電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
【課題】例えば、反射型液晶装置において輝度の低下を招くことなく、横電界を低減する。
【解決手段】凸部（９０）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上の画像表示領域（１０ａ）を構成する複数の画素領域（７２ｇ）の夫々における開口領域（７２ａ）の周囲に沿って形成されており、図中Ｘ方向及びＹ方向に沿って格子状に延びている。複数の画素電極（９ａ）の端部（１９）が凸部（９０）に乗り上げるように形成されている。端部（１９）は、画素電極（９ａ）のうち凸部（９０）に乗り上げない部分、即ち、ＴＦＴアレイ基板（１０）の基板面に平行に延びる部分に比べて対向電極（２１）に近いため、相互に隣り合う画素電極（９ａ）間に生じる横電界が端部（１９）及び対向電極（２１）間に生じる電圧、言い換えれば図中の上下方向に沿って作用する縦電界によって低減される。
【解決手段】凸部（９０）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上の画像表示領域（１０ａ）を構成する複数の画素領域（７２ｇ）の夫々における開口領域（７２ａ）の周囲に沿って形成されており、図中Ｘ方向及びＹ方向に沿って格子状に延びている。複数の画素電極（９ａ）の端部（１９）が凸部（９０）に乗り上げるように形成されている。端部（１９）は、画素電極（９ａ）のうち凸部（９０）に乗り上げない部分、即ち、ＴＦＴアレイ基板（１０）の基板面に平行に延びる部分に比べて対向電極（２１）に近いため、相互に隣り合う画素電極（９ａ）間に生じる横電界が端部（１９）及び対向電極（２１）間に生じる電圧、言い換えれば図中の上下方向に沿って作用する縦電界によって低減される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、反射型液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である反射型液晶装置は、基板上の表示面から入射した光を反射膜で反射し、当該反射された反射光を液晶で変調することによって画像を表示可能なように構成されている。
【０００３】
このような液晶装置では、隣り合う画素電極の夫々に相互に異なる電位を供給し、各画素電極及び対向電極間に生じる電圧によって液晶の配向を制御する反転駆動方式が採用される場合もある。反転駆動方式を採用した場合、相互に隣り合う画素電極間に生じる横電界を低減することを目的として、画素電極の端部の下側にその周囲より突出したテーパ台を設けられた液晶装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−６２７９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、光を反射する反射電極と兼用される画素電極のうちテーパ台に乗り上げた端部は、テーパ台に乗り上げていない部分に対して傾斜している。したがって、端部によって反射された光は、表示面に対して斜めに反射される。
【０００６】
このように斜めに反射された光のうち表示面から出射される光量は、画素電極のうち基板面に沿って延びる平らな面で反射された光が表示面から出射される光量に比べて、低くなる。よって、画素領域から出射される反射光の光量が相対的に低くなり、液晶装置が画像を表示する際の輝度を高めることが困難になり、画素電極全体の面積を有効に活用して画素領域の開口領域を拡げることが困難になる問題点が生じる。特に、画像の高精細化に対する要望に応じて画素ピッチが狭小化した場合、画素電極のうち平らな部分に対して斜めに傾斜した部分が占める割合が高くなるため、輝度の低下はより顕著になる。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、反射型液晶装置において輝度の低下を招くことなく、横電界を低減可能な電気光学装置、及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々における開口領域の周囲に形成された凸部と、前記複数の画素領域に各々において端部が前記凸部に乗り上げるように形成され、且つ透明導電材料からなる複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向するように、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む一方の面に形成されており、前記透明導電材料からなる対向電極と、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された電気光学物質と、前記第１基板上において前記画素電極の下層側に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素領域に入射する光を前記第２基板の側に反射する導電性反射膜とを備えている。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、第１基板は、例えば、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を含む回路部、及び各種配線が形成された基板である。
【００１０】
第２基板は、例えば、透明なガラス基板で構成されており、前記第１基板に対向するように配置されている。このような第２基板は、後述する電気光学物質に光を透過させると共に、後述する導電性反射膜によって反射された光を透過させる。
【００１１】
凸部は、前記第１基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々における開口領域の周囲に形成されている。このような凸部は、第１基板の基板面に沿った平面に対して突出しており、第１基板上に所定のパターンに形成された絶縁膜によって構成されている。開口領域は、画素領域のうち画像表示に寄与する光を実質的に反射可能な領域である。より具体的には、例えば、画素領域のうち後述する導電性反射膜と重なる領域である。
【００１２】
複数の画素電極は、前記複数の画素領域に各々において端部が前記凸部に乗り上げるように形成され、且つＩＴＯ等の透明導電材料から構成されている。このような画素電極、及び、後述する対向電極間に生じる電圧に応じて各画素領域における電気光学物質が駆動される。尚、本発明に係る電気光学装置では、複数の画素電極のうち相互に隣り合う画素電極の夫々に互いに異なる電位が供給される、所謂反転駆動方式が採用される。したがって、凸部に乗り上げた端部は、画素電極のうち凸部に乗り上げない部分に比べて、後述する対向電極に近い位置にあり、相互に隣り合う画素電極間に生じる横電界が端部及び対向電極間に生じる電圧によって低減される。
【００１３】
対向電極は、前記複数の画素電極に対向するように、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む一方の面に形成されており、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されている。対向電極の電位は、当該電気光学装置の動作時に、例えば、画素電極の電位に対して一定である固定電位に維持される。
【００１４】
電気光学物質は、例えば液晶であり、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持され、画素電極及び対向電極間に生じる電圧によって駆動される。
【００１５】
