【課題】製造コストの低減および製造された熱交換器の軽量化を図りうる熱交換器の製造方法を提供する。
【解決手段】１対の外面にろう材層を有するアルミニウム製ヘッダタンク2,3と、両ヘッダタンク2,3間に配置されて両端部がヘッダタンク2,3に形成された管挿入穴内に挿入されてヘッダタンク2,3にろう付された複数のアルミニウム製熱交換管４とを備えている熱交換器を製造する方法である。ヘッダタンク2,3への熱交換管４のろう付時に、両ヘッダタンク2,3間における熱交換管４の近傍に、ヘッダタンク2,3の周壁の肉厚の０．７〜１．３倍である板厚を有するアルミニウム板26を配置することによって、熱交換管４の温度が５７０℃に達した時点からろう付最高温度に達するまでのヘッダタンク2,3と熱交換管４との温度差を５℃以内に保持する。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、低吸水性、電気絶縁特性に優れたノルボルネン系共重合体を提供する。
【解決手段】一般式（１）等


（式中、Ｒ¹は炭素数１〜１０のアルキル基を表わし、Ｒ²、はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表わす。）で示されるモノマーユニットを含み、数平均分子量（Ｍｎ）が３００，０００〜２，０００，０００である、極性基を有するノルボルネン化合物の高分子量の付加共重合体、及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】管状ワークの外表面を高平滑面に加工することができる管状ワーク用引抜加工装置を提供する。
【解決手段】引抜加工装置10の引抜ダイス20は、ワーク40が縮径加工されながら離れる第１曲面部1Cと、ダイスベアリング部2Bと、ダイスベアリング部2Bの上流端F1に滑らかに連なる第２曲面部2Cを有する案内部2Dと、を備える。案内部2Dは、第１曲面部1Cから離れたワーク40と再接触して該ワーク40を縮径加工しながらダイスベアリング部2Bへ案内するものである。ワーク引抜方向Ｎにおいて、引抜プラグ30のプラグベアリング部3Bの中央位置G3は、ダイスベアリング部2Bの上流端F1からダイスベアリング部2Bの長さL4の２０％までの上流領域2Baに配置されている。 （もっと読む）

【課題】多層磁性層の薄膜化に大いに寄与することができる多層構造膜を提供する。
【解決手段】多層構造膜の一具体例は、非磁性貴金属原子から形成される第１薄膜４３ａ、および、磁性原子または磁性合金から形成される第２薄膜４３ｂを重ね合わせる積層体４１と、この積層体４１の表面に重ね合わせられ、積層体４１の飽和磁化Ｍｓよりも大きい飽和磁化Ｍｓを有する強磁性膜４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】押出用ダイスの製造において、ベアリング部に表面処理による特性を付与しつつ、表面処理コストを低減する。
【解決手段】ダイス(20)を、押出方向においてベアリング部(25)を含む主型(21)とベアリング部(25)を含まない副型(31)とに分割して成形し、成形した主型(21)のみに対して表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができるエバポレータを提供する。
【解決手段】エバポレータ１の下側ヘッダタンク３の前後両中間ヘッダ部13,14内における仕切壁23,24よりも下側の空間13b,14bどうしを、第１中間ヘッダ部13のヘッダ部本体19の周壁21の後壁21aおよび第２中間ヘッダ部14のヘッダ部本体20の周壁22の前壁22aに形成された連通穴27,28により通じさせる。各ヘッダ部13,14のヘッダ部本体19,20に位置決め用凸部32が形成し、他方のヘッダ部14,13のヘッダ部本体20,19に位置決め用凸部32が嵌る位置決め用凹部33を形成する。位置決め用凸部32が位置決め用凹部33に嵌った状態で両ヘッダ部13,14のヘッダ部本体19,20どうしを互いにろう付する。両ヘッダ部13,14のヘッダ部本体19,20どうしの間の部分における連通穴27,28からずれた位置に、上下方向にのびる排水路31を貫通状に形成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも容易に製作できる押出用ダイスの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】押出用ダイスの製造方法において、１回目の熱処理を施した一次熱処理済み材料に、少なくとも切削加工を含む加工を施して押出材に対応する形状に成形し、これを一次熱処理ダイスとし、この一次熱処理ダイスで押出材を押出した後に、２回目の熱処理を施して一次熱処理ダイスよりも硬度の高い二次熱処理ダイスとする。 （もっと読む）

【課題】軽量化を図ることができるとともに、コストを安くすることができる熱交換器用接続装置を提供する。
【解決手段】熱交換器用接続装置６は、鍛造品からなる第１接続部材46と、プレス成形品からなる第２接続部材47とよりなる。第１接続部材46は、２つの冷媒通路48,49およびねじ穴51を有する。第２接続部材47は、第１接続部材46にろう付され、かつ第１接続部材46の冷媒通路48,49に通じる２つの冷媒通路54,55および第１接続部材46のねじ穴51の開口端を囲む貫通穴56を有する。第１接続部材46のねじ穴51を、第１接続部材46の両冷媒通路48,49の中心どうしを結ぶ線と直交する方向に間隔をおいて複数形成する。第１接続部材46のねじ穴51を両冷媒通路48,49間の部分に形成し、第２接続部材47の貫通穴56を第２接続部材47の両冷媒通路54,55間に形成する。 （もっと読む）

【課題】ハーネスのサポートビーム本体への保持作業を容易に行うことができるステアリングサポートビームを提供する。
【解決手段】サポートビーム本体10の周壁部12の周方向の一部には、第１切欠き部13が周壁部12の軸方向に延びて形成されている。ブラケット20の外挿部22の周方向の一部には、第２切欠き部23が外挿部22の軸方向に延びて形成されている。サポートビーム本体10の中空部11はハーネス30が収容されるものである。サポートビーム本体10の中空部11が第１切欠き部13と第２切欠き部23とを通じて外挿部20の外側に連通するように、サポートビーム本体10がブラケット20の挿通孔21に挿通されている。サポートビーム本体10が拡管加工されることにより、ブラケット20がサポートビーム本体10に接合固定されている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子の製造方法において、ウェハーの反りを調整することにより、各素子への分割をより容易にする方法を提供する。
【解決手段】厚さ２５０〜１０００μｍのサファイア基板１上に膜厚が５μｍ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層３を積層した化合物半導体素子ウェハーに、レーザー照射で割溝５０を形成して素子に分離する化合物半導体発光素子の製造方法であって、基板にＩＩＩ族窒化物半導体層がある状態で、半導体層側からウェハーにレーザーを照射して割溝を形成し、次に基板を１５０μｍ以下の厚さに研磨して薄板化する。研磨で基板背面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）を０．００１μｍ以上２μｍ以下とすることでウェハーは反りのない平坦状態になり、その後、ウェハーを素子に分離する。 （もっと読む）