説明

Sn、AgおよびCuからなるはんだ物質

【課題】比較的低い融点を示し、同時に、はんだ接続が形成される温度が最も高い使用可能温度に設定される、はんだ物質を提供する。
【解決手段】はんだ物質の合金が、SnAgCuBiSb系に加え、さらにNiを含んでなる。これによりSnAgCu系が共晶範囲近傍の合金ベースとして存在し、特に更なる合金成分Bi、SbおよびNiを合金化することにより、SnAgCu共晶に関しての溶融点の低下および耐クリープ性の向上のバランスよい組み合わせが達成できる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、主成分としてのSn(錫)に加えて、10重量%またはそれ未満のAg(銀)、10重量%またはそれ未満のBi(ビスマス)、10重量%またはそれ未満のSb(アンチモン)および3重量%またはそれ未満のCu(銅)を含んでなるはんだ物質に関する。さらに、本発明は、はんだ成分を溶融すると、上記の合金含量でSn、Ag、Bi、SbおよびCuを含む合金を形成するような組成および含量で複数のはんだ成分を含むはんだ物質に関する。
【背景技術】
【0002】
上記の組成のはんだ物質は、広く使用されてきた鉛含有はんだ物質を、好ましくない環境適合性の理由から置き換えることが必要である際に、特に使用されている。例えばWO 01/03878 には、主成分としてのSnに加えて、10%までのAg、5%までのCu、10%までのSbおよび10%までのBiを含んでなるはんだ物質が記載されている。さらに、少なくとも90重量%のSnおよび更なる成分Ag、Bi、SbおよびCuを含んでなるはんだ物質が、EP 0 629 466 A1 から既知である。さらに、反応はんだとしての複数のはんだ成分から形成されるはんだ物質は、WO 00/48784 から既知であり、そこでは、はんだ成分の溶融の際に、主成分としてのSnに加えて、1〜10%のBi、5%までのSb、3%までのCuおよび6%までのAgを含んでなる合金を形成する。
【0003】
上記のはんだ物質は、SnAgCu3元系からなり、特に、組成SnAg3.8Cu0.7では、融点217℃を有する共晶を形成する。例えば、合金含量10重量%までの量でBiを合金化することによって、この融点が低下することも既知である。ビスマスは、反応はんだ中での1つの成分として使用できることが知られており、例えば、1成分として上記の共晶SnAgCu合金を、他の成分である融点138℃を有するSn43Bi47と混合すると、反応はんだは、著しく低い温度で溶融し始める。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】WO 01/03878
【特許文献2】EP 0 629 466 A1
【特許文献3】WO 00/48784
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、比較的低い融点を示し、同時に、はんだ接続が形成される温度が最も高い使用可能温度に設定される、SnAgCu系に基づくはんだ物質を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明によれば、この目的は、はんだ物質の合金が、さらに1.0重量%またはそれ未満のNi(ニッケル)を含むことによって達成される。例えば、はんだ物質が、反応はんだとして複数のはんだ成分で形成される場合、少なくとも1つのはんだ成分が、はんだ成分の溶融物から得られる合金が1.0重量%またはそれ未満のNiを含んでなる量で、さらにNiを含むことによって、本発明の目的は達成される。
【0007】
このようにして得られる6つの物質からなる系に対して、はんだ物質の融点が、217℃の3元系SnAgCuの共融点以下に低下し、その結果、230℃のリフローはんだオーブンでのピーク温度において、はんだ物質の融点の十分な差が、はんだ接続を確実に形成できるように保たれることが示されている。このことは、製造業者が、複合組立品の現代の構成部品に対して、IECで規定されるような、260℃で10秒間のはんだ成分へ熱移動の最大値をもはや保証できないことを明らかにしている。これらのいわゆる進歩型パッケージに対する許容できるピーク温度は、230℃で10秒間である。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の6元素合金における個々の合金成分の合金含量変化による特性への影響を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
1重量%またはそれ未満までのニッケルを、5物質系SnAgCuBiSbに合金化することによって得られるはんだ物質の融点は、実質的に変わらない。しかしながら、Niの合金化は、はんだ物質の耐クリープ性の著しい向上を伴うことが驚くべきことにわかった。有利には、このようにして、はんだ接続の上昇した作業温度が可能である。したがって、今日ではしばしば必要とされる150℃までの作業温度は、本発明のはんだ物質の使用によって問題なく保証できる。本発明の6物質系の合金含有量の選択的な調節によって、180℃までの既に部分的に必要とされる作業温度を満足するはんだ物質を調製できる。