導電性反射膜は、前記第１基板上において前記画素電極の下層側に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素領域に入射する光を前記第２基板の側に反射する。このような導電性反射膜は、画素電極の端部のように第１基板の基板面に対して傾斜していないため、第２基板から当該導電性反射膜に入射した光を入射方向に向かって、即ち第２基板に向かってそのまま反射する。したがって、導電性反射膜によれば、画素電極の形状に応じて画素領域の開口領域が狭められることがなく、横電界を低減することを目的として画素電極の端部を傾斜させた場合でも、画素領域における輝度の低下を抑制できる。
【００１６】
よって、本発明に係る電気光学装置によれば、画素領域における輝度を維持しつつ、横電界に起因する表示性能の低下を抑制でき、高品位の画像を表示可能である。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記凸部は、前記複数の画素領域のうち相互に隣り合う画素領域の境界に沿って延びており、前記端部は、前記境界に沿って延びていてもよい。
【００１８】
この態様によれば、凸部は、相互に隣り合う画素領域の境界に沿って延びているため、画素電極の端部も凸部に乗り上げるように形成可能である。したがって、相互に隣り合う画素電極の夫々の端部のうち相互に向かい合う端部間に生じる横電界を境界に沿って低減することが可能である。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板上の表示領域を構成すべき複数の画素領域の各々における開口領域となるべき複数の領域の夫々に複数の導電性反射膜を形成する第１工程と、前記複数の導電性反射膜に渡ってレジスト膜を形成する第２工程と、前記第１基板の両面のうち前記導電性反射膜が形成されていない側の面である裏面から前記レジスト膜に光を照射し、前記レジスト膜のうち前記画素領域の非開口領域となるべき領域に重なる部分を硬化させる第３工程と、前記レジスト膜のうち第３工程によって硬化されなかった部分を除去する第４工程とを備える。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１工程では、第１基板上の表示領域を構成すべき複数の画素領域の各々において開口領域となるべき複数の領域の夫々に複数の導電性反射膜を形成する。ここで、開口領域は、上述の電気光学装置における開口領域と同義である。複数の導電性反射膜は、例えば、第１基板上に一様な導電膜が形成された後、当該導電膜を汎用のパターニング法を用いて画素領域毎に分離することによって形成される。
【００２１】
第２工程では、前記複数の導電性反射膜に渡ってレジスト膜を形成する。このようなレジスト膜は、例えば、光硬化性樹脂によって構成されている。
【００２２】
第３工程では、前記第１基板の両面のうち前記導電性反射膜が形成されていない側の面である裏面から前記レジスト膜に光を照射し、前記レジスト膜のうち前記画素領域の非開口領域となるべき領域に重なる部分を硬化させる。したがって、複数の導電性反射膜をマスクとして機能し、レジスト膜のうちこれら導電性反射膜に重ならない領域に延びる部分に紫外線等の光が照射される。これにより、レジスト膜のうち導電性反射膜に重なる部分は未硬化の状態に維持される。
【００２３】
第４工程では、前記レジスト膜のうち第３工程によって硬化されなかった部分を除去する。したがって、レジスト膜のうち第３工程によって硬化した部分、言い換えれば、複数の導電性反射膜相互の間に延びる部分がそのまま第１基板上に残り、その周囲より突出した凸部となる。その後、当該凸部に端部が乗り上げるように画素領域に画素電極を形成することによって、上述の電気光学装置のうち第１基板側に形成すべき構成要素が形成されることになる。
【００２４】
よって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、高品位の画像を表示可能な
反射型液晶装置等の電気光学装置を簡便な方法で製造可能である。
【００２５】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００２６】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、フロントプロジェクタ或いはリアプロジェクタ等の投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型の表示装置、或いはビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００２７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器の各実施形態を説明する。
【００２９】
＜１：電気光学装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、本発明の「第１基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、本発明の「第２基板」の一例である対向基板の側から見た液晶装置１の平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式で駆動される反射型液晶装置である。
【００３０】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が相互に対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に、本発明の「電気光学物質」の一例である液晶から構成された液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、複数の画素領域で構成された、本発明の「表示領域」の典型例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００３２】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００３３】
液晶装置１は、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０４を備えている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域において、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に覆われるように形成された複数の配線１０５によって相互に電気的に接続されている。
【００３４】
対向基板２０の４つのコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間で電気的な導通をとることができる。
【００３５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の複数の画素電極９ａ上に、配向膜１６（図６参照）が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３６】
液晶装置１は、その動作時に、図中上側である対向基板２０側から液晶層５０に入射した入射光を後述する導電性反射膜１９（図６参照）によって対向基板２０側に向かって反射し、画像を表示する。
【００３７】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の回路部に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００３８】
次に、図３を参照しながら、画像表示領域１０ａにおける回路構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域１０ａにおける回路構成を示した回路図である。
