電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
【課題】 一対の基板に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置において、シール材の配向膜への浸透や侵入を防止する。
【解決手段】 一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に配向膜を形成する第１工程と、配向膜が形成された基板上における周辺領域に硬化前のシール材を塗布する第２工程と、シール材において、少なくとも配向膜と面する一部を硬化させる第３工程と、一対の基板を、シール材を介して貼り合せる第４工程と、シール材を全体的に硬化させる第５工程とを含む。
【解決手段】 一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に配向膜を形成する第１工程と、配向膜が形成された基板上における周辺領域に硬化前のシール材を塗布する第２工程と、シール材において、少なくとも配向膜と面する一部を硬化させる第３工程と、一対の基板を、シール材を介して貼り合せる第４工程と、シール材を全体的に硬化させる第５工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置には、例えば、シール材によって貼り合わされた一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶装置がある。このような液晶装置では、液晶の配向制御を、特定の表面形状をもつ配向膜により行う。より具体的には、配向膜は、例えば、一対の基板のうち少なくとも一方の基板における液晶と対向する表面上に、シリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料から形成される。
【０００３】
また、シール材は、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等から形成される。そして、液晶装置の製造プロセスにおいて、シール材を一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に塗布した後、紫外線照射、加熱等により硬化する。この際、シール材が硬化されるまでに、配向膜に、シール材の成分が拡散して浸透或いは浸入することがある。その結果、配向膜において、シール材の成分が浸透或いは浸入した部分において、液晶の配向制御が正常に行われなくなる恐れがある。このような配向不良は、特に、配向膜においてシール材近傍に位置する配向膜部分に生じる傾向がある。そして、このような配向不良が生じると、画像表示時、光漏れが生じて表示画像の品質が劣化する恐れがある。
【０００４】
このような問題点を解決するために、紫外線硬化樹脂から形成されるシール材を硬化させる際、該シール材に紫外線照射が十分に行われるようにするための、一対の基板の構成が、特許文献１に開示されている。また、特許文献２によれば、一対の基板をシール材によって貼り合せた後、液晶を注入する前に、一対の基板を加熱することにより、紫外線硬化樹脂から形成されるシール材から配向膜に浸透或いは浸入する成分を揮発させる技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１０７５３０号公報
【特許文献２】特開平７−１６８１９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示の技術によれば、既に説明したように、シール材を硬化させる際に、配向膜にシール材の成分が浸透或いは浸入する恐れがある。また、特許文献２に開示の技術によれば、液晶装置の製造プロセスにおける工程数が増加して、その手間が煩雑となる恐れがある。
【０００７】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、上述したような、シール材の成分の、配向膜への浸透や侵入を防止して、高品質な画像表示を行うことが可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにこのような電気光学装置を備えてなる液晶プロジェクタ等の電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するため、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に配向膜を形成する第１工程と、前記配向膜が形成された前記基板上における、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、硬化前のシール材を塗布する第２工程と、前記シール材において、少なくとも前記配向膜と面する一部を硬化させる第３工程と、前記一対の基板を、前記シール材を介して貼り合せる第４工程と、前記シール材を全体的に硬化させる第５工程とを含む。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法によって製造される電気光学装置において、シール材によって貼り合わされた一対の基板間に、電気光学物質として、例えば液晶が挟持されている。また、一対の基板の少なくとも一方の基板上の画像表示領域には配向膜が形成される。そして、電気光学装置を駆動させない状態で、電気光学物質は配向膜により所定の配向状態をとる。このような電気光学装置では、その動作時に、画素毎に電気光学物質に画像信号に応じた電圧を印加することにより、該電気光学物質の配向状態を変えることで、例えば光源から入射される光を変調する。そして、電気光学物質によって変調された光が表示光として出射されることにより、画像表示が行われる。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法において、第１工程では、例えば、一対の基板の少なくとも一方の基板上の少なくとも画像表示領域に、シリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料を斜方蒸着する。この際、基板上に蒸着された無機材料は、所定角度の柱状構造物が配列するように、成長することにより、配向膜が形成される。こうして得られる配向膜は、表面形状効果により、電気光学物質を配向させることができる。また、ポリイミド等の有機材料を、一対の基板の少なくとも一方の基板上の少なくとも画像表示領域に成膜した後、該有機膜にラビング処理を施すことにより配向膜を形成するようにしてもよい。
【００１１】
続いて、第２工程では、第１工程において、配向膜が形成された基板上の周辺領域に、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等の樹脂材料からなるシール材を塗布する。この際、シール材を、スクリーン印刷するか又はディスペンサーで描画することにより、画像表示領域を囲むように、例えば額縁状にシール材を塗布する。また、第１工程において、一対の基板の各々に配向膜が形成されている場合には、一対の基板のうち少なくとも一方の基板上にシール材を塗布するようにしてもよいし、一対の基板の両方にシール材を塗布するようにしてもよい。第２工程が終了すると、硬化されていない状態のシール材が、周辺領域に塗布された状態となる。このシール材を、その一部を切り欠いた状態で塗布することにより、第５工程において一対の基板を貼り合わせた後に、この一対の基板間に、液晶等の電気光学物質を注入するための注入口を設けるようにしてもよい。
【００１２】
続いて、第３工程では、シール材に対して紫外線照射を行うか又はシール材を加熱することにより、シール材において、少なくとも配向膜と面する一部を硬化させる。この際、シール材は全体的に硬化されない、即ち第３工程終了時、シール材において硬化されない部分が残ることとなる。より具体的には、第３工程では、シール材を、シール材における基板と対向する面から、シール材の内部に向かって、配向膜の厚さより厚く硬化させる。これに加えて若しくは代えて、シール材における電気光学物質と接触することになる側の表面から、シール材の内部に向かって、シール材を硬化させるようにしてもよい。
【００１３】
その後、第４工程において、前述したように硬化されない部分を有するシール材を介して、一対の基板を対向配置させて貼り合せる。この際、一対の基板の各々の対向面に、シール材における硬化されていない部分が面するように、一対の基板を対向配置させる。第３工程では、シール材は全体的に硬化されないため、第４工程において、一対の基板を、該一対の基板の間隔即ちギャップが所定値となるように対向配置させることが可能となる。例えば、シール材中に、グラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材を散布して、一対の基板の各々における対向面とは反対側の面に対して所定の圧力を加えて、一対の基板のギャップを所定値に維持しつつ、対向配置させる。ここで、第３工程で、シール材において、基板と対向する面を含む一部が硬化されている場合には、該硬化部分の厚さに対応して、シール材に散布するグラスファイバ或いはガラスビーズのサイズ、より具体的には、例えばガラスビーズの径を調整することにより、一対の基板のギャップを調整するようにしてもよい。
【００１４】
続いて、第５工程において、シール材を全体的に硬化させる。そして、例えば、第５工程の後に、一対の基板間に液晶を注入することにより、電気光学装置を形成する。
【００１５】
以上説明したような、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第４及び第５工程の前に、第３工程を行うことにより、硬化前のシール材の一部から、シール材の成分が配向膜に浸透或いは浸入する時間を、既に説明したような先行技術と比較して顕著に短くすることが可能となる。よって、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特にシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材が浸透或いは浸入する量を低減することができる。その結果、配向膜による配向機能が、シール材の浸透或いは浸入によって損なわれることを効果的に防止することが可能となる。また、第３工程から第５工程までの各工程は、同一の製造装置で行うことができるため、新たな製造工程の追加を伴うこと無く行うことが可能である。
【００１６】
よって、以上説明したように、本発明の電気光学装置の製造方法では、液晶を封入後に、液晶の配向不良を防止することができるため、該電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置では、光漏れを防止して高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記第３工程では、前記シール材を、前記シール材における前記配向膜が形成された基板と対向する面から、前記シール材の内部に向かって、前記配向膜の厚さより厚く硬化させる。
【００１８】
この態様によれば、第４及び第５工程の前に、第３工程を行なうことにより、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特に配向膜におけるシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材が浸透或いは浸入する量を、より一層顕著に低減することが可能となる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３工程では、前記シール材を、前記シール材における前記電気光学物質と接触することになる側の表面から、前記シール材の内部に向かって硬化させる。
【００２０】
この態様によれば、第３工程で、シール材において、電気光学物質と接触することになる側の表面を含む一部を硬化させておき、第５工程でシール材を全体的に硬化させることにより、シール材が配向膜に侵入しやすく且つ最も配向不良を引き起こしやすい領域について、該シール材の侵入を効果的に防ぐことができる。また特に、例えば、両基板の貼り合わせ前に電気光学物質をシール材に囲まれた領域に滴下する際に、シール材において硬化されていない部分が電気光学物質に接触して、この部分よりシール材の成分が、電気光学物質中に混入する事態を防止することができる。これらの結果、液晶の配向が乱れる事態をより確実に防止することができる。
【００２１】