【0010】
本発明のはんだ物質を用いたはんだ接続の耐クリープ性の向上は、NiがBiと共に金属間相(約75重量%Biを有するNiBiまたは約91%のBiを有するNiBi3)を形成し、好ましく粒界で析出し、それによってはんだ付け構造の分散硬化が生じることによって説明される。同時に元素Biが、粒の内部に移って、固溶体硬化を生じさせ、それが、耐クリープ性の向上に寄与する。さらに、このことは、合金成分Biが、低い温度ではんだ接続の局所溶融を招き、それによって耐クリープ性の著しい低下を引き起こしうる低融点共晶(例えば、138℃での合金系SnBiの共晶)を有する局所合金組成物を、特にSnと共に形成することを防止する。
【0011】
しかしながら、合金成分BiへのNiの作用による上記の耐クリープ性へのNiの好ましい効果は、合金組成物中のBi含量が10重量%を超えない場合でしか観察されていない。この点に関して、Sn、Ag、Cu、Bi、SbおよびNi含有合金が実際に記載されているドイツ特許公開DE 199 04 765 A1 によるはんだ物質は、合金中のBi含量が43〜58重量%である点で、著しく相異している。これにより、138℃のSnBi系の上記共晶の故に、DE 199 04 765 A1 に記載されるはんだ物質は140℃を超えない融点を有することになる。150℃までの作業温度を伴うはんだ接続のためのこれらのはんだ物質の必要条件は、これらのはんだ物質が150℃ですでに液状であることから、それ故に記載されていない。本発明のはんだ物質と比較して、20%以上高いBi含量により、本発明のはんだ物質について記載される硬化メカニズムは、DE 199 04 765 A1 のはんだ物質には適用できない。
【0012】
本発明の有利な展開によれば、合金は、2〜5重量%のAg、1〜3重量%のBi、1〜3重量%のSb、0.5〜1.5重量%のCuおよび0.05〜0.3重量%のNiを含んでなる。上記の範囲でSnに合金元素を合金化することは、SnAgCu系が共晶範囲近傍の合金ベースとして存在し、特に更なる合金成分Bi、SbおよびNiを合金化することにより、SnAgCu共晶に関しての溶融点の低下および耐クリープ性の向上のバランスよい組み合わせが達成できることから、とくに有利であることがわかっている。これに関して、合金中のNi含量の特に重要な点は以下のとおりである:Niは、はんだ接続の構造に約0.2重量%までしか溶解できず、従って、0.2重量%を超えるニッケル含量は、他の合金元素を、主として粒界で析出させ、分散硬化を生じさせる。
【0013】
特有の反応はんだまたはストリップはんだは、はんだ成分M1および更なるはんだ成分M2を含むはんだ物質によって得られ、はんだ成分M1は、主成分としてのSnに加えて、2〜5重量%のAg、3〜12重量%のBi、0.5〜1.5重量%のCuおよび0.1〜0.3重量%のNiを含み、更なるはんだ成分M2は、主成分としてのSnに加えて、2〜5重量%のAg、0.5〜1.5重量%のCu、1〜5重量%のSbおよび1.0重量%のNiを含む。本発明の他の展開によれば、更なる反応はんだ/ストリップはんだは、はんだ成分M1が、主成分としてのSnに加えて、2〜5重量%のAg、3〜6重量%のBi、1〜3重量%のSbおよび0.5〜1.5重量%のCuを含み、更なるはんだ成分M2が、主成分としてのSnに加えて、2〜5重量%のAg、0.5〜1.5重量%のCuおよび1.0重量%のNiを含むはんだ物質からなる。
【0014】
反応はんだ/ストリップはんだの両改良例において、はんだ接続を形成するBi含量は、はんだ成分M1に集められ、一方、はんだ成分M2はBiを含まない。この点から、はんだ成分M1の融点は、はんだ成分M2の融点に対して低くされ、さまざまな融点のはんだ成分が、はんだ物質中で相互に組み合わせられる。低融点はんだ成分は、有利には、はんだ付けされる表面(例えば、部品および基材上)を、低い温度で湿潤する。はんだ付け工程の間、はんだ成分M1およびM2の間で合金形成が起こり、得られた均一な合金は、より低い融点のはんだ成分M1より高い融点を有している。均一な合金の得られた合金組成物は、有利なことに、上記のように、より高い耐クリープ性を有している。このようにして、上記のようなはんだ接続についての使用温度が確保される。単一はんだ成分に基づいて配合されたはんだ粉末の加工と、2種のはんだ成分の混合物に基づく反応はんだ粉末の加工とを比較すると、はんだ加工のための加工温度は、約5〜10℃低下することが示される。このことは、以下のように説明できる:低融点はんだ成分M1の溶融温度を超えた後、より高い溶融はんだ成分M2は、溶融したはんだ成分M1によって安定化され、はんだ接続の接触表面が、形成される合金、すなわちはんだ成分M1およびM2の均一な混合物に由来する合金の溶融温度未満の温度で実質的に湿潤される。
【0015】
