面発光光源およびその製造方法
【課題】光利用効率の高い面発光光源を提供する。
【解決手段】基板１４の上にカソード電極１７、発光層１１およびアノード電極層１５がこの順で形成された面発光光源において、発光層１１を複数の発光領域に区画し、かつ、この発光層１１の端面と対向する面に反射面を有するカソード電極層１２を形成することで、発光層１１の端面から出射した光をカソード電極層１２が反射して、この光を照射面に導く。これにより、面発光光源１の端部から漏出する光を照明光として利用することができ、光の利用効率を高めることができる。
【解決手段】基板１４の上にカソード電極１７、発光層１１およびアノード電極層１５がこの順で形成された面発光光源において、発光層１１を複数の発光領域に区画し、かつ、この発光層１１の端面と対向する面に反射面を有するカソード電極層１２を形成することで、発光層１１の端面から出射した光をカソード電極層１２が反射して、この光を照射面に導く。これにより、面発光光源１の端部から漏出する光を照明光として利用することができ、光の利用効率を高めることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ等の自発光型の発光素子を用いた面発光光源およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年注目を浴びている発光素子として、有機ＥＬ素子がある。この素子は、図２２に示したように、一般的に、ガラス基板等の基板１０２上に、カソード電極１０３、発光層１０４および透明電極からなるアノード電極層１０５を順次積層し、あるいはその逆の順で積層して構成される。この種の有機ＥＬ素子は、電極間に電圧を印加し、キャリアを有機ＥＬ層に注入することで発光させることができ、面発光光源としても利用可能である。
【０００３】
なお、下記特許文献には、表示デバイスとして有機ＥＬを用いて表示面を画素毎に分割した構造が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特許第３８４６８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、有機ＥＬ素子を面発光光源として用いる場合には、一般的に、その発光光のうちの多くが、発光層の内部で反射を繰り返しながら、正面ではなく周辺部の端面等に伝播し、そこから外部へ出射されるため、光量のロスが発生する。その光量ロスは、素子構造にもよるが、一般には、８０％にも及ぶこともある。
【０００６】
また、発光面上に欠陥が存在すると、有機材料を用いて構成されている発光層の性質上、欠陥は経時的に発光面の面方向に成長することが知られている。このため、欠陥が少しでもあるパネルは使用することができない。したがって、仮に単一パネルで大型化を図ろうとした場合、通常の小型パネルの生産ラインと同等の（品質レベルの）生産ラインで生産する限り、歩留は著しく低下する。この傾向はパネルの大型化に従って益々顕著になる。
【０００７】
この問題に対処すべく、欠陥のない小型パネルを繋ぎ合わせて大面積の面発光光源を得る方法が考えられる。ところが、この方法では、大型化に伴って接合箇所およびパネル個数が増加するため、生産性の低下は免れない。他の方策として、高い品質レベルの（欠陥発生率の低い）生産ラインを用いて大型パネルを生産する方法も考えられるが、この場合には、生産ラインの構築に要するコストの上昇を招くおそれがある。
【０００８】
また、面発光光源では、大型化するに従い、温度分布や透明電極の抵抗が無視できなくなるため、発光面内に輝度むらが発生するおそれもある。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、発光光の利用率の向上および歩留の向上を可能とする面発光光源およびその製造方法、並びに、これらに加えて輝度むらの発生を抑制することができる面発光光源およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の面発光光源は、複数の発光領域に区画された発光層と、互いに隣り合う発光領域の間の領域に形成され、発光層から出射された光を反射する反射構造とを備えたものである。
【００１１】
本発明の面発光光源では、発光層が複数の発光領域に区画されているので、一部の発光領域に生じた欠陥が他の発光領域に影響を与えることがない。また、ある発光層で発した光のうち隣の発光領域に向かう成分は、反射構造によって反射されるので、その光が発光層内部を次々と伝播して最外端面から外部に漏れ出ることが抑制される。
【００１２】
特に、反射構造が、発光層の積層面と交差する方向に延びる反射面を有するようにした場合には、ある発光領域から隣の発光領域へ向かう光の少なくとも一部が元の発光領域の方向へ戻され、あるいは、発光層の積層面と交差する方向（被照射面の方向）に向かうようになる。
【００１３】
さらに、特に、発光層を上下から透明電極および金属電極により挟むようにした場合には、上面発光型の面発光光源が得られる。この場合、各発光領域の発光層端面から出射した光は、反射構造の反射面によって反射され、最終的に上側の透明電極を透過して本来の被照射面を照射する。一方、基板を透明基板で構成すると共に、発光層を上下から金属電極および透明電極により挟むようにした場合には、下面発光型の面発光光源が得られる。この場合、各発光領域の発光層端面から出射した光は、反射構造の反射面によって反射され、最終的に下側の透明電極および透明基板を透過して本来の被照射面を照射する。
【００１４】
また、透明電極に接するように金属からなる補助電極を追加配設し、あるいは、透明電極に接するように反射構造としての金属隔壁を設けるようにした場合には、透明電極の配線抵抗が低減される。これより、大きい面積の面発光光源であっても電圧降下が低減され、電極間印加電圧が発光領域間で異なることが抑制される。
【００１５】
また、透明基板上に形成された透明電極層の上に発光層を形成し、各発光領域における発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように透明電極層上に透明絶縁層を立設し、発光層および透明絶縁層の表面を覆うように金属電極層を形成すると共に、金属電極層の一部が反射構造を兼ねるようにした場合には、下面発光型の面発光光源が得られる。この場合には、反射構造としての隔壁（金属隔壁）を別途設ける必要がない。
【００１６】
本発明の第１の面発光光源の製造方法は、基板上に金属電極層を形成する工程と、金属電極層における互いに離間した複数の領域をそれぞれ所定の深さまでエッチングして複数の凹部とこれらの凹部間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、金属電極層の各凹部の底面に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように透明電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、基板上に形成した金属電極層に複数の凹部が形成され、各凹部の底面に発光層が形成される。隣り合う凹部間の金属電極層部分が金属隔壁となる。透明電極層は、発光層と接触すると共に、金属隔壁上においては透明絶縁層を介してその上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた上面発光型の面発光光源が得られる。
【００１７】
本発明の第２の面発光光源の製造方法は、透明基板上に透明電極層を形成する工程と、透明電極層上に金属層を形成する工程と、金属層を透明電極層に達するまで選択的にエッチングして、透明電極層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、露出領域に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した透明電極層の上に金属隔壁が選択的に形成されると共に、この金属隔壁およびこれを覆う透明絶縁層によって取り囲まれた領域の透明電極層上に発光層が形成される。金属電極層は、発光層と接触すると共に、金属隔壁上においては透明絶縁層を介してその上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた下面発光型の面発光光源が得られる。
【００１８】
本発明の第３の面発光光源の製造方法は、透明基板上に透明電極層を形成する工程と、透明電極層上の互いに離間した複数の領域をそれぞれ取り囲むように、透明電極層上に透明絶縁層を形成する工程と、透明電極層上の複数の領域の各々に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程とを含み、透明絶縁層が、発光層よりも大きい膜厚を有し複数の領域の各々を取り囲む第１の部分と、発光層よりも小さい膜厚を有し第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体をなす第２の部分とを含むようにするものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した透明電極層の上に透明絶縁層が選択的に形成されると共に、この透明絶縁層によって取り囲まれた領域の透明電極層上に発光層が形成される。金属電極層は、発光領域では発光層と接触すると共に、発光領域間では透明絶縁層上に延在するように形成される。透明絶縁層は、発光層よりも厚い膜厚をもって発光層を取り囲む内側部分（第１の部分）と、発光層よりも薄い外側部分（第２の部分）とを含むように形成される。この結果、上側の電極である金属電極層が反射構造を兼ねる下面発光型の面発光光源が得られる。
【００１９】
本発明の第４の面発光光源の製造方法は、基板上に金属電極層を形成する工程と、金属電極層上に不透明絶縁層を形成する工程と、不透明絶縁層上に金属層を形成する工程と、金属層を不透明絶縁層に達するまで選択的にエッチングして、不透明絶縁層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、上記複数の領域に露出している不透明絶縁層を除去して金属電極層を露出させる工程と、金属隔壁の側壁面を覆うように透明絶縁層を形成する工程と、不透明絶縁層が除去された領域の金属電極層上に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層を経由して金属隔壁までを覆うように透明電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した金属電極層の上に絶縁層を介して金属層が形成されると共に、この絶縁層をエッチングストッパとして金属層が選択的にエッチングされる。この金属層のエッチング後の残余部分が金属隔壁となる。こののち、露出している絶縁層が除去されて金属電極層が露出し、金属隔壁の側壁面が透明絶縁層で覆われた後、露出した金属電極層上に発光層が形成される。透明電極層は、発光領域では発光層と接触すると共に、発光領域間では透明絶縁層および金属隔壁上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた上面発光型の面発光光源が得られる。この場合、金属隔壁は透明電極層と接触する金属配線としても機能するので、透明電極の配線抵抗が低減される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の面発光光源によれば、発光層を複数の発光領域に区画するようにしたので、一部の発光領域に生じた欠陥が他の発光領域にまで拡大することがない。また、互いに隣り合う発光領域の間の領域に反射構造を設けるようにしたので、発光した光の光利用効率を高めることができる。
【００２１】
特に、透明電極に接するように金属からなる補助電極を追加配設し、あるいは、透明電極に接するように反射構造としての金属隔壁を設けるようにした場合には、透明電極の配線抵抗が低減されるので、大きい面積の面発光光源であっても発光輝度むらを低減することができる。
【００２２】
また、発光面側（透明電極側）にレンズ層を形成した場合には、発光面から出射した光を効率よく被照射面に導くことができ、光利用効率をさらに高めることもできる。
【００２３】
また、各発光領域の発光層を取り囲むように透明電極層上に透明絶縁層を立設し、発光層および透明絶縁層の表面を覆うように金属電極層を形成すると共に、金属電極層の一部が反射構造を兼ねるようにした場合には、反射構造としての隔壁（金属隔壁）を別途設ける必要がないので、プロセスが簡単になる。
【００２４】
本発明の第１ないし第４の面発光光源の製造方法によれば、複数の発光領域に区画された発光層と、各発光領域の発光層を取り囲む反射構造（金属隔壁または金属電極層）とを備えた面発光光源が得られる。このため、一部の発光領域の発光層に発生した欠陥が面発光光源全体に拡大するのを抑制して製造歩留を高めることができると共に、発生光が発光層内部を外部へと伝播して失われるのを抑制して光利用効率を高めることができる。
【００２５】