例えば、第３工程では、第２工程でシール材が塗布された基板における、シール材が塗布された側と反対側の基板面に対して、該基板面における中央よりから斜め外側に向けて、即ち、シール材における電気光学物質と接触することになる側の表面に対して、前述の反対側の基板面から斜めに光を照射する。その結果、シール材において、電気光学物質と接触することになる側の表面を含む一部を硬化させることが可能となる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第１工程では、前記一対の基板に夫々前記配向膜を形成する。
【００２３】
この態様によれば、第２工程で、例えば夫々配向膜が形成された一対の基板の両方にシール材を塗布した後、第３工程で、一対の基板の各々について、シール材において、少なくとも配向膜と面する一部を硬化させる。このように製造することにより、一対の基板の各々について、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特にシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材が浸透或いは浸入する量を低減することができる。尚、このように製造された電気光学装置では、電気光学物質は、一対の基板の各々に形成された配向膜によって所定の配向状態をとる。
【００２４】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３工程及び前記第５工程において、前記シール材に紫外線照射を行って、前記シール材を硬化させる。
【００２５】
この態様によれば、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特にシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材における、特に紫外線照射により硬化される成分が浸透或いは浸入する量を低減することができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３工程及び前記第５工程において、前記シール材を加熱して、前記シール材を硬化させる。
【００２７】
この態様によれば、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特にシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材における、特に加熱により硬化される成分が浸透或いは浸入する量を低減することができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第１工程では、前記配向膜を、無機材料により形成する。
【００２９】
この態様によれば、第１工程において、配向膜を、有機材料により形成する場合と比較して、無機材料により形成する場合に、配向膜において、シール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材の成分が浸透或いは浸入しやすい。よって、この場合において、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特に配向膜におけるシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材が浸透或いは浸入する量を低減することにより、より効果的に、配向膜による配向機能が損なわれるのを防止することが可能となる。
【００３０】
尚、有機材料から配向膜を形成する場合にも、シール材は、配向膜上に侵入する可能性はある、或いは条件に応じて大なり小なり侵入する或いは流れるので、本発明の上述の如き効果は、相応に得られる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第２工程では、前記シール材を、前記画像表示領域を囲むように額縁状に塗布すると共に、前記第３工程の後であって、前記第４工程より前に、前記配向膜が形成された基板上における前記シール材に囲まれた領域に、前記電気光学物質を載置する工程を更に含む。
【００３２】
この態様によれば、第３工程で、シール材において少なくとも配向膜に面する一部を硬化させた後、シール材が塗布された基板上に、例えば電気光学物質として液晶を滴下して、載置する。この際、第３工程で、シール材において、電気光学物質と接触することになる側の表面を含む一部を硬化させておくことにより、載置された電気光学物質中にシール材の成分が混入する事態を防止することができる。
【００３３】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に形成された配向膜と、前記配向膜が形成された前記基板上における、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に塗布され、少なくとも前記配向膜と面する一部が硬化された後、前記一対の基板を対向配置させて全体的に硬化されることで形成されたシール材とを備える。
【００３４】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置の製造方法（但し、その各種態様を含む）により製造される。よって、電気光学装置において光漏れを防止して高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００３５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備する。
【００３６】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてDLP（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。
【００３７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３９】
＜１：第１実施形態＞
先ず、本発明の電気光学装置に係る第１実施形態について、図１から図９を参照して説明する。
【００４０】
＜１−１：電気光学装置の構成＞
本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４１】
ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。なお、以下で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４２】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とのギャップを所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。図２には、ギャップ材５６として略球状のガラスビーズを、シール材５２に混入した構成を示してある。尚、ギャップ材５６を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４４】
更に、シール材５２の一部においては、図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０により挟まれた間隙内に液晶を注入するための液晶注入口５１が設けられている。完成された電気光学装置では、この液晶注入口５１には、前記間隙内に導入された液晶が外部に漏れることのないようにするため、例えば紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる封止材５４が設けられる。
【００４５】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２には図示を省略してあるが、この積層構造上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが形成されている。そして、画素電極９ａ上には、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜１６が設けられている。
【００４９】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００５０】
そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が形成される。また、遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。
【００５１】
対向基板２０の対向面上における、これら各種の構成要素が作り込まれた積層構造上には、例えばシリカ等の無機材料からなる配向膜２２が形成されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれか一方の対向面上に配向膜を形成するようにしてもよい。
【００５２】
また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、一対の配向膜１６及び２２間で、所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０上に、配向膜１６は、画像表示領域１０ａ及び画像表示領域１０ａから延在して、周辺領域におけるシール領域を含む領域に連続的に形成されている。また、対向基板２０上においても、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６と同様の領域に、配向膜２２が形成される。
【００５３】
ここで、図３には、図２に対応する断面の構成について、特に、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６による液晶の配向について模式的に示してある。
【００５４】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、ＴＦＴ等の各種構成要素が作りまれた積層構造９０が形成されており、この積層構造９０上には画素電極９ａを構成する透明導電膜９が形成されている。そして、透明導電膜９上に、配向膜１６を構成する無機材料の柱状構造物１６ａが、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して所定の角度をなして、配列している。このように形成された配向膜１６は、表面形状効果により、液晶分子５０ａを配向させることができる。尚、図３を参照して説明した配向膜１６による液晶の配向については、対向基板２０上に形成された配向膜２２についても同様である。
【００５５】
なお、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５６】
次に、以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について、図４を参照して説明する。図４は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００５７】
図４において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５８】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５９】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６０】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００６１】
＜１−２：電気光学装置の製造方法＞
以下では、上述した本実施形態の電気光学装置の製造プロセスについて、図５から図８を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る電気光学装置が、比較的大きいサイズのガラス基板上で一挙に複数形成されることを説明するための部分平面図である。また、図６及び図８は、図２に示す電気光学装置の断面の構成を、製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。また、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、シール材近傍の構成について拡大して示す拡大図である。
【００６２】
尚、以下においては、本実施形態において特徴的な、配向膜１６やシール材５２の形成に係る製造工程について、特に詳しく説明することとし、ＴＦＴアレイ基板１０の積層構造における走査線１１ａやデータ線６ａ、ＴＦＴ３０等の製造工程、及び対向基板２０の積層構造における遮光膜２３や対向電極２１等の製造工程に関しては詳細な説明を省略することとする。
【００６３】