本発明の更なる展開において、はんだ成分M1および更なるはんだ成分M2は、M1およびM2の重量に基づいて、1:1.5〜9、すなわち少なくとも1:1.5、多くとも1:9のM1:M2比で組み合わせられる。有利には、異なる合金含量を、混合比M1:M2を変えることによって要求された合金中で達成することができ、2種のはんだ成分M1およびM2のみが、これらの異なる合金含有物の源として役立つ。このようにすると、はんだ物質は、数種のはんだ成分のみを貯蔵するならコストが低いので、特に経済的に製造できる。
【0016】
本発明の更なる展開によれば、SbおよびBiの重量に基づいて、1:1.5〜3、すなわち少なくとも1:1.5および多くとも1:3、特に1:2のSb:Bi比を有する合金が提供される。このSb:Bi比範囲では、はんだ接続で小さい粒寸法を有する特に細かい構造が形成されることが明らかになっている。この点において、構造物中の0.2重量%までのNi溶解は、粒寸法を減少させることが観察されている。この効果は、1:2のSb:Bi混合比で最も強く、粒寸法は、上記の範囲でSb:Bi比を変えることによって調節できる。
【0017】
本発明の更なる展開では、0.05〜0.2重量%のNi含量を有する合金が提供される。約0.2重量%の溶解限度以下のNi含量では、制限されたニッケル含有析出物のみが、はんだ接続構造に生じる。Ni含量が0.2重量%を超えると、Ni含有析出物が、特に粒界で増し、分散硬化の上記した工程を制限しうる。もちろん、0.2重量%未満のNi含量では、Ni含量増加と微分散分布析出物の増加との間の相関も存在し、Niの溶解限度未満で析出物の形成は、溶解Niと析出Niの平衡を調節することによって決定される。
【0018】
はんだとして使用するのに特に有用なはんだ物質は、組成SnAg3.3-4.7Cu0.3-1.7Bi2Sb1Ni0.2を有する。合金元素Bi、SbおよびNiの使用の利点は、既に記載した。ベース合金SnAgCuの上記組成は、SnAgCu共晶についての近共晶組成である。このベース系の亜共晶組成が、リフローはんだ付けでより微細な粒子(析出物)を形成することが観察されることから、好ましい。
【0019】
反応はんだまたはストリップはんだとして使用するのに特に有利なはんだ物質は、合金組成SnAg3.8Cu0.7Bi10Ni0.15を有するはんだ成分M1および合金組成SnAg3.8Cu0.7Sb2.0Ni0.15を有する更なるはんだ成分M2を含む。そのはんだ成分から目的の合金を形成すると、SnAgCu系ベース組成について共晶組成が有利に達成される。
【0020】
有利には、はんだ物質中のはんだ成分M1および更なるはんだ成分M2の含量は、M1:M2=30重量%:70重量%を形成する。その結果、Bi含量が3重量%であり、Sb含量は1.4重量%であり、それによって、Sb:Bi=1:2の条件がほぼ達成される。
【0021】
本発明の6元素合金における個々の合金成分について、合金含量の変化による影響を、定性的に図に示す。各々の場合、Snが主成分であり、すなわちSn含量は、合金が100重量%になるように他の合金成分の合金含量に依存して調節される。当然のことながら、本発明の適用では合金元素として理解されない微量の混入物質は考慮していない。このこととは無関係に、混入物質は、はんだ物質の使用に対して肯定的な影響を有することがある。すなわち、(重量に基づいて)1000分の1のオーダーのリン含有物は、例えば、はんだ接続の酸化特性を向上させることが期待される。
【0022】
図中の矢印に隣接した重量%の範囲は、個々の合金含量について標準値を示し、得られるはんだ接続の特性プロフィールが特に有利である多数の因子から明らかにされている。しかしながら、本発明において、このことは、個々の合金成分についての請求の範囲を限定するものと理解すべきではない。むしろ、特殊な場合の要件が、図に示される有利な範囲の外にあり、経験によって個別に決定されなければならないはんだ合金組成につながる。
【0023】
矢印は、以下の表に示した調査した各特性を示す文字によって表示されている。矢印は、合金含量を変えることによって対応する特性が上昇する方向を、それぞれ指している。
【0024】
【表1】

【0025】
はんだ物質は、一般的にすべての共通な形状、例えば、バー、ロッド、ワイヤ、フィルム、粉末またはコーティングなどで使用できる。はんだ付けされる接触面は、例えば、はんだ成分M1で1つの接触面を被覆し、はんだ成分M2で他方の接触面を被覆することも可能である。層状はんだも、はんだ成分M1およびM2を交互に被覆することによって製造されうる。基本的に、3種以上の成分を有するはんだ物質も可能であり、層状はんだは、適した順にそれぞれの上に被覆された層からなる。
【0026】
はんだ成分M1およびM2並びに可能な他のはんだ成分を、反応はんだを調製するために、粉末形態で相互に混合することもできる。粉末状はんだ物質は、当然のことながら、はんだペーストを形成するために、バインダーとともに処方される。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
