【課題】荷重に対する起歪部のひずみ量を簡単な構造で低減でき、起歪部の限界以上の変形を抑制するストッパ機構を省略可能なロードセルを提供する。
【解決手段】ロードセル１は、エレメント２と、エレメント２の上面に配置される上蓋３と、エレメント２の下面に配置される下蓋４とを備え、エレメント２は、ひずみゲージ５を貼着する起歪部６を有する基台７と、基台７の上面の中央に配置されている荷重受け部８とを有した構成からなる。起歪部６は、荷重受け部８を中心として環状に形成されるとともに、荷重方向に貫通する穴１０が起歪部６の円周方向に沿って略等間隔で複数穿設され、一部の穴１０の内周にひずみゲージ５が貼着される。 （もっと読む）

【課題】特に高感度で抵抗温度係数の大きなひずみゲージ材料を採用した場合においても、温度勾配に起因する熱見かけひずみを低減可能なひずみゲージを提供することである。
【解決手段】主ひずみを受感する素子１１と、副ひずみを受感する素子１２および１３と、で形成されるひずみゲージ１０であって、前記主ひずみを受感する素子１１と一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３とが各々直交する２方向から成り、前記主ひずみを受感する素子１１の上下に一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３を対称に配置し、両側の前記副ひずみを受感する素子１２および１３方向からの熱による見かけひずみを相殺する構成にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歪抵抗薄膜全体としてのＴＣＲ値を低く抑えることが可能であると共に、温度サイクルに対して、比抵抗ρに代表される電気特性が安定で、かつ優れた高温安定性と高いゲージ率とを実現可能な歪抵抗薄膜および当該歪抵抗薄膜を用いたセンサの提供。
【解決手段】積層膜からなる歪抵抗薄膜１０、２０であって、上記積層膜が、クロム薄膜、酸化クロム薄膜または窒化クロム薄膜からなる第一の薄膜１１、２１と、第一の薄膜１１の両主面のうち第一面１１１または第一面２１１と第二面２１２に積層され、薄膜の膜厚を同一としたときのＴＣＲ値［ｐｐｍ・Ｋ^−１］が第一の薄膜より小さい第二の薄膜１２、２２、２３とを少なくとも一層以上有し、上記積層膜を構成する第二の薄膜１２、２２の一つが上記積層膜の表出面Ｓとして表出している歪抵抗薄膜とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外付けの演算増幅器の増幅度を調整するための回路構成を付加する場合、基板の面積の増加量が少ない小型の力学量センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために本発明の力学量センサは、基板２１の上面に感度調整抵抗２９および調整電極２６を設けるとともに、この感度調整抵抗２９の一端を出力電極２５と電気的に接続し、かつ他端を調整電極２６と接続するように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】水素ガスを含む高圧ガス雰囲気下に試験片を配置して、この試験片に荷重を負荷し、前記試験片に負荷される荷重および／または変位を、ロードセルに付設されてなる歪ゲージを用いて検出する機械特性試験装置において、前記歪ゲージが水素ガスの影響を受けることなく安定した測定値を検出できる機械特性試験装置を提供する。
【解決手段】水素ガスを含む高圧ガスが導入される高圧容器が設けられ、この高圧容器内に、機械特性を評価するための試験片１１に荷重を負荷するとともに、前記試験片１１に負荷された荷重および／または変位を検出する歪ゲージ１０が付設された試験荷重負荷検出装置１８が配設されてなる機械特性試験装置１において、前記歪ゲージ１０が、厚さ１０〜２５μｍのＣｕ−Ｎｉ金属箔ゲージまたは厚さ１０〜２５μｍのＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ金属箔ゲージからなる。 （もっと読む）

【課題】コストやサイズの増加を殆ど来たすことなく、小ひずみから２０％を超える大ひずみまでの広範囲にわたるひずみを精度良く測定し得るひずみゲージを提供する。
【解決手段】この大ひずみ測定用ひずみゲージは、ゲージベース１１上にゲージ素子パターン部１２、ゲージタブパターン部１３ａ、１３ｂおよび接続パターン部１５ａ、１５ｂからなる金属箔パターン部が添着されている。この金属箔パターン部が添着され、ゲージリード１４ａ、１４ｂの基端部が接続されたゲージベース１１の表面は、ほぼ全体がラミネート膜１７で被覆されており、ラミネート膜１７の先端側は、ゲージベース１１の先端縁１１ａより所定の長さ延長されて、はみ出し部１７ａが形成されている。このはみ出し部１７ａは、ゲージベース１１が被測定対象物１９から剥離するのを防止する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】インライン生産可能なひずみゲージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ひずみゲージの製造方法を提供し、該方法は、接着樹脂フィルム上に抵抗性材料からなる箔がコーティングされた転写箔フィルムを準備する工程；ひずみの被測定物の外表面上の所望の部分に、該転写箔フィルムの該接着樹脂フィルム面を当接させる工程；および該転写箔フィルムを処理して、該接着樹脂を介して箔ゲージパターンを該被測定物に転写する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】内部のポア（気泡）や充填不良などがなく、起歪部を高い寸法精度及び表面平滑性で形成でき、かつ、少ない加工工程及び低い加工コストでセンサ特性に優れた物理量検出器を製造できる方法を提供する。
【解決手段】一端が起歪部で閉鎖された筒部と、起歪部の上に形成されたセンサ部を有する物理量検出器の製造において、上記筒部を、非晶質合金を生成し得る組成の合金材料の溶湯を金型（１０）内に充填した後、冷却して非晶質化することにより製造する。前記金型は、キャビティ（１４）を形成する２つ以上の割り型（１１，１２）と、キャビティ内に挿入され、前記筒部の内部形状を規制するインサートピン（１９）とから構成され、さらにキャビティの起歪部表面に対応する面を形成するように金型内に挿入されるインサートコア（１６）を備えている。別の態様においては、金型の分割面が起歪部表面に対応するようにキャビティが形成される。 （もっと読む）

