【課題】物品等の側部に対する抗力の付与をより少ない占有空間行う。
【解決手段】載置部３１には、複数のロール状部材４０により構成された第１ローラ部４１、第２ローラ部４２、第３ローラ部４３、第４ローラ部４４、第５ローラ部４５、第６ローラ部４６、第７ローラ部４７が設けられている。ロール状部材４０の回転軸４０ａと直交する仮想線を想定した場合、第１ローラ部４１、第４ローラ部４４におけるロール状部材４０の各々は、この仮想線が向かう方向が前後方向以外の方向となるように配置されている。このため、載置部３１に載置された容器は、前方へ移動しようとするものの第１ローラ部４１、第４ローラ部４４により誘導され抗力付与部３５へ向かう。 （もっと読む）

【課題】生産性向上、コスト削減を図りつつ、高品質のＡｌ合金鍛造製品を得る。
【解決手段】本発明の製法は、Ｆｅ：０．２〜０．３５％、Ｃｕ：０．０５〜０．２０％、Ｍｎ：０．３〜０．６％、Ｍｇ：１．３〜２．０％、Ｚｎ：４．６〜５．１％、Ｓｉ：０．３０％未満、Ｚｒ：０．１％以上かつＴｉとの合計量で０．２％未満含有し、「［Ｔｉ質量％］／［Ｚｒ質量％］≧０．２」の関係を満たし、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる合金組成を有するＡｌ合金鍛造素材を得る工程と、Ａｌ合金鍛造素材に対し、３５０〜５００℃の温度で熱間鍛造を行った後、４００〜５００℃の温度で溶体化処理を行うことにより、Ａｌ合金鍛造製品を得る工程と、Ａｌ合金鍛造製品に対し、自然時効処理を行わずに、人工時効処理を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率および光取り出し効率に優れた発光素子の形成に好適に使用できる結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体層の得られる製造方法を提供する。
【解決手段】サファイアからなる基板１０１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層１０３を形成するＩＩＩ族窒化物半導体層１０３の製造方法において、基板１０１の（０００１）Ｃ面上にマスクを形成してドライエッチングを行い、更にウェットエッチングを行うことにより、前記基板１０１上に前記Ｃ面からなる平面１１と、側面を構成する斜面に結晶面が露出された複数の凸部１２とからなる上面１０を形成する基板加工工程と、上面１０上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるバッファ層を積層するバッファ層形成工程と、上面１０上に前記ＩＩＩ族窒化物半導体層１０３をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させて、凸部１２をＩＩＩ族窒化物半導体層１０３で埋めるエピ工程とを備える製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム製基板の少なくとも片面に水溶性潤滑層が形成された孔あけ加工用あて板の製造方法において、孔あけ位置精度を向上させうるあて板を安価に製造することができる孔あけ加工用あて板の製造方法を提供する。
【解決手段】あて板１の製造方法は、水溶性樹脂からなる水溶性潤滑層３を押出コート法により基板２の片面に形成する潤滑層形成工程を含む。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプを形成する際の脱落や針状結晶の発生を防止し、正常な回路基板の安定した提供を可能とする回路基板製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板１上の端子２の表面に粘着性付与化合物を塗布して粘着層５を形成する工程と、前記粘着層上に、はんだ粒子１１を付着する工程と、前記はんだ粒子に有機酸塩基のハロゲン化水素酸塩を含む活性剤を塗布してから、前記はんだ粒子が付着された回路基板を、はんだの融点以下で加熱して、はんだ粒子を定着させる工程と、前記はんだ粒子が定着された回路基板にフラックスを塗布する工程と、前記回路基板を加熱して、前記はんだ粒子を溶融する工程と、を具備してなることを特徴とする回路基板の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】標記を所定の方向に向けて陳列することが可能な陳列システム等を提供する。
【解決手段】陳列装置３０では、まず、上方ガイド３５よりも突出部２４が上方に位置する状態で容器２０が陳列装置３０に投入される。容器２０が投入された際、例えば符号４Ａに示すように、第１識別標記２３ａおよび第２識別標記２３ｂが陳列装置３０の幅方向を向いている場合には、突出部２４が左方側上方ガイド３５１および右方側上方ガイド３５２によって支持される。その後容器２０は、符号４Ａに示すような時計回りの回転を行いながら前方へ移動していく。そして符号４Ｂに示すように、第１平坦面２４１０および第２平坦面２４２０が陳列装置３０の幅方向を向くと、容器２０は載置部へ（下方へ）落下する。そして載置部に落下した容器２０は、周方向の回転を行わずに陳列装置３０の前方まで移動していく。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を大幅に向上させることができ、また熱揺らぎ特性、記録特性を向上させることによって、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを積層してなる磁気記録媒体において、垂直磁性層４を２層以上の磁性層４ａ，４ｂから構成し、当該磁性層４ａ，４ｂの間にＦｅと非磁性材料とを含む合金層７を配置する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶ値の低下の無いコンデンサ用のニオブ焼結体を提供する。
【解決手段】タンタル含有量が７００質量ｐｐｍ以下のニオブ粉を５００℃〜２０００℃（ただし、１１００℃、１１５０℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃を除く）で加熱して焼結体とする。
ニオブ粉は、その一部が窒化されたニオブ粉でもよい。また、一次粒子の平均粒径が１μｍ以下であるニオブ粉を造粒したニオブ粉でもよい。 （もっと読む）

【課題】標記を所定の方向に向けて陳列することが可能な容器等を提供する。
【解決手段】陳列装置３０では、まず、上方ガイド３５よりも突出部２４が上方に位置する状態で容器２０が陳列装置３０に投入される。容器２０が投入された際、例えば符号４Ａに示すように、第１識別標記２３ａおよび第２識別標記２３ｂが陳列装置３０の幅方向を向いている場合には、突出部２４が左方側上方ガイド３５１および右方側上方ガイド３５２によって支持される。その後容器２０は、符号４Ａに示すような時計回りの回転を行いながら前方へ移動していく。そして符号４Ｂに示すように、第１平坦面２４１０および第２平坦面２４２０が陳列装置３０の幅方向を向くと、容器２０は載置部へ（下方へ）落下する。そして載置部に落下した容器２０は、周方向の回転を行わずに陳列装置３０の前方まで移動していく。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】化合物半導体層２と透明基板４とが、接続層３を介して接合されており、化合物半導体層２の底面と接続層３の上面との間には、第１の反射面３ａが設けられ、接続層３の底面と透明基板４の上面との間には、第２の反射面３ｂが設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）