【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのＯＰＣパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのＯＰＣパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、該指標値算出手段で算出した指標値の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システムである。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電位コントラスト像から配線のコントラストを簡便かつ正確に認識し、抽出することのできる半導体装置のコントラスト画像処理方法、処理装置、処理プログラムを提供する。
【解決手段】解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像をコントラスト像に合わせて自動的に減色する減色処理と、減色されたコントラスト像に含まれる画素をあらかじめ設定したコントラスト閾値を基準に分類し、複数のコントラストに分別された配線パターンを抽出する配線コントラスト抽出処理と、配線パターンの輪郭部分に含まれるノイズを輪郭部分のシフトにより除去するシフト処理と、を含み、解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像に含まれる配線パターンを所定のコントラストに区分して抽出する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】被検査物の形状異常を容易かつ迅速な方法で判断することができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】形状異常判断部は、一の領域における濃淡情報として変化線ＫＨ１と、他の領域における濃淡情報として変化線ＫＨ２とを比較することにより、被検査物の形状異常を判断する。具体的には、同一の検出位置における変化線ＫＨ１の濃淡値と変化線ＫＨ２の濃淡値とが比較される。例えば、検出位置Ａ１における変化線ＫＨ１の濃淡値Ｋ１と変化線ＫＨ２の濃淡値Ｋ２との差Ｓ１が所定範囲内か否かが形状異常判断部により判断される。この場合、差Ｓ１が所定範囲を超えるものであれば、形状異常が存在すると判断される。 （もっと読む）

【課題】冊子状の被検査物の内部に綴じ部材が隠れている場合であっても綴じ状態の良否を判別することができるＸ線検査装置を提供すること。
【解決手段】被検査物Ｗの綴じ部材Ｓの正常状態を含む綴じ部材情報を予め設定する設定入力手段１５と、Ｘ線検出器１０から出力される濃度データから、被検査物Ｗの外形を抽出する外形抽出手段１７と、Ｘ線検出器１０から出力される濃度データから、被検査物Ｗの綴じ部材Ｓを抽出する綴じ部材抽出手段１８と、外形抽出手段１７が抽出した被検査物Ｗの外形の中に綴じ部材抽出手段１８が抽出した綴じ部材Ｓを重ね合わせ、綴じ部材抽出手段１８が抽出した綴じ部材Ｓの状態と、綴じ部材情報に含まれる綴じ部材Ｓの正常状態とを比較して、被検査物Ｗの綴じ状態の良否を判別する判別手段２０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体パターンの検査において、レシピの良不良診断および最適化の作業を自動的に行なう機能を備えた方法を提供する。
【解決手段】半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のＳＥＭ画像を取得する。次に、予めレシピとして登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定する。所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、ＳＥＭ画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを選択する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
レジストパターンの膜減りがレジスト上面の面荒れ（ラフネス）を伴うことに着目し，従来の線幅計測に用いているレジストパターンの電子顕微鏡像上で，レジスト上面に相当する部位のラフネスの程度を定量化することによって膜減り指標値を算出する。また，予め作成しておいた膜減り指標値とレジストパターンの膜減り量を関連づけるデータベースに当てはめることによって，レジストパターンの膜減り量を推定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段，該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、２次電子画像，反射電子画像に関して独立に行われる。 （もっと読む）

【課題】
電子線照射に対する耐性が低い材料では，Ｓ／Ｎの良好な電子顕微鏡画像を得ることが難しい。これに対し，従来の画像平滑化処理を行うと，計測の安定性は向上するが，絶対値に対する計測誤差や感度が低下したり，立体形状情報の質が劣化したりという問題が生じる。
【解決手段】
計測対象パターンの寸法ばらつきを考慮して，信号波形が持つ立体形状情報を劣化させない画像平均化処理を行うことにより，計測安定性と精度および感度の向上を両立する。本発明により，高精度なパターン寸法および形状の計測と，それを用いた高感度な半導体製造プロセスの管理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、前記検査対象パターン画像を検査する検査手段は、検査対象パターンごとの変形量を使用して検査する。 （もっと読む）

