【課題】ガスや水分によるＬＥＤチップまたはリードの劣化を防ぐことが可能な発光装置及び発光モジュールを提供する。
【解決手段】凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、凹部６１ａの内側に露出した状態で配置される導体部と、凹部６１ａの内側に設けられ、導体部と電気的に接続される発光素子６４と、発光素子６４から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１ａにおいて発光素子６４を封止する封止樹脂６５と、少なくとも封止樹脂６５上に積層されたバリア層９０と、を含む発光装置６０を採用する。 （もっと読む）

【課題】キャリアに保持された基板に対して反応性プラズマ処理又はイオン照射処理を行う際に処理ムラが生じることを防止したインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリアは、基板を内側に配置する孔部２９が設けられたホルダ２７と、ホルダ２７の孔部２９の周囲に弾性変形可能に取り付けられた複数の支持部材３０とを備え、複数の支持部材３０に基板の外周部を当接させながら、これら支持部材３０の内側に嵌め込まれた基板を着脱自在に保持することが可能であり、キャリアに保持された基板に対して反応性プラズマ処理又はイオン照射処理を行うチャンバ内において、ホルダ２７が接地されると共に、複数の支持部材３０の内側には、外径が１００ｍｍ以下である円盤状の基板が嵌め込まれ、なお且つ、この基板とホルダ２７の孔部２９との間に形成される隙間Ｓが、半径方向に少なくとも１１ｍｍ以上ある。 （もっと読む）

【課題】高い導電性を有する新規なπ共役系共重合体とその製造方法、その共重合体に被覆された構造体、及びその共重合体を固体電解質とする固体電解コンデンサとその製造方法を提供する。
【解決手段】式（ＩＶ）で示されるチオフェン系化合物と式（ＩＩＩ）で示されるピロール系化合物を低温酸化重合して得られる新規π共役系共重合体。
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【課題】高い不純物の活性化率を保ちながら平滑な炭化珪素の表面が得られる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の表面層に不純物を注入する工程と、前記炭化珪素基板１の表面にカーボン膜７を成膜する工程と、活性化熱処理炉内に配置したサセプタの試料台２２ａに、前記カーボン膜７と前記サセプタとが接するように載置する工程と、前記カーボン膜を保護膜として前記炭化珪素基板を活性化熱処理する工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】複数のレーンが設けられている場合に、各レーンに対する回転機構の設置や各レーンからの回転機構の取り外しを簡易化する。
【解決手段】揃え機構６０は、複数配列された陳列装置用ユニット３０のうちの最も左側に位置する陳列装置用ユニット３０の左側に配置されるとともに、上方に延びる第１脚部６１を備えている。また、最も右側に配置された陳列装置用ユニット３０の右側に配置され、上方に延びる第２脚部６２を備えている。さらに、第１脚部６１の上部および第２脚部６２の上部によってその両端が支持され、複数の回転機構５０を支持する支持部６３を備えている。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、接合の際の基板の割れを抑制でき、高電圧を印加して、高輝度で発光させることのできる発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発光層２を含む発光部３にヒートシンク基板５が接合された発光ダイオード１であって、ヒートシンク基板５は、第１の金属層２１と第２の金属層２２とが交互に積層されてなり、第１の金属層２１は、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、熱膨張係数が発光部３の材料と略等しい材料からなり、第２の金属層２２は、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である材料からなる発光ダイオード１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができ、なお且つ成膜室内の排気能力が高く、高真空度を短時間で容易に実現できるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア２５に接触可能に設けられて、駆動機構により駆動されるキャリア２５を水平方向にガイドする水平ガイド機構と、キャリア２５に接触可能に設けられて、駆動機構により駆動されるキャリア２５を鉛直方向にガイドする鉛直ガイド機構とを備え、水平又は鉛直ガイド機構は、キャリア２５の搬送方向に並ぶ複数の支軸２０９に制振部材を介して回転自在に取り付けられた複数のベアリング２１０を有し、且つ、これら複数のベアリング２１０の外周部には、キャリア２５と接触可能な当接部材２１３が制振部材２１４を介して取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】導電性、熱伝導性や強度向上のためのフィラー材として、さらに、水素やメタンもしくは各種気体を吸蔵する吸着材や触媒担体としても有用で安価な縮れ状炭素繊維を提供すること。
【解決手段】縮れ状の炭素繊維であって、内部に中空構造を持つ多層構造を有し、内層部の炭素構造がヘリンボーン構造を含むものであり、外層部の炭素構造が内層部の炭素構造と異なる炭素構造である縮れ状炭素繊維。炭素源及び/または触媒源と硫黄源を加熱帯域において接触させる気相成長炭素繊維の製造方法において、硫黄源中の硫黄原子のモル数を触媒金属原子のモル数との比で２．０以上にする縮れ状炭素繊維の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハから複数の異なるサイズの素子を同時に歩留まりよく取得可能な半導体ウェーハのダイシング方法を提供する。
【解決手段】素子の特性を評価し、良品エリアに２以上の素子が結合した集合素子の中で所定の大きさの素子を最も多く配置可能な切断ラインを決定することで良品の素子を識別するステップＳ−１と、良品の素子が形成された半導体ウェーハ上の良品エリアを所定の素子ごとに切断分離するための切断ラインを決定するステップＳ−２と、各切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断するステップＳ−３からなる半導体ウェーハのダイシング方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】るつぼ内に投入された酸化アルミニウムの原材料から得られるサファイア単結晶の収率を向上させることが可能なサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】周縁部に比べて中央部が凹んだ底部内面２１ａと、底部内面２１ａの周縁部から立ち上がる円筒状の壁部内面２２ａとを有するるつぼ２０に収容されたアルミナ融液３００から、サファイアインゴット２００を構成する肩部２２０および直胴部２２０を連続的に引き上げて成長させた後、るつぼ２０中のアルミナ融液３００の液面高さＳが底部内面２１ａと壁部内面２２ａとの境界である内径変化開始位置Ｃに到達した後に、サファイアインゴット２００をさらに引き上げてアルミナ融液３００から引き離す。 （もっと読む）