特に、第４の面発光光源の製造方法によれば、透明基板上に形成した金属電極層の上に絶縁層を介して金属層を形成し、この絶縁層をエッチングストッパとして金属層を選択的にエッチングして非エッチング領域に金属隔壁を形成すると共に、その後、エッチングストッパ（絶縁層）を除去して金属電極層を露出させるようにしたので、金属電極層の膜厚および金属隔壁の高さを高精度に制御することができる。しかも、金属隔壁は、後に形成する透明電極層と接触する金属配線としても機能するので、透明電極層の配線抵抗が低減され、面発光光源全体における発光輝度むらを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、単に実施の形態という。）について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る面発光光源の平面構造を表すものであり、図２は、この面発光光源における１つの発光セル（発光領域）のＡ−Ａ矢視断面構造（を表すものである。面発光光源１は、上面発光型（トップ・エミッション型）の面発光光源として構成されたものであり、図１に示したように、複数の発光セルを有する。図２に示したように、この面発光光源１は、基板１４上に、カソード電極層１２、発光層１１およびアノード電極層１５を順次積層した構造を有する。カソード電極層１２の中央部（発光領域）には凹部が形成され、この凹部の底部に発光層１１が形成されている。カソード電極層１２のうち、発光層１１を取り囲む部分（隣の発光領域との間の領域）は、反射構造としての隔壁１６を構成している。発光層１１と隔壁１６との間には、透明絶縁層１３が形成されている。この透明絶縁層１３は、隔壁１６上にまで延びている。発光層１１および透明絶縁層１３の上面には、アノード電極層１５が形成されている。すなわち、発光層１１は隔壁１６および透明絶縁層１３によって複数の発光セルに区画されている。
【００２８】
基板１４としては、例えば、ガラスなどの透明（光透過性）材料により構成されるが、これには限定されず、例えば樹脂基板やセラミック基板等の不透明基板も利用可能である。
【００２９】
カソード電極層１２は、発光層１１に電圧を印加するための一方の電極であり、すべての発光セルに共通に延在している。カソード電極層１２は、光反射率の高い導電性材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料が利用可能である。カソード電極層１２の凹部領域は、例えば１μｍ程度の膜厚を有する。
【００３０】
発光層１１は、外部からアノード電極層１５とカソード電極層１２との間に印加された電圧に応じて光を発するものであり、例えば、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）材料を用いて構成可能である。但し、これに限定されず、それ以外にも、例えば、無機ＥＬ材料が利用可能である。また、発光層１１の形状は、図１では円形であるが、これには限定されず、隔壁１６の形状に合わせて、例えば三角形、四角形、六角形等にしてもよい。なお、発光層１１は、例えば２００ｎｍ程度の膜厚を有することが好ましい。また、互いに隣接する発光セルの中心間距離ｄは、例えば１ｍｍ程度とすることができるが、これには限定されない。
【００３１】
アノード電極層１５は、発光層１１に電圧を印加するための他方の電極であり、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）などの透明導電材料により構成されている。このアノード電極層１５は、すべての発光セルの発光層１１および絶縁層１３を覆うようにして発光面全体に配設されている。アノード電極層１５は、全発光領域に同時に一様な電圧が印加されることを確保すべく、配線抵抗が大きくならないように十分な膜厚を有することが好ましい。
【００３２】
隔壁１６は、アノード電極層１５の一部をなすものであり、発光層１１を個々の発光セルに区画すると共に、発光層１１で発生した光を反射して所定の方向に導くものである。隔壁１６の高さは、発光層１１の高さ（膜厚）よりも高く（厚く）することが好ましく、例えば、１μｍ程度の膜厚に形成される。隔壁１６は、図１に示したように正六角形形状に形成されている。これにより、円形に形成された発光層１１を比較的高密度（高効率）で収容することができる。なお、隔壁１６の壁厚ｌは、例えば３μｍ程度である。
【００３３】
絶縁層１３ は、カソード電極層１２とアノード電極層１５との間の絶縁状態を確保するものである。この絶縁層１３は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）または窒化ケイ素（ＳｉＮ）等の絶縁材料、もしくは感光性ＳＯＧ（Spin-On-Glass）等の塗布型感光性絶縁材料により構成可能である。
【００３４】
続いて、図３参照して面発光光源１の作用について説明する。
【００３５】
発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ１）がアノード電極層１５を透過して被照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ２）は、発光層１１の端面から出射し、隔壁１６の側面（反射面１８Ａ）で反射したのち、アノード電極層１５を透過して被照射面を照射する。すなわち、出射光の端面方向成分ｔ２が面発光光源１の最外周辺部にまで伝播し、その端部から漏出することが抑制される。これにより、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。
【００３６】
また、発光層を複数の発光領域に区画し、各発光領域毎に隔絶するようにしたので、いずれかの発光セルの発光層に欠陥が生じた場合であっても、それが他の発光セルに転移することがなく、面発光光源１の面方向への欠陥の成長が抑制される。したがって、小型の有機ＥＬ素子を製造する通常品質レベルの生産ラインを用いた場合であっても、
大型の面発光光源の製造歩留りを高めることができる。
【００３７】
以下、本実施の形態の変形例について説明する。
【００３８】
（変形例１−１）
本変形例は、図４に示したように、カソード電極層１２の一部をなす隔壁１６Ａが勾配を有するようにしたものである。その他の構成は、図２と同様である。隔壁１６Ａが勾配を有することで、隔壁１６Ａによって反射された光は、被照射面に向かって進行しやすくなり、光の利用効率が高まる。なお、「被照射面」とは、面発光光源１が光を照射する対象となる面をいい、図２の例ではアノード電極層１５と対向する面である。
【００３９】
（変形例１−２）
本変形例の面発光光源１Ａは、図５Ａに示したように、透明絶縁層１３とアノード電極層１５Ａとの間に、例えばアルミニウム、銀等の金属からなる補助電極１９を備えている。その他の構成は図２と同様である。この補助電極１９は、アノード電極層１５と電気的に接続された低抵抗の金属配線であるため、アノード電極層１５Ａの配線抵抗を軽減するように作用する。このため、カソード電極層とアノード電極層との間に印加される電圧の降下を抑制することができ、面発光光源１の中央部に印加される電圧の損失を抑制し、発光面内における発光輝度を均一にすることができる。
なお、図５Ｂに示したように、補助電極１９Ａを発光層１１（発光部分）の上部を除くアノード電極層１５の上面に形成しても同様の効果が得られる。
【００４０】
（変形例１−３）
本変形例は、上記面発光光源１に出射方向を制御する機構を加えたものである。面発光光源１Ｂは、図６Ａに示したように、アノード電極層１５の上面に、出射方向を制御するマイクロレンズ２０とを備えている。このマイクロレンズ２０を発光層１１の上部（光取出し部分）に設けることで、出射光を照射面に集光し、光利用効率を高めることができる。
【００４１】
また、本変形例のマイクロレンズ２０と変形例２の補助電極１９とを組み合わせるようにしてもよい。図６Ｂに示したように、透明絶縁層１３とアノード電極層１５Ａとの間に補助電極１９を形成し、かつ、アノード電極層１５Ａの上面にマイクロレンズ２０を形成する。この場合には、面発光光源の光利用効率を高めると共に、発光面全体における発光輝度の均一性を確保することができる。
【００４２】
（変形例１−４）
本変形例は、基板自体がカソード電極および反射構造をも兼用するようにしたものである。本変形例の面発光光源１Ｃは、図７に示したように、基板２４と、発光層１１と、透明絶縁層１３と、アノード電極層１５とを備えている。基板２４は、カソード電極１７および隔壁１６を兼ねており、上記実施の形態（図２）のカソード電極と同様の材料により形成されている。このように、基板２４がカソード電極１７および隔壁１６をも兼用するようにすることにより、成膜プロセスを減らし簡略化することができる。
【００４３】
次に、図８を参照して、図２に示した面発光光源１の製造方法について説明する。
【００４４】
まず、図８（Ａ）に示したように、基板１４の上に、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition；物理気相成長）により、カソード電極となる膜厚１μｍ程度のＡｌ層を形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィ法などのエッチング技術ないしはレーザ加工等の微細加工技術により、Ａｌ層の一部（発光層１１を形成するために必要部分）を除去して凹部２８および隔壁１６を形成する。隔壁１６の高さは、後述する発光層１３の膜厚よりも大きくする。なお、Ａｌ層の形成には、製造方法は異なるが、上記ＰＶＤ以外にもＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法が利用可能である。
【００４５】
次に、図８（Ｂ）に示したように、隔壁１６の上に、例えばＣＶＤ法やＰＶＤ法により膜厚１５０ｎｍ程度のＳｉＯ２層（透明絶縁層１３）を形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィ法などのエッチング技術またはレーザ加工等の微細加工技術により、透明絶縁層１３の一部を除去して凹部２８の表面を露出させる。
【００４６】
次に、図８（Ｃ）に示したように、カソード電極層１２の凹部底面（透明絶縁層１３に囲まれた領域）に、例えばインクジェットやレーザ転写等により膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。
【００４７】
次に、図８（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３の上面（発光面全体）に、アノード電極層１５を形成する。
【００４８】
以上の工程により、面発光光源１を形成することができる。説明を省略したが、この面発光光源１には、上記方法により複数の発光領域が形成される。このとき、隣接する発光領域の間の距離ｄは、例えば１ｍｍ程度である。
【００４９】
本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、面発光光源１の発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、面発光光源１内の一部に欠陥が発生した場合であっても、その欠陥の面方向における成長を抑制することができ、その製造歩留を高めることができる。
【００５０】
特に、面発光光源を大面積化する場合には、欠陥の発生を考慮した小型の光源パネルを複数作製し、それらを繋ぎ合わせる等の作業が不要となり、生産性を高めることができる。
【００５１】
また、発光層１１の下面にカソード電極１２を形成し、その上面にアノード電極層１５を形成するようにしたので、トップ・エミッション型の面発光光源を形成することができる。
【００５２】
［第２の実施の形態］
続いて、本発明の第２の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、下面発光型（ボトム・エミッション型）の面発光光源として構成したものであり、アノード電極とカソード電極がそれぞれ反対側に設けられ、かつ、隔壁とカソード電極が別体となっている。上述した第１の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００５３】
本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図９は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源２は、基板３４と、アノード電極層１５Ｂと、隔壁１６Ｂと、発光層１１と、透明絶縁層１３と、カソード電極１７Ａとを備えている。基板３４の上には、アノード電極層１５Ｂが形成されている。アノード電極層１５Ｂの上には発光層１１および隔壁１６Ｂが互いに離間した状態で形成されている。隔壁１６Ｂの側面および上面には透明絶縁層１３が形成されている。また、発光層１１および透明絶縁層１３の上には、カソード電極１７Ａが形成されている。そして、発光層１１と隔壁１６Ｂ、およびアノード電極層１５Ｂとカソード電極１７Ａは、それぞれ透明絶縁層１３によって隔絶された状態となっている。
【００５４】
隔壁１６Ｂは、上記隔壁１６と同質のものである。その膜厚は、発光層１１の膜厚よりも大きく、例えば、１μｍ程度である。発光層１１によって発光された光の側面方向成分を照射面（基板３４側）に導くために発光層１１の端面を囲むように設けられている。また、アノード電極層１５Ｂと接着した状態となることで、アノード電極層１５Ｂの補助配線としての機能も有している。
【００５５】
アノード電極層１５Ｂおよびカソード電極１７Ａは、発光層１４に電圧を印加するための一対の電極となるものである。アノード電極層１５Ｂは上記アノード電極層１５と同様の透明電極である。また、カソード電極１７Ａは、上記カソード電極１７と同様の金属電極である。
【００５６】
続いて、図１０を参照して面発光光源２の作用について説明する。
【００５７】
発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ３）がアノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ４）は、発光層１１の端面から出射し、複数の反射面、例えば、反射面１８Ｂ、反射面１８Ｃおよび反射面１８Ｄのすべて、もしくはそれらのいずれかとの反射を繰り返したのち、アノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面を照射する。
