【課題】耐衝撃性、耐熱性を有し、かつ天然物に由来し、リサイクル性に優れたシルクフィブロイン複合材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シルクフィブロイン１を繊維材料３に含浸させてなり、シルクフィブロイン１の重量が、シルクフィブロイン複合材料１０全体の重量に対して２０重量％以上、９０重量％以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】材料におけるマイクロメートルレベルからナノメートルレベルといった極めて微小な範囲での局所的な配向度を解析することができる解析方法を提供する。
【解決手段】材料の内部構造における配向関数を解析する解析方法であって、二種類の構成成分を含む材料からなる解析対象物の内部構造を表わす三次元画像を取得する工程と、三次元画像における各画素の輝度値を二種類の構成成分間の界面を示す所定の閾値と比較して、複数の領域に分割される界面を複数の領域毎に検出する工程と、複数の領域それぞれにおける単位法線ベクトルｎを算出する工程と、単位法線ベクトルｎから一軸配向関数ｆまたは二軸配向関数ｇを算出する工程と、算出された一軸配向関数ｆ又は二軸配向関数ｇを出力する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性の良好な炭化珪素基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を良好な接合状態で形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層を設けた半導体基板の製造方法が、それぞれが表面と裏面とを有するＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と炭化珪素基板を準備する工程と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の裏面を研磨板に貼り付けて、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板を表面から研磨して薄層化する研磨工程と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の表面と炭化珪素基板の表面の少なくとも一方に有機溶剤を塗布する塗布工程と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の表面と炭化珪素基板の表面を重ねて接合面とする重ね合わせ工程と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と炭化珪素基板とを、接合面に向かって加圧した状態で加熱して、炭化珪素基板の表面にＩＩＩ−Ｖ族半導体基板を直接接合してＩＩＩ−Ｖ族半導体層を形成する加熱工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ステレオコンプレックス結晶の含有率が極めて高いポリ乳酸組成物を提供する。
【解決手段】Ｌ−乳酸単位とＤ−乳酸単位との質量比がＬ−乳酸単位／Ｄ−乳酸単位＝６０／４０〜９１／９であり、かつステレオコンプレックス結晶の含有率が８０〜１００％であるポリ乳酸ブロック共重合体と、ポリ−Ｄ−乳酸と、を含むポリ乳酸組成物、またはＬ−乳酸単位とＤ−乳酸単位との質量比がＬ−乳酸単位／Ｄ−乳酸単位＝４０／６０〜９／９１であり、かつステレオコンプレックス結晶の含有率が８０〜１００％であるポリ乳酸ブロック共重合体と、ポリ−Ｌ−乳酸と、を含むポリ乳酸組成物である。 （もっと読む）

【課題】
発光性能に優れた（チオフェン／フェニレン）コオリゴマー、当該（チオフェン／フェニレン）コオリゴマーを含む有機半導体材料および発光材料、並びに、当該（チオフェン／フェニレン）コオリゴマーの製造方法を提供する。
【解決手段】
式（１）：
【化５】


（式中、Ａｒは、フェニレン基、またはチエニレン基を示す。ｎは１〜５の整数を示し、ｎ個のＡｒは同一でも異なっていてもよい。但し、ｎ個のＡｒのうち、少なくとも１個はチエニレン基である。）で表される（チオフェン／フェニレン）コオリゴマー。 （もっと読む）

【課題】同一合成樹脂材料による一体構造の合成樹脂成形品において、合成樹脂成形品表面の親水性や疎水性を自在に制御する方法。
【解決手段】合成樹脂成形品の内部に注入させた、または合成樹脂成形品の表面に存在させた重合性界面活性剤を、合成樹脂成形品を構成する合成樹脂の内部で重合，または表面でグラフト重合させて固定化させる第１工程、及び固定化させた後の合成樹脂成形品を一定の雰囲気下で一定時間保持する第２工程からなる親水性疎水性制御法であり、重合性界面活性剤が下記式で表される化合物から選ばれる合成樹脂成形品表面の親水性疎水性制御法である。 （もっと読む）

【課題】圧下浸透度に優れ鋼材の内部欠陥の低減効率が極めて高く、高品質の鉄鋼製造に適用することができる傾斜圧延機を提供する。
【解決手段】傾斜圧延機１を、互いに直交するｘｙｚの３軸のうちｚ軸方向に圧延対象である鋼材４を圧延しながら通過させ、この鋼材４と接触する作用面２２，３２同士を離間させた一対の圧延ロール２，３を具備するものとして、両圧延ロール２，３の作用面２２，３２間に位置付けられるｘ軸に対して両圧延ロール２，３の回転軸２１，３１を鋭角をなして傾斜させ、且つこれらの回転軸２１，３１を略平行に配置するとともに、両作用面２２，３２の対向部位を前記ｘｚ平面と略平行となるように構成した。
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【課題】金属を含む母材表面にＣ（炭素）を直接注入して金属炭化物表面層を形成する方法、並びにその金属炭化物表面層を提供する。
【解決手段】１種類以上の金属４，５を主とする母材表面を溶融し、この母材表面に溶融池Ｘ１を形成する工程と、溶融池Ｘ１において、溶融した母材表面に存在する金属４，５に炭素３１を直接反応させる工程と、炭素３１が反応した溶融池Ｘ１を冷却により硬化させて金属炭化物表面層６１を形成する工程と経ることで、母材４の表面に金属炭化物表面層６の形成する。
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【課題】単体Ｍｏや単体Ｎｂを母材に効率よく溶接する方法と、それにより得られる高Ｍｏ又は高Ｎｂ肉盛層を提供する。
【解決手段】母材４の溶接ポイントを所定温度に予熱しておき、溶接ポイントの周囲を不活性ガス３ａの雰囲気とした状態で、溶接材５として単体Ｍｏ又は単体Ｎｂの少なくとも何れか一方をプラズマアーク溶接することにより、母材４に単体Ｍｏや単体Ｎｂの溶接材５、又は母材４と溶接材５とによる金属間化合物、の少なくとも何れか一方を含有する肉盛層６を形成する。
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【課題】各種の金属硫化物を担体として、この上に、超微粒子状の金を高分散に且つ密着性よく担持させることができる、新規な方法を提供する
【解決手段】塩化金酸又はその塩を溶解したpH 0.5〜3の水溶液中に、BET比表面積が0.3 m²/g以上の金属硫化物を分散させて、該金属硫化物上に金超微粒子を還元析出させる方法であって、
塩化金酸又はその塩を溶解した水溶液中における金属硫化物の添加量が、該金属硫化物表面の硫黄モル数と、該水溶液中の金モル数の比率として、金モル数／硫黄モル数＝4.5以下となる範囲であることを特徴とする、金超微粒子担持金属硫化物の製造方法。 （もっと読む）