まず、図６及び図８を参照して詳細な製造工程の説明に入る前に、その前提として、本実施形態に係る電気光学装置は、図５に示すような比較的大きなサイズのガラス基板Ｓの上において、一挙に複数形成される形態がとられるものとする。すなわち、ガラス基板Ｓの上において、電気光学装置が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各電気光学装置においては、それぞれ、図１から図４を参照して説明したような各種の構成要素（ＴＦＴ３０や走査線１１ａ、データ線６ａ等、或いは走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１等々）が形成されることになるのである。ちなみに、図５において示されるガラス基板Ｓは、図１及び図２に示されるＴＦＴアレイ基板１０に該当する。
【００６４】
また、図５では、ＴＦＴアレイ基板１０の側における各種の構成要素が形成されるガラス基板Ｓのみについて図示されているが、これとは別に、図５には図示しないガラス基板の上に、対向電極２１、配向膜２２等々が形成されて、対向基板２０が複数形成される。そして、ガラス基板Ｓと、図５には図示しない別のガラス基板とを対向させて、各電気光学装置について、個別に、シール材５２によって貼り合わせ、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶を封入する。その後、ガラス基板Ｓ及び図５には図示しない別のガラス基板を裁断することによって、図１及び図２に示したような各個別の電気光学装置が製造されることになる。
【００６５】
さて、以上の前提の下、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法について、図６及び図８を参照して説明する。
【００６６】
先ず、図６（ａ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、データ線６ａや走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等が作り込まれた積層構造の最上層に画素電極９ａが形成され、且つ周辺領域にはデータ線駆動回路１０１等が形成されている状態で、ＴＦＴアレイ基板１０上に、無機材料を斜方蒸着する。この際、ＴＦＴアレイ基板１０上に蒸着された無機材料の柱状構造物１６ａが、図３を参照して説明したように配列して成長することにより、配向膜１６が形成される。尚、配向膜１６の膜厚ｈａは、例えば１００［ｎｍ］で形成される。このような無機材料からなる配向膜１６を、イオンビームスパッタ等の指向性スパッタ法により、形成するようにしてもよい。
【００６７】
続いて、図６（ｂ）において、配向膜１６が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域におけるシール領域に、例えば紫外線・熱併用型硬化樹脂から形成され、ギャップ材としてガラスビーズ５６を混入させたシール材５２ａを、スクリーン印刷するか又はディスペンサーで描画することにより、塗布する。これにより、硬化されていない状態のシール材５２ａがシール領域に塗布された状態となる。尚、シール材５２ａのＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿った方向の厚さｄは、例えば１［ｍｍ］となる。
【００６８】
続いて、図６（ｃ）において、シール材５２ａに対して紫外線照射を行うことにより、シール材５２ａにおいて、少なくとも配向膜１６と面する一部を硬化させる。より具体的には、例えば図６（ｃ）中の矢印Ｘ１で示す方向、即ちＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して概ね垂直方向に、ＴＦＴアレイ基板１０においてシール材５２ａが塗布された面と反対側の面に対して、紫外線を照射する。これにより、図７（ａ）に示すように、シール材５２ａを、シール材５２ａにおけるＴＦＴアレイ基板１０と対向する面から、シール材５２ａの内部に向かって、所定の厚さｈｂだけ硬化させる。これにより形成された、シール材５２ａにおける硬化部分５２ｂの厚さｈｂは、配向膜１６の厚さｈａより厚くなるのが好ましい。よって、図６（ｃ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａは全体的に硬化されない。尚、図６（ｃ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａに対して紫外線照射を行うのに加えて若しくは代えて加熱するようにしてもよい。
【００６９】
その後、図８において、硬化されない部分を有するシール材５２ａを介して、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を対向配置させて貼り合せる。この際、図６（ｃ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａには硬化されない部分が残るため、以下に説明するように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のギャップを所定値となるように対向配置させることが可能となる。
【００７０】
ここで、以上説明したような、ＴＦＴアレイ基板１０に係る製造工程と並行して又は相前後して、対向基板２０において、遮光膜２３や対向電極２１等が作り込まれた積層構造上に、図６（ａ）を参照して説明した手順と同様に、配向膜２２が形成される。図８に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に塗布されたシール材５２ａにおける硬化されていない部分と、対向基板２０において配向膜２２が形成された側の面とを対向配置させる。この際、図８中の矢印Ｘ２の方向から、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の各々における対向面とは反対側の面に対して所定の圧力を加え、これら一対の基板１０及び２０のギャップを所定値に維持しつつ、対向配置させる。一対の基板１０及び２０のギャップｈｃは、図７（ａ）に示す、シール材５２ａの硬化部分５２ｂの厚さｈｂ及びガラスビーズのサイズ（径）Ｒを夫々調整することにより、所定値とすることが可能となる。例えば、一対の基板１０及び２０のギャップｈｃは、２〜３［μｍ］となる。尚、シール材５２ａにギャップ材５６を混入するのに加えて若しくは代えて、対向基板２０上にギャップ材を散布しておいて、この対向基板２０をＴＦＴアレイ基板１０と対向配置させるようにしてもよい。
【００７１】
続いて、一対の基板１０及び２０のギャップｈｃを所定値に維持しつつ、シール材５２ａを加熱して全体的に硬化させる。尚、この際、シール材５２ａを加熱するのに加えて若しくは代えて紫外線照射を行うようにしてもよい。これにより図１及び図２に示すシール材５２が形成される。
【００７２】
ここで、図８を参照して説明した工程の前に、図６（ｃ）を参照して説明した工程を行わない場合、シール材５２ａがＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、このシール材５２ａが全体的に硬化されるまでの間、硬化前のシール材５２ａと配向膜１６とが接触することとなる。この場合、図７（ｂ）中の矢印Ｙ１に示すように、シール材５２ａの成分が、無機材料の柱状構造物１６ａの隙間に拡散して、配向膜１６に浸透或いは浸入する恐れがある。シール材５２ａの材料の粘性、表面張力等と、柱状構造物１６ａの多数の隙間の大きさや形状等との関係で、該隙間を縫っての毛細管現象によりシール材１６ａの材料が侵入しやすい。このため、配向膜１６へ浸透或いは浸入するシール材５２ａの量は、特に、配向膜１６におけるシール材５２ａの近傍に位置する配向膜部分において多くなる。また、一対の基板１０及び２０を貼り合わせる際、対向基板２０上に形成された配向膜２２と、硬化前のシール材５２ａとが接触する時間と比較して、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６と、硬化前のシール材５２ａとが接触する時間は極めて長くなる。この点を鑑みれば、前述したようなシール材５２ａの成分の浸透や浸入は、特に、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６において発生し易くなる。これにより、配向膜１６において、シール材５２ａの成分が浸透或いは浸入することに起因して、特に、シール材５２ａの近傍に位置する配向膜部分において、配向不良が発生する恐れがある。
【００７３】
しかるに本実施形態では、一対の基板１０及び２０を貼り合せる前に、図６（ｃ）において、シール材５２ａにおけるＴＦＴアレイ基板１０と対向する面を含む一部を硬化させることにより、硬化前のシール材５２ａの一部から、シール材５２ａの成分が配向膜１６に浸透或いは浸入する時間を、顕著に短くすることが可能となる。よって、シール材５２ａを塗布後、このシール材５２ａを全体的に硬化させるまでの間に、配向膜１６に、特にシール材５２ａの近傍に位置する配向膜部分に、シール材５２ａが浸透或いは浸入する量を低減することができる。その結果、配向膜１６による配向機能が、シール材５２ａの浸透或いは浸入によって損なわれることを効果的に防止することが可能となる。更に、図６（ｃ）及び図８を参照して説明した各工程は、同一の製造装置で行うことができるため、電気光学装置の製造プロセスの工程数は増加しない。
【００７４】
従って、本実施形態の電気光学装置の製造方法では、液晶を封入後に、液晶の配向不良を防止することができるため、このような製造プロセスを経て製造された電気光学装置では、光漏れを防止して高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００７５】
尚、以上説明した本実施形態では、配向膜１６を、ポリイミド等の有機材料をＴＦＴアレイ基板１０上の少なくとも画像表示領域１０ａに成膜した後、該有機膜にラビング処理を施すことにより形成するようにしてもよい。また、これと同様に配向膜２２を対向基板２０上に形成するようにしてもよい。
【００７６】
更に、シール材５２ａを、対向基板２０上に塗布するようにしてもよい。この場合、図６（ｃ）に示す工程は、対向基板２０に対して行われるのが好ましい。これにより、この場合においても、前述した本実施形態の利益を享受することが可能となる。
【００７７】
＜１−３：変形例＞
本実施形態の変形例について、図９を参照して説明する。図９（ａ）には、本変形例に係る製造プロセスの一工程について、図２に示す電気光学装置の断面の構成を示してあり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す断面について、シール材近傍の構成を拡大して示す拡大図である。
【００７８】
図６（ｃ）を参照して説明した工程では、図９（ａ）に示すように、矢印Ｘ３で示す方向、即ちＴＦＴアレイ基板１０におけるシール材５２ａが塗布された面と反対側の面から、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面に向かう斜め方向に、紫外線を照射する。尚、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面は、該シール材５２ａが硬化された後、一対の基板１０及び２０間に挟持される液晶層５０に接触する表面となる。これにより、図９（ｂ）に示すように、シール材５２ａにおけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面から、シール材５２ａの内部に向かって、所定の厚さｈｂ１で硬化された部分に連続的に、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面からシール材５２ａの内部に向かって、所定の厚さｈｂ２で硬化された部分により、硬化部分５２ｂが形成される。また、図９（ａ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａは全体的に硬化されない。尚、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面からシール材５２ａの内部に向かって、所定の厚さｈｂ２で硬化された部分のみにより硬化部分５２ｂが形成されてもよい。
【００７９】
このように、シール材５２ａにおいて硬化部分５２ｂが形成されることにより、その後、シール材５２ａを全体的に硬化させれば、シール材５２において硬化されていない部分が液晶層５０に接触して、この部分よりシール材５２の成分が液晶層５０中に混入する事態を防止することができる。これにより、液晶層５０において配向が乱れる事態をより確実に防止することが可能となる。