【００５８】
以下、本実施の形態の変形例について説明する。
【００５９】
（変形例２）
本変形例は、基板の下面をレンズ状に形成したものである。図１１に示したように、基板３４Ａの下面を光の出射方向を制御する機構、例えば、レンズ状に形成する。これにより、光の出射方向を制御することができ、光の利用効率を高めることができる。
【００６０】
以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、隔壁１６Ｂを設け、発光層１１の端面を覆うようにしたので、発光した光の端面方向成分が面発光光源２の端部から漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。
【００６１】
特に、隔壁１６Ｂとアノード電極層１５とを接着させることで、アノード電極層１５Ｂの配線抵抗を低減させることができ、発光面内における輝度むらを抑制することができる。
【００６２】
また、基板下面の形状をレンズ状に形成した場合には、光の出射方向を制御することができ、光利用効率をさらに高めることができる。
【００６３】
次に、図１２を参照して、図９に示した面発光光源２の製造方法について説明する。
【００６４】
まず、図１２（Ａ）に示したように、基板３４の上に、例えば、膜厚１５０ｎｍ程度のアノード電極層１５Ｂを形成する。続いて、例えば、膜厚１μｍ程度のＡｌ層２１を形成する。ここで、Ａｌ層２１の膜厚は、後述する発光層１１の膜厚よりも厚くする。
【００６５】
次に、図１２（Ｂ）に示したように、Ａｌ層２１の一部（発光層１１を形成するために必要な部分）を選択的に除去して隔壁１６Ｂを形成する。続いて、隔壁１６Ｂを含むアノード電極層１５Ｂ上に、膜厚１５０ｎｍ程度の透明絶縁層１３を形成する。その後、透明絶縁層１３の一部（発光層１１を形成するために必要な部分）を除去してアノード電極層１５Ｂの一部を露出させる。
【００６６】
次に、図１２（Ｃ）に示したように、露出したアノード電極層１５Ｂの上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。
【００６７】
次に、図１２（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３の上面（発光面全体）に、カソード電極１６Ａを形成する。
【００６８】
以上の工程により、面発光光源２を形成することができる。上記面発光光源１と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。
【００６９】
本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、隔壁１６Ｂを形成することで、発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、上記第１の実施の形態の製造方法と同様に、製造歩留を高めることができ、かつ、面発光光源を大面積化する場合には、その生産性を高めることができる。
【００７０】
特に、発光層１１の下面にカソード電極１７を形成し、その上面にアノード電極層１５を形成するようにしたので、ボトム・エミッション型の面発光光源を形成することができる。
【００７１】
［第３の実施の形態］
続いて、本発明の第３の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、ボトム・エミッション型の面発光光源として構成したものであり、隔壁を用いず、カソード電極によって発光層の側面を覆うようにしたものである。上述した第１および第２の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００７２】
本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図１３は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源３は、基板３４と、アノード電極層１５Ｂと、発光層１１と、透明絶縁層１３Ｂと、カソード電極２７とを備えている。基板３４の上には、アノード電極層１５Ｂが形成されている。アノード電極層１５Ｂの上には発光層１１および透明絶縁層１３Ｂ形成され、発光層１１および透明絶縁層１３Ｂの上には、カソード電極２７が形成されている。
【００７３】
透明絶縁層１３Ｂは、アノード電極層１５Ｂとカソード電極２７との間を絶縁するものであり、例えば、ＳｉＯ2等の絶縁材料である。この透明絶縁層１３Ｂは、発光層１１の外周端面と対向するようにアノード電極層１５Ｂ上に立設された第１部位１３Ｃと、第１部位の外周面に設けられた第２部位とを含んでいる。第１部位の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも厚い、例えば、６００ｎｍ程度である。また、第２部位の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも薄い、例えば、１５０ｎｍ程度である。
【００７４】
カソード電極２７は、アノード電極層１５Ｂと一対となり、発光層に電圧を印加するための電極である。このカソード電極２７は、発光層１１の上面に設けられた上面部２７Ａと、発光層１１の端面と対向するように設けられた端面部２７Ｂとを含んでいる。端面部２７Ｂは、発光層を発光領域毎に区画する隔壁としての機能も有している。
【００７５】
続いて、図１４を参照して面発光光源３の作用について説明する。
【００７６】
発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ５）がアノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ６）は、発光層１１の端面から出射し、複数の反射面、例えば、反射面１８Ｅ、反射面１８Ｆおよび反射面１８Ｇのとの反射を繰り返したのち、アノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面を照射する。
【００７７】
以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、発光層１１の端面と対向するようにしてカソード電極２７の一部（端面部２７Ｂ）を形成するようにしたので、発光面の端部から出射光の一部が漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。
【００７８】
次に、図１５を参照して、図１３に示した面発光光源３の製造方法について説明する。
【００７９】
まず、図１５（Ａ）に示したように、基板３４の上に、例えば、膜厚１５０ｎｍ程度のアノード電極層１５Ｂを形成する。
【００８０】
次に、図１５（Ｂ）に示したように、透明絶縁層１３Ｂを形成する。具体的には、膜厚６００ｎｍ程度のＳｉＯ２層を形成する。続いて、ＳｉＯ２層における発光層１１が形成される領域２２Ａを選択的に除去してアノード電極層１５Ｂを露出させる。さらに、残るＳｉＯ２層の一部（カソード電極２７の端面部分２７Ｂが形成される領域）２２Ｂを選択的に除去する。以上の工程により、膜厚６００ｎｍ程度の透明絶縁層の第１部位１３Ｃと、膜厚１５０ｎｍ程度の透明絶縁層の第２部位１３Ｄとを有する透明絶縁層１３Ｂを形成する。なお、アノード電極層１５Ｂの上部に存在するＳｉＯ２層の膜厚を減少させ、続いて、ＳｉＯ２層の一部２２Ｂとともにアノード電極層１５Ｂの上部に存在するＳｉＯ２層を除去する方法により、透明絶縁層１３Ｂを形成することもできる。
【００８１】
次に、図１５（Ｃ）に示したように、露出したアノード電極層１５Ｂの上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。
【００８２】
次に、図１５（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３Ｂの上面（発光面全体）に、例えばＰＶＤ法によりカソード電極２７を形成する。
【００８３】
以上の工程により、面発光光源３を形成することができる。上記面発光光源１および２と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。
【００８４】
本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、透明絶縁層１３Ｂの一部（第２部位１３Ｄ）の膜厚を発光層１１の膜厚よりも薄く形成し、かつ、カソード電極２７の一部（端面部部２７Ｂ）を発光層１１の端面と対向するように形成したので、出射光の端面成分を照射面に導くことが可能となり光利用効率を高めることができ、かつ、別個に隔壁を設ける必要がなく、その製造工程数を減らすことができる。
【００８５】
［第４の実施の形態］
続いて、本発明の第４の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、トップ・エミッション型の面発光光源として構成したものであり、補助電極としても機能する金属隔壁をアノード電極層の下面に配設すると共に、金属隔壁とカソード電極層との間に、エッチングストッパ層としても機能する電極間絶縁膜を設けるようにしたものである。上述した第１および第３の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００８６】
本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図１６は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源４は、基板１４と、カソード電極１７と、不透明絶縁層２３と、透明絶縁層１３Ｅと、発光層１１と、隔壁１６Ｃと、アノード電極層１５とを備えている。基板１２の上には、カソード電極１７が形成されている。このカソード電極１７の上面の一部には、発光層１１が形成されている。カソード電極１７の上面に、かつ、発光層１１の外周端面と接するように透明絶縁層１３Ｅが形成されている。カソード電極１７の上面に、かつ、透明絶縁層１３Ｅの外周端面と接するように不透明絶縁層２３が形成されている。また、不透明絶縁層２３の上面に、透明絶縁層１３Ｅの外周端面と接するように隔壁１６Ｃが形成されている。
【００８７】
不透明絶縁層２３は、カソード電極１７と隔壁１６Ｃとを電気的に絶縁するためのものであり、かつ、面発光光源の製造時においては、隔壁１６Ｃの膜厚を制御する機能をも有する。この不透明絶縁層２３としては、例えば、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３である。またはＳｉＯ２やＳｉＮであっても構わない。また、不透明絶縁層２３の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも薄く、例えば、１００ｎｍ程度である。
【００８８】
透明絶縁層１３Ｅは、アノード電極層１５Ｂとカソード電極２７との間を絶縁するものであり、上記透明絶縁層１３と同質のものである。
【００８９】
隔壁１６Ｃは、上記隔壁１６と同質のものである。その膜厚は、発光層１１の膜厚よりも大きく、例えば、６００ｎｍ程度である。発光層１１によって発光された光の側面方向成分を照射面（基板１４側）に導くために発光層１１の端面を囲むように設けられている。また、隔壁１６Ｃおよび上記透明絶縁層１３Ｅの膜厚は、発光層１１の膜厚よりも厚くする。隔壁１６Ｃは、アノード電極層１５と接した状態となることで、アノード電極層１５の補助配線としての機能も有する。
【００９０】
続いて、図１７を参照して面発光光源４の作用について説明する。
【００９１】
発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ７）がアノード電極層１５を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ８）は、発光層１１の端面から出射し、例えば、反射面１８Ｈと反射したのち、アノード電極層１５を透過して照射面を照射する。
【００９２】
以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、発光層１１の端面と対向するようにして側壁１６Ｃを形成するようにしたので、発光面の端部から出射光の一部が漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。
【００９３】
特に、アノード電極層１５と隔壁１６Ｃとを接して設けるようにしたので、アノード電極の配線抵抗を低減することができ、発光面内における発光輝度を均一にすることができる。
【００９４】
次に、図１８，１９を参照して、図１６に示した面発光光源４の製造方法について説明する。について説明する。
【００９５】
まず、図１８（Ａ）に示したように、基板１４の上に、例えば、ＰＶＤ法により膜厚６００ｎｍ程度のカソード電極１７を形成する。続いて、例えば、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍ程度の不透明絶縁層２３を形成する。その後、例えば、ＰＶＤ法により膜厚１μｍ程度の金属の補助電極層２５を形成する。
【００９６】
次に、図１８（Ｂ）に示したように、補助電極層２５の一部を除去する。具体的には、補助電極層２５の残存させる領域の上面にレジスト層２６を形成し、続いて、露出した補助電極層２５を、補助電極層のみエッチングする条件により選択的にエッチングして隔壁１６Ｃを形成すると共に、不透明絶縁層２３を露出させる。
