【課題】酸化インジウム系化合物（主にITO）を含むブラスト処理物からブラスト材を効率よく除去し、酸化インジウム系化合物の比率を高めることができる実用化可能な方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物を濃縮する方法であって、酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材とを含むブラスト処理物を焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高める工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】毛髪の断面形状を考慮して柔軟性を高精度に評価することができ、さらに弾性率と毛髪の内部構造とを関連付けて評価を行うことができる毛髪の柔軟性評価方法を提供する。
【解決手段】複数の層から成る断面構造を有する毛髪の断面形状を測定し、その断面形状を楕円近似したときの長軸と短軸とを求める。毛髪の一端を固定し、少なくとも長軸および短軸のいずれか一方に沿った、固定位置から所定の距離ｌの位置での毛髪の荷重Ｐと変位との関係を測定する。横軸を変位、縦軸をＰｌ^３／３Ｉ（Ｉは荷重Ｐの負荷方向に対する前記毛髪の断面二次モーメント）として測定値をプロットしたときのグラフの傾きＳＥを求め、その傾きＳＥから毛髪の各層の弾性率および／または厚みを評価する。 （もっと読む）

【課題】分散アンテナシステムにおいても、選択すべきチャネルを一意に決定することができる分散アンテナネットワークシステムを提供する。
【解決手段】中央処理センタ１０は、全てのチャネルについて各分散アンテナの平均干渉電力を測定し（ステップＳ１０）、全てのチャネルの平均干渉電力を、電力の小さい順に並べ替えて干渉テーブルに格納する（ステップＳ１１）。無線端末１３は、通信要求が発生すると、周辺に存在している分散アンテナからのビーコンの平均受信電力を測定し（ステップＳ１２）、ビーコン平均受信電力の大きさに基づいて、アンテナクラスタとそのクラスタヘッドとを決定する（ステップＳ１３）。中央処理センタ１０は、未使用チャネルで、かつ、干渉電力が最小のチャネルを通信に割り当て（ステップＳ１４）、通信を開始する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のＺｎO系半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上にｎ型ＺｎＯ系半導体層２、酸化アルミニウム膜３が順に形成されている。また、酸化アルミニウム膜３上には、金属電極４、パッド電極５が形成される。金属電極４は、Ｐｄ層４ａ上にＡｕ層４ｂが積層された多層膜構造を有している。金属電極４は、半透明電極として機能する。金属電極４上にはパッド電極５が形成されている。基板１の裏面には金属電極４に対向するように、裏面電極６が形成される。ｎ型ＺｎＯ系半導体層２とＰｄ層４ａでショットキーバリア構造を構成している。 （もっと読む）

【課題】減圧下で海水をスプレー噴射しない、新たな蒸発手法による海水淡水化装置及び淡水の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１斜行ハニカム２と、該第１斜行ハニカムの下面側より該第１斜行ハニカム内に、被加湿空気３０を供給するための被加湿空気供給手段２６と、海水３８を加熱するための海水加熱手段３４と、該海水加熱手段に海水を供給するための第１海水供給管３９と、該第１斜行ハニカムの上面側より該第１斜行ハニカム内に、該海水加熱手段で加熱された加熱海水を供給するための加熱海水供給手段３１，３２，３５と、該第１斜行ハニカムの後段に設置され、該第１斜行ハニカムの上面から排出される高温加湿空気を冷却することにより、該加湿空気中の水蒸気を凝縮させるための冷却手段２５と、該冷却手段で凝縮されて生じた淡水３７を装置外へ取り出すための淡水取り出し手段３６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高調波信号が基本波増幅器に効率よく注入され、高効率化を図る電力増幅器を得る。
【解決手段】基本波増幅器３と、基本波増幅器３から発生する高調波信号を基本波信号から分波する第１分波回路と、第１分波回路から出力された高調波信号を基本波増幅器３の入力側又は出力側に注入するための高調波伝達回路１５と、高調波伝達回路１５から出力された高調波信号を基本波増幅器３に注入する第２分波回路とを備え、高調波信号を基本波増幅器３に注入し、基本波増幅器３の効率を高めるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】研究用及び医学的に使用可能なケトン体消費促進剤を提供すること、ならびにケトーシス又はケトアシドーシスの予防及び治療薬として有用な医薬組成物を提供する。
【解決手段】スタニオカルシン１（ＳＴＣ１）からなるケトン体消費促進剤、及びこれを含有するケトーシス又はケトアシドーシス予防又は治療用医薬組成物。 （もっと読む）

【課題】地下に存在する地下水流および不圧地下水流（表層水流）を積極的に活用し、地中熱交換効率の向上を図れる地中熱交換システムおよび熱交換井の施工方法を提供する。
【解決手段】熱交換井１が清水掘りまたは圧縮空気掘りにより掘削された裸坑から成る。循環用パイプ２が熱交換井１の内部に上部から深さ方向に配置される。充填材３が熱交換井１の内部の循環用パイプ２の周囲に充填され、間隙に水を通させる。熱交換媒体４が循環用パイプ２の内部を循環可能である。ヒートポンプ装置５が熱交換媒体を用いて熱交換を行う。給水手段６が充填材３の間隙に水が飽和状態で含まれるよう間隙に水を供給可能である。 （もっと読む）

【課題】相純度が９０ｗｔ％以上である白色ＬＥＤ用ストロンチウムシリケート系蛍光体の製造方法を提供。
【解決手段】組成式１「（Ｓｒ_１-ｘ-ｙＭ_ｙＥｕ_ｘ）_３ＳｉＯ_５（式中、０．００１≦ｘ≦０．１、０≦ｙ≦０．２、Ｍは２価の金属）」の蛍光体の製造方法において、少なくとも下記の３つの工程を経る。工程１：蛍光体原料を溶媒により湿式混合した後、その溶媒を乾燥除去して得られた凝集混合物を解砕後、大気雰囲気下、１１５０〜１２５０℃の温度での第１段の熱処理、続けて大気雰囲気下での１４５０〜１５５０℃の温度での第２段の熱処理によって仮焼物を作製する工程、工程２：次いで、前記仮焼物を乾式粉砕した後、粒径３２〜１００μｍの粒子のみを取り出す分級工程、工程３：取り出した粒子からなる粉末を、弱還元性雰囲気のＨ_２を２〜１２ｖｏｌ％含む不活性ガスフロー中で温度１４５０〜１５５０℃、１〜１０時間の熱処理工程である。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）