【課題】容器中の二相流状態における液膜厚さの分布情報を求めるために、ＣＴ画像により計測領域を２次元又は３次元の連続的情報として得る。ＣＴ装置での時間平均画像において液膜厚さを評価しようとした場合に、液膜分布を計測するために液膜の真値との相関関係を把握することが必要となる。
【解決手段】被検体を透過するエネルギーを持つＸ線源と、透過Ｘ線を検出する検出器と、被検体の全周方向からの透過データが取得可能な機構とからなるＸ線ＣＴ装置と、該被検体内の容器表面の液膜厚さを計測可能な厚さ計測器を少なくとも１つ有し、Ｘ線ＣＴ装置が取得するＣＴ画像において厚さ計測器の計測位置と対応する箇所の液膜厚さを、厚さ計測器の計測値によりキャリブレーションを実施し、ＣＴ画像から液膜厚さを算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、輪郭線が周期性を有する描画パターンのパターン幅を、精度よく測定できるパターン幅測定プログラム、パターン幅測定装置を提供する。
【解決手段】測定プログラム５５ａは、複数の単位形状３が一定の配列ピッチＰで配置された段付データ２に基づいて描画され、周期性を持つ輪郭線５ａを有する段付パターン５を測定する測定装置５０を、段付パターン５の測定領域ＡでのボックスＢ１〜Ｂ３のボックス長さＬ１を、単位形状３の配列ピッチＰに対応した長さに設定するボックス設定部５６ｃと、ボックス設定部５６ｃが設定したボックスＢ１〜Ｂ３の段付パターン５の幅を、一定の間隔毎に測定してパターン幅測定データを取得する電子顕微鏡５４と、電子顕微鏡５４が取得したパターン幅測定データに基づいて、ボックスＢ１〜Ｂ３内で平坦化したパターン幅を算出するパターン幅算出部５６ｆと、して機能させる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置を用いたパターンの寸法計測または、形状観察において、高スループット化を可能にする。
【解決手段】試料の表面に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の収束させた電子ビームを照射し走査して試料から発生する二次電子または反射電子を検出して試料のＳＥＭ画像を取得し、取得したＳＥＭ画像を処理して画像取得条件を設定し、設定した画像取得条件に基づいて走査電子顕微鏡で試料のＳＥＭ画像を取得し、設定した画像取得条件に基づいて取得したＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試料を撮像して得たＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡装置及びその画像取得方法において、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件と、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件を変えてＳＥＭ画像を取得するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定する画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、第１の線分によって形成される第１のパターンと、第２の線分によって形成される第２のパターン間の位置合わせを行うときに、第１の線分と第２の線分上にそれぞれ第１の対応点と、第２の対応点を設定し、第１の対応点と第２の対応点間の距離に基づいて、第１のパターンと第２のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、第１の線分と第２の線分の形状差に応じて、第１の対応点、及び／又は第２の対応点の位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】パイプの放射線透視像のうちのパイプを横断する方向の輝度プロファイルを使用してパイプの外径点及び内径点を精度よく推定し、パイプ厚みを正確に計測可能にする。
【解決手段】計測対象のパイプの放射線透視像のうちのパイプを横断する方向の輝度プロファイルを取得し、この輝度プロファイルに基づいてパイプの外径点を推定する（ステップＳ１０〜Ｓ４０）。その後、推定された２つの外径点の内側の領域を設定して輝度プロファイルをセクター分割し、このセクター分割された輝度プロファイルに基づいてパイプの内径点を推定する（ステップＳ５２〜Ｓ６０）。特に、内径点推定時に、パイプの２つの外径点の内側の所定の領域に対応する輝度プロファイル（即ち、内径点の推定に関係しない情報が排除された輝度プロファイル）に基づいて内径点を検出するようにしたため、内径点推定を精度よく行うことができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。
【解決手段】物性の測定方法は、透過型電子顕微鏡により、試料の収束電子回折実験像を取得する工程と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度を計算する工程と、試料に関し物性を変化させて計算された収束電子回折計算像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度とを比較する強度比較工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置５０４と処理部５０３と表示部５０２とを有する画像データ解析装置であって、処理部５０３は、記録装置５０４に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部５０２に表示する。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】