【００３９】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２の夫々は、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、及び液晶素子５０ａを備えている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御し、当該制御に応じて液晶素子５０ａを駆動する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４１】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光及び反射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光及び反射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。保持容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａ及び対向電極２１間に形成される液晶素子５０ａと並列に付加されている。
【００４２】
次に、図４を参照しながら、液晶装置１の駆動方法の一例を説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置１の駆動時における各画素電極９ａの電位を図式的に示した図式的平面図である。
【００４３】
図４に示すように、本実施形態では液晶装置１の駆動方式として１Ｈ反転駆動方式が採用されているので、相互に隣接する画素電極９ａの間には、横電界が発生する。即ち、ｎ番目（但しｎは自然数）のフィールド或いはフレームの画像表示期間中、Ｙ軸方向に並列した画素電極９ａの各行に、隣接する行とは基準電圧に対する極性が相異なる電圧を印加することにより、画素領域における液晶は、行毎に逆極性の駆動電圧が印加された状態で駆動される。その様子を図４（ａ）に示す。続くｎ＋１番目のフィールド或いはフレームの画像表示期間では、図４（ｂ）に示すように、駆動電圧の極性を反転させる。ｎ＋２番目のフィールド或いはフレーム以降は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示した状態が周期的に繰り返される。このように液晶層５０への印加電圧の極性を周期的に反転させると、液晶に直流電圧が印加されるのが防止され、液晶の劣化が抑制される。また、画素電極９ａの行毎に印加電圧の極性を逆としているので、クロストークやフリッカが低減される。
【００４４】
この方式により、Ｙ軸方向に相隣接する（即ち、相異なる行に属する）画素電極９ａは、基準電圧に対して互いに逆の極性の電位で駆動されるため、その間の領域Ｃ１には横電界と呼ばれるＴＦＴアレイ基板１０の基板面に平行な成分を持つ電界が発生する。このような横電界は、液晶の動作不良を引き起こす。その結果、液晶が横電界の影響を受ける領域、より具体的には領域Ｃ１では、光抜け等の変調不良が生じてコントラスト比が低下する。尚、液晶装置１では、後に詳細に説明するように凸部９０により横電界による表示不良を低減することが可能である。
【００４５】
次に、図５及び図６を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の画素部の具体的な構成を説明する。図５は、液晶装置１の画像表示領域１０ａの一部を拡大して示した平面図であり、図６は図５のＶＩ−ＶＩ´断面図である。尚、図５では、画像表示領域１０ａを構成するようにマトリクス状に配列された複数の画素部のうち互いに隣接する４つの画素部を示している。
【００４６】
図５及び図６において、液晶装置１は、複数の画素電極９ａ、凸部９０及び導電性反射膜９１を備えている。
【００４７】
凸部９０は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａを構成する複数の画素領域７２ｇの夫々における開口領域７２ａの周囲に沿って形成されており、図中Ｘ方向及びＹ方向に沿って格子状に延びている。開口領域７２ａは、画素領域７２ｇのうち画像表示に寄与する光を実質的に反射可能な領域であり、画素領域７２ｇのうち導電性反射膜９１に重なる領域である。したがって、凸部９０は、画素領域７２ｇのうち画像の表示に寄与しない非開口領域７２ｂに形成されていることになる。このような凸部９０は、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿った平面に対して突出しており、ＴＦＴアレイ基板１０上に所定のパターンに形成された絶縁膜によって構成されている。
【００４８】
複数の画素電極９ａは、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、複数の画素領域７２ｇの各々においてその端部１９が凸部９０に乗り上げるように形成されている。複数の画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において導電性反射膜９１と同層に形成された絶縁膜９３によって相互に隔てられている。端部１９は、画素電極９ａのうち凸部９０に乗り上げない部分、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に平行に延びる部分に比べて対向電極２１に近いため、相互に隣り合う画素電極９ａ間に生じる横電界が端部１９及び対向電極２１間に生じる電圧、言い換えれば図６中の上下方向に沿って作用する縦電界によって低減される。
【００４９】
したがって、液晶装置１によれば、その駆動方式として反転駆動方式を採用した場合に、横電界を一因として発生する表示不良を低減でき、高品位の画像を表示可能である。
【００５０】
加えて、本実施形態では、凸部９０は、複数の画素領域７２ｇのうち相互に隣り合う画素領域７２ｇの境界７３に沿って延びており、端部１９は、境界７３に沿って延びている。
【００５１】
したがって、液晶装置１によれば、相互に隣り合う画素電極９ａの夫々の端部１９のうち相互に向かい合う端部間に生じる横電界を境界７３に沿って低減することが可能であり、部分的に凸部を設けてその上に端部１９が乗り上げるように画素電極９ａを形成する場合に比べて、境界７３付近における液晶の配向乱れをより一層低減することが可能である。
【００５２】
導電性反射膜９１は、ＴＦＴアレイ基板１０上において画素電極９ａの下層側に形成され、且つ画素電極９ａに電気的に接続されている。導電性反射膜９１は、不図示のコンタクト部或いは配線部を介してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ３０を介して画素電極９ａに供給される画像信号を中継する。導電性反射膜９１は、液晶装置１の動作時に、ＴＦＴアレイ基板１０から見て対向基板２０の側から画素領域７２ｇに入射する入射光を対向基板２０の側に反射する。
【００５３】
導電性反射膜９１は、画素電極９ａの端部１９のようにＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して傾斜していないため、対向基板２０の側から導電性反射膜９１に入射した入射光を入射方向に向かって、即ち対向基板２０に向かって反射する。したがって、導電性反射膜９１によれば、画素電極９ａの形状に応じて画素領域７２ｇの開口領域７２ａが狭められることがなく、横電界を低減することを目的として画素電極９ａの端部９１が傾斜している場合でも、画素領域７２ｇにおける輝度の低下を抑制できる。
【００５４】
以上説明したように、液晶装置１によれば、画素領域７２ｇにおける輝度を維持しつつ、横電界に起因する表示性能の低下を抑制でき、高品位の画像を表示可能である。