【００９７】
次に、図１８（Ｃ）に示したように、不透明絶縁層２３の一部を除去する。具体的には、露出した不透明絶縁層２３を、不透明絶縁層２３のみエッチングする条件により選択的にエッチングしてカソード電極１７を露出させる。なお、このとき後処理としてレジスト層２６を除去する。なお、これらのエッチング処理（図１８（Ｂ），（Ｃ））が同一工程での処理であっても構わない。
【００９８】
次に、図１９（Ａ）に示したように、透明絶縁層１３Ｅを形成する。具体的には、隔壁１６Ｃおよびカソード電極１７の上に、例えば、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成し、続いてこの上からエッチングする。これにより、隔壁１６Ｃおよび不透明絶縁層２３の側面部分のみが残存し、透明絶縁層１３Ｅが形成される。
【００９９】
次に、図１９（Ｂ）に示したように、露出したカソード電極１７の上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、１μｍ程度の発光層１１を形成する。
【０１００】
次に、図１９（Ｃ）に示したように、発光層１１、透明絶縁層１３Ｅおよび隔壁１６Ｃの上面（発光面全体）に、アノード電極層１５を形成する。
【０１０１】
以上の工程により、面発光光源４を形成することができる。上記面発光光源１ないし３と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。
【０１０２】
本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、上記面発光光源１の製造方法と同様に、発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、面発光光源１内の一部に欠陥が発生した場合であっても、その欠陥の面方向における成長を抑制することができ、その製造歩留を高めることができる。
【０１０３】
特に、カソード電極１７と隔壁１６Ｃとの間に不透明絶縁層２３を形成し、かつ、隔壁１６Ｃおよび不透明絶縁層２３をそれぞれ性質の異なるエッチング法によりエッチングするようにしたので、隔壁１６Ｃおよびカソード電極１７の膜厚を高精度に制御することができる。
【０１０４】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、発光領域の形状を変えても良い。例えば、図２０に示したように、四角形にしてもよい、この場合には、発光領域の形成を容易に行うことができる。また、図２１に示したように、三角形にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る面発光光源の平面図である。
【図２】図１に示した面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【図３】図１に示した面発光光源の出射光路を表す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る変形例を表す図である。
【図５Ａ】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図５Ｂ】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図６Ａ】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図６Ｂ】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図７】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図８】図１に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【図１０】図９に示した面発光光源の出射光路を表す図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る変形例を表す図である。
【図１２】図９に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【図１４】図１３に示した面発光光源の出射光路を表す図である。
【図１５】図１３に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【図１７】図１６に示した面発光光源の出射光路を表す図である。
【図１８】図１６に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。
【図１９】図１７に続く図である。
【図２０】本発明に係る面発光光源の変形例を表す図である。
【図２１】本発明に係る面発光光源の他の変形例を表す図である。
【図２２】従来の面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，２，３，４…面発光光源、１１…発光層、１２…カソード電極層、１３，１３Ｂ，１３Ｅ…透明絶縁層、１３Ｃ…透明絶縁層の第１部位、１３Ｄ…透明絶縁層の第２部位、１４，２４，３４…基板、１５，１５Ａ，１５Ｂ…アノード電極層、１６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ…隔壁、１７，１７Ａ，２７…カソード電極、１９，１９Ａ…補助電極、２０…マイクロレンズ、２３…不透明絶縁層、２７Ａ…カソード電極の上面部、２７Ｂ…カソード電極の端面部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ等の自発光型の発光素子を用いた面発光光源およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年注目を浴びている発光素子として、有機ＥＬ素子がある。この素子は、図２２に示したように、一般的に、ガラス基板等の基板１０２上に、カソード電極１０３、発光層１０４および透明電極からなるアノード電極層１０５を順次積層し、あるいはその逆の順で積層して構成される。この種の有機ＥＬ素子は、電極間に電圧を印加し、キャリアを有機ＥＬ層に注入することで発光させることができ、面発光光源としても利用可能である。
【０００３】
なお、下記特許文献には、表示デバイスとして有機ＥＬを用いて表示面を画素毎に分割した構造が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特許第３８４６８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、有機ＥＬ素子を面発光光源として用いる場合には、一般的に、その発光光のうちの多くが、発光層の内部で反射を繰り返しながら、正面ではなく周辺部の端面等に伝播し、そこから外部へ出射されるため、光量のロスが発生する。その光量ロスは、素子構造にもよるが、一般には、８０％にも及ぶこともある。
【０００６】
また、発光面上に欠陥が存在すると、有機材料を用いて構成されている発光層の性質上、欠陥は経時的に発光面の面方向に成長することが知られている。このため、欠陥が少しでもあるパネルは使用することができない。したがって、仮に単一パネルで大型化を図ろうとした場合、通常の小型パネルの生産ラインと同等の（品質レベルの）生産ラインで生産する限り、歩留は著しく低下する。この傾向はパネルの大型化に従って益々顕著になる。
【０００７】
この問題に対処すべく、欠陥のない小型パネルを繋ぎ合わせて大面積の面発光光源を得る方法が考えられる。ところが、この方法では、大型化に伴って接合箇所およびパネル個数が増加するため、生産性の低下は免れない。他の方策として、高い品質レベルの（欠陥発生率の低い）生産ラインを用いて大型パネルを生産する方法も考えられるが、この場合には、生産ラインの構築に要するコストの上昇を招くおそれがある。
【０００８】
また、面発光光源では、大型化するに従い、温度分布や透明電極の抵抗が無視できなくなるため、発光面内に輝度むらが発生するおそれもある。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、発光光の利用率の向上および歩留の向上を可能とする面発光光源およびその製造方法、並びに、これらに加えて輝度むらの発生を抑制することができる面発光光源およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の面発光光源は、複数の発光領域に区画された発光層と、互いに隣り合う発光領域の間の領域に形成され、発光層から出射された光を反射する反射構造とを備えたものである。
【００１１】
本発明の面発光光源では、発光層が複数の発光領域に区画されているので、一部の発光領域に生じた欠陥が他の発光領域に影響を与えることがない。また、ある発光層で発した光のうち隣の発光領域に向かう成分は、反射構造によって反射されるので、その光が発光層内部を次々と伝播して最外端面から外部に漏れ出ることが抑制される。
【００１２】
特に、反射構造が、発光層の積層面と交差する方向に延びる反射面を有するようにした場合には、ある発光領域から隣の発光領域へ向かう光の少なくとも一部が元の発光領域の方向へ戻され、あるいは、発光層の積層面と交差する方向（被照射面の方向）に向かうようになる。
【００１３】
さらに、特に、発光層を上下から透明電極および金属電極により挟むようにした場合には、上面発光型の面発光光源が得られる。この場合、各発光領域の発光層端面から出射した光は、反射構造の反射面によって反射され、最終的に上側の透明電極を透過して本来の被照射面を照射する。一方、基板を透明基板で構成すると共に、発光層を上下から金属電極および透明電極により挟むようにした場合には、下面発光型の面発光光源が得られる。この場合、各発光領域の発光層端面から出射した光は、反射構造の反射面によって反射され、最終的に下側の透明電極および透明基板を透過して本来の被照射面を照射する。
【００１４】
また、透明電極に接するように金属からなる補助電極を追加配設し、あるいは、透明電極に接するように反射構造としての金属隔壁を設けるようにした場合には、透明電極の配線抵抗が低減される。これより、大きい面積の面発光光源であっても電圧降下が低減され、電極間印加電圧が発光領域間で異なることが抑制される。
【００１５】
また、透明基板上に形成された透明電極層の上に発光層を形成し、各発光領域における発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように透明電極層上に透明絶縁層を立設し、発光層および透明絶縁層の表面を覆うように金属電極層を形成すると共に、金属電極層の一部が反射構造を兼ねるようにした場合には、下面発光型の面発光光源が得られる。この場合には、反射構造としての隔壁（金属隔壁）を別途設ける必要がない。
【００１６】
本発明の第１の面発光光源の製造方法は、基板上に金属電極層を形成する工程と、金属電極層における互いに離間した複数の領域をそれぞれ所定の深さまでエッチングして複数の凹部とこれらの凹部間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、金属電極層の各凹部の底面に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように透明電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、基板上に形成した金属電極層に複数の凹部が形成され、各凹部の底面に発光層が形成される。隣り合う凹部間の金属電極層部分が金属隔壁となる。透明電極層は、発光層と接触すると共に、金属隔壁上においては透明絶縁層を介してその上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた上面発光型の面発光光源が得られる。
【００１７】
本発明の第２の面発光光源の製造方法は、透明基板上に透明電極層を形成する工程と、透明電極層上に金属層を形成する工程と、金属層を透明電極層に達するまで選択的にエッチングして、透明電極層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、露出領域に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した透明電極層の上に金属隔壁が選択的に形成されると共に、この金属隔壁およびこれを覆う透明絶縁層によって取り囲まれた領域の透明電極層上に発光層が形成される。金属電極層は、発光層と接触すると共に、金属隔壁上においては透明絶縁層を介してその上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた下面発光型の面発光光源が得られる。
【００１８】
本発明の第３の面発光光源の製造方法は、透明基板上に透明電極層を形成する工程と、透明電極層上の互いに離間した複数の領域をそれぞれ取り囲むように、透明電極層上に透明絶縁層を形成する工程と、透明電極層上の複数の領域の各々に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程とを含み、透明絶縁層が、発光層よりも大きい膜厚を有し複数の領域の各々を取り囲む第１の部分と、発光層よりも小さい膜厚を有し第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体をなす第２の部分とを含むようにするものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した透明電極層の上に透明絶縁層が選択的に形成されると共に、この透明絶縁層によって取り囲まれた領域の透明電極層上に発光層が形成される。金属電極層は、発光領域では発光層と接触すると共に、発光領域間では透明絶縁層上に延在するように形成される。透明絶縁層は、発光層よりも厚い膜厚をもって発光層を取り囲む内側部分（第１の部分）と、発光層よりも薄い外側部分（第２の部分）とを含むように形成される。この結果、上側の電極である金属電極層が反射構造を兼ねる下面発光型の面発光光源が得られる。
