【課題】低不純物で、段差被覆性がよく、高真空を使わない金属薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物原料を真空チャンバー内に載置された製膜対象物上に搬送する原料搬送工程と、反応性ガスを、加熱された金属触媒体に接触させた後に、前記真空チャンバー内に載置された前記製膜対象物上に搬送する反応性ガス搬送工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。また、有機金属化合物原料または／および反応性ガスが、炭素原子、窒素原子、水素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子および金属原子から選択される１または２以上の原子のみからなることを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加熱により濃縮される試料液体に不純物が混入することを抑制可能な加熱濃縮装置、及び加熱濃縮方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液体試料１１を収容し、かつ上端２５Ａに液体試料１１の蒸気が通過する第１の開放面２５ｂを備えた容器本体２５、及び容器本体２５の上端２５Ａに設けられ、液体試料１１の蒸気が通過する第２の開放面２６ａを備えた注ぎ口２６を有する加熱濃縮用容器１２と、容器本体２５の上端２５Ａに第１の開放面２５ｂを塞ぐように配置されると共に、第２の開放面２６ａとの間に排出部２９を介在させて、第２の開放面２６ａと対向する蓋体１４と、加熱濃縮用容器１２を加熱する加熱手段１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】試料ガス中の酸素濃度が０．１〜１ｐｐｂのサブｐｐｂレベルであっても正確な酸素濃度を測定することができる酸素濃度の分析方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料ガス中の酸素濃度をガルバニ電池式酸素センサ１１で測定する酸素濃度の分析方法において、前記試料ガスの酸素濃度の予測値に対応する酸素濃度、特に、０．１〜１ｐｐｂのサブｐｐｂレベルの酸素濃度を有する酸素含有ガスと前記試料ガスとを前記ガルバニ電池式酸素センサの測定部に切り替え導入して前記試料ガスの酸素濃度を測定する。 （もっと読む）

【課題】排ガスから、二酸化炭素をエネルギー効率よく分離することができる水素製造装置を提供すること。
【解決手段】改質ガスを得る改質部１を備え、改質ガスを二酸化炭素を含む排ガスと水素とに分離して水素を製造する水素分離部２を備え、排ガスから二酸化炭素を吸収する吸収部３１と、吸収された二酸化炭素を分離回収する分離回収部３２とを有するとともに、吸収部３１で二酸化炭素を吸収した二酸化炭素吸収液と、分離回収部３２で二酸化炭素を分離回収された二酸化炭素吸収液との間で熱交換を行う熱交換部３３を有する二酸化炭素回収部３とを備え、改質ガスが改質部１から水素分離部２に移送される第一部位Ｐ１において改質ガスの保有する熱を、吸収部３１から分離回収部３２に移送される過程で熱交換部３３で熱交換済みの二酸化炭素吸収液に供給する第一熱回収手段Ｒ１を備えた。 （もっと読む）

【課題】市販の各種低温液化ガス容器を使用して簡単かつ確実に被凍結物の予備凍結を行うことができる予備凍結器を提供する。
【解決手段】予備凍結器１６は、低温液化ガス容器の口栓部の内部に挿入される有底円筒状の凍結器本体１７と、凍結器本体の内部に形成された予備凍結室１８と、凍結器本体の底部を貫通して低温液化ガス容器の内部と予備凍結室の内部とを熱的に結合する熱誘導軸１９と、被凍結物を封入した試料容器２４を予備凍結室の内部に保持するとともに、熱誘導軸に熱的に結合した試料容器保持部材２０と、予備凍結室の上部開口に装着される蓋部材２１と、凍結器本体を口栓部内に保持するための保持部（鍔部２２）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】熱応力によって割れの危険がなく、かつ自動搬送に適したサセプタカバー、及び該サセプタカバーを備えた気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明に係るサセプタカバーは、チャンバー２３内に公転可能に設置されると共に、薄膜を堆積させる基板２５が自転可能に載置される複数の基板載置部４７を有するサセプタ２７を備えた気相成長装置１７におけるサセプタ２７に設置されるサセプタカバー１であって、サセプタカバー１は、外形が円形であって、基板載置部４７に対応する部位に開口部５が周方向に連続して設けられてなり、隣接する開口部５の間の部位において内周側１ａと外周側１ｂに２分割されてなり、内周側１ａと外周側１ｂとが、内周部１ａ側又は外周部１ｂ側のいずれか一方を持ち上げると、他方も持ち上げられるような係合部７によって係合されてなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光化学反応におけるレーザ光の利用効率を高めることの可能な光化学反応装置、及び光化学反応装置を用いた同位体濃縮方法を提供することを課題とする。
【解決手段】プロセスガスが供給され、レーザ光によりプロセスガスを光化学反応させる光透過性反応用容器２１と、光透過性反応用容器２１の外側に、光透過性反応用容器２１を囲むように配置され、レーザ光を反射する金属ミラー１９と、光透過性反応用容器２１、金属ミラー１９、及び極低温液体１２を収容可能な構成とされ、極低温液体１２により、金属ミラー１９の温度を極低温に保持するクライオスタット１１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＯＣＶＤ法により化合物半導体膜が形成された基板に残存する反りを十分に低減することの可能な気相成長方法、及び気相成長方法により形成された化合物半導体膜を提供することを課題とする。
【解決手段】化合物半導体膜１２を成膜後に、基板１１の温度を下げる降温工程、及び／又は化合物半導体膜１２を気相成長後に基板１１の温度を上げる昇温工程と、を有し、降温工程及び／又は昇温工程では、反応炉１６内への気相成長原料（原料ガス）の導入を停止すると共に、反応炉１６内への不活性ガスの導入を段階的に減少させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜を低温で形成する際に、評価対象のシリコン含有前駆体が、求める成膜温度や成膜速度を達成可能であるか予測することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係から得られるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値と、第一原理計算により求める活性化エネルギーの計算値と、の相関性を検証した後、所定温度における前記成膜速度の対数値と前記活性化エネルギーの計算値との相関性を示す一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）