【００５５】
＜２：電気光学装置の製造方法＞
次に、図７及び図８を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する。図７及び図８は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な製造工程を順に示した工程断面図である。本実施形態に係る電気光学装置の製造方法は、上述の液晶装置１を製造するための液晶装置の製造方法である。
【００５６】
図７（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａを構成すべき複数の画素領域７２ｇの各々に相当する領域１７２ｇにおいて、開口領域７２ａとなるべき複数の領域１７２ａの夫々に複数の導電性反射膜９１を形成する（第１工程）。導電性反射膜９１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に一様な導電膜が形成された後、当該導電膜を汎用のパターニング法を用いて画素領域７２ｇとなるべき領域毎に分離することによって形成される。パターニングされた複数の導電性反射膜９１の間には、絶縁膜９３が形成される。
【００５７】
次に、図７（ｂ）に示すように、複数の導電性反射膜９１に渡ってレジスト膜９２を形成する（第２工程）。レジスト膜９２は、例えば、複数の導電性反射膜９１を覆うように光硬化性樹脂を塗布することによって形成される。
【００５８】
次に、図８（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の両面のうち導電性反射膜９１が形成されていない側の面である裏面、より具体的には図中下側からレジスト膜９２に紫外線等の光を照射し、レジスト膜９２のうち画素領域７２ｇの非開口領域７２ｂとなるべき領域１７２ｂに重なる部分を硬化させる（第３工程）。この際、複数の導電性反射膜９１はマスクとして機能し、レジスト膜９２のうち導電性反射膜９１に重ならない領域、より具体的には領域１７２ｂに延びる部分に光が照射される。したがって、導電性反射膜９１をマスクとして兼用することによって、別途マスクを配置して光を照射する場合に比べて簡便にレジスト膜９２のうち導電性反射膜９１に重なる部分を未硬化の状態に維持できる。
【００５９】
次に、図８（ｄ）に示すように、レジスト膜９２のうち上述の光の照射によって硬化されなかった部分を除去する（第４工程）。したがって、レジスト膜９２のうち上述の光の照射によって硬化した部分、言い換えれば、複数の導電性反射膜９１相互の間に重なる領域に延びる部分がそのままＴＦＴアレイ基板１０上に残り、その周囲より突出した凸部９０となる。その後、凸部９０に端部が乗り上げるように領域１７２ｇに画素電極９ａを形成し、その上に配向膜１６を形成することによって、上述の液晶装置１のうちＴＦＴアレイ基板１０側に形成すべき構成要素が形成されることになる。
【００６０】
よって、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、高品位の画像を表示可能な液晶装置１を簡便な方法で製造可能である。
【００６１】
＜３：電子機器＞
次に、図９を参照しながら、上述の液晶装置をライトバルブとして用いた反射型プロジェクタを説明する。図９は、本実施形態に係る電子機器の一例である反射型プロジェクタの構成を示した図である。
【００６２】
図９において、プロジェクタ４００では、光源ランプ２００から出射された光（概ね白色光）は、クロスダイクロイックミラーからなる色分解ミラー２０１により青色光Ｂと赤色光Ｒ・緑色光Ｇに分光される。また、各光はミラー２０２を介して偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２０３に入射され、ＰＢＳ２０３によりＳ偏光光が色光変調用の反射型液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇに入射される。入射された色光は、各ライトバルブによって変調された後、各ライトバルブから出射される。ＰＢＳ２０３では反射型液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇから戻ってきたＳ偏光成分が反射しＰ偏光成分を透過する。従って、各ＰＢＳ２０３からは、液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇから出射された光の偏光軸の回転程度に応じた光量の色光が透過してくる。この光量が、各色光に割り当てられた階調レベルに応じた光量（透過率）に相当する。各ＰＢＳ２０３を透過した色光は、色合成プリズム２０４内にＸ字状に形成された青色光反射・赤色光反射の波長選択反射層により、青色光Ｂと赤色光Ｒが反射され、緑色光Ｇが透過されて、カラー光が合成されて射出される。このカラー光を投射レンズ２０５によりスクリーン２０６に画像が投射される。本実施形態に係るプロジェクタ４００は、上述の液晶装置を具備してなるので、高い表示性能を有している。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示した平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置を１Ｈ反転駆動方式によって駆動した際の動作状態を説明するための図式的平面図である。
【図５】本実施形態に係る電気光学装置の一部を拡大して示した平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ´断面図である。
【図７】本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な製造工程を順に示した工程断面図（その１）である。
【図８】本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な製造工程を順に示した工程断面図（その２）である。
【図９】本実施形態に係る電子機器の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１９・・・端部、２０・・・対向基板、９ａ・・・画素電極、５０・・・液晶層、９０・・・凸部、９１・・・導電性反射膜、４００・・・プロジェクタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、反射型液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である反射型液晶装置は、基板上の表示面から入射した光を反射膜で反射し、当該反射された反射光を液晶で変調することによって画像を表示可能なように構成されている。
【０００３】
このような液晶装置では、隣り合う画素電極の夫々に相互に異なる電位を供給し、各画素電極及び対向電極間に生じる電圧によって液晶の配向を制御する反転駆動方式が採用される場合もある。反転駆動方式を採用した場合、相互に隣り合う画素電極間に生じる横電界を低減することを目的として、画素電極の端部の下側にその周囲より突出したテーパ台を設けられた液晶装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−６２７９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、光を反射する反射電極と兼用される画素電極のうちテーパ台に乗り上げた端部は、テーパ台に乗り上げていない部分に対して傾斜している。したがって、端部によって反射された光は、表示面に対して斜めに反射される。
【０００６】