【００８０】
＜２：第２実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態では、第１実施形態と電気光学装置の製造方法が部分的に異なっている。よって、第２実施形態における電気光学装置の製造方法について、重複する説明を省略すると共に、第１実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示し、異なる点についてのみ図１０を参照して説明する。図１０は、図２に示す電気光学装置の断面に対応する構成を、第２実施形態の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【００８１】
以下に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）を参照して説明する各工程は、図６を参照して説明した各工程を含む、ＴＦＴアレイ基板１０側の各種構成要素に係る製造工程と並行して又は相前後して行われる。
【００８２】
先ず、図１０（ａ）において、対向基板２０上に遮光膜２３や対向電極２１等が作り込まれた積層構造が形成され、この積層構造上に配向膜２２が形成された状態で、配向膜２２上に図６（ｂ）を参照して説明した手順と同様に、硬化されていない状態のシール材５２ａをシール領域に塗布する。
【００８３】
続いて、図１０（ｂ）において、図６（ｃ）を参照して説明した手順と同様に、
図１０（ｂ）中の矢印Ｘ４で示す方向、即ちＴＦＴアレイ基板１０に対する矢印Ｘ１で示す方向と同様の方向で、対向基板２０においてシール材５２ａが塗布された面と反対側の面に対して、紫外線を照射する。これにより、図７（ａ）を参照して説明した構成と同様に、シール材５２ａにおいて対向基板２０と対向する面を含むシール材５２ａの一部に硬化部分が形成される。よって、図１０（ｂ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａは全体的に硬化されない。
【００８４】
その後、図８を参照して説明した手順と同様に、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とを対向配置させて、夫々に形成されたシール材５２ａ同士を接着させて、このシール材５２ａを全体的に硬化させる。
【００８５】
よって、第２実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０側に加えて対向基板２０側においても、シール材５２ａを塗布後、このシール材５２ａを全体的に硬化させるまでの間に、配向膜２２に、特にシール材５２ａの近傍に位置する配向膜部分に、シール材５２ａが浸透或いは浸入する量を低減することができる。その結果、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６に加え、対向基板２０上に形成された配向膜２２による配向機能が、シール材５２ａの浸透或いは浸入によって損なわれることを効果的に防止することが可能となる。
【００８６】
＜３：第３実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第３実施形態について説明する。第３実施形態では、第１又は第２実施形態と、シール材の構成が異なると共に、電気光学装置の製造方法が部分的に異なっている。よって、第３実施形態における電気光学装置の構成及び製造方法について、重複する説明を省略すると共に、第１又は第２実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示し、異なる点についてのみ図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は、第３実施形態の電気光学装置の構成を示す、図１と同様の平面図であり、図１２は、図２に示す電気光学装置の断面に対応する構成を、第３実施形態の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【００８７】
第３実施形態では、図１１に示すように、電気光学装置において、シール領域に形成されたシール材５２には、液晶注入口５１及び該液晶注入口５１を封止する封止材５４が形成されない点が、第１又は第２実施形態と異なっている。
【００８８】
以下に、このような構成を有する電気光学装置の製造方法について、特徴的な製造プロセスについてのみ、図１２を参照して説明する。
【００８９】
図１２（ａ）において、図９（ａ）を参照して説明した工程と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０に対して、矢印Ｘ３の方向に紫外線を照射する。これにより、図９（ｂ）を参照して説明した構成と同様に、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面を含む硬化部分５２ｂが、シール材５２ａに形成される。
【００９０】
その後、図１２（ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上において、シール材５２ａに囲まれた領域に、好ましくは真空中で、液晶を滴下して液晶層５０を形成する。この際、液晶層５０は、シール材５２ａにおける硬化部分５２ｂと接触する。よって、シール材５２ａの成分が液晶層５０に混入するのを防止することができる。これにより、液晶層５０における配向不良を効果的に防止することが可能となる。
【００９１】
続いて、図８を参照して説明した手順と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、真空中で貼り合せる。
【００９２】
尚、第３実施形態では、シール材５２ａを対向基板２０上に塗布し、図１２（ａ）を参照して説明した工程と同様の工程を、対向基板２０に対して行った後、図１２（ｂ）を参照して説明した工程と同様の手順により、対向基板２０上に液晶層５０を形成するようにしてもよい。
【００９３】
＜４；電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【００９４】
＜４−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１３は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００９５】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、外部回路（図示省略）から外部接続用端子１０２に供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９６】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９７】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９８】
＜４−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１４は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００９９】
＜４−３；携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１５は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１００】
尚、図１３から図１５を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びにこれを備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本実施形態における電気光学装置の全体構成を表す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】配向膜による液晶の配向について模式的に示す模式図である。
【図４】複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図５】本実施形態に係る電気光学装置が、比較的大きいサイズのガラス基板上で一挙に複数形成されることを説明するための部分平面図である。
【図６】図２に示す電気光学装置の断面の構成を、製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図（その１）である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、シール材近傍の構成について拡大して示す拡大図である。
【図８】図２に示す電気光学装置の断面の構成を、製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図（その２）である。
【図９】図９（ａ）は、第１実施形態の変形例に係る製造プロセスの一工程について、図２に示す電気光学装置の断面の構成を示す図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す断面について、シール材近傍の構成を拡大して示す拡大図である。
【図１０】図２に示す電気光学装置の断面に対応する構成を、第２実施形態の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【図１１】第３実施形態の電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図１２】図２に示す電気光学装置の断面に対応する構成を、第３実施形態の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【図１３】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１４】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１５】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１６、２２…配向膜、２０…対向基板、５２…シール材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置には、例えば、シール材によって貼り合わされた一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶装置がある。このような液晶装置では、液晶の配向制御を、特定の表面形状をもつ配向膜により行う。より具体的には、配向膜は、例えば、一対の基板のうち少なくとも一方の基板における液晶と対向する表面上に、シリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料から形成される。
【０００３】
また、シール材は、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等から形成される。そして、液晶装置の製造プロセスにおいて、シール材を一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に塗布した後、紫外線照射、加熱等により硬化する。この際、シール材が硬化されるまでに、配向膜に、シール材の成分が拡散して浸透或いは浸入することがある。その結果、配向膜において、シール材の成分が浸透或いは浸入した部分において、液晶の配向制御が正常に行われなくなる恐れがある。このような配向不良は、特に、配向膜においてシール材近傍に位置する配向膜部分に生じる傾向がある。そして、このような配向不良が生じると、画像表示時、光漏れが生じて表示画像の品質が劣化する恐れがある。
【０００４】
このような問題点を解決するために、紫外線硬化樹脂から形成されるシール材を硬化させる際、該シール材に紫外線照射が十分に行われるようにするための、一対の基板の構成が、特許文献１に開示されている。また、特許文献２によれば、一対の基板をシール材によって貼り合せた後、液晶を注入する前に、一対の基板を加熱することにより、紫外線硬化樹脂から形成されるシール材から配向膜に浸透或いは浸入する成分を揮発させる技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１０７５３０号公報
【特許文献２】特開平７−１６８１９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示の技術によれば、既に説明したように、シール材を硬化させる際に、配向膜にシール材の成分が浸透或いは浸入する恐れがある。また、特許文献２に開示の技術によれば、液晶装置の製造プロセスにおける工程数が増加して、その手間が煩雑となる恐れがある。