【００１９】
本発明の第４の面発光光源の製造方法は、基板上に金属電極層を形成する工程と、金属電極層上に不透明絶縁層を形成する工程と、不透明絶縁層上に金属層を形成する工程と、金属層を不透明絶縁層に達するまで選択的にエッチングして、不透明絶縁層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、上記複数の領域に露出している不透明絶縁層を除去して金属電極層を露出させる工程と、金属隔壁の側壁面を覆うように透明絶縁層を形成する工程と、不透明絶縁層が除去された領域の金属電極層上に発光層を形成する工程と、発光層から透明絶縁層を経由して金属隔壁までを覆うように透明電極層を形成する工程とを含むものである。
この面発光光源の製造方法では、透明基板上に形成した金属電極層の上に絶縁層を介して金属層が形成されると共に、この絶縁層をエッチングストッパとして金属層が選択的にエッチングされる。この金属層のエッチング後の残余部分が金属隔壁となる。こののち、露出している絶縁層が除去されて金属電極層が露出し、金属隔壁の側壁面が透明絶縁層で覆われた後、露出した金属電極層上に発光層が形成される。透明電極層は、発光領域では発光層と接触すると共に、発光領域間では透明絶縁層および金属隔壁上に延在するように形成される。この結果、反射構造として機能する金属隔壁を備えた上面発光型の面発光光源が得られる。この場合、金属隔壁は透明電極層と接触する金属配線としても機能するので、透明電極の配線抵抗が低減される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の面発光光源によれば、発光層を複数の発光領域に区画するようにしたので、一部の発光領域に生じた欠陥が他の発光領域にまで拡大することがない。また、互いに隣り合う発光領域の間の領域に反射構造を設けるようにしたので、発光した光の光利用効率を高めることができる。
【００２１】
特に、透明電極に接するように金属からなる補助電極を追加配設し、あるいは、透明電極に接するように反射構造としての金属隔壁を設けるようにした場合には、透明電極の配線抵抗が低減されるので、大きい面積の面発光光源であっても発光輝度むらを低減することができる。
【００２２】
また、発光面側（透明電極側）にレンズ層を形成した場合には、発光面から出射した光を効率よく被照射面に導くことができ、光利用効率をさらに高めることもできる。
【００２３】
また、各発光領域の発光層を取り囲むように透明電極層上に透明絶縁層を立設し、発光層および透明絶縁層の表面を覆うように金属電極層を形成すると共に、金属電極層の一部が反射構造を兼ねるようにした場合には、反射構造としての隔壁（金属隔壁）を別途設ける必要がないので、プロセスが簡単になる。
【００２４】
本発明の第１ないし第４の面発光光源の製造方法によれば、複数の発光領域に区画された発光層と、各発光領域の発光層を取り囲む反射構造（金属隔壁または金属電極層）とを備えた面発光光源が得られる。このため、一部の発光領域の発光層に発生した欠陥が面発光光源全体に拡大するのを抑制して製造歩留を高めることができると共に、発生光が発光層内部を外部へと伝播して失われるのを抑制して光利用効率を高めることができる。
【００２５】
特に、第４の面発光光源の製造方法によれば、透明基板上に形成した金属電極層の上に絶縁層を介して金属層を形成し、この絶縁層をエッチングストッパとして金属層を選択的にエッチングして非エッチング領域に金属隔壁を形成すると共に、その後、エッチングストッパ（絶縁層）を除去して金属電極層を露出させるようにしたので、金属電極層の膜厚および金属隔壁の高さを高精度に制御することができる。しかも、金属隔壁は、後に形成する透明電極層と接触する金属配線としても機能するので、透明電極層の配線抵抗が低減され、面発光光源全体における発光輝度むらを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、単に実施の形態という。）について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る面発光光源の平面構造を表すものであり、図２は、この面発光光源における１つの発光セル（発光領域）のＡ−Ａ矢視断面構造（を表すものである。面発光光源１は、上面発光型（トップ・エミッション型）の面発光光源として構成されたものであり、図１に示したように、複数の発光セルを有する。図２に示したように、この面発光光源１は、基板１４上に、カソード電極層１２、発光層１１およびアノード電極層１５を順次積層した構造を有する。カソード電極層１２の中央部（発光領域）には凹部が形成され、この凹部の底部に発光層１１が形成されている。カソード電極層１２のうち、発光層１１を取り囲む部分（隣の発光領域との間の領域）は、反射構造としての隔壁１６を構成している。発光層１１と隔壁１６との間には、透明絶縁層１３が形成されている。この透明絶縁層１３は、隔壁１６上にまで延びている。発光層１１および透明絶縁層１３の上面には、アノード電極層１５が形成されている。すなわち、発光層１１は隔壁１６および透明絶縁層１３によって複数の発光セルに区画されている。
【００２８】
基板１４としては、例えば、ガラスなどの透明（光透過性）材料により構成されるが、これには限定されず、例えば樹脂基板やセラミック基板等の不透明基板も利用可能である。
【００２９】
カソード電極層１２は、発光層１１に電圧を印加するための一方の電極であり、すべての発光セルに共通に延在している。カソード電極層１２は、光反射率の高い導電性材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料が利用可能である。カソード電極層１２の凹部領域は、例えば１μｍ程度の膜厚を有する。
【００３０】
発光層１１は、外部からアノード電極層１５とカソード電極層１２との間に印加された電圧に応じて光を発するものであり、例えば、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）材料を用いて構成可能である。但し、これに限定されず、それ以外にも、例えば、無機ＥＬ材料が利用可能である。また、発光層１１の形状は、図１では円形であるが、これには限定されず、隔壁１６の形状に合わせて、例えば三角形、四角形、六角形等にしてもよい。なお、発光層１１は、例えば２００ｎｍ程度の膜厚を有することが好ましい。また、互いに隣接する発光セルの中心間距離ｄは、例えば１ｍｍ程度とすることができるが、これには限定されない。
【００３１】
アノード電極層１５は、発光層１１に電圧を印加するための他方の電極であり、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）などの透明導電材料により構成されている。このアノード電極層１５は、すべての発光セルの発光層１１および絶縁層１３を覆うようにして発光面全体に配設されている。アノード電極層１５は、全発光領域に同時に一様な電圧が印加されることを確保すべく、配線抵抗が大きくならないように十分な膜厚を有することが好ましい。
【００３２】
隔壁１６は、アノード電極層１５の一部をなすものであり、発光層１１を個々の発光セルに区画すると共に、発光層１１で発生した光を反射して所定の方向に導くものである。隔壁１６の高さは、発光層１１の高さ（膜厚）よりも高く（厚く）することが好ましく、例えば、１μｍ程度の膜厚に形成される。隔壁１６は、図１に示したように正六角形形状に形成されている。これにより、円形に形成された発光層１１を比較的高密度（高効率）で収容することができる。なお、隔壁１６の壁厚ｌは、例えば３μｍ程度である。
【００３３】
絶縁層１３ は、カソード電極層１２とアノード電極層１５との間の絶縁状態を確保するものである。この絶縁層１３は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）または窒化ケイ素（ＳｉＮ）等の絶縁材料、もしくは感光性ＳＯＧ（Spin-On-Glass）等の塗布型感光性絶縁材料により構成可能である。
【００３４】
続いて、図３参照して面発光光源１の作用について説明する。
【００３５】
発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ１）がアノード電極層１５を透過して被照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ２）は、発光層１１の端面から出射し、隔壁１６の側面（反射面１８Ａ）で反射したのち、アノード電極層１５を透過して被照射面を照射する。すなわち、出射光の端面方向成分ｔ２が面発光光源１の最外周辺部にまで伝播し、その端部から漏出することが抑制される。これにより、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。
【００３６】
また、発光層を複数の発光領域に区画し、各発光領域毎に隔絶するようにしたので、いずれかの発光セルの発光層に欠陥が生じた場合であっても、それが他の発光セルに転移することがなく、面発光光源１の面方向への欠陥の成長が抑制される。したがって、小型の有機ＥＬ素子を製造する通常品質レベルの生産ラインを用いた場合であっても、
大型の面発光光源の製造歩留りを高めることができる。
【００３７】
以下、本実施の形態の変形例について説明する。
【００３８】
（変形例１−１）
本変形例は、図４に示したように、カソード電極層１２の一部をなす隔壁１６Ａが勾配を有するようにしたものである。その他の構成は、図２と同様である。隔壁１６Ａが勾配を有することで、隔壁１６Ａによって反射された光は、被照射面に向かって進行しやすくなり、光の利用効率が高まる。なお、「被照射面」とは、面発光光源１が光を照射する対象となる面をいい、図２の例ではアノード電極層１５と対向する面である。
【００３９】
（変形例１−２）
本変形例の面発光光源１Ａは、図５Ａに示したように、透明絶縁層１３とアノード電極層１５Ａとの間に、例えばアルミニウム、銀等の金属からなる補助電極１９を備えている。その他の構成は図２と同様である。この補助電極１９は、アノード電極層１５と電気的に接続された低抵抗の金属配線であるため、アノード電極層１５Ａの配線抵抗を軽減するように作用する。このため、カソード電極層とアノード電極層との間に印加される電圧の降下を抑制することができ、面発光光源１の中央部に印加される電圧の損失を抑制し、発光面内における発光輝度を均一にすることができる。
なお、図５Ｂに示したように、補助電極１９Ａを発光層１１（発光部分）の上部を除くアノード電極層１５の上面に形成しても同様の効果が得られる。
【００４０】
（変形例１−３）
本変形例は、上記面発光光源１に出射方向を制御する機構を加えたものである。面発光光源１Ｂは、図６Ａに示したように、アノード電極層１５の上面に、出射方向を制御するマイクロレンズ２０とを備えている。このマイクロレンズ２０を発光層１１の上部（光取出し部分）に設けることで、出射光を照射面に集光し、光利用効率を高めることができる。
【００４１】
また、本変形例のマイクロレンズ２０と変形例２の補助電極１９とを組み合わせるようにしてもよい。図６Ｂに示したように、透明絶縁層１３とアノード電極層１５Ａとの間に補助電極１９を形成し、かつ、アノード電極層１５Ａの上面にマイクロレンズ２０を形成する。この場合には、面発光光源の光利用効率を高めると共に、発光面全体における発光輝度の均一性を確保することができる。
【００４２】
（変形例１−４）
本変形例は、基板自体がカソード電極および反射構造をも兼用するようにしたものである。本変形例の面発光光源１Ｃは、図７に示したように、基板２４と、発光層１１と、透明絶縁層１３と、アノード電極層１５とを備えている。基板２４は、カソード電極１７および隔壁１６を兼ねており、上記実施の形態（図２）のカソード電極と同様の材料により形成されている。このように、基板２４がカソード電極１７および隔壁１６をも兼用するようにすることにより、成膜プロセスを減らし簡略化することができる。
【００４３】
次に、図８を参照して、図２に示した面発光光源１の製造方法について説明する。
【００４４】
まず、図８（Ａ）に示したように、基板１４の上に、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition；物理気相成長）により、カソード電極となる膜厚１μｍ程度のＡｌ層を形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィ法などのエッチング技術ないしはレーザ加工等の微細加工技術により、Ａｌ層の一部（発光層１１を形成するために必要部分）を除去して凹部２８および隔壁１６を形成する。隔壁１６の高さは、後述する発光層１３の膜厚よりも大きくする。なお、Ａｌ層の形成には、製造方法は異なるが、上記ＰＶＤ以外にもＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法が利用可能である。
【００４５】
次に、図８（Ｂ）に示したように、隔壁１６の上に、例えばＣＶＤ法やＰＶＤ法により膜厚１５０ｎｍ程度のＳｉＯ２層（透明絶縁層１３）を形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィ法などのエッチング技術またはレーザ加工等の微細加工技術により、透明絶縁層１３の一部を除去して凹部２８の表面を露出させる。