計測対象領域に曲線部分を持つパターンの寸法値を高精度に計測するためには、画像の垂直方向或いは水平方向とパターンの曲線部分における局所的な軌道とがなす角度を算出する必要がある。しかし、パターンエッジを基に該角度を算出した場合、エッジラフネスによりエッジ線の該角度がパターン軌道と異なるケースにおいて、測長精度低下を招く危険があるという課題があった。
【解決手段】
パターンの軌道を示す補助点列から前記角度を算出し、パターン計測を行なう手法を提供することにより、パターンエッジのラフネスの影響を抑制した高精度パターン計測を可能とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】試料の観察画像の回転を精度よく検出することのできる画像処理技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る画像処理装置は、試料の測定箇所を含む広角画像データを介して、測定画像データと基準画像データの間の回転ずれを間接的に補正する。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭを用いた半導体パターンの画像の取得に関して、ＳＥＭの撮像に伴う電子線照射による試料へのダメージを抑えつつ、高分解能なＳＥＭ画像を取得することである。
【解決手段】
電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なＳＥＭ画像から形状が類似するパターンを持つ領域（類似領域）を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。また、設計データを用いて前記類似領域および画像復元処理が実行可能となるＳＥＭの撮像位置および撮像範囲を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【目的】本発明は、測定領域検出方法および測定領域検出プログラムに関し、画像上である測定領域を指定すると当該測定領域と幅、長さが同じパターンの複数の測定領域を併せて抽出して測定し測定結果を出力することを目的とする。
【構成】ＣＡＤ画像上で測定場所を指定するステップと、内接する矩形の測定領域（指定）を検出して表示するステップと、検出した測定領域（指定）と幅あるいは長さあるいは両者が同じあるいは所定範囲内で同じ他の測定領域を抽出して測定領域（予測）を生成するステップと、被測定試料からＳＥＭ画像を取得するステップと、測定結果を取得するステップと、取得した測定結果をＳＥＭ画像上の対応する測定領域（指定）および測定領域（予測）にそれぞれ表示するステップとを有する． （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
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【課題】本発明の目的は、試料上に形成されたパターンのラフネスを高精度に測定する寸法解析プログラム、及び寸法計測装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定して得た１組の結果（以下、要素測定結果と称す）を複数個結合することにより上記方向に長い構造物の寸法の測定結果（以下、結合測定結果と称す）を仮想的に構築しそのスペクトル（以下、結合スペクトルと称す）を計算し、当該結合スペクトルを複数個作成し平均することによりスペクトル（以下、平均結合スペクトルと称す）を作成する寸法解析プログラム、及び寸法計測装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】低コストであり、且つ手間をかけずに迅速に粒径を測定することができるテラヘルツ波を用いた粒径測定装置及び粒径測定方法を提供する。
【解決手段】レーザ光を発するレーザダイオード１と、レーザダイオード１により発せられたレーザ光を第１レーザ光と第２レーザ光とに分割するビームスプリッタ２と、第１レーザ光が照射されることによりテラヘルツ波を発振するテラヘルツ波発振アンテナ５と、第２レーザ光に基づいた検出タイミングでテラヘルツ波を検出し、検出したテラヘルツ波の強度に応じた検出信号を生成するテラヘルツ波受信アンテナ８と、テラヘルツ波路中に測定対象物１００を設置した場合のテラヘルツ波受信アンテナ８により生成された検出信号に基づく信号強度データのみから特徴量を算出し、特徴量に対応する粒径のデータを保持するデータベース５８を参照することにより測定対象物１００の粒径を推定するデータ保持部５２、データ処理部５６とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、機構部が高炉内の熱や高濃度粉塵等の影響を受けずに、高精度なプロフィル測定を行うことができる高炉内装入物のプロフィル測定装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発信器１８と、マイクロ波を放射するアンテナ１１と、 マイクロ波発信器１８とアンテナ１１とを連結する導波管１７と、マイクロ波を反射する反射板１２と、反射板駆動装置２１と、反射板１２と反射板駆動装置２１とを連結する駆動軸２２と、を有し、アンテナ１１、導波管１７のアンテナ１１側の端部１７ａ、反射板１２、駆動軸２２の反射板１２側の端部２２ａが、高炉２の炉頂部に設置され高炉２の炉内に向けた開口部１３を有する耐圧容器１０内に収納され、マイクロ波発信器１８および反射板駆動装置２１が、耐圧容器１０の外側に配置されている。 （もっと読む）