【０００７】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、上述したような、シール材の成分の、配向膜への浸透や侵入を防止して、高品質な画像表示を行うことが可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにこのような電気光学装置を備えてなる液晶プロジェクタ等の電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するため、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に配向膜を形成する第１工程と、前記配向膜が形成された前記基板上における、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、硬化前のシール材を塗布する第２工程と、前記シール材において、少なくとも前記配向膜と面する一部を硬化させる第３工程と、前記一対の基板を、前記シール材を介して貼り合せる第４工程と、前記シール材を全体的に硬化させる第５工程とを含む。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法によって製造される電気光学装置において、シール材によって貼り合わされた一対の基板間に、電気光学物質として、例えば液晶が挟持されている。また、一対の基板の少なくとも一方の基板上の画像表示領域には配向膜が形成される。そして、電気光学装置を駆動させない状態で、電気光学物質は配向膜により所定の配向状態をとる。このような電気光学装置では、その動作時に、画素毎に電気光学物質に画像信号に応じた電圧を印加することにより、該電気光学物質の配向状態を変えることで、例えば光源から入射される光を変調する。そして、電気光学物質によって変調された光が表示光として出射されることにより、画像表示が行われる。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法において、第１工程では、例えば、一対の基板の少なくとも一方の基板上の少なくとも画像表示領域に、シリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料を斜方蒸着する。この際、基板上に蒸着された無機材料は、所定角度の柱状構造物が配列するように、成長することにより、配向膜が形成される。こうして得られる配向膜は、表面形状効果により、電気光学物質を配向させることができる。また、ポリイミド等の有機材料を、一対の基板の少なくとも一方の基板上の少なくとも画像表示領域に成膜した後、該有機膜にラビング処理を施すことにより配向膜を形成するようにしてもよい。
【００１１】
続いて、第２工程では、第１工程において、配向膜が形成された基板上の周辺領域に、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等の樹脂材料からなるシール材を塗布する。この際、シール材を、スクリーン印刷するか又はディスペンサーで描画することにより、画像表示領域を囲むように、例えば額縁状にシール材を塗布する。また、第１工程において、一対の基板の各々に配向膜が形成されている場合には、一対の基板のうち少なくとも一方の基板上にシール材を塗布するようにしてもよいし、一対の基板の両方にシール材を塗布するようにしてもよい。第２工程が終了すると、硬化されていない状態のシール材が、周辺領域に塗布された状態となる。このシール材を、その一部を切り欠いた状態で塗布することにより、第５工程において一対の基板を貼り合わせた後に、この一対の基板間に、液晶等の電気光学物質を注入するための注入口を設けるようにしてもよい。
【００１２】
続いて、第３工程では、シール材に対して紫外線照射を行うか又はシール材を加熱することにより、シール材において、少なくとも配向膜と面する一部を硬化させる。この際、シール材は全体的に硬化されない、即ち第３工程終了時、シール材において硬化されない部分が残ることとなる。より具体的には、第３工程では、シール材を、シール材における基板と対向する面から、シール材の内部に向かって、配向膜の厚さより厚く硬化させる。これに加えて若しくは代えて、シール材における電気光学物質と接触することになる側の表面から、シール材の内部に向かって、シール材を硬化させるようにしてもよい。
【００１３】
その後、第４工程において、前述したように硬化されない部分を有するシール材を介して、一対の基板を対向配置させて貼り合せる。この際、一対の基板の各々の対向面に、シール材における硬化されていない部分が面するように、一対の基板を対向配置させる。第３工程では、シール材は全体的に硬化されないため、第４工程において、一対の基板を、該一対の基板の間隔即ちギャップが所定値となるように対向配置させることが可能となる。例えば、シール材中に、グラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材を散布して、一対の基板の各々における対向面とは反対側の面に対して所定の圧力を加えて、一対の基板のギャップを所定値に維持しつつ、対向配置させる。ここで、第３工程で、シール材において、基板と対向する面を含む一部が硬化されている場合には、該硬化部分の厚さに対応して、シール材に散布するグラスファイバ或いはガラスビーズのサイズ、より具体的には、例えばガラスビーズの径を調整することにより、一対の基板のギャップを調整するようにしてもよい。
【００１４】
続いて、第５工程において、シール材を全体的に硬化させる。そして、例えば、第５工程の後に、一対の基板間に液晶を注入することにより、電気光学装置を形成する。
【００１５】
以上説明したような、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第４及び第５工程の前に、第３工程を行うことにより、硬化前のシール材の一部から、シール材の成分が配向膜に浸透或いは浸入する時間を、既に説明したような先行技術と比較して顕著に短くすることが可能となる。よって、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特にシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材が浸透或いは浸入する量を低減することができる。その結果、配向膜による配向機能が、シール材の浸透或いは浸入によって損なわれることを効果的に防止することが可能となる。また、第３工程から第５工程までの各工程は、同一の製造装置で行うことができるため、新たな製造工程の追加を伴うこと無く行うことが可能である。
【００１６】
よって、以上説明したように、本発明の電気光学装置の製造方法では、液晶を封入後に、液晶の配向不良を防止することができるため、該電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置では、光漏れを防止して高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記第３工程では、前記シール材を、前記シール材における前記配向膜が形成された基板と対向する面から、前記シール材の内部に向かって、前記配向膜の厚さより厚く硬化させる。
【００１８】
この態様によれば、第４及び第５工程の前に、第３工程を行なうことにより、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特に配向膜におけるシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材が浸透或いは浸入する量を、より一層顕著に低減することが可能となる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３工程では、前記シール材を、前記シール材における前記電気光学物質と接触することになる側の表面から、前記シール材の内部に向かって硬化させる。
【００２０】
この態様によれば、第３工程で、シール材において、電気光学物質と接触することになる側の表面を含む一部を硬化させておき、第５工程でシール材を全体的に硬化させることにより、シール材が配向膜に侵入しやすく且つ最も配向不良を引き起こしやすい領域について、該シール材の侵入を効果的に防ぐことができる。また特に、例えば、両基板の貼り合わせ前に電気光学物質をシール材に囲まれた領域に滴下する際に、シール材において硬化されていない部分が電気光学物質に接触して、この部分よりシール材の成分が、電気光学物質中に混入する事態を防止することができる。これらの結果、液晶の配向が乱れる事態をより確実に防止することができる。
【００２１】
例えば、第３工程では、第２工程でシール材が塗布された基板における、シール材が塗布された側と反対側の基板面に対して、該基板面における中央よりから斜め外側に向けて、即ち、シール材における電気光学物質と接触することになる側の表面に対して、前述の反対側の基板面から斜めに光を照射する。その結果、シール材において、電気光学物質と接触することになる側の表面を含む一部を硬化させることが可能となる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第１工程では、前記一対の基板に夫々前記配向膜を形成する。
【００２３】
この態様によれば、第２工程で、例えば夫々配向膜が形成された一対の基板の両方にシール材を塗布した後、第３工程で、一対の基板の各々について、シール材において、少なくとも配向膜と面する一部を硬化させる。このように製造することにより、一対の基板の各々について、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特にシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材が浸透或いは浸入する量を低減することができる。尚、このように製造された電気光学装置では、電気光学物質は、一対の基板の各々に形成された配向膜によって所定の配向状態をとる。
【００２４】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３工程及び前記第５工程において、前記シール材に紫外線照射を行って、前記シール材を硬化させる。
【００２５】
この態様によれば、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特にシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材における、特に紫外線照射により硬化される成分が浸透或いは浸入する量を低減することができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３工程及び前記第５工程において、前記シール材を加熱して、前記シール材を硬化させる。
【００２７】
この態様によれば、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特にシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材における、特に加熱により硬化される成分が浸透或いは浸入する量を低減することができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第１工程では、前記配向膜を、無機材料により形成する。
【００２９】
この態様によれば、第１工程において、配向膜を、有機材料により形成する場合と比較して、無機材料により形成する場合に、配向膜において、シール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材の成分が浸透或いは浸入しやすい。よって、この場合において、第２工程から第５工程までの間に、配向膜に、特に配向膜におけるシール材の近傍に位置する配向膜部分に、シール材が浸透或いは浸入する量を低減することにより、より効果的に、配向膜による配向機能が損なわれるのを防止することが可能となる。
【００３０】
尚、有機材料から配向膜を形成する場合にも、シール材は、配向膜上に侵入する可能性はある、或いは条件に応じて大なり小なり侵入する或いは流れるので、本発明の上述の如き効果は、相応に得られる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第２工程では、前記シール材を、前記画像表示領域を囲むように額縁状に塗布すると共に、前記第３工程の後であって、前記第４工程より前に、前記配向膜が形成された基板上における前記シール材に囲まれた領域に、前記電気光学物質を載置する工程を更に含む。
