【課題】発電電流の検出を不要とし、電力損失の増加、部品の故障率が高くなることを回避する。
【解決手段】少なくとも一つの発電モジュールの出力電圧および温度を測定する測定部と、測定部によって測定された出力電圧および温度の情報から電力を計算する電力計算部と、電力計算部によって計算された電力の情報を出力する出力部とを備える。電力計算部は、発電モジュールの等価回路のモデルに基づいて出力電圧および温度の情報を使用して電力を計算する。 （もっと読む）

【課題】アバランシェ破壊した半導体素子に電流が流れ続けることを抑えることができる、半導体素子の試験装置を提供すること。
【解決手段】コイル１４と、コイル１４に接続される半導体素子１０がアバランシェ破壊した後にコイル１４に流れる電流を還流させる還流回路（コイル１４→リレー４→ダイオード１６→コイル１４の電流経路）とを備え、前記還流回路が、コイル１４と半導体素子１０が構成された閉回路（コイル１４→半導体素子１０→ダイオード１３，２１→コイル１４の電流経路）よりも低いインピーダンスを有する、半導体素子の試験装置。 （もっと読む）

【課題】短時間で、より少ない演算量で標準試験条件の光を照射した場合の太陽電池の短絡電流を求める事を目的とし、ソーラーシミュレータの光量調整を容易に行う。
【解決手段】太陽電池評価装置は、測定対象の太陽電池に、所定のスペクトルと所定の放射照度を持った測定光を照射し、前記太陽電池に、特定の光と実質的に相似のスペクトルを持ち、当該特定の光の放射照度よりも低い放射照度を持った相似光と当該測定光とを重畳した重畳光を照射し、前記測定光、又は、前記重畳光を受けたときの前記太陽電池の短絡電流を、それぞれ測定し、前記測定光を受けたときに前記測定部で測定された第１短絡電流と前記重畳光を受けたときに前記測定部で測定された第２短絡電流との差分、及び、前記相似光の放射照度に基づいて、前記太陽電池が前記特定の光を受けたときの第３短絡電流を算出する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の欠陥検出の精度を改善する。
【解決手段】本発明の実施形態の欠陥検出装置は、検査対象である太陽電池セル９を保持する保持部１０と、複数の点光源３を備える面光源４と、駆動制御信号を生成するピッチ制御部（５，７）と、駆動制御信号に基づいて、面光源４を移動させる移動機構（６，８）と、面光源４の発光パターンを制御する発光制御信号を生成する光源制御部１３と、面光源４が発光した光に応じて太陽電池セル９に発生した電流の電流値を計測し、電流値を示す計測情報を生成する計測部１１と、を備える。ピッチ制御部（５，７）は、複数の点光源３の間隔より小さいピッチで面光源４が移動するように、駆動制御信号を生成する。計測部１１は、太陽電池セル９に対する面光源４の位置毎に、複数の計測情報を生成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールに複数形成されたセルの出力値を検出する。
【解決手段】本発明に係る擬似太陽光照射測定装置１００は、擬似太陽光を受光して発電する、太陽電池モジュール３０に複数形成されたセル３１に対して相対的に移動可能に設けられ、セル３１の出力値を検出する検出ヘッド２６を有する測定部２０を備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の生産工程においてセルをラミネートする前に太陽電池の異常、特にはんだ付け不良を発見する方法及び装置であって、セルよりも小さな単位で異常を発見できるものを提供すること。
【解決手段】セルを分割した評価領域を評価するために、評価領域を含むセルに照射される光の照射量を他のセルよりも小さくし、評価領域に照射される光の照射量を変化させて太陽電池の特性値を測定する。特性値の変化に基づいて評価を行う。評価領域を変更して評価を行うことで、評価結果の異なる部分が異常であると判定することもできる。また、この評価をはんだ付けの後、セルをラミネートする前に行い、半田付け不良を発見して修復することを容易にすることができる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池が実際に設置された環境において太陽電池全体としての電流を制約するセルを特定する方法を提供する。
【解決手段】所定の周波数の電流によって駆動される半導体発光素子を光源５とする光でセル２を順次に照射し、太陽電池１の出力電流のその周波数の成分を検出する。出力電流が最小のセルを照射した時にはその周波数の成分が大きく検出されるので、太陽電池全体としての電流を制約するセルを特定することができる。また、照射光を半導体レーザとして、離れた場所からセルを正確に照射できるようにする。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易な構成で、長期の実使用状態においても、太陽照射時の発電を妨げることなく太陽電池アレイの電気特性を診断する。
【解決手段】太陽電池アレイ１２の出力が予め定めた閾値以下のときに、入力コンデンサ２６を太陽電池の開放電圧まで充電し、ＳＷ２をオフして、ＳＷ３ｉ以外のＳＷ３を中立接点ｃ、ＳＷ３ｉを接点ａに切り替え、入力コンデンサ２６に可変直流電源４０を直列接続して合計電圧をｉ列目の太陽電池モジュールストリング１６に印加し、過渡現象の電圧及び電流を測定し、電圧依存領域のＩ−Ｖ特性を取得する。ＳＷ３ｉを接点ｂ１に切り替えて、入力コンデンサ２６を一旦放電させ、ＳＷ３ｉを接点ｂ２に切り替え、入力コンデンサ２６の充電時の過渡現象の電流及び電圧を測定し、電流依存領域のＩ−Ｖ特性を取得する。両領域のＩ−Ｖ特性を結合し、直列抵抗Ｒ_Ｓ、分路抵抗Ｒ_ｓｈ等を推算し、太陽電池アレイの故障状態を診断する。 （もっと読む）