【００４６】
次に、図８（Ｃ）に示したように、カソード電極層１２の凹部底面（透明絶縁層１３に囲まれた領域）に、例えばインクジェットやレーザ転写等により膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。
【００４７】
次に、図８（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３の上面（発光面全体）に、アノード電極層１５を形成する。
【００４８】
以上の工程により、面発光光源１を形成することができる。説明を省略したが、この面発光光源１には、上記方法により複数の発光領域が形成される。このとき、隣接する発光領域の間の距離ｄは、例えば１ｍｍ程度である。
【００４９】
本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、面発光光源１の発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、面発光光源１内の一部に欠陥が発生した場合であっても、その欠陥の面方向における成長を抑制することができ、その製造歩留を高めることができる。
【００５０】
特に、面発光光源を大面積化する場合には、欠陥の発生を考慮した小型の光源パネルを複数作製し、それらを繋ぎ合わせる等の作業が不要となり、生産性を高めることができる。
【００５１】
また、発光層１１の下面にカソード電極１２を形成し、その上面にアノード電極層１５を形成するようにしたので、トップ・エミッション型の面発光光源を形成することができる。
【００５２】
［第２の実施の形態］
続いて、本発明の第２の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、下面発光型（ボトム・エミッション型）の面発光光源として構成したものであり、アノード電極とカソード電極がそれぞれ反対側に設けられ、かつ、隔壁とカソード電極が別体となっている。上述した第１の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００５３】
本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図９は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源２は、基板３４と、アノード電極層１５Ｂと、隔壁１６Ｂと、発光層１１と、透明絶縁層１３と、カソード電極１７Ａとを備えている。基板３４の上には、アノード電極層１５Ｂが形成されている。アノード電極層１５Ｂの上には発光層１１および隔壁１６Ｂが互いに離間した状態で形成されている。隔壁１６Ｂの側面および上面には透明絶縁層１３が形成されている。また、発光層１１および透明絶縁層１３の上には、カソード電極１７Ａが形成されている。そして、発光層１１と隔壁１６Ｂ、およびアノード電極層１５Ｂとカソード電極１７Ａは、それぞれ透明絶縁層１３によって隔絶された状態となっている。
【００５４】
隔壁１６Ｂは、上記隔壁１６と同質のものである。その膜厚は、発光層１１の膜厚よりも大きく、例えば、１μｍ程度である。発光層１１によって発光された光の側面方向成分を照射面（基板３４側）に導くために発光層１１の端面を囲むように設けられている。また、アノード電極層１５Ｂと接着した状態となることで、アノード電極層１５Ｂの補助配線としての機能も有している。
【００５５】
アノード電極層１５Ｂおよびカソード電極１７Ａは、発光層１４に電圧を印加するための一対の電極となるものである。アノード電極層１５Ｂは上記アノード電極層１５と同様の透明電極である。また、カソード電極１７Ａは、上記カソード電極１７と同様の金属電極である。
【００５６】
続いて、図１０を参照して面発光光源２の作用について説明する。
【００５７】
発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ３）がアノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ４）は、発光層１１の端面から出射し、複数の反射面、例えば、反射面１８Ｂ、反射面１８Ｃおよび反射面１８Ｄのすべて、もしくはそれらのいずれかとの反射を繰り返したのち、アノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面を照射する。
【００５８】
以下、本実施の形態の変形例について説明する。
【００５９】
（変形例２）
本変形例は、基板の下面をレンズ状に形成したものである。図１１に示したように、基板３４Ａの下面を光の出射方向を制御する機構、例えば、レンズ状に形成する。これにより、光の出射方向を制御することができ、光の利用効率を高めることができる。
【００６０】
以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、隔壁１６Ｂを設け、発光層１１の端面を覆うようにしたので、発光した光の端面方向成分が面発光光源２の端部から漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。
【００６１】
特に、隔壁１６Ｂとアノード電極層１５とを接着させることで、アノード電極層１５Ｂの配線抵抗を低減させることができ、発光面内における輝度むらを抑制することができる。
【００６２】
また、基板下面の形状をレンズ状に形成した場合には、光の出射方向を制御することができ、光利用効率をさらに高めることができる。
【００６３】
次に、図１２を参照して、図９に示した面発光光源２の製造方法について説明する。
【００６４】
まず、図１２（Ａ）に示したように、基板３４の上に、例えば、膜厚１５０ｎｍ程度のアノード電極層１５Ｂを形成する。続いて、例えば、膜厚１μｍ程度のＡｌ層２１を形成する。ここで、Ａｌ層２１の膜厚は、後述する発光層１１の膜厚よりも厚くする。
【００６５】
次に、図１２（Ｂ）に示したように、Ａｌ層２１の一部（発光層１１を形成するために必要な部分）を選択的に除去して隔壁１６Ｂを形成する。続いて、隔壁１６Ｂを含むアノード電極層１５Ｂ上に、膜厚１５０ｎｍ程度の透明絶縁層１３を形成する。その後、透明絶縁層１３の一部（発光層１１を形成するために必要な部分）を除去してアノード電極層１５Ｂの一部を露出させる。
【００６６】
次に、図１２（Ｃ）に示したように、露出したアノード電極層１５Ｂの上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。
【００６７】
次に、図１２（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３の上面（発光面全体）に、カソード電極１６Ａを形成する。
【００６８】
以上の工程により、面発光光源２を形成することができる。上記面発光光源１と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。
【００６９】
本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、隔壁１６Ｂを形成することで、発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、上記第１の実施の形態の製造方法と同様に、製造歩留を高めることができ、かつ、面発光光源を大面積化する場合には、その生産性を高めることができる。
【００７０】
特に、発光層１１の下面にカソード電極１７を形成し、その上面にアノード電極層１５を形成するようにしたので、ボトム・エミッション型の面発光光源を形成することができる。
【００７１】
［第３の実施の形態］
続いて、本発明の第３の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、ボトム・エミッション型の面発光光源として構成したものであり、隔壁を用いず、カソード電極によって発光層の側面を覆うようにしたものである。上述した第１および第２の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００７２】
本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図１３は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源３は、基板３４と、アノード電極層１５Ｂと、発光層１１と、透明絶縁層１３Ｂと、カソード電極２７とを備えている。基板３４の上には、アノード電極層１５Ｂが形成されている。アノード電極層１５Ｂの上には発光層１１および透明絶縁層１３Ｂ形成され、発光層１１および透明絶縁層１３Ｂの上には、カソード電極２７が形成されている。
【００７３】
透明絶縁層１３Ｂは、アノード電極層１５Ｂとカソード電極２７との間を絶縁するものであり、例えば、ＳｉＯ2等の絶縁材料である。この透明絶縁層１３Ｂは、発光層１１の外周端面と対向するようにアノード電極層１５Ｂ上に立設された第１部位１３Ｃと、第１部位の外周面に設けられた第２部位とを含んでいる。第１部位の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも厚い、例えば、６００ｎｍ程度である。また、第２部位の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも薄い、例えば、１５０ｎｍ程度である。
【００７４】
カソード電極２７は、アノード電極層１５Ｂと一対となり、発光層に電圧を印加するための電極である。このカソード電極２７は、発光層１１の上面に設けられた上面部２７Ａと、発光層１１の端面と対向するように設けられた端面部２７Ｂとを含んでいる。端面部２７Ｂは、発光層を発光領域毎に区画する隔壁としての機能も有している。
【００７５】
続いて、図１４を参照して面発光光源３の作用について説明する。
【００７６】
発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ５）がアノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ６）は、発光層１１の端面から出射し、複数の反射面、例えば、反射面１８Ｅ、反射面１８Ｆおよび反射面１８Ｇのとの反射を繰り返したのち、アノード電極層１５Ｂおよび基板３４を透過して照射面を照射する。
【００７７】
以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、発光層１１の端面と対向するようにしてカソード電極２７の一部（端面部２７Ｂ）を形成するようにしたので、発光面の端部から出射光の一部が漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。
【００７８】
次に、図１５を参照して、図１３に示した面発光光源３の製造方法について説明する。
【００７９】
まず、図１５（Ａ）に示したように、基板３４の上に、例えば、膜厚１５０ｎｍ程度のアノード電極層１５Ｂを形成する。
【００８０】
次に、図１５（Ｂ）に示したように、透明絶縁層１３Ｂを形成する。具体的には、膜厚６００ｎｍ程度のＳｉＯ２層を形成する。続いて、ＳｉＯ２層における発光層１１が形成される領域２２Ａを選択的に除去してアノード電極層１５Ｂを露出させる。さらに、残るＳｉＯ２層の一部（カソード電極２７の端面部分２７Ｂが形成される領域）２２Ｂを選択的に除去する。以上の工程により、膜厚６００ｎｍ程度の透明絶縁層の第１部位１３Ｃと、膜厚１５０ｎｍ程度の透明絶縁層の第２部位１３Ｄとを有する透明絶縁層１３Ｂを形成する。なお、アノード電極層１５Ｂの上部に存在するＳｉＯ２層の膜厚を減少させ、続いて、ＳｉＯ２層の一部２２Ｂとともにアノード電極層１５Ｂの上部に存在するＳｉＯ２層を除去する方法により、透明絶縁層１３Ｂを形成することもできる。
【００８１】
次に、図１５（Ｃ）に示したように、露出したアノード電極層１５Ｂの上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、膜厚２００ｎｍ程度の発光層１１を形成する。
【００８２】
次に、図１５（Ｄ）に示したように、発光層１１および透明絶縁層１３Ｂの上面（発光面全体）に、例えばＰＶＤ法によりカソード電極２７を形成する。
【００８３】
以上の工程により、面発光光源３を形成することができる。上記面発光光源１および２と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。
【００８４】
本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、透明絶縁層１３Ｂの一部（第２部位１３Ｄ）の膜厚を発光層１１の膜厚よりも薄く形成し、かつ、カソード電極２７の一部（端面部部２７Ｂ）を発光層１１の端面と対向するように形成したので、出射光の端面成分を照射面に導くことが可能となり光利用効率を高めることができ、かつ、別個に隔壁を設ける必要がなく、その製造工程数を減らすことができる。
【００８５】
［第４の実施の形態］
続いて、本発明の第４の実施の形態の面発光光源の構成について説明する。本実施の形態の面発光光源は、トップ・エミッション型の面発光光源として構成したものであり、補助電極としても機能する金属隔壁をアノード電極層の下面に配設すると共に、金属隔壁とカソード電極層との間に、エッチングストッパ層としても機能する電極間絶縁膜を設けるようにしたものである。上述した第１および第３の実施の形態と重複する箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。
【００８６】
