【課題】直流電源配線に電流が流れたか否かを検出可能な回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、駆動回路ＢＬＤＵ，ＢＬＤＤ，ＢＬＢＤＵ，ＢＬＢＤＤは、電流磁界またはスピン注入によってトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢを第１の磁化状態に初期設定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢに直流電流を流す。電源配線ＤＬは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに近接して設けられる。ここで、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢは、電源配線ＤＬに直流電流が流れるときに生じる電流磁界によって第２の磁化状態に変化する。センスアンプ１０は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢが第１の磁化状態から第２の磁化状態に変化したか否かを判定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢを介してトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに流れる電流を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の入出力クロックスキューを抑制する。
【解決手段】Ｉ／Ｏ電圧電源で駆動される第１のバッファ１及び第２のバッファ８と、Ｉ／Ｏ電圧電源の電圧レベルを示す電圧判定信号を生成する電圧判定部５と、第１のバッファ１を介して入力された入力クロック信号に基づいて出力クロック信号の位相を調整して第２のバッファへ出力するエコークロック生成部７と、電圧判定信号と位相の調整量との関係を選択するモード情報を記憶する記憶部６と、を有し、エコークロック生成部７は、電圧判定信号とモード情報とに基づいて出力クロック信号の位相の調整量を決定する。 （もっと読む）

【課題】ＩＲドロップの制約を満たしつつチップレイアウトを小型化できる半導体装置の設計方法、半導体装置の設計プログラム、半導体装置の設計装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様である半導体装置の設計方法は、複数の電源用パッド及び信号用パッドを、半導体チップ上のチップコアの周囲に配置する。そして、複数の電源用パッド及び信号用パッドの数から決まるチップサイズＳ_ｐと、チップコアの大きさから決まるチップサイズＳ_ｃと、を比較する。その後、Ｓ_ｐ≧Ｓ_ｃであれば、ＩＲドロップが制約値を満たす限り、配置した複数の電源用パッドのうちの１又は２以上の電源用パッドを削除する。 （もっと読む）

【課題】異種のリードフレームに対応するために搬送レールやフレーム搬入機構などを交換したような場合でも、搬送レールの位置を微調整する必要がないフレーム搬送装置を提供する。
【解決手段】フレーム搬入機構１３０が搬送方向に移動してリードフレーム２００をフレームマガジン１１０から搬送レール１２０まで搬送するとき、搬入補正部材１３２がフレーム保持凹部１２１と係合して移動することで、搬送レール１２０を適正位置に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】容量素子を有する半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】ＭＩＳＦＥＴ形成領域Ａ１の配線Ｍ１Ａと配線Ｍ２Ａとの間に位置する層間絶縁膜ＩＬ２Ａと、キャパシタ形成領域Ｂ１の導電膜Ｍ１Ｂと導電膜Ｍ２Ｂとの間に位置する層間絶縁膜ＩＬ２Ｂについて、層間絶縁膜ＩＬ２Ｂを、層間絶縁膜ＩＬ２Ａより誘電率の大きい膜[ε（ＩＬ２Ａ）＜ε（ＩＬ２Ｂ）]とする。また、導電膜Ｍ１Ｂと導電膜Ｍ２Ｂとは、層間絶縁膜ＩＬ２Ｂを介して対向し、導電膜Ｍ１Ｂには第１電位が印加され、導電膜Ｍ２Ｂには第１電位とは異なる第２電位が印加される。このように、縦方向に容量（Ｃｖ）を形成することで、耐圧劣化の問題を回避し、容量を構成する導電膜Ｍ１ＢとＭ２Ｂ間に高誘電率の絶縁膜を用いることで、容量を大きくする。 （もっと読む）

【課題】過熱検出回路の検出温度がばらつくことを抑制する。
【解決手段】コンパレータ１７０には、第１抵抗１１０と第１定電流源１２０の間の電圧Ａと、ダイオード１３０と第２定電流源１４０の間の電圧Ｂが入力される。第１リーク電流源１５０は、ドレインが第１抵抗１１０と第１定電流源１２０の間に接続されており、ソース及びゲート電極が第１定電流源１２０と第２配線１０４の間に接続されている。第２リーク電流源１６０は、ドレインが第１配線１０２とダイオード１３０の間に接続されており、ソース及びゲート電極がダイオード１３０と第２定電流源１４０の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】メモリ全体の動的消費電流を短時間に求めることができる設計支援装置を提供する。
【解決手段】量子化部３８は、第１の構成のメモリについての部分領域および動作モードごと第１の電流波形と、第２の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの第２の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する。補間部４６は、第３の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの第３の電流波形を、部分領域および動作モードが同一の第１の電流波形と、部分領域および動作モードが同一の第２の電流波形との補間によって計算する。動的電流解析部４５は、動作モードごとに、補間によって得られたすべての部分領域の第３の電流波形を合算することによって、第３の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションする。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】回路規模を大幅に増大させることなく、光ディスク記録装置における記録ストラテジ信号間のスキュー量を調整できるようにする。
【解決手段】光ディスク記録装置は、デューティ比５０％のパルス信号を、第１の記録ストラテジ信号として第１のチャネルに出力するとともに、第２の記録ストラテジ信号として第２のチャネルに出力し、少なくとも第１のチャネルを経由した第１の記録ストラテジ信号および第２のチャネルを経由した第２の記録ストラテジ信号を用いて光ディスクへの書き込みを行い、書き込みを行った場合における戻り光を電気信号に変換し、該電気信号の電圧レベルを所定の閾値電圧以上または所定の閾値電圧以下に制限し、第１のチャネルを経由した第１の記録ストラテジ信号と第２のチャネルを経由した第２の記録ストラテジ信号との間のスキューを、電圧レベルが制限された電気信号に基づいて検出する。 （もっと読む）

【課題】周波数誤差に基づく送信クロックを生成し、送信データに対して任意にＳＳＣの適用が選択可能な半導体装置が、望まれる。
【解決手段】半導体装置は、受信信号を入力し、動作クロック信号に基づいて受信信号からクロック信号とデータ信号を取り出すクロックアンドデータリカバリ部と、受信信号から取り出したクロック信号と動作クロック信号との周波数誤差信号を求める周波数誤差調整部と、周波数誤差信号を記憶する周波数誤差信号記憶部と、周波数誤差信号に基づいて動作クロック信号の周波数を制御する動作クロック生成部と、周波数誤差信号記憶部が記憶する周波数誤差信号の値に基づいて、動作クロック生成部が生成する動作クロック信号をスペクトラム拡散させて変動させるＳＳＣＧ部と、を備えている。 （もっと読む）