このように斜めに反射された光のうち表示面から出射される光量は、画素電極のうち基板面に沿って延びる平らな面で反射された光が表示面から出射される光量に比べて、低くなる。よって、画素領域から出射される反射光の光量が相対的に低くなり、液晶装置が画像を表示する際の輝度を高めることが困難になり、画素電極全体の面積を有効に活用して画素領域の開口領域を拡げることが困難になる問題点が生じる。特に、画像の高精細化に対する要望に応じて画素ピッチが狭小化した場合、画素電極のうち平らな部分に対して斜めに傾斜した部分が占める割合が高くなるため、輝度の低下はより顕著になる。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、反射型液晶装置において輝度の低下を招くことなく、横電界を低減可能な電気光学装置、及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々における開口領域の周囲に形成された凸部と、前記複数の画素領域に各々において端部が前記凸部に乗り上げるように形成され、且つ透明導電材料からなる複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向するように、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む一方の面に形成されており、前記透明導電材料からなる対向電極と、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された電気光学物質と、前記第１基板上において前記画素電極の下層側に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素領域に入射する光を前記第２基板の側に反射する導電性反射膜とを備えている。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、第１基板は、例えば、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を含む回路部、及び各種配線が形成された基板である。
【００１０】
第２基板は、例えば、透明なガラス基板で構成されており、前記第１基板に対向するように配置されている。このような第２基板は、後述する電気光学物質に光を透過させると共に、後述する導電性反射膜によって反射された光を透過させる。
【００１１】
凸部は、前記第１基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々における開口領域の周囲に形成されている。このような凸部は、第１基板の基板面に沿った平面に対して突出しており、第１基板上に所定のパターンに形成された絶縁膜によって構成されている。開口領域は、画素領域のうち画像表示に寄与する光を実質的に反射可能な領域である。より具体的には、例えば、画素領域のうち後述する導電性反射膜と重なる領域である。
【００１２】
複数の画素電極は、前記複数の画素領域に各々において端部が前記凸部に乗り上げるように形成され、且つＩＴＯ等の透明導電材料から構成されている。このような画素電極、及び、後述する対向電極間に生じる電圧に応じて各画素領域における電気光学物質が駆動される。尚、本発明に係る電気光学装置では、複数の画素電極のうち相互に隣り合う画素電極の夫々に互いに異なる電位が供給される、所謂反転駆動方式が採用される。したがって、凸部に乗り上げた端部は、画素電極のうち凸部に乗り上げない部分に比べて、後述する対向電極に近い位置にあり、相互に隣り合う画素電極間に生じる横電界が端部及び対向電極間に生じる電圧によって低減される。
【００１３】
対向電極は、前記複数の画素電極に対向するように、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む一方の面に形成されており、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されている。対向電極の電位は、当該電気光学装置の動作時に、例えば、画素電極の電位に対して一定である固定電位に維持される。
【００１４】
電気光学物質は、例えば液晶であり、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持され、画素電極及び対向電極間に生じる電圧によって駆動される。
【００１５】
導電性反射膜は、前記第１基板上において前記画素電極の下層側に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素領域に入射する光を前記第２基板の側に反射する。このような導電性反射膜は、画素電極の端部のように第１基板の基板面に対して傾斜していないため、第２基板から当該導電性反射膜に入射した光を入射方向に向かって、即ち第２基板に向かってそのまま反射する。したがって、導電性反射膜によれば、画素電極の形状に応じて画素領域の開口領域が狭められることがなく、横電界を低減することを目的として画素電極の端部を傾斜させた場合でも、画素領域における輝度の低下を抑制できる。
【００１６】
よって、本発明に係る電気光学装置によれば、画素領域における輝度を維持しつつ、横電界に起因する表示性能の低下を抑制でき、高品位の画像を表示可能である。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記凸部は、前記複数の画素領域のうち相互に隣り合う画素領域の境界に沿って延びており、前記端部は、前記境界に沿って延びていてもよい。
【００１８】
この態様によれば、凸部は、相互に隣り合う画素領域の境界に沿って延びているため、画素電極の端部も凸部に乗り上げるように形成可能である。したがって、相互に隣り合う画素電極の夫々の端部のうち相互に向かい合う端部間に生じる横電界を境界に沿って低減することが可能である。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板上の表示領域を構成すべき複数の画素領域の各々における開口領域となるべき複数の領域の夫々に複数の導電性反射膜を形成する第１工程と、前記複数の導電性反射膜に渡ってレジスト膜を形成する第２工程と、前記第１基板の両面のうち前記導電性反射膜が形成されていない側の面である裏面から前記レジスト膜に光を照射し、前記レジスト膜のうち前記画素領域の非開口領域となるべき領域に重なる部分を硬化させる第３工程と、前記レジスト膜のうち第３工程によって硬化されなかった部分を除去する第４工程とを備える。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１工程では、第１基板上の表示領域を構成すべき複数の画素領域の各々において開口領域となるべき複数の領域の夫々に複数の導電性反射膜を形成する。ここで、開口領域は、上述の電気光学装置における開口領域と同義である。複数の導電性反射膜は、例えば、第１基板上に一様な導電膜が形成された後、当該導電膜を汎用のパターニング法を用いて画素領域毎に分離することによって形成される。
【００２１】
第２工程では、前記複数の導電性反射膜に渡ってレジスト膜を形成する。このようなレジスト膜は、例えば、光硬化性樹脂によって構成されている。
【００２２】
第３工程では、前記第１基板の両面のうち前記導電性反射膜が形成されていない側の面である裏面から前記レジスト膜に光を照射し、前記レジスト膜のうち前記画素領域の非開口領域となるべき領域に重なる部分を硬化させる。したがって、複数の導電性反射膜をマスクとして機能し、レジスト膜のうちこれら導電性反射膜に重ならない領域に延びる部分に紫外線等の光が照射される。これにより、レジスト膜のうち導電性反射膜に重なる部分は未硬化の状態に維持される。
【００２３】