本実施の形態に係る面発光光源の平面構成は、図１に示すものと同様である。図１６は、本実施の形態に係る面発光光源のＡ−Ａ矢視断面構成を表すものである。面発光光源４は、基板１４と、カソード電極１７と、不透明絶縁層２３と、透明絶縁層１３Ｅと、発光層１１と、隔壁１６Ｃと、アノード電極層１５とを備えている。基板１２の上には、カソード電極１７が形成されている。このカソード電極１７の上面の一部には、発光層１１が形成されている。カソード電極１７の上面に、かつ、発光層１１の外周端面と接するように透明絶縁層１３Ｅが形成されている。カソード電極１７の上面に、かつ、透明絶縁層１３Ｅの外周端面と接するように不透明絶縁層２３が形成されている。また、不透明絶縁層２３の上面に、透明絶縁層１３Ｅの外周端面と接するように隔壁１６Ｃが形成されている。
【００８７】
不透明絶縁層２３は、カソード電極１７と隔壁１６Ｃとを電気的に絶縁するためのものであり、かつ、面発光光源の製造時においては、隔壁１６Ｃの膜厚を制御する機能をも有する。この不透明絶縁層２３としては、例えば、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３である。またはＳｉＯ２やＳｉＮであっても構わない。また、不透明絶縁層２３の膜厚は、発光層１１の膜厚よりも薄く、例えば、１００ｎｍ程度である。
【００８８】
透明絶縁層１３Ｅは、アノード電極層１５Ｂとカソード電極２７との間を絶縁するものであり、上記透明絶縁層１３と同質のものである。
【００８９】
隔壁１６Ｃは、上記隔壁１６と同質のものである。その膜厚は、発光層１１の膜厚よりも大きく、例えば、６００ｎｍ程度である。発光層１１によって発光された光の側面方向成分を照射面（基板１４側）に導くために発光層１１の端面を囲むように設けられている。また、隔壁１６Ｃおよび上記透明絶縁層１３Ｅの膜厚は、発光層１１の膜厚よりも厚くする。隔壁１６Ｃは、アノード電極層１５と接した状態となることで、アノード電極層１５の補助配線としての機能も有する。
【００９０】
続いて、図１７を参照して面発光光源４の作用について説明する。
【００９１】
発光層１１によって発せられた光は、その大部分（正面方向成分ｔ７）がアノード電極層１５を透過して照射面側に出射する。一方、他の一部（端面方向成分ｔ８）は、発光層１１の端面から出射し、例えば、反射面１８Ｈと反射したのち、アノード電極層１５を透過して照射面を照射する。
【００９２】
以上説明したように、本実施の形態に係る面発光光源では、発光層１１の端面と対向するようにして側壁１６Ｃを形成するようにしたので、発光面の端部から出射光の一部が漏出することを回避することができ、光利用効率を高め、発光輝度を向上させることができる。
【００９３】
特に、アノード電極層１５と隔壁１６Ｃとを接して設けるようにしたので、アノード電極の配線抵抗を低減することができ、発光面内における発光輝度を均一にすることができる。
【００９４】
次に、図１８，１９を参照して、図１６に示した面発光光源４の製造方法について説明する。について説明する。
【００９５】
まず、図１８（Ａ）に示したように、基板１４の上に、例えば、ＰＶＤ法により膜厚６００ｎｍ程度のカソード電極１７を形成する。続いて、例えば、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍ程度の不透明絶縁層２３を形成する。その後、例えば、ＰＶＤ法により膜厚１μｍ程度の金属の補助電極層２５を形成する。
【００９６】
次に、図１８（Ｂ）に示したように、補助電極層２５の一部を除去する。具体的には、補助電極層２５の残存させる領域の上面にレジスト層２６を形成し、続いて、露出した補助電極層２５を、補助電極層のみエッチングする条件により選択的にエッチングして隔壁１６Ｃを形成すると共に、不透明絶縁層２３を露出させる。
【００９７】
次に、図１８（Ｃ）に示したように、不透明絶縁層２３の一部を除去する。具体的には、露出した不透明絶縁層２３を、不透明絶縁層２３のみエッチングする条件により選択的にエッチングしてカソード電極１７を露出させる。なお、このとき後処理としてレジスト層２６を除去する。なお、これらのエッチング処理（図１８（Ｂ），（Ｃ））が同一工程での処理であっても構わない。
【００９８】
次に、図１９（Ａ）に示したように、透明絶縁層１３Ｅを形成する。具体的には、隔壁１６Ｃおよびカソード電極１７の上に、例えば、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成し、続いてこの上からエッチングする。これにより、隔壁１６Ｃおよび不透明絶縁層２３の側面部分のみが残存し、透明絶縁層１３Ｅが形成される。
【００９９】
次に、図１９（Ｂ）に示したように、露出したカソード電極１７の上面に、例えば、インクジェットやレーザ転写等により、１μｍ程度の発光層１１を形成する。
【０１００】
次に、図１９（Ｃ）に示したように、発光層１１、透明絶縁層１３Ｅおよび隔壁１６Ｃの上面（発光面全体）に、アノード電極層１５を形成する。
【０１０１】
以上の工程により、面発光光源４を形成することができる。上記面発光光源１ないし３と同様に、複数の発光領域が同時に形成される。
【０１０２】
本実施の形態に係る面発光光源の製造方法では、上記面発光光源１の製造方法と同様に、発光面を複数の発光領域に区画して形成するようにしたので、面発光光源１内の一部に欠陥が発生した場合であっても、その欠陥の面方向における成長を抑制することができ、その製造歩留を高めることができる。
【０１０３】
特に、カソード電極１７と隔壁１６Ｃとの間に不透明絶縁層２３を形成し、かつ、隔壁１６Ｃおよび不透明絶縁層２３をそれぞれ性質の異なるエッチング法によりエッチングするようにしたので、隔壁１６Ｃおよびカソード電極１７の膜厚を高精度に制御することができる。
【０１０４】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、発光領域の形状を変えても良い。例えば、図２０に示したように、四角形にしてもよい、この場合には、発光領域の形成を容易に行うことができる。また、図２１に示したように、三角形にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る面発光光源の平面図である。
【図２】図１に示した面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【図３】図１に示した面発光光源の出射光路を表す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る変形例を表す図である。
【図５Ａ】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図５Ｂ】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図６Ａ】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図６Ｂ】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図７】第１の実施の形態に係る他の変形例を表す図である。
【図８】図１に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【図１０】図９に示した面発光光源の出射光路を表す図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る変形例を表す図である。
【図１２】図９に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【図１４】図１３に示した面発光光源の出射光路を表す図である。
【図１５】図１３に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施の形態に係る面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【図１７】図１６に示した面発光光源の出射光路を表す図である。
【図１８】図１６に示した面発光光源の製造方法を表す断面図である。
【図１９】図１７に続く図である。
【図２０】本発明に係る面発光光源の変形例を表す図である。
【図２１】本発明に係る面発光光源の他の変形例を表す図である。
【図２２】従来の面発光光源の要部断面構造を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，２，３，４…面発光光源、１１…発光層、１２…カソード電極層、１３，１３Ｂ，１３Ｅ…透明絶縁層、１３Ｃ…透明絶縁層の第１部位、１３Ｄ…透明絶縁層の第２部位、１４，２４，３４…基板、１５，１５Ａ，１５Ｂ…アノード電極層、１６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ…隔壁、１７，１７Ａ，２７…カソード電極、１９，１９Ａ…補助電極、２０…マイクロレンズ、２３…不透明絶縁層、２７Ａ…カソード電極の上面部、２７Ｂ…カソード電極の端面部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光領域に区画された発光層と、
互いに隣り合う発光領域の間の領域に形成され、前記発光層から出射された光を反射する反射構造と
を備えたことを特徴とする面発光光源。
【請求項２】
前記反射構造は、前記発光層の積層面と交差する方向に延びる反射面を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の面発光光源。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する第１の電極層と、
前記発光層の上面に接するように形成された第２の電極層と
を備え、
前記反射構造は、各発光領域における発光層の外周端面に対向して発光層を取り囲むように前記第１の電極層上に立設されて前記発光層を複数の発光領域に区画する隔壁であり、
前記隔壁の側壁面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。
【請求項４】
各発光領域の発光層の外周端面と前記隔壁との間の領域から前記隔壁の上面領域にかけて透明絶縁層が形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の面発光光源。
【請求項５】
前記第１の電極層が金属電極であり、前記第２の電極層が透明電極である
ことを特徴とする請求項４に記載の面発光光源。
【請求項６】
前記隔壁と前記第１の電極層とが同一の金属材料により一体に形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。
【請求項７】
前記透明絶縁層の上面に金属からなる補助電極層が形成され、
前記第２の電極層が前記発光層の上面から前記補助電極層の上面まで延設されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。
【請求項８】
前記第２の電極層が前記発光層の上面から前記透明絶縁層の上面まで延設され、
前記透明絶縁層の上方の前記第２の電極層の上面に金属からなる補助電極層が形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。
【請求項９】
前記第２の電極層の上に形成されたレンズ層
をさらに備えたことを特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれか１項に記載の面発光光源。
【請求項１０】
前記第１の電極層が透明電極であり、前記第２の電極層が金属電極であり、前記基板が透明基板である
ことを特徴とする請求項４に記載の面発光光源。
【請求項１１】
前記隔壁と前記第１の電極層とが互いに異なる材料により別体に形成され、かつ、前記隔壁が金属材料により形成されている
ことを特徴とする請求項１０に記載の面発光光源。
【請求項１２】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する透明電極層と、
各発光領域における発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように前記透明電極層上に立設され、各発光領域間を分離する透明絶縁層と、
前記発光層および前記透明絶縁層の表面を覆うように形成された金属電極層と
を備え、
前記金属電極層の一部が前記反射構造を兼ねている
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。
【請求項１３】
前記透明絶縁層は、
前記発光層よりも大きい膜厚を有し、発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように形成された第１の部分と、
前記発光層よりも小さい膜厚を有し、前記第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体に形成された第２の部分と
を含み、
前記金属電極層の、前記第１の部分の側壁面と接する面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項１２に記載の面発光光源。
【請求項１４】
前記基板の下面がレンズ形状を有する
ことを特徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれか１項に記載の面発光光源。
【請求項１５】
前記隔壁が前記発光層よりも大きい膜厚を有する
ことを特徴とする請求項３に記載の面発光光源。
【請求項１６】
基板と、