【課題】固定時に負圧で生じる変形を発生させないでフリップチップＬＥＤの測定を行う。
【解決手段】フリップチップＬＥＤ用試験装置３は、透明な基板３０、スペーサ部材３２、柔軟で透明な支持台３４、及び真空発生機３６を含む。スペーサ部材は透明な基板の第一表面３００上に形成される。柔軟で透明な基板の支持台は、閉空間Ｓ１が柔軟で透明な支持台、スペーサ部材、及び透明な基板の第一表面により形成されるように、スペーサ部材へ取り外し可能に組み込まれる。真空発生機は閉空間から空気を吸い出すため、閉空間へ接続され、次に透明な基板の一部は第一表面に張り付き、フリップチップＬＥＤを配置するための試験領域３４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】測定対象セルの抵抗成分を迂回して流れるバイアス電流を考慮し高精度で欠陥を検出することが可能な太陽電池の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】測定対象セルに光を照射するメイン光源３、他のセルに光を照射するサブ光源４、太陽電池Ｓの出力電流を電圧に変換するシャント抵抗７、電圧を増幅する増幅器８、この出力に含まれるバイアス電流を抽出するバイアス電流抽出回路９、増幅器の出力からバイアス電流を差し引くバイアス電流キャンセル回路１０、ディジタルデータに変換するＡ／Ｄ変換器１２、画像処理を行う画像処理装置１３、画像表示を行う表示器１４を備え、バイアス電流を考慮した、測定対象のセルが発電した起電流成分に基づいて検査を行う。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩ素子や、ＬＥＤ素子およびレーザ素子などの発光素子などの検査および処理対象のデバイスに対して検査するＥＳＤ耐性試験の結果や通常動作試験の結果、不良デバイスを正常な絶縁状態に回復させるリペア装置およびリペア方法を提供する。
【解決手段】高電圧電源２により充電される複数の高圧コンデンサ７からの各電荷ストレスを複数のデバイス６にそれぞれ一括して同時に印加する電圧印加手段および電流供給手段としての電圧印加および電流供給回路２０と、高電圧電源２から電流を電圧印加および電流供給回路２０により電荷ストレス印加後の複数のデバイス６に供給した状態で、当該複数のデバイス６がリーク欠陥デバイスであるかどうかを自動判定する判定手段とを有し不良と判定された場合、規定回数に達するまで、ＥＳＤ耐性試験のフローを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】極めて短時間の放電光を安価な構成で検出できる放電光検出回路を提供する。
【解決手段】放電光検出回路１４は、端子１０ａに基準値以上の電圧が加えられた時に導通する電子部品１０において発生し得る放電光を検出する。放電光検出回路は、受光素子１４ａと、増幅部１４ｂと、判定部１４ｃと、オフディレイ部１４ｄと、制御部１４ｅとを備える。受光素子は、検査電極１１から端子に基準値以上の検査電圧または所定の検査電流が加えられた時に発生し得る放電光Ｌを受光して、電気信号Ａに変換する。増幅部は電気信号を増幅する。判定部は、増幅された電気信号Ｂが予め定められた判定値Ｘ以上である期間に判定信号Ｃを出力する。オフディレイ部は、判定信号のオフタイミングを遅延させた遅延判定信号Ｄを出力する。制御部は、遅延判定信号が出力されているか否か定期的に判定し、遅延判定信号が出力されている場合に放電光検出信号Ｅを出力する。 （もっと読む）