第４工程では、前記レジスト膜のうち第３工程によって硬化されなかった部分を除去する。したがって、レジスト膜のうち第３工程によって硬化した部分、言い換えれば、複数の導電性反射膜相互の間に延びる部分がそのまま第１基板上に残り、その周囲より突出した凸部となる。その後、当該凸部に端部が乗り上げるように画素領域に画素電極を形成することによって、上述の電気光学装置のうち第１基板側に形成すべき構成要素が形成されることになる。
【００２４】
よって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、高品位の画像を表示可能な
反射型液晶装置等の電気光学装置を簡便な方法で製造可能である。
【００２５】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００２６】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、フロントプロジェクタ或いはリアプロジェクタ等の投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型の表示装置、或いはビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００２７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器の各実施形態を説明する。
【００２９】
＜１：電気光学装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、本発明の「第１基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、本発明の「第２基板」の一例である対向基板の側から見た液晶装置１の平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式で駆動される反射型液晶装置である。
【００３０】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が相互に対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に、本発明の「電気光学物質」の一例である液晶から構成された液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、複数の画素領域で構成された、本発明の「表示領域」の典型例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００３２】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００３３】
液晶装置１は、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０４を備えている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域において、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に覆われるように形成された複数の配線１０５によって相互に電気的に接続されている。
【００３４】
対向基板２０の４つのコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間で電気的な導通をとることができる。
【００３５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の複数の画素電極９ａ上に、配向膜１６（図６参照）が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３６】
液晶装置１は、その動作時に、図中上側である対向基板２０側から液晶層５０に入射した入射光を後述する導電性反射膜１９（図６参照）によって対向基板２０側に向かって反射し、画像を表示する。
【００３７】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の回路部に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００３８】
次に、図３を参照しながら、画像表示領域１０ａにおける回路構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域１０ａにおける回路構成を示した回路図である。
【００３９】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２の夫々は、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、及び液晶素子５０ａを備えている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御し、当該制御に応じて液晶素子５０ａを駆動する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４１】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光及び反射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光及び反射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。保持容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａ及び対向電極２１間に形成される液晶素子５０ａと並列に付加されている。
【００４２】
次に、図４を参照しながら、液晶装置１の駆動方法の一例を説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置１の駆動時における各画素電極９ａの電位を図式的に示した図式的平面図である。
【００４３】
図４に示すように、本実施形態では液晶装置１の駆動方式として１Ｈ反転駆動方式が採用されているので、相互に隣接する画素電極９ａの間には、横電界が発生する。即ち、ｎ番目（但しｎは自然数）のフィールド或いはフレームの画像表示期間中、Ｙ軸方向に並列した画素電極９ａの各行に、隣接する行とは基準電圧に対する極性が相異なる電圧を印加することにより、画素領域における液晶は、行毎に逆極性の駆動電圧が印加された状態で駆動される。その様子を図４（ａ）に示す。続くｎ＋１番目のフィールド或いはフレームの画像表示期間では、図４（ｂ）に示すように、駆動電圧の極性を反転させる。ｎ＋２番目のフィールド或いはフレーム以降は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示した状態が周期的に繰り返される。このように液晶層５０への印加電圧の極性を周期的に反転させると、液晶に直流電圧が印加されるのが防止され、液晶の劣化が抑制される。また、画素電極９ａの行毎に印加電圧の極性を逆としているので、クロストークやフリッカが低減される。
【００４４】
この方式により、Ｙ軸方向に相隣接する（即ち、相異なる行に属する）画素電極９ａは、基準電圧に対して互いに逆の極性の電位で駆動されるため、その間の領域Ｃ１には横電界と呼ばれるＴＦＴアレイ基板１０の基板面に平行な成分を持つ電界が発生する。このような横電界は、液晶の動作不良を引き起こす。その結果、液晶が横電界の影響を受ける領域、より具体的には領域Ｃ１では、光抜け等の変調不良が生じてコントラスト比が低下する。尚、液晶装置１では、後に詳細に説明するように凸部９０により横電界による表示不良を低減することが可能である。
【００４５】