【００３２】
この態様によれば、第３工程で、シール材において少なくとも配向膜に面する一部を硬化させた後、シール材が塗布された基板上に、例えば電気光学物質として液晶を滴下して、載置する。この際、第３工程で、シール材において、電気光学物質と接触することになる側の表面を含む一部を硬化させておくことにより、載置された電気光学物質中にシール材の成分が混入する事態を防止することができる。
【００３３】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に形成された配向膜と、前記配向膜が形成された前記基板上における、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に塗布され、少なくとも前記配向膜と面する一部が硬化された後、前記一対の基板を対向配置させて全体的に硬化されることで形成されたシール材とを備える。
【００３４】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置の製造方法（但し、その各種態様を含む）により製造される。よって、電気光学装置において光漏れを防止して高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００３５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備する。
【００３６】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてDLP（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。
【００３７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３９】
＜１：第１実施形態＞
先ず、本発明の電気光学装置に係る第１実施形態について、図１から図９を参照して説明する。
【００４０】
＜１−１：電気光学装置の構成＞
本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４１】
ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。なお、以下で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４２】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とのギャップを所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。図２には、ギャップ材５６として略球状のガラスビーズを、シール材５２に混入した構成を示してある。尚、ギャップ材５６を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４４】
更に、シール材５２の一部においては、図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０により挟まれた間隙内に液晶を注入するための液晶注入口５１が設けられている。完成された電気光学装置では、この液晶注入口５１には、前記間隙内に導入された液晶が外部に漏れることのないようにするため、例えば紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる封止材５４が設けられる。
【００４５】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２には図示を省略してあるが、この積層構造上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが形成されている。そして、画素電極９ａ上には、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜１６が設けられている。
【００４９】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００５０】
そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が形成される。また、遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。
【００５１】
対向基板２０の対向面上における、これら各種の構成要素が作り込まれた積層構造上には、例えばシリカ等の無機材料からなる配向膜２２が形成されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれか一方の対向面上に配向膜を形成するようにしてもよい。
【００５２】
また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、一対の配向膜１６及び２２間で、所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０上に、配向膜１６は、画像表示領域１０ａ及び画像表示領域１０ａから延在して、周辺領域におけるシール領域を含む領域に連続的に形成されている。また、対向基板２０上においても、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６と同様の領域に、配向膜２２が形成される。
【００５３】
ここで、図３には、図２に対応する断面の構成について、特に、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６による液晶の配向について模式的に示してある。
【００５４】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、ＴＦＴ等の各種構成要素が作りまれた積層構造９０が形成されており、この積層構造９０上には画素電極９ａを構成する透明導電膜９が形成されている。そして、透明導電膜９上に、配向膜１６を構成する無機材料の柱状構造物１６ａが、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して所定の角度をなして、配列している。このように形成された配向膜１６は、表面形状効果により、液晶分子５０ａを配向させることができる。尚、図３を参照して説明した配向膜１６による液晶の配向については、対向基板２０上に形成された配向膜２２についても同様である。
【００５５】
なお、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５６】
次に、以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について、図４を参照して説明する。図４は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００５７】
図４において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５８】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５９】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６０】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００６１】
＜１−２：電気光学装置の製造方法＞
以下では、上述した本実施形態の電気光学装置の製造プロセスについて、図５から図８を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る電気光学装置が、比較的大きいサイズのガラス基板上で一挙に複数形成されることを説明するための部分平面図である。また、図６及び図８は、図２に示す電気光学装置の断面の構成を、製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。また、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、シール材近傍の構成について拡大して示す拡大図である。
【００６２】
尚、以下においては、本実施形態において特徴的な、配向膜１６やシール材５２の形成に係る製造工程について、特に詳しく説明することとし、ＴＦＴアレイ基板１０の積層構造における走査線１１ａやデータ線６ａ、ＴＦＴ３０等の製造工程、及び対向基板２０の積層構造における遮光膜２３や対向電極２１等の製造工程に関しては詳細な説明を省略することとする。
【００６３】
まず、図６及び図８を参照して詳細な製造工程の説明に入る前に、その前提として、本実施形態に係る電気光学装置は、図５に示すような比較的大きなサイズのガラス基板Ｓの上において、一挙に複数形成される形態がとられるものとする。すなわち、ガラス基板Ｓの上において、電気光学装置が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各電気光学装置においては、それぞれ、図１から図４を参照して説明したような各種の構成要素（ＴＦＴ３０や走査線１１ａ、データ線６ａ等、或いは走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１等々）が形成されることになるのである。ちなみに、図５において示されるガラス基板Ｓは、図１及び図２に示されるＴＦＴアレイ基板１０に該当する。
【００６４】
また、図５では、ＴＦＴアレイ基板１０の側における各種の構成要素が形成されるガラス基板Ｓのみについて図示されているが、これとは別に、図５には図示しないガラス基板の上に、対向電極２１、配向膜２２等々が形成されて、対向基板２０が複数形成される。そして、ガラス基板Ｓと、図５には図示しない別のガラス基板とを対向させて、各電気光学装置について、個別に、シール材５２によって貼り合わせ、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶を封入する。その後、ガラス基板Ｓ及び図５には図示しない別のガラス基板を裁断することによって、図１及び図２に示したような各個別の電気光学装置が製造されることになる。
【００６５】
さて、以上の前提の下、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法について、図６及び図８を参照して説明する。
【００６６】
先ず、図６（ａ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、データ線６ａや走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等が作り込まれた積層構造の最上層に画素電極９ａが形成され、且つ周辺領域にはデータ線駆動回路１０１等が形成されている状態で、ＴＦＴアレイ基板１０上に、無機材料を斜方蒸着する。この際、ＴＦＴアレイ基板１０上に蒸着された無機材料の柱状構造物１６ａが、図３を参照して説明したように配列して成長することにより、配向膜１６が形成される。尚、配向膜１６の膜厚ｈａは、例えば１００［ｎｍ］で形成される。このような無機材料からなる配向膜１６を、イオンビームスパッタ等の指向性スパッタ法により、形成するようにしてもよい。
【００６７】
続いて、図６（ｂ）において、配向膜１６が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域におけるシール領域に、例えば紫外線・熱併用型硬化樹脂から形成され、ギャップ材としてガラスビーズ５６を混入させたシール材５２ａを、スクリーン印刷するか又はディスペンサーで描画することにより、塗布する。これにより、硬化されていない状態のシール材５２ａがシール領域に塗布された状態となる。尚、シール材５２ａのＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿った方向の厚さｄは、例えば１［ｍｍ］となる。
【００６８】
