【課題】蓄冷効率の低下を防止しうる蓄冷機能付きエバポレータを提供する。
【解決手段】蓄冷機能付きエバポレータは、幅方向を通風方向に向けるとともに、互いに間隔をおいて並列状に配置された複数の扁平状冷媒流通管12を有している。隣り合う冷媒流通管12どうしの間に通風間隙14を形成し、全通風間隙14のうち一部の複数の通風間隙14に、容器高さが通風間隙14の幅に等しく、かつ蓄冷材が封入された蓄冷材容器15を配置して冷媒流通管12に接触させる。残りの通風間隙14にコルゲートフィン16を配置する。蓄冷材容器15の風上側を向いた部分を断熱材18により覆う。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板や半導体ウエーハなどに感光性組成物皮膜を形成する工程において、基板の周辺部、縁辺部または裏面部に付着した未硬化の顔料を含有する感光性組成物皮膜の除去、または装置部材や器具の表面に付着した未硬化の顔料を含有する感光性組成物の除去に有効な除去液を提供する。
【解決手段】未硬化の顔料を含有する感光性組成物の除去に用いられる除去液であって、（ａ）炭素数が９以上の芳香族炭化水素が１０〜４０質量％、（ｄ）グリコールエーテル類、カルボン酸エステル類、ヒドロキシカルボン酸エステル類、ケトン類およびアルコキシカルボン酸エステル類からなる群から選ばれる少なくとも１種であるその他の溶剤が３０〜９０質量％であり、かつ、除去液全量に対し、（ａ）と（ｄ）成分の合計が５０〜１００質量％となる量である。 （もっと読む）

【課題】電極直下における透光性電極及び半導体層での電流集中が抑制されて発光効率に優れるとともに、電極による光の吸収や多重反射による損失が抑制されて光取り出し効率に優れ、高い外部量子効率及び電気的特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された単結晶の下地層３上に、ｎ型半導体層４、発光層５及びｐ型半導体層６が順次積層された半導体層２０が形成され、ｐ型半導体層６上に透光性電極７が形成されてなり、ｐ型半導体層６上の少なくとも一部に絶縁層１５が備えられるとともに、透光性電極７が絶縁層１５を覆って形成されており、透光性電極７の表面７ａにおいて、ｐ型半導体層６上に備えられた絶縁層１５に対応する位置Ａに正極ボンディングパッド８が設けられており、n型半導体層４のシート抵抗が透光性電極７のシート抵抗よりも低い構成である。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、また、内部抵抗が低減され、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにレーザダイオードを提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜成長用の基板１１上又は該基板１１上に形成されたバッファ層（ＩＩＩ族窒化物層）１２上に、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる組成を有する下地層（ＥＬＯ成長層）１３が形成され、下地層１３上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されており、下地層１３は、基板１１又はバッファ層１２上に形成された炭素材料からなるＥＬＯ用マスクパターンを用いて形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント法に用いられる樹脂製モールドの平坦部の表面粗さ（Ｒａ）を改善し、磁気記録媒体のパターンの形成不良を低減し、生産性を向上させることができるようにする。
【解決手段】本発明は、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造に使用される樹脂製モールド１の製造方法において、マスターモールド２０の凹凸パターンを硬化性の樹脂材料に転写する工程と（図１（ｃ））、凹凸パターンが転写された樹脂材料を硬化する工程と（図１（ｃ））、マスターモールド２０から、硬化した樹脂材料を剥離し樹脂製モールド１とする工程と（図１（ｄ））、樹脂製モールド１に放射線４を照射して樹脂製モールド１の転写面３を平滑化する工程と（図１（ｅ））、を含み、樹脂製モールド１に照射する放射線４のエネルギーを樹脂材料１３に含まれる有機化合物の分子結合エネルギーより大きくする。 （もっと読む）

【課題】安定的に低コストで製造が行われ、フィレットの優先的によるフィン剥がれが起こらない高耐食性の熱交換器用部材の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはその合金からなる基材の表面に、Ａｌより腐食電位が卑なる金属またはその合金もしくはその化合物からなる金属粒子を高速で噴射し、その金属粒子を機械的に付着させて金属付着層を形成する熱交換器用部材の製造方法であって、平均粒径（ｘ）が２５μｍ以下の金属粒子を、温度：２００〜４００℃、粒子速度（ｙ）：１００〜４００ｍ／ｓｅｃで噴射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を形成でき、優れた発光特性及び生産性を実現可能なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、該前処理工程に次いで、基板１１上に中間層１２をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程とが備えられ、前処理工程は、基板１１の温度を２５〜１０００℃の範囲として行なうものであり、また、前処理工程及びスパッタ工程は同一のチャンバ内で行うものであり、またさらに、スパッタ工程は、中間層１２のＸ線ロッキングカーブを、ピーク分離手法を用いて、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上であるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する結晶組織の領域の割合を、中間層１２の面積比で３０％以下として、中間層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極直下における透光性電極及び半導体層での電流集中が抑制されて発光効率に優れるとともに、電極による光の吸収や多重反射による損失が抑制されて光取り出し効率に優れ、高い外部量子効率を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された単結晶の下地層３上に、ｎ型半導体層４、発光層５及びｐ型半導体層６が順次積層された半導体層２０が形成されており、ｐ型半導体層６上に透光性電極１５が形成されてなり、ｐ型半導体層６上の少なくとも一部に絶縁層１５が備えられるとともに、透光性電極７が絶縁層１５を覆って形成されており、透光性電極７の表面７ａにおいて、ｐ型半導体層６上に備えられた絶縁層１５の上方の位置Ａに正極ボンディングパッド８が設けられており、透光性電極７のシート抵抗がn型半導体層４のシート抵抗よりも低い構成である。 （もっと読む）

【課題】基板の放熱性及び加工性に優れるとともに、製造工程において半導体層にクラック等の損傷が生じるのを防止でき、高電流の印加が可能で高い発光効率を有し、歩留まりに優れる発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ヒートシンク基板（基板）１上に少なくとも発光層７を含む化合物半導体層１１が積層され、該化合物半導体層１１の上面側が発光面とされたチップ構造を有する発光ダイオードＡであり、ヒートシンク基板１は、基材部２と、該基材部２に囲まれた埋設部３とからなり、基材部２が、埋設部３よりも熱膨張係数が小さな材料からなる。 （もっと読む）

【課題】円盤状基板のセットに際して生じる傷などの低減を図る。
【解決手段】キャリア３０に対してキャリアアダプタ５０を装着することにより、キャリア３０の表面がキャリアアダプタ５０により覆われる。その後、キャリアアダプタ５０の孔部５４を介して（通じて）キャリア３０の孔部３４にワークをセットする。そしてワークのセットが完了後、リング部５９ｂを引っ張り上げることでキャリアアダプタ５０を取り外す。その後は、上定盤をワークに接触するまで移動させ、ラッピングマシンを稼働させる。 （もっと読む）