負荷に依存するバネ要素（１）のたわみが、ひずみゲージ要素（１０）によって電気信号に変換される前記バネ要素（１）を含む、精密力変換器が開示される。バネ要素（１）は、ニッケル含有量３６〜６０％およびクロム含有量１５〜２５％の析出硬化可能なニッケルベースの合金で作られ、一方ひずみゲージ要素は、ポリマー非含有層状フィルム系からなり、こうして、高い精度、低いクリープ量、および湿気に対する低い感度を特徴とする精密力変換器の製造が可能となる。
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【課題】力学量センサの製造における初期投資やランニングコストを低減する。
【解決手段】
受圧管２のダイヤフラム１０の表面に、めっき技術により絶縁膜２０を形成する。さらに、絶縁膜２０の上面に、めっき技術により金属薄膜３０を形成する。そして、金属薄膜３０を部分的に除去することにより、ひずみゲージ３５を加工する。 （もっと読む）

【課題】
切削加工だけで製作可能な抵抗型センサを提供する。
【解決手段】
抵抗型センサ１は、フランジ２と、フランジ３と、これらの間に配置された４つのアーチ状のビーム１０、２０、３０、４０を有している。各ビーム１０、２０、３０、４０は、センサの中心軸から離れるにしたがって隣り合う２つのビーム間の距離が広がるように配置されている。そして、各ビームの一端部が、Ｚ軸近傍において連続しており、一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックダイヤフラムに厚膜抵抗を配したの応力センサにおいて、ゲージ率ないしＫファクタを増大し後置接続された電子回路によっても良好に処理が可能な信号が生成されるように改善を行う。
【解決手段】セラミックダイアフラム（支持体）と厚膜抵抗および厚膜導体路の間に誘電層を設ける。これにより、厚膜抵抗と誘電層との間に両材料の混合層が形成され、感圧抵抗としてのＫファクタが著しく高められる。またダイアフラムの薄膜化を過度に行う必要がなくなり製造が容易になる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と配線を同一平面に凹凸を抑えて形成することができ、配線の段差等による抵抗体ペーストの印刷性に対する影響を最小限に抑え、感歪抵抗体の特性バラツキをできるだけ少なくできる歪センサ及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】基板２１と、前記基板２１上に複数の電極１２を埋め込んだ絶縁層２２を有し、前記電極１２上に感歪抵抗体２３を備え、前記感歪抵抗体２３および前記電極の少なくとも一部を覆う保護層２５を有することを特徴とする歪センサである。 （もっと読む）

【課題】 荷重の入力方向にずれが生じた場合であっても荷重を確実に検出することができる荷重センサを提供する。
【解決手段】 歪み変形可能なベース２の中心部に形成された穴３に球体１０が支持されている。ベース２には、球体１０の周囲に、４つの歪み検出素子Ｓ１，Ｓ２が形成されている。また、ベース２は、球体１０の一部が突出する貫通孔２１を有するカバー２０で覆われている。球体１０に対して鉛直方向に対して傾斜した方向から荷重が球体１０に入力されると、荷重が球体１０によって分散されて、分散された荷重がベース２に作用する。よって、ベース２に荷重が集中的に作用するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、内視鏡やカテーテルの作業を考慮して内視鏡又はカテーテル等の先端と整合して中央に鉗子等が装入できる大きいセンターホールを有するとともに、カテーテル先端部と体内壁との接触力やカテーテル先端部等の全方位姿勢の計測が可能な３次元抗力センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３次元抗力センサは、内視鏡又はカテーテル等の先端に搭載するのに適したセンターホールを備えた３次元抗力センサにおいて、絶縁膜上に薄層抵抗材料から形成してなるひずみゲージをセンターホールの周囲に等間隔で３個以上配置してなることを特徴としている。
また、本発明の３次元抗力センサは、絶縁膜をポリイミド箔で形成することを特徴としている。
また、本発明の３次元抗力センサは、ひずみゲージを弾性薄板上に形成することを特徴としている。
また、本発明の３次元抗力センサは、ひずみゲージの上面に半球状の弾性体を装着することを特徴としている。 （もっと読む）