続いて、図６（ｃ）において、シール材５２ａに対して紫外線照射を行うことにより、シール材５２ａにおいて、少なくとも配向膜１６と面する一部を硬化させる。より具体的には、例えば図６（ｃ）中の矢印Ｘ１で示す方向、即ちＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して概ね垂直方向に、ＴＦＴアレイ基板１０においてシール材５２ａが塗布された面と反対側の面に対して、紫外線を照射する。これにより、図７（ａ）に示すように、シール材５２ａを、シール材５２ａにおけるＴＦＴアレイ基板１０と対向する面から、シール材５２ａの内部に向かって、所定の厚さｈｂだけ硬化させる。これにより形成された、シール材５２ａにおける硬化部分５２ｂの厚さｈｂは、配向膜１６の厚さｈａより厚くなるのが好ましい。よって、図６（ｃ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａは全体的に硬化されない。尚、図６（ｃ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａに対して紫外線照射を行うのに加えて若しくは代えて加熱するようにしてもよい。
【００６９】
その後、図８において、硬化されない部分を有するシール材５２ａを介して、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を対向配置させて貼り合せる。この際、図６（ｃ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａには硬化されない部分が残るため、以下に説明するように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のギャップを所定値となるように対向配置させることが可能となる。
【００７０】
ここで、以上説明したような、ＴＦＴアレイ基板１０に係る製造工程と並行して又は相前後して、対向基板２０において、遮光膜２３や対向電極２１等が作り込まれた積層構造上に、図６（ａ）を参照して説明した手順と同様に、配向膜２２が形成される。図８に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に塗布されたシール材５２ａにおける硬化されていない部分と、対向基板２０において配向膜２２が形成された側の面とを対向配置させる。この際、図８中の矢印Ｘ２の方向から、対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の各々における対向面とは反対側の面に対して所定の圧力を加え、これら一対の基板１０及び２０のギャップを所定値に維持しつつ、対向配置させる。一対の基板１０及び２０のギャップｈｃは、図７（ａ）に示す、シール材５２ａの硬化部分５２ｂの厚さｈｂ及びガラスビーズのサイズ（径）Ｒを夫々調整することにより、所定値とすることが可能となる。例えば、一対の基板１０及び２０のギャップｈｃは、２〜３［μｍ］となる。尚、シール材５２ａにギャップ材５６を混入するのに加えて若しくは代えて、対向基板２０上にギャップ材を散布しておいて、この対向基板２０をＴＦＴアレイ基板１０と対向配置させるようにしてもよい。
【００７１】
続いて、一対の基板１０及び２０のギャップｈｃを所定値に維持しつつ、シール材５２ａを加熱して全体的に硬化させる。尚、この際、シール材５２ａを加熱するのに加えて若しくは代えて紫外線照射を行うようにしてもよい。これにより図１及び図２に示すシール材５２が形成される。
【００７２】
ここで、図８を参照して説明した工程の前に、図６（ｃ）を参照して説明した工程を行わない場合、シール材５２ａがＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、このシール材５２ａが全体的に硬化されるまでの間、硬化前のシール材５２ａと配向膜１６とが接触することとなる。この場合、図７（ｂ）中の矢印Ｙ１に示すように、シール材５２ａの成分が、無機材料の柱状構造物１６ａの隙間に拡散して、配向膜１６に浸透或いは浸入する恐れがある。シール材５２ａの材料の粘性、表面張力等と、柱状構造物１６ａの多数の隙間の大きさや形状等との関係で、該隙間を縫っての毛細管現象によりシール材１６ａの材料が侵入しやすい。このため、配向膜１６へ浸透或いは浸入するシール材５２ａの量は、特に、配向膜１６におけるシール材５２ａの近傍に位置する配向膜部分において多くなる。また、一対の基板１０及び２０を貼り合わせる際、対向基板２０上に形成された配向膜２２と、硬化前のシール材５２ａとが接触する時間と比較して、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６と、硬化前のシール材５２ａとが接触する時間は極めて長くなる。この点を鑑みれば、前述したようなシール材５２ａの成分の浸透や浸入は、特に、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６において発生し易くなる。これにより、配向膜１６において、シール材５２ａの成分が浸透或いは浸入することに起因して、特に、シール材５２ａの近傍に位置する配向膜部分において、配向不良が発生する恐れがある。
【００７３】
しかるに本実施形態では、一対の基板１０及び２０を貼り合せる前に、図６（ｃ）において、シール材５２ａにおけるＴＦＴアレイ基板１０と対向する面を含む一部を硬化させることにより、硬化前のシール材５２ａの一部から、シール材５２ａの成分が配向膜１６に浸透或いは浸入する時間を、顕著に短くすることが可能となる。よって、シール材５２ａを塗布後、このシール材５２ａを全体的に硬化させるまでの間に、配向膜１６に、特にシール材５２ａの近傍に位置する配向膜部分に、シール材５２ａが浸透或いは浸入する量を低減することができる。その結果、配向膜１６による配向機能が、シール材５２ａの浸透或いは浸入によって損なわれることを効果的に防止することが可能となる。更に、図６（ｃ）及び図８を参照して説明した各工程は、同一の製造装置で行うことができるため、電気光学装置の製造プロセスの工程数は増加しない。
【００７４】
従って、本実施形態の電気光学装置の製造方法では、液晶を封入後に、液晶の配向不良を防止することができるため、このような製造プロセスを経て製造された電気光学装置では、光漏れを防止して高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００７５】
尚、以上説明した本実施形態では、配向膜１６を、ポリイミド等の有機材料をＴＦＴアレイ基板１０上の少なくとも画像表示領域１０ａに成膜した後、該有機膜にラビング処理を施すことにより形成するようにしてもよい。また、これと同様に配向膜２２を対向基板２０上に形成するようにしてもよい。
【００７６】
更に、シール材５２ａを、対向基板２０上に塗布するようにしてもよい。この場合、図６（ｃ）に示す工程は、対向基板２０に対して行われるのが好ましい。これにより、この場合においても、前述した本実施形態の利益を享受することが可能となる。
【００７７】
＜１−３：変形例＞
本実施形態の変形例について、図９を参照して説明する。図９（ａ）には、本変形例に係る製造プロセスの一工程について、図２に示す電気光学装置の断面の構成を示してあり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す断面について、シール材近傍の構成を拡大して示す拡大図である。
【００７８】
図６（ｃ）を参照して説明した工程では、図９（ａ）に示すように、矢印Ｘ３で示す方向、即ちＴＦＴアレイ基板１０におけるシール材５２ａが塗布された面と反対側の面から、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面に向かう斜め方向に、紫外線を照射する。尚、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面は、該シール材５２ａが硬化された後、一対の基板１０及び２０間に挟持される液晶層５０に接触する表面となる。これにより、図９（ｂ）に示すように、シール材５２ａにおけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面から、シール材５２ａの内部に向かって、所定の厚さｈｂ１で硬化された部分に連続的に、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面からシール材５２ａの内部に向かって、所定の厚さｈｂ２で硬化された部分により、硬化部分５２ｂが形成される。また、図９（ａ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａは全体的に硬化されない。尚、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面からシール材５２ａの内部に向かって、所定の厚さｈｂ２で硬化された部分のみにより硬化部分５２ｂが形成されてもよい。
【００７９】
このように、シール材５２ａにおいて硬化部分５２ｂが形成されることにより、その後、シール材５２ａを全体的に硬化させれば、シール材５２において硬化されていない部分が液晶層５０に接触して、この部分よりシール材５２の成分が液晶層５０中に混入する事態を防止することができる。これにより、液晶層５０において配向が乱れる事態をより確実に防止することが可能となる。
【００８０】
＜２：第２実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態では、第１実施形態と電気光学装置の製造方法が部分的に異なっている。よって、第２実施形態における電気光学装置の製造方法について、重複する説明を省略すると共に、第１実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示し、異なる点についてのみ図１０を参照して説明する。図１０は、図２に示す電気光学装置の断面に対応する構成を、第２実施形態の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【００８１】
以下に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）を参照して説明する各工程は、図６を参照して説明した各工程を含む、ＴＦＴアレイ基板１０側の各種構成要素に係る製造工程と並行して又は相前後して行われる。
【００８２】
先ず、図１０（ａ）において、対向基板２０上に遮光膜２３や対向電極２１等が作り込まれた積層構造が形成され、この積層構造上に配向膜２２が形成された状態で、配向膜２２上に図６（ｂ）を参照して説明した手順と同様に、硬化されていない状態のシール材５２ａをシール領域に塗布する。
【００８３】
続いて、図１０（ｂ）において、図６（ｃ）を参照して説明した手順と同様に、
図１０（ｂ）中の矢印Ｘ４で示す方向、即ちＴＦＴアレイ基板１０に対する矢印Ｘ１で示す方向と同様の方向で、対向基板２０においてシール材５２ａが塗布された面と反対側の面に対して、紫外線を照射する。これにより、図７（ａ）を参照して説明した構成と同様に、シール材５２ａにおいて対向基板２０と対向する面を含むシール材５２ａの一部に硬化部分が形成される。よって、図１０（ｂ）を参照して説明した工程では、シール材５２ａは全体的に硬化されない。
【００８４】
その後、図８を参照して説明した手順と同様に、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とを対向配置させて、夫々に形成されたシール材５２ａ同士を接着させて、このシール材５２ａを全体的に硬化させる。
【００８５】
よって、第２実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０側に加えて対向基板２０側においても、シール材５２ａを塗布後、このシール材５２ａを全体的に硬化させるまでの間に、配向膜２２に、特にシール材５２ａの近傍に位置する配向膜部分に、シール材５２ａが浸透或いは浸入する量を低減することができる。その結果、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６に加え、対向基板２０上に形成された配向膜２２による配向機能が、シール材５２ａの浸透或いは浸入によって損なわれることを効果的に防止することが可能となる。
【００８６】
＜３：第３実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第３実施形態について説明する。第３実施形態では、第１又は第２実施形態と、シール材の構成が異なると共に、電気光学装置の製造方法が部分的に異なっている。よって、第３実施形態における電気光学装置の構成及び製造方法について、重複する説明を省略すると共に、第１又は第２実施形態との共通箇所には、同一符号を付して示し、異なる点についてのみ図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は、第３実施形態の電気光学装置の構成を示す、図１と同様の平面図であり、図１２は、図２に示す電気光学装置の断面に対応する構成を、第３実施形態の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【００８７】
