有
し、前記光源は、前記画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有することを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記光源は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至
６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記光源は、発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一
項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１基板には、内部に入射した光を偏向させ、前記第２基板側の面から出射させる
光偏向用斜面が前記第２基板とは反対側の面に設けられてなることを特徴とする請求項２
に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
複数の画素を備え、
前記光偏向用斜面は、前記画素に対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴と
する請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
複数の画素が周期的に配列され、
複数の前記光偏向用斜面は、前記画素の配列周期に一致する周期で形成されていること
を特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１基板の前記第２基板側の面上に、偏光子又は検光子を構成する内面偏光層が形
成されていることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部として備えていること
を特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２】
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【図４】
【図５】
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【図８】
【図９】
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【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【公開番号】特開２００７−１２１９９４（Ｐ２００７−１２１９９４Ａ）
【公開日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１０１６２１（Ｐ２００６−１０１６２１）
【出願日】平成１８年４月３日（２００６．４．３）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月３日（２００６．４．３）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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