主成分としてのSn(錫)に加えて、10重量%またはそれ未満のAg(銀)、10重量%またはそれ未満のBi(ビスマス)、10重量%またはそれ未満のSb(アンチモン)および3重量%またはそれ未満のCu(銅)を含んでなる合金を含んでなり、合金がさらに、1.0重量%またはそれ未満のNi(ニッケル)を含んでなるはんだ物質。
【請求項2】
はんだ成分を溶融すると、主成分としてのSn(錫)に加えて、10重量%またはそれ未満のAg(銀)、10重量%またはそれ未満のBi(ビスマス)、10重量%またはそれ未満のSb(アンチモン)および3重量%またはそれ未満のCu(銅)を含んでなる合金を形成するような、はんだ物質中の合金組成および含量を有する複数のはんだ成分を含んでなり、少なくとも1種のはんだ成分が、合金が1.0重量%またはそれ未満のNi(ニッケル)を含むような量でさらにNi(ニッケル)を含むはんだ物質。
【請求項3】
合金が、2〜5重量%のAg、1〜3重量%のBi、1〜3重量%のSb、0.5〜1.5重量%のCuおよび0.05〜0.3重量%のNiを含んでなる請求項1または2に記載のはんだ物質。
【請求項4】
はんだ成分M1および更なるはんだ成分M2が供給され、はんだ成分M1が、主成分としてのSnに加えて、2〜5重量%のAg、3〜12重量%のBi、0.5〜1.5重量%のCuおよび0.1〜0.3重量%のNiを含んでなり、更なるはんだ成分M2が、主成分としてのSnに加えて、2〜5重量%のAg、0.5〜1.5重量%のCu、1〜5重量%のSbおよび1.0重量%のNiを含んでなる請求項2に記載のはんだ物質。
【請求項5】
はんだ成分M1および更なるはんだ成分M2が供給され、はんだ成分M1が、主成分としてのSnに加えて、2〜5重量%のAg、3〜6重量%のBi、1〜3重量%のSbおよび0.5〜1.5重量%のCuを含んでなり、更なるはんだ成分M2が、主成分としてのSnに加えて、2〜5重量%のAg、0.5〜1.5重量%のCuおよび1.0重量%のNiを含んでなる請求項2に記載のはんだ物質。
【請求項6】
はんだ成分M1および更なるはんだ成分M2が、M1およびM2の重量に基づいてM1:M2比が1:1.5〜9で組み合わせられる請求項4または5に記載のはんだ物質。
【請求項7】
合金中、SbおよびBiの重量に基づいて、1:1.5〜3、特に1:2のSb:Biの比が存在する請求項1〜6のいずれかに記載のはんだ物質。
【請求項8】
合金が0.05〜0.2重量%のNi含量を有する請求項7に記載のはんだ物質。
【請求項9】
組成がSnAg3.3-4.7Cu0.3-1.7Bi2Sb1Ni0.2である請求項1に記載のはんだ物質。
【請求項10】
合金組成SnAg3.8Cu0.7Bi10Ni0.15を有するはんだ成分M1および合金組成SnAg3.8Cu0.7Sb2.0Ni0.15を有する更なるはんだ成分M2が供給される請求項2に記載のはんだ物質。
【請求項11】
はんだ物質中のはんだ成分M1および更なるはんだ成分M2の含量が、30重量%:70重量%のM1:M2の比を形成する請求項10に記載のはんだ物質。

【図1】
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【公開番号】特開2012−81521(P2012−81521A)
【公開日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−257917(P2011−257917)
【出願日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【分割の表示】特願2006−504308(P2006−504308)の分割
【原出願日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【出願人】(505397900)クックソン・エレクトロニクス・アッセンブリー・マテリアルズ・グループ・アルファ・メタルズ・レートジュステーメ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング (2)
【氏名又は名称原語表記】COOKSON ELECTRONICS ASSEMBLY MATERIALS GROUP ALPHA METALS LOETSYSTEME GMBH
【出願人】(391008825)ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン (309)
【氏名又は名称原語表記】Henkel AG & Co. KGaA
【住所又は居所原語表記】Henkelstrasse 67,D−40589 Duesseldorf,Germany
【出願人】(511222294)ヘレーウス マテリアルズ テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト (7)
【氏名又は名称原語表記】Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG
【住所又は居所原語表記】Heraeusstrasse 12−14, D−63450 Hanau, Germany
【Fターム(参考)】