次に、図５及び図６を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の画素部の具体的な構成を説明する。図５は、液晶装置１の画像表示領域１０ａの一部を拡大して示した平面図であり、図６は図５のＶＩ−ＶＩ´断面図である。尚、図５では、画像表示領域１０ａを構成するようにマトリクス状に配列された複数の画素部のうち互いに隣接する４つの画素部を示している。
【００４６】
図５及び図６において、液晶装置１は、複数の画素電極９ａ、凸部９０及び導電性反射膜９１を備えている。
【００４７】
凸部９０は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａを構成する複数の画素領域７２ｇの夫々における開口領域７２ａの周囲に沿って形成されており、図中Ｘ方向及びＹ方向に沿って格子状に延びている。開口領域７２ａは、画素領域７２ｇのうち画像表示に寄与する光を実質的に反射可能な領域であり、画素領域７２ｇのうち導電性反射膜９１に重なる領域である。したがって、凸部９０は、画素領域７２ｇのうち画像の表示に寄与しない非開口領域７２ｂに形成されていることになる。このような凸部９０は、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿った平面に対して突出しており、ＴＦＴアレイ基板１０上に所定のパターンに形成された絶縁膜によって構成されている。
【００４８】
複数の画素電極９ａは、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、複数の画素領域７２ｇの各々においてその端部１９が凸部９０に乗り上げるように形成されている。複数の画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において導電性反射膜９１と同層に形成された絶縁膜９３によって相互に隔てられている。端部１９は、画素電極９ａのうち凸部９０に乗り上げない部分、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に平行に延びる部分に比べて対向電極２１に近いため、相互に隣り合う画素電極９ａ間に生じる横電界が端部１９及び対向電極２１間に生じる電圧、言い換えれば図６中の上下方向に沿って作用する縦電界によって低減される。
【００４９】
したがって、液晶装置１によれば、その駆動方式として反転駆動方式を採用した場合に、横電界を一因として発生する表示不良を低減でき、高品位の画像を表示可能である。
【００５０】
加えて、本実施形態では、凸部９０は、複数の画素領域７２ｇのうち相互に隣り合う画素領域７２ｇの境界７３に沿って延びており、端部１９は、境界７３に沿って延びている。
【００５１】
したがって、液晶装置１によれば、相互に隣り合う画素電極９ａの夫々の端部１９のうち相互に向かい合う端部間に生じる横電界を境界７３に沿って低減することが可能であり、部分的に凸部を設けてその上に端部１９が乗り上げるように画素電極９ａを形成する場合に比べて、境界７３付近における液晶の配向乱れをより一層低減することが可能である。
【００５２】
導電性反射膜９１は、ＴＦＴアレイ基板１０上において画素電極９ａの下層側に形成され、且つ画素電極９ａに電気的に接続されている。導電性反射膜９１は、不図示のコンタクト部或いは配線部を介してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ３０を介して画素電極９ａに供給される画像信号を中継する。導電性反射膜９１は、液晶装置１の動作時に、ＴＦＴアレイ基板１０から見て対向基板２０の側から画素領域７２ｇに入射する入射光を対向基板２０の側に反射する。
【００５３】
導電性反射膜９１は、画素電極９ａの端部１９のようにＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して傾斜していないため、対向基板２０の側から導電性反射膜９１に入射した入射光を入射方向に向かって、即ち対向基板２０に向かって反射する。したがって、導電性反射膜９１によれば、画素電極９ａの形状に応じて画素領域７２ｇの開口領域７２ａが狭められることがなく、横電界を低減することを目的として画素電極９ａの端部９１が傾斜している場合でも、画素領域７２ｇにおける輝度の低下を抑制できる。
【００５４】
以上説明したように、液晶装置１によれば、画素領域７２ｇにおける輝度を維持しつつ、横電界に起因する表示性能の低下を抑制でき、高品位の画像を表示可能である。
【００５５】
＜２：電気光学装置の製造方法＞
次に、図７及び図８を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する。図７及び図８は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な製造工程を順に示した工程断面図である。本実施形態に係る電気光学装置の製造方法は、上述の液晶装置１を製造するための液晶装置の製造方法である。
【００５６】
図７（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａを構成すべき複数の画素領域７２ｇの各々に相当する領域１７２ｇにおいて、開口領域７２ａとなるべき複数の領域１７２ａの夫々に複数の導電性反射膜９１を形成する（第１工程）。導電性反射膜９１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に一様な導電膜が形成された後、当該導電膜を汎用のパターニング法を用いて画素領域７２ｇとなるべき領域毎に分離することによって形成される。パターニングされた複数の導電性反射膜９１の間には、絶縁膜９３が形成される。
【００５７】
次に、図７（ｂ）に示すように、複数の導電性反射膜９１に渡ってレジスト膜９２を形成する（第２工程）。レジスト膜９２は、例えば、複数の導電性反射膜９１を覆うように光硬化性樹脂を塗布することによって形成される。
【００５８】
次に、図８（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の両面のうち導電性反射膜９１が形成されていない側の面である裏面、より具体的には図中下側からレジスト膜９２に紫外線等の光を照射し、レジスト膜９２のうち画素領域７２ｇの非開口領域７２ｂとなるべき領域１７２ｂに重なる部分を硬化させる（第３工程）。この際、複数の導電性反射膜９１はマスクとして機能し、レジスト膜９２のうち導電性反射膜９１に重ならない領域、より具体的には領域１７２ｂに延びる部分に光が照射される。したがって、導電性反射膜９１をマスクとして兼用することによって、別途マスクを配置して光を照射する場合に比べて簡便にレジスト膜９２のうち導電性反射膜９１に重なる部分を未硬化の状態に維持できる。
【００５９】
次に、図８（ｄ）に示すように、レジスト膜９２のうち上述の光の照射によって硬化されなかった部分を除去する（第４工程）。したがって、レジスト膜９２のうち上述の光の照射によって硬化した部分、言い換えれば、複数の導電性反射膜９１相互の間に重なる領域に延びる部分がそのままＴＦＴアレイ基板１０上に残り、その周囲より突出した凸部９０となる。その後、凸部９０に端部が乗り上げるように領域１７２ｇに画素電極９ａを形成し、その上に配向膜１６を形成することによって、上述の液晶装置１のうちＴＦＴアレイ基板１０側に形成すべき構成要素が形成されることになる。
【００６０】
よって、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、高品位の画像を表示可能な液晶装置１を簡便な方法で製造可能である。
【００６１】
＜３：電子機器＞
