説明

株式会社フジクラにより出願された特許

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【課題】マスタクロックジェネレータと、光発振器と、光増幅器と、前記光増幅器に光学的に接続された励起半導体レーザと、前記半導体レーザの駆動部とを備えた高パワーパルス光発生装置において、出力パルス光が被照射体で反射し、戻り光として高パワーパルス光発生装置に入射して励起半導体レーザに到達した際の励起半導体レーザの破損を防ぐ。
【解決手段】マスタクロックジェネレータからのマスタクロックと、光発振器からの発振パルス光および駆動部からのパルス状駆動電流との同期をとるとともに、駆動電流パルスの立ち上がりのタイミングを制御するための制御部を設け、戻り光が励起半導体レーザに到達した際に、前記励起半導体レーザがレーザ発振状態にならないように制御する構成とした。 (もっと読む)


【課題】光ファイバの種類判別の精度を向上させることが可能な融着接続機を提供する。
【解決手段】 対象光ファイバ2の側方から対象光ファイバ2に光を照射して側方透過像を撮像する撮像ユニット12と、側方透過像から対象光ファイバ2の光軸に直交する方向の対象輝度分布を作成し、予め登録された参照光ファイバの参照輝度分布のデータと比較して対象光ファイバの種類を判別する判別部20とを備える。参照輝度分布は、参照光ファイバを回転させながら撮像ユニット12で複数の側方透過像を撮像し、複数の側方透過像から作成した複数の輝度分布を平均化した輝度分布である。 (もっと読む)


【課題】電子部品を内蔵するための開口部を小さくできる部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】第1絶縁層3cに第1導電層4c1と層間導通部1c2が形成された第1の基板3Aと、層間導通部1c2と接続される電子部品2と、第2絶縁層3bに第2導電層4b1が形成され、電子部品2を内蔵する位置に開口部6を有する第2の基板2Aと備えた部品内蔵基板10。第2導電層4b1は、平面視枠状の枠状部7b1を有する。開口部6は、枠状部7b1の内側領域8b1全域の第2絶縁層3bを厚さ方向に貫通して形成されている。 (もっと読む)


【課題】優れた耐電圧性を有しつつ、高温環境下においても層間剥離を十分に抑制することができるバックシートを備えたバックシート付き太陽電池を提供すること。
【解決手段】太陽電池100と、太陽電池100の裏面100bを覆って保護するバックシート200とを備えるバックシート付き太陽電池300であって、バックシート200が、金属層30と、金属層30に対して太陽電池100と反対側に積層される樹脂層40とを含み、金属層30がアルミニウムを含む金属材料で構成され、樹脂層40が、40%以上のゲル分率を有するポリオレフィンを含むバックシート付き太陽電池300。 (もっと読む)


【課題】光増感色素や電解質の劣化を抑制することができる色素増感太陽電池の製造方法を提供すること
【解決手段】第1電極15の表面上、又は、第1電極15に対向して設けられる第2電極20の表面上に、酸化物半導体層13を形成する半導体形成工程と、酸化物半導体層13に光増感色素を担持させる色素担持工程と、酸化物半導体層13上に電解質40を配置する電解質配置工程と、酸化物半導体層13及び電解質40を包囲すると共に第1電極15と第2電極20とを封止部材で連結し封止部30を形成する封止部形成工程と、金属基板21の第1電極15と対向する対向面の裏面に端子60を固定する端子固定工程と、を備え、端子60に熱を加える第1加熱工程と封止部材に熱を加える第2加熱工程を同時に行うことを特徴とする色素増感太陽電池100の製造方法。 (もっと読む)


【課題】絶縁性基板の生産性を向上させることが可能な絶縁性基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板の製造方法は、凹状パターン21aを有する絶縁性基板21の製造方法であり、相互に接近又は離反可能なステージ41,43と、ステージ41に取り付けられ、凸状パターン421を有するインプリントモールド42と、ステージ43に取り付けられたガイドピン431と、を準備する工程と、絶縁性基板21に形成された貫通孔21bにガイドピン431を挿入する工程と、ステージ41,43を相互に接近させて、インプリントモールド42に形成されたガイド穴422に、ガイドピン431を挿入する工程と、インプリントモールド42とステージ43との間に絶縁性基板21を挟み込んで、絶縁性基板21に凹状パターン21aを形成すると共に、ガイドピン431の先端をガイド穴422の底面に当接させる工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い光モジュールを製造することができる光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光モジュール1の製造方法は、はんだ付けにより固定された光ファイバ10を備える光モジュール1の製造方法であって、クラッド12の一部に第1、第2メタライズ層16、17が設けられた光ファイバ10を準備する準備工程P1と、光ファイバ10がはんだ付けされる位置が、第1、第2メタライズ層16、17の位置となるように、光ファイバ10を配置する配置工程P2と、光ファイバ10のクラッド12に光を入射し、光の少なくとも一部を第1、第2メタライズ層16、17で吸収させることで、第1、第2メタライズ層16、17を加熱する加熱工程P3と、第1、第2メタライズ層16、17が加熱されている状態で、光ファイバ10をはんだ付けするはんだ付け工程P4と、を備える。 (もっと読む)


【課題】大面積のパターンの厚みの均一化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ベース基板20上に大面積のパターン30を形成するパターン形成方法は、ベース基板20上のパターン形成領域21内に、ベース基板20から突出する複数の第1の凸部40を形成する第1の工程S1と、第1の凸部40が形成されたパターン形成領域21内にインクを吐出し、インクを乾燥させて、パターン30を形成する第2の工程S2と、を備えており、複数の前記第1の凸部は、相互に間隔を空けて二次元的に配置されることを特徴とするパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】半導体基板をフリップチップ実装することにより、半導体基板の実装面における外縁部または中央部に対し、実装基板と離間する方向に力が加わった場合に、バンプのくびれを小さく抑えることが可能な構造を備えた、半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板102と、半導体基板の一面102aを覆うように配された絶縁層103と、絶縁層103上に設けられる複数の突起部109と、突起部109を覆うように個別に設けられるバンプパッド106と、複数のバンプパッド106の一面106aに各々形成された複数のバンプ107と、を備え、複数のバンプパッド106の一面106aが各々半導体基板102の中央方向を向くように、突起部109のバンプパッド106と接する面109aが個別に傾斜を有している、ことを特徴とする半導体装置100。 (もっと読む)


【課題】ビアホールの形成工程を含まない多層配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性シート10と、絶縁性シート10の一方主面に埋め込まれた導電性の配線21〜27とを備える基板2を準備する工程と、基板2に形成された配線21〜27の所定位置に導電性インクを複数回吐出して、導電性の突起30が形成された基板5を作製する工程と、複数の基板51〜53を、一の基板52の一方主面に形成された突起30が他の基板53の他方主面に対向するように積層する工程と、積層した基板51〜53を加熱し、この積層方向に沿って押圧する工程を有する。 (もっと読む)


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