【課題】長尺状のフレキシブル基材に透明導電膜が配されてなる透明導電性基板、および長尺状のフレキシブル基材上に光電変換体などが形成されてなる太陽電池の評価装置を提供する。
【解決手段】長尺状のフレキシブル基材１１１に、第一スクライブ線１２５によって所定のサイズごとに区画された、透明導電膜からなる第一電極１１３が、前もって形成されてなる透明導電性基板１２７の評価装置１００であって、ロールツーロール法を用いて、フレキシブル基材１１１を搬送しつつ、隣接する第一電極１１３間に電圧を印加し、かつ第一電極１１３間を流れる電流の特性を求める第一手段として、電気的な接点として機能するロール形状のプローブ１２３を少なくとも一組備えている、ことを特徴とする透明導電性基板１２７の評価装置１００。 （もっと読む）

【課題】実仕様に合致したより正確な光量検査を効率よく行う。
【解決手段】複数のステージ２１が設けられ、複数のステージ２１を移動させるインデックステーブル２と、ステージ２１上に搭載され、半導体チップとしてのＬＥＤ素子チップ５が内部に収容されて通電可能とされるソケット６と、半導体ウエハ４を個片化した後の複数のＬＥＤ素子チップ５のうち、これよりも数が少ない一または複数のＬＥＤ素子チップ５を、インデックステーブル２の複数のステージのうち、これよりも数が少ない一または複数のステージ２１上の各ソケット６に移送するピッカー７１と、一または複数のステージ２１に一または複数のＬＥＤ素子チップ５を搭載して一または複数のＬＥＤ素子チップ５を検査する検査手段を有している。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルにおける一部の箇所の電気特性を簡易な構成で評価できる評価装置及び評価方法を得ること。
【解決手段】評価装置は、太陽電池セルの電気特性を評価するための評価装置であって、互いに絶縁されており、前記太陽電池セルにおける異なる接続箇所と電流計測回路とをそれぞれ接続する複数の第１の接続端子と、前記太陽電池セルと電圧計測回路とを接続する第２の接続端子と、前記太陽電池セルにおける接続箇所を切り替えるように、前記複数の第１の接続端子から少なくとも２つの第１の接続端子を選択し、前記少なくとも２つの第１の接続端子を介して前記電流計測回路を前記太陽電池セルに直列に接続させる切替機構とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。
【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の高温特性検査において、チップ面積を増大させることなく低コストで実現可能な半導体発光素子の温度特性検査装置および温度特性検査方法を提供する。
【解決手段】温度特性検査装置１０は、電流印加・電圧測定装置１と測定対象の半導体発光素子２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、電流印加部１１、電圧検出部１２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、たとえば、チッププローバであり、ウェハ状態の半導体発光素子２の電極にプローブをあて電流印加、電圧測定を行っている。測定された順方向電圧値や光出力値を用いて、たとえば、外部にある演算部３、判定部４により、半導体発光素子２の温度特性の良否判定が行われる。 （もっと読む）

【課題】 検査精度を向上するための作業を簡素化するサンプル検査装置を提供する。
【解決手段】 サンプル検査装置１は、等間隔で配置される複数の第１チャック１２と、少なくとも１組の隣接する第１チャック１２の間に少なくとも１つ配置される第２チャック１３と、第１チャック１２及び第２チャック１３が表面上に一列に配置されるテーブル１１と、検査位置Ｐ１となった第１チャック１２または第２チャック１３に配置されたサンプルを検査して検査結果を出力する検査部１４と、を備える。テーブル１１は、隣接する第１チャック１２の間隔である第１間隔と、隣接する第１チャック１２及び第２チャック１３の間隔である第２間隔と、のそれぞれで駆動されることで、第１チャック１２及び第２チャック１３のそれぞれが検査位置Ｐ１になり得る。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを安価に選別できる半導体デバイスの検査回路、半導体デバイスの検査方法、及び、その検査方法により検査された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイスの検査回路５０は、絶縁ゲートＧと第１端子Ｓと第２端子Ｄとを有し、絶縁ゲートと第１端子との間の電圧に応じて第１端子と第２端子との間に流れる電流を制御する、半導体デバイス１００を検査する。半導体デバイスの検査回路は、半導体デバイスがオン状態になるように絶縁ゲートと第１端子と第２端子とに電圧を加えた後、第１端子と第２端子との間に電圧を加えた状態で第１端子と絶縁ゲートを短絡する制御部１０と、第１端子と第２端子との間の電圧または電流を測定する測定部２０と、第１端子と絶縁ゲートを短絡した後に測定部で測定された電圧または電流に基づいて、半導体デバイスの良否を判定する判定部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイのソース・ドレイン間のWeak-SD欠陥と呼ばれる抵抗を介して導通状態にある欠陥を、保持時間を長くすることなく短時間で検出する。
【解決手段】ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。特性パラメータの設定において電圧値および／又は印加時期を設定することによってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させ、増加させたリーク電流によってＴＦＴの内部欠陥を検出する。 （もっと読む）