次に、図９を参照しながら、上述の液晶装置をライトバルブとして用いた反射型プロジェクタを説明する。図９は、本実施形態に係る電子機器の一例である反射型プロジェクタの構成を示した図である。
【００６２】
図９において、プロジェクタ４００では、光源ランプ２００から出射された光（概ね白色光）は、クロスダイクロイックミラーからなる色分解ミラー２０１により青色光Ｂと赤色光Ｒ・緑色光Ｇに分光される。また、各光はミラー２０２を介して偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２０３に入射され、ＰＢＳ２０３によりＳ偏光光が色光変調用の反射型液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇに入射される。入射された色光は、各ライトバルブによって変調された後、各ライトバルブから出射される。ＰＢＳ２０３では反射型液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇから戻ってきたＳ偏光成分が反射しＰ偏光成分を透過する。従って、各ＰＢＳ２０３からは、液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇから出射された光の偏光軸の回転程度に応じた光量の色光が透過してくる。この光量が、各色光に割り当てられた階調レベルに応じた光量（透過率）に相当する。各ＰＢＳ２０３を透過した色光は、色合成プリズム２０４内にＸ字状に形成された青色光反射・赤色光反射の波長選択反射層により、青色光Ｂと赤色光Ｒが反射され、緑色光Ｇが透過されて、カラー光が合成されて射出される。このカラー光を投射レンズ２０５によりスクリーン２０６に画像が投射される。本実施形態に係るプロジェクタ４００は、上述の液晶装置を具備してなるので、高い表示性能を有している。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示した平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置を１Ｈ反転駆動方式によって駆動した際の動作状態を説明するための図式的平面図である。
【図５】本実施形態に係る電気光学装置の一部を拡大して示した平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ´断面図である。
【図７】本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な製造工程を順に示した工程断面図（その１）である。
【図８】本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な製造工程を順に示した工程断面図（その２）である。
【図９】本実施形態に係る電子機器の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１９・・・端部、２０・・・対向基板、９ａ・・・画素電極、５０・・・液晶層、９０・・・凸部、９１・・・導電性反射膜、４００・・・プロジェクタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々における開口領域の周囲に形成された凸部と、
前記複数の画素領域に各々において端部が前記凸部に乗り上げるように形成され、且つ透明導電材料からなる複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に対向するように、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む一方の面に形成されており、前記透明導電材料からなる対向電極と、
前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された電気光学物質と、
前記第１基板上において前記画素電極の下層側に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素領域に入射する光を前記第２基板の側に反射する導電性反射膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記凸部は、前記複数の画素領域のうち相互に隣り合う画素領域の境界に沿って延びており、前記端部は、前記境界に沿って延びていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
第１基板上の表示領域を構成すべき複数の画素領域の各々において開口領域となるべき複数の領域の夫々に複数の導電性反射膜を形成する第１工程と、
前記複数の導電性反射膜に渡ってレジスト膜を形成する第２工程と、
前記第１基板の両面のうち前記導電性反射膜が形成されていない側の面である裏面から前記レジスト膜に光を照射し、前記レジスト膜のうち前記画素領域の非開口領域となるべき領域に重なる部分を硬化させる第３工程と、
前記レジスト膜のうち第３工程によって硬化されなかった部分を除去する第４工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々における開口領域の周囲に形成された凸部と、
前記複数の画素領域に各々において端部が前記凸部に乗り上げるように形成され、且つ透明導電材料からなる複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に対向するように、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む一方の面に形成されており、前記透明導電材料からなる対向電極と、
前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された電気光学物質と、
前記第１基板上において前記画素電極の下層側に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素領域に入射する光を前記第２基板の側に反射する導電性反射膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記凸部は、前記複数の画素領域のうち相互に隣り合う画素領域の境界に沿って延びており、前記端部は、前記境界に沿って延びていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
第１基板上の表示領域を構成すべき複数の画素領域の各々において開口領域となるべき複数の領域の夫々に複数の導電性反射膜を形成する第１工程と、
前記複数の導電性反射膜に渡ってレジスト膜を形成する第２工程と、
前記第１基板の両面のうち前記導電性反射膜が形成されていない側の面である裏面から前記レジスト膜に光を照射し、前記レジスト膜のうち前記画素領域の非開口領域となるべき領域に重なる部分を硬化させる第３工程と、
前記レジスト膜のうち第３工程によって硬化されなかった部分を除去する第４工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−２０５０５３（Ｐ２００９−２０５０５３Ａ）
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４９２９７（Ｐ２００８−４９２９７）
【出願日】平成２０年２月２９日（２００８．２．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２９日（２００８．２．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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