昭和電工株式会社により出願された特許

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【課題】高平滑な表面を形成することができるアルミニウム合金、アルミニウム合金押出材の製造方法、感光ドラム基体の製造方法、アルミニウム合金押出材、及び、感光ドラム基体を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金は、Si:0.03〜0.6質量%、Fe:0.1〜0.7質量%、Cu:0.05〜0.20質量%、Mn:1.0〜1.5質量%、Mg:0.01〜0.1質量%、Zn:0〜0.1質量%、Ti:0〜0.1質量%を含有し、残部Al及び不可避不純物からなる組成を有し、該組成を有するアルミニウム合金製ビレットを押出加工して押出材を製造する。さらに、得られた感光ドラム基体用アルミニウム合金押出管を引抜加工或いはしごき加工して感光ドラム基体を製造する。 (もっと読む)


【課題】可視光照射下において、高い触媒活性を発現する酸化チタンと銅イオンが担持された酸化タングステン光触媒、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化チタンゾル中に銅イオン担持酸化タングステン粒子を均一に分散させた溶液に尿素を溶解させた後、尿素を熱分解することにより、銅イオン担持酸化タングステンの表面に酸化チタンを析出させ担持することを特徴とする、酸化チタンと銅イオンが担持された酸化タングステン光触媒の製造方法、及びその方法で得られる大気中での紫外線照射前後における拡散反射率(波長700nm)の変化率が3%未満で、酸化チタンが酸化タングステン上に1〜100nmの大きさで島状に担持されている酸化チタンと銅イオンが担持された共修飾酸化タングステン光触媒である。 (もっと読む)


【課題】断面円形の鋳造棒に対して、入射波として縦波を用いて高精度の検査できる超音波探傷検査方法を提供する。
【解決手段】少なくとも1つのフェイズドアレイ型プローブ1,2を水平連続鋳造の鋳型出口の近傍に配置し、連続的に鋳出される断面円形の連続鋳造棒Sに対し、水14を接触媒質として縦波斜角波および縦波垂直波による超音波探傷検査を行う。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム素管を引抜き加工することにより感光ドラム基体用アルミニウム管を製造する感光ドラム基体用アルミニウム管の製造方法であって、素管の引抜き速度の高速化を図るとともに、素管の引抜き加工時に潤滑不良による焼き付きの発生を防止する。
【解決手段】引抜き加工用ダイス2の上流側に配置されたスクレーパ5により、アルミニウム素管20の外周面に付着した潤滑油8を掻き取るとともに該潤滑油8を素管20の外周面にその周方向に塗り広げながら、素管20を引抜き方向Xに移動させる。これにより、素管20を引抜き加工する。スクレーパ5は、ダイス2の上流側における潤滑油掻き取り位置に常設されており、更に、ダイス2の上流側の端面2aあるいはダイス2を保持したダイスホルダ3の上流側の端面3aに取外し可能に固定されている。 (もっと読む)


【課題】コーキングによる触媒の失活を抑制できる、芳香族炭化水素及び/又は軽質オレフィンの製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、芳香族炭化水素及び/又は炭素数4以下のオレフィンの製造方法である。この製造方法は、炭化水素を、酸量が0.001〜1mmol/gであり、10員環の細孔構造を有するゼオライト(A)を含む第1の触媒部を通過させてから、酸量がゼオライト(A)の酸量の90%以下である固体酸触媒(B)を含む第2の触媒部を通過させ、かつ、第2の触媒部において該炭化水素を600℃未満の反応温度で接触分解する。 (もっと読む)


【課題】結晶性に優れ、異なる直径の単結晶を容易に育成することができる単結晶製造装置等を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置1は、底部21の周囲から立ち上がる筒状の壁部22と、壁部22上に設けられ、中央部に開口23aを有する円板状の蓋部23とから構成され、アルミナ融液300を保持するるつぼ20と、るつぼ20を壁部22から加熱する上部ヒータ30と、るつぼ20の下方に設けられ、るつぼ20を底部21から加熱する下部ヒータ35と、アルミナ融液300からサファイアインゴット200を引き上げる引き上げ棒40と、上部ヒータ30に電力を供給する上部ヒータ電源90と、下部ヒータ35に電力を供給する下部ヒータ電源95とを備えている。 (もっと読む)


【課題】美白剤である2,2’−ジヒドロキシ−5,5’−ジアルキル−ビフェニル等のビフェニル化合物を含有し、かつ皮膚刺激性の少ない皮膚外用剤およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)[式中、Rは水素原子、または炭素数1〜8の鎖状の炭化水素基である。]で表されるビフェニル化合物0.1〜5質量%と、アスコルビン酸−2−リン酸−6−パルミチン酸塩0.01〜5質量%とを含有することを特徴とする皮膚外用剤。
[化1]
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【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて研磨面を形成する際に、非磁性部の研磨ムラを防止すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部11と、該磁性部11に形成された複数の凹部120を覆うように埋め込まれた非磁性材料125とからなる複合体15を、磁性部11と凹部120内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部12とが露出して平坦な研磨面16を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、上記非磁性材料に対する接触角が10°以下である。好ましくは、研磨液は、界面活性剤を0.01〜20質量%含有することがよい。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】pn接合型のIII族窒化物半導体発光素子であって、第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第1の導電型とは逆の導電性を示す第2の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第1のインジウム組成を有する第1の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第1のインジウム組成より小さい組成の第2のインジウム組成を有する第2の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層と第2の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第1の窒化ガリウム・インジウム層及び第2の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板の厚み方向に異なる距離に複数段にわたって脆弱領域を形成しても、半導体素子の特性の劣化を抑制できる半導体ウエーハのレーザ加工方法等を提供する。
【解決手段】第1のレーザ照射工程では、レーザ光45−1が基板110の裏面110bから入射され、開口数NA1の集光レンズ44−1により裏面110bから距離d1の位置に集光される。そして、吸着ステージ52の−X方向への移動とともに、複数の脆弱領域23が繰り返して形成される(図7(a1))。第2のレーザ照射工程では、レーザ光45−2が基板110の裏面110bから入射され、開口数NA2が開口数NA1より大きい集光レンズ44−2により裏面110bから距離d2の位置に集光される。そして、吸着ステージ52の−X方向への移動とともに、複数の脆弱領域24が繰り返して形成される(図7(b1))。 (もっと読む)


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