【課題】浅い位置に埋設された埋設物の位置及び形状の検出を従来例に比較して高い精度で行え、従来には行えなかった埋設物の材質の推定を行う非破壊探査装置を提供する。
【解決手段】本発明の非破壊探査装置は、送信波を発信し、反射波を受信するマイクロ波レーダ部と、反射波形から送信波形を減算して差分波形を求める差分計算部と、差分波形及び送信波形の相互相関のヒルベルト変換を行い、複素反射係数の絶対値のモデル適応度関数を得る相互相関ヒルベルト変換部と、モデル適応度関数の時間差の最大値及び最大値の時間差を保持し、所定の時間差幅の境界モデル適応度関数に変換する境界モデル適応度演算部と、測定点毎の反射波の境界モデル適応度関数を考慮点の信頼度とし、反射波の境界モデル適応度関数のヒストグラムにより逆投影画像を生成する逆投影像生成部と、逆投影画像にてヒストグラムの極大値を与える送信波形の位相を求める位相検出部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 検査対象とすべき最適な断層像を特定することが困難であり、結果として高精度の検査を行うことができなかった。
【解決手段】 Ｘ線によって検査対象を検査するにあたり、Ｘ線を基板上の検査対象品に照射して異なる方向から撮影した複数のＸ線画像を取得し、上記複数のＸ線画像に基づいて再構成演算を実行し、当該再構成演算によって得られた再構成情報に含まれる上記基板の配線パターンの情報に基づいて上記検査対象品の検査位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】外乱が現れているＸ線撮影画像においても、被測定物に生じている亀裂の位置やその深さを精度良く検出することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被測定物のＸ線撮影画像から注目部位を抽出する注目部位抽出部１１と、注目部位の輝度およびその近傍領域の輝度に基づいて、注目部位の特徴量を決定する特徴量決定部１２と、特徴量に応じて、注目部位の亀裂深さを決定する亀裂深さ決定部１３とを具備する検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
いかなるタイプのパターンであっても、その断面形状を順テーパから逆テーパまで、非破壊的に、正確かつ定量的に計測し得るパターン測定技術を提供する。
【解決手段】
走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。走査型顕微鏡で得られた上空写真の画像データから、パターンエッジ近傍の領域の形状を数値化することによって断面形状のテーパ傾向を評価する。上空観察結果のみから逆テーパ、垂直、順テーパなどのエッジの傾向を評価することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】 ２つの画像のパターンマッチングの成功率および精度を向上させ、しかも、測長などの検査作業の効率を低下させない画像処理装置、画像処理方法および走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 走査型顕微鏡１０は、第１の画像と第２の画像とのパターンマッチングを行なう画像処理装置４を含んで構成される。画像処理装置４は、第１の画像に基づき塗り分け画像を生成する塗り分け画像生成部４１と、塗り分け画像を平滑処理して重心分布画像を生成する重心分布画像生成部４２と、第２の画像に基づき輪郭線線分群を生成する輪郭線線分群生成部４３と、重心分布画像と前記輪郭線線分群とに基づきマッチングスコアを算出するマッチングスコア算出部４４と、前記マッチングスコアが最大になる位置を検出する最大スコア位置検出部４５とを含む。 （もっと読む）

【目的】 研磨における加工終点を十分に検出することができる方法及びかかる方法を適用することが可能な研磨装置を提供することを目的とする。
【構成】 基板２００を研磨する研磨パッド２３０、ターンテーブル２２０や、トップリング２１０等から構成される研磨部と、前記基板２００の表面側と裏面側とのうち、いずれか一方に配置され、前記研磨部が前記基板を研磨する間、複数の陽電子１１２を放出する陽電子線源１１０と、前記基板２００を挟んで前記陽電子線源１１０と対向して配置され、放出された前記複数の陽電子１１２の寿命を測定する、シンチレータ１２２，１２４、ＣＦＤ１４２，１４４、ＴＡＣ１５０や、ＭＣＡ１６０等から構成される測定部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】白色光・レーザ光、あるいは電子線を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、検査に必要な各種条件を設定する際にその操作性効率を向上するめの技術を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された基板表面に光、あるいは光および荷電粒子線を照射する手段と、該基板から発生する信号を検出する手段と、検出手段により検出された信号を画像化して一時的に記憶する手段と、上記記憶された当該領域の画像を他の同一の回路パターンが形成された領域と比較する手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する手段からなる回路パターンの検査装置であって、検査用および検査条件設定用の操作画面に操作内容あるいは入力内容を表示する画面領域とその画面を表す項目名を表示する手段を備えており、且つ該項目名は該操作画面領域で一体化して表示する。 （もっと読む）