第３実施形態では、図１１に示すように、電気光学装置において、シール領域に形成されたシール材５２には、液晶注入口５１及び該液晶注入口５１を封止する封止材５４が形成されない点が、第１又は第２実施形態と異なっている。
【００８８】
以下に、このような構成を有する電気光学装置の製造方法について、特徴的な製造プロセスについてのみ、図１２を参照して説明する。
【００８９】
図１２（ａ）において、図９（ａ）を参照して説明した工程と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０に対して、矢印Ｘ３の方向に紫外線を照射する。これにより、図９（ｂ）を参照して説明した構成と同様に、シール材５２ａにおける画像表示領域１０ａ側の側面を含む硬化部分５２ｂが、シール材５２ａに形成される。
【００９０】
その後、図１２（ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上において、シール材５２ａに囲まれた領域に、好ましくは真空中で、液晶を滴下して液晶層５０を形成する。この際、液晶層５０は、シール材５２ａにおける硬化部分５２ｂと接触する。よって、シール材５２ａの成分が液晶層５０に混入するのを防止することができる。これにより、液晶層５０における配向不良を効果的に防止することが可能となる。
【００９１】
続いて、図８を参照して説明した手順と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、真空中で貼り合せる。
【００９２】
尚、第３実施形態では、シール材５２ａを対向基板２０上に塗布し、図１２（ａ）を参照して説明した工程と同様の工程を、対向基板２０に対して行った後、図１２（ｂ）を参照して説明した工程と同様の手順により、対向基板２０上に液晶層５０を形成するようにしてもよい。
【００９３】
＜４；電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【００９４】
＜４−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１３は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００９５】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、外部回路（図示省略）から外部接続用端子１０２に供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９６】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９７】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９８】
＜４−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１４は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００９９】
＜４−３；携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１５は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１００】
尚、図１３から図１５を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びにこれを備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本実施形態における電気光学装置の全体構成を表す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】配向膜による液晶の配向について模式的に示す模式図である。
【図４】複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図５】本実施形態に係る電気光学装置が、比較的大きいサイズのガラス基板上で一挙に複数形成されることを説明するための部分平面図である。
【図６】図２に示す電気光学装置の断面の構成を、製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図（その１）である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、シール材近傍の構成について拡大して示す拡大図である。
【図８】図２に示す電気光学装置の断面の構成を、製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図（その２）である。
【図９】図９（ａ）は、第１実施形態の変形例に係る製造プロセスの一工程について、図２に示す電気光学装置の断面の構成を示す図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す断面について、シール材近傍の構成を拡大して示す拡大図である。
【図１０】図２に示す電気光学装置の断面に対応する構成を、第２実施形態の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【図１１】第３実施形態の電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図１２】図２に示す電気光学装置の断面に対応する構成を、第３実施形態の製造プロセスの各工程について順を追って示す工程図である。
【図１３】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１４】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１５】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１６、２２…配向膜、２０…対向基板、５２…シール材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に配向膜を形成する第１工程と、
前記配向膜が形成された前記基板上における、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、硬化前のシール材を塗布する第２工程と、
前記シール材において、少なくとも前記配向膜と面する一部を硬化させる第３工程と、
前記一対の基板を、前記シール材を介して貼り合せる第４工程と、
前記シール材を全体的に硬化させる第５工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程では、前記シール材を、前記シール材における前記配向膜が形成された基板と対向する面から、前記シール材の内部に向かって、前記配向膜の厚さより厚く硬化させること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３工程では、前記シール材を、前記シール材における前記電気光学物質と接触することになる側の表面から、前記シール材の内部に向かって硬化させること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程では、前記一対の基板に夫々前記配向膜を形成すること
を特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程及び前記第５工程において、前記シール材に紫外線照射を行って、前記シール材を硬化させることを
特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程及び前記第５工程において、前記シール材を加熱して、前記シール材を硬化させることを
特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程では、前記配向膜を、無機材料により形成することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程では、前記シール材を、前記画像表示領域を囲むように額縁状に塗布すると共に、
前記第３工程の後であって、前記第４工程より前に、前記配向膜が形成された基板上における前記シール材に囲まれた領域に、前記電気光学物質を載置する工程を更に含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に形成された配向膜と、
前記配向膜が形成された前記基板上における、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に塗布され、少なくとも前記配向膜と面する一部が硬化された後、前記一対の基板を対向配置させて全体的に硬化されることで形成されたシール材と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に配向膜を形成する第１工程と、
前記配向膜が形成された前記基板上における、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、硬化前のシール材を塗布する第２工程と、
前記シール材において、少なくとも前記配向膜と面する一部を硬化させる第３工程と、
前記一対の基板を、前記シール材を介して貼り合せる第４工程と、
前記シール材を全体的に硬化させる第５工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程では、前記シール材を、前記シール材における前記配向膜が形成された基板と対向する面から、前記シール材の内部に向かって、前記配向膜の厚さより厚く硬化させること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３工程では、前記シール材を、前記シール材における前記電気光学物質と接触することになる側の表面から、前記シール材の内部に向かって硬化させること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程では、前記一対の基板に夫々前記配向膜を形成すること
を特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程及び前記第５工程において、前記シール材に紫外線照射を行って、前記シール材を硬化させることを
特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程及び前記第５工程において、前記シール材を加熱して、前記シール材を硬化させることを
特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程では、前記配向膜を、無機材料により形成することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程では、前記シール材を、前記画像表示領域を囲むように額縁状に塗布すると共に、
前記第３工程の後であって、前記第４工程より前に、前記配向膜が形成された基板上における前記シール材に囲まれた領域に、前記電気光学物質を載置する工程を更に含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上における少なくとも画像表示領域に形成された配向膜と、
前記配向膜が形成された前記基板上における、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に塗布され、少なくとも前記配向膜と面する一部が硬化された後、前記一対の基板を対向配置させて全体的に硬化されることで形成されたシール材と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００６−７８７３５（Ｐ２００６−７８７３５Ａ）
【公開日】平成１８年３月２３日（２００６．３．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２６２１６１（Ｐ２００４−２６２１６１）
【出願日】平成１６年９月９日（２００４．９．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月２３日（２００６．３．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月９日（２００４．９．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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