前記基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する金属電極層と、
前記発光層の上面と接するように形成された透明電極層と
を備え、
前記反射構造は、各発光領域における発光層の外周端面に対向して発光層を取り囲むように前記第１の電極層上に絶縁層を介して立設されて前記発光層を複数の発光領域に区画する金属隔壁であり、
前記金属隔壁の側壁面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。
【請求項１７】
各発光領域の発光層の外周端面と前記金属隔壁との間の領域に形成された透明絶縁層を備え、
前記透明電極層が、前記発光層、前記透明絶縁層および前記金属隔壁を覆うように形成されている
ことを特徴とする請求項１６に記載の面発光光源。
【請求項１８】
基板上に金属電極層を形成する工程と、
前記金属電極層における互いに離間した複数の領域をそれぞれ所定の深さまでエッチングして複数の凹部とこれらの凹部間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記金属電極層の各凹部の底面に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように透明電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。
【請求項１９】
前記金属隔壁の高さが前記発光層の膜厚よりも大きくなるようにエッチングを行う
ことを特徴とする請求項１８に記載の面発光光源の製造方法。
【請求項２０】
透明基板上に透明電極層を形成する工程と、
前記透明電極層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を前記透明電極層に達するまで選択的にエッチングして、透明電極層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記露出領域に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。
【請求項２１】
前記金属層を前記発光層よりも厚く形成する
ことを特徴とする請求項１８に記載の面発光光源の製造方法。
【請求項２２】
透明基板上に透明電極層を形成する工程と、
前記透明電極層上の互いに離間した複数の領域をそれぞれ取り囲むように、透明電極層上に透明絶縁層を形成する工程と、
前記透明電極層上の前記複数の領域の各々に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程と
を含み、
前記透明絶縁層が、
前記発光層よりも大きい膜厚を有し、複数の領域の各々を取り囲む第１の部分と、
前記発光層よりも小さい膜厚を有し、前記第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体をなす第２の部分と
を含むようにする
ことを特徴とする面発光光源の製造方法。
【請求項２３】
基板上に金属電極層を形成する工程と、
前記金属電極層上に不透明絶縁層を形成する工程と、
前記不透明絶縁層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を不透明絶縁層に達するまで選択的にエッチングして、不透明絶縁層が露出した複数の領域と、これらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記領域に露出している不透明絶縁層を除去して前記金属電極層を露出させる工程と、
前記金属隔壁の側壁面を覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記不透明絶縁層が除去された領域の金属電極層上に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層を経由して前記金属隔壁までを覆うように透明電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。
【請求項２４】
前記金属層を前記発光層よりも厚く形成する
ことを特徴とする請求項２３に記載の面発光光源の製造方法。
【請求項１】
複数の発光領域に区画された発光層と、
互いに隣り合う発光領域の間の領域に形成され、前記発光層から出射された光を反射する反射構造と
を備えたことを特徴とする面発光光源。
【請求項２】
前記反射構造は、前記発光層の積層面と交差する方向に延びる反射面を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の面発光光源。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する第１の電極層と、
前記発光層の上面に接するように形成された第２の電極層と
を備え、
前記反射構造は、各発光領域における発光層の外周端面に対向して発光層を取り囲むように前記第１の電極層上に立設されて前記発光層を複数の発光領域に区画する隔壁であり、
前記隔壁の側壁面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。
【請求項４】
各発光領域の発光層の外周端面と前記隔壁との間の領域から前記隔壁の上面領域にかけて透明絶縁層が形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の面発光光源。
【請求項５】
前記第１の電極層が金属電極であり、前記第２の電極層が透明電極である
ことを特徴とする請求項４に記載の面発光光源。
【請求項６】
前記隔壁と前記第１の電極層とが同一の金属材料により一体に形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。
【請求項７】
前記透明絶縁層の上面に金属からなる補助電極層が形成され、
前記第２の電極層が前記発光層の上面から前記補助電極層の上面まで延設されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。
【請求項８】
前記第２の電極層が前記発光層の上面から前記透明絶縁層の上面まで延設され、
前記透明絶縁層の上方の前記第２の電極層の上面に金属からなる補助電極層が形成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の面発光光源。
【請求項９】
前記第２の電極層の上に形成されたレンズ層
をさらに備えたことを特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれか１項に記載の面発光光源。
【請求項１０】
前記第１の電極層が透明電極であり、前記第２の電極層が金属電極であり、前記基板が透明基板である
ことを特徴とする請求項４に記載の面発光光源。
【請求項１１】
前記隔壁と前記第１の電極層とが互いに異なる材料により別体に形成され、かつ、前記隔壁が金属材料により形成されている
ことを特徴とする請求項１０に記載の面発光光源。
【請求項１２】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する透明電極層と、
各発光領域における発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように前記透明電極層上に立設され、各発光領域間を分離する透明絶縁層と、
前記発光層および前記透明絶縁層の表面を覆うように形成された金属電極層と
を備え、
前記金属電極層の一部が前記反射構造を兼ねている
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。
【請求項１３】
前記透明絶縁層は、
前記発光層よりも大きい膜厚を有し、発光層の外周端面に接しながら発光層を取り囲むように形成された第１の部分と、
前記発光層よりも小さい膜厚を有し、前記第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体に形成された第２の部分と
を含み、
前記金属電極層の、前記第１の部分の側壁面と接する面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項１２に記載の面発光光源。
【請求項１４】
前記基板の下面がレンズ形状を有する
ことを特徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれか１項に記載の面発光光源。
【請求項１５】
前記隔壁が前記発光層よりも大きい膜厚を有する
ことを特徴とする請求項３に記載の面発光光源。
【請求項１６】
基板と、
前記基板上に形成され、前記発光層と接しつつこれを支持する金属電極層と、
前記発光層の上面と接するように形成された透明電極層と
を備え、
前記反射構造は、各発光領域における発光層の外周端面に対向して発光層を取り囲むように前記第１の電極層上に絶縁層を介して立設されて前記発光層を複数の発光領域に区画する金属隔壁であり、
前記金属隔壁の側壁面が前記反射面を構成する
ことを特徴とする請求項２に記載の面発光光源。
【請求項１７】
各発光領域の発光層の外周端面と前記金属隔壁との間の領域に形成された透明絶縁層を備え、
前記透明電極層が、前記発光層、前記透明絶縁層および前記金属隔壁を覆うように形成されている
ことを特徴とする請求項１６に記載の面発光光源。
【請求項１８】
基板上に金属電極層を形成する工程と、
前記金属電極層における互いに離間した複数の領域をそれぞれ所定の深さまでエッチングして複数の凹部とこれらの凹部間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記金属電極層の各凹部の底面に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように透明電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。
【請求項１９】
前記金属隔壁の高さが前記発光層の膜厚よりも大きくなるようにエッチングを行う
ことを特徴とする請求項１８に記載の面発光光源の製造方法。
【請求項２０】
透明基板上に透明電極層を形成する工程と、
前記透明電極層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を前記透明電極層に達するまで選択的にエッチングして、透明電極層が露出した複数の領域とこれらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記金属隔壁の上面から側壁面までを覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記露出領域に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。
【請求項２１】
前記金属層を前記発光層よりも厚く形成する
ことを特徴とする請求項１８に記載の面発光光源の製造方法。
【請求項２２】
透明基板上に透明電極層を形成する工程と、
前記透明電極層上の互いに離間した複数の領域をそれぞれ取り囲むように、透明電極層上に透明絶縁層を形成する工程と、
前記透明電極層上の前記複数の領域の各々に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層までを覆うように金属電極層を形成する工程と
を含み、
前記透明絶縁層が、
前記発光層よりも大きい膜厚を有し、複数の領域の各々を取り囲む第１の部分と、
前記発光層よりも小さい膜厚を有し、前記第１の部分の外周を取り囲むようにしてこれと一体をなす第２の部分と
を含むようにする
ことを特徴とする面発光光源の製造方法。
【請求項２３】
基板上に金属電極層を形成する工程と、
前記金属電極層上に不透明絶縁層を形成する工程と、
前記不透明絶縁層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を不透明絶縁層に達するまで選択的にエッチングして、不透明絶縁層が露出した複数の領域と、これらの領域間を分離する金属隔壁とを形成する工程と、
前記領域に露出している不透明絶縁層を除去して前記金属電極層を露出させる工程と、
前記金属隔壁の側壁面を覆うように透明絶縁層を形成する工程と、
前記不透明絶縁層が除去された領域の金属電極層上に発光層を形成する工程と、
前記発光層から前記透明絶縁層を経由して前記金属隔壁までを覆うように透明電極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光光源の製造方法。
【請求項２４】
前記金属層を前記発光層よりも厚く形成する
ことを特徴とする請求項２３に記載の面発光光源の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２００９−１５１９５５（Ｐ２００９−１５１９５５Ａ）
【公開日】平成２１年７月９日（２００９．７．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３２６４６４（Ｐ２００７−３２６４６４）
【出願日】平成１９年１２月１８日（２００７．１２．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月９日（２００９．７．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月１８日（２００７．１２．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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