【課題】
基板表面に垂直な磁場をセンシングすることができ、且つその材料及びプロセスがそれを、基板表面に平行な磁場をセンシングする磁気抵抗センシング部材と同一チップ中に整合し易くさせる磁気抵抗センシング部材を提供する。
【解決手段】
本発明が提示する磁気抵抗センシング部材は、水平磁気抵抗層のストリップと、導電部と、第１磁場センシング層と、を含む。該水平磁気抵抗層は、基板表面上方に位置し、その延伸方向に沿って第１側及び該第１側と相対する第２側を有する。該導電部は、該水平磁気抵抗層の上方又は下方に位置し、それと電気結合し、該水平磁気抵抗層及び該導電部は、少なくとも１つの電流経路を構成する。第１磁場センシング層は、該基板表面に平行でなく、該水平磁気抵抗層の該第１側箇所において、該水平磁気抵抗層と磁性結合する。 （もっと読む）

【課題】電流測定時においても磁界検出感度を適切に管理可能な電流センサを提供すること。
【解決手段】電流線（２）を通流する被測定電流（Ｉ）からの誘導磁界（Ｈｉ）を検出する磁気抵抗効果素子（１１ａ〜１１ｄ）を備えた磁気センサ（１１）と、磁気抵抗効果素子（１１ａ〜１１ｄ）に対しその感度方向（Ｓａ〜Ｓｄ）に直交する向きの磁界（Ｈｃ）を印加する磁界印加部（１２）と、磁気センサ（１１）の出力からその補正値を算出する演算部と、を備え、演算部は、磁界印加部（１２）により印加する磁界が異なる少なくとも２つの状態において得られる磁気センサ（１１）の出力から、補正値を算出可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】磁気センサのホールプレートで発生する寄生抵抗によって発生するオフセット電圧を減少させる、即ち不整合を補償するホールプレートスイッチングシステムを提供する。。
【解決手段】第１ノード及び第３ノードの両端で第１ホール電圧を発生させ、第２ノード及び第４ノードの両端で第２ホール電圧を発生させるホールプレート２０と、第１ノード及び第２ノードに連結され、第１ノード及び第２ノードに流れる電流のオン／オフを制御する第１スイッチ部１０と、第３ノード及び第４ノードに連結され、第３ノード及び第４ノードに流れる電流のオン／オフを制御する第２スイッチ部３０と、第２スイッチ部３０に連結され、第１スイッチ部１０及び第２スイッチ部３０のトランスコンダクタンスを減少させる抵抗部４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化に優れると共に高精度な電気抵抗の調整が可能である磁気検出装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第一の短絡層４１と第二の短絡層４２とを、それぞれ第一の磁気抵抗効果素子層１１と第一の抵抗素子層２１とにのみ導通させ且つ一体に積層させて短絡することで、第一の磁気抵抗効果素子層１１と第一の抵抗素子層２１との電気抵抗を調整する。 （もっと読む）

【課題】 抵抗及び小さな静電容量を用いた回路により、検出素子の出力信号を直流成分を除いて増幅する小型な信号処理装置を得る。
【解決手段】 入力信号が第１のインピーダンスを介して反転入力端子に入力される第１のオペアンプと、第１のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第２のインピーダンスと、基準電圧が非反転入力端子に入力され、出力端子が第１のオペアンプの非反転入力端子に接続された第２のオペアンプと、第２のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第１の静電容量と第１のスイッチと、第２のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と前記第２のオペアンプの反転端子とに接続された第３の抵抗と、第３のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と第２のオペアンプの反転端子とに接続された第４の抵抗とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 特に固定磁性層をセルフピン止め型とした構成において、Ｔａ保護層の膜厚を適正化し、従来に比べて安定して優れた軟磁気特性を得ることが可能な磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサ、並びに磁気検出素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態の磁気検出素子１は、固定磁性層３とフリー磁性層５とが非磁性材料層４を介して積層された積層膜を備え、前記固定磁性層３は、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃとが非磁性中間層３ｂを介して積層され、前記第１磁性層３ａと前記第２磁性層３ｃとが反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であり、前記積層膜の最上層は、Ｔａからなる保護層６であり、前記保護層６の成膜時における成膜時膜厚は５５Å以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 強磁場耐性を向上させた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 素子連設体１７，１８，５２，５３を備える。各素子連設体では、素子部へ供給されるバイアス磁界Ｂ１，Ｂ２の方向が、隣り合う素子部で逆向きとなるように各バイアス層が配置されるとともに、平面視にて前記軟磁性体と重なり面積の大きい前記バイアス層を両側に配置した前記素子部と、前記重なり面積がゼロの前記バイアス層を両側に配置した前記素子部とが並んでいる。Ｐ１，Ｐ２は感度軸方向である。第１の素子連設体１７と第２の素子連設体１８とが直列に接続された磁気抵抗効果素子と、第３の素子連設体５２と第４の素子連設体５３とが直列に接続された第２の磁気抵抗効果素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁界検出感度に優れた磁気センサ、及び磁気センサ用パターンを提供する。
【解決手段】磁気センサ１０は、パターン２２の抵抗変化率が大きくなる第１領域２１ｄ、及び抵抗変化率が第１領域２１ｄよりも小さくなる第２領域２１ｅを有する矩形のパターン形成領域２１を備える。パターン２２は、矩形の二辺２１ａ、２１ａに対して所定の傾斜角θをもって平行に配置された複数の直線部分２２ａ、及び隣接する直線部分２２ａの長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分２２ｂを有する。パターン２２は、第１領域２１ｄと、第２領域２１ｅの一部とにわたって設けられており、第２領域２１ｅの一部には、抵抗変化率が低下しない程度にパターン２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】増幅率が予め定められた増幅率であるかを判定することができる検出装置および電流センサを提供する。
【解決手段】実施の形態に係る検出装置１は、主に、検出対象の変化を検出して検出信号を出力するホールセンサ２と、ホールセンサ２から出力された検出信号を増幅して第１の増幅信号を出力する増幅部３と、増幅部３に入力して第２の増幅信号として出力される基準電圧を増幅部３に供給する基準電圧供給部４と、入力する制御信号に基づいてホールセンサ２と増幅部３との接続、または増幅部３と基準電圧供給部４との接続を切り替える切替部５と、増幅部３に予め定められた増幅率と、第２の増幅信号から得られる増幅率と、を比較した結果を比較信号として出力する比較部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気センサの調整が煩雑となることが抑制された磁気センサ調整方法、及び、磁気センサ調整装置を提供する。
【解決手段】磁電変換素子（２０）、磁石（３０）、及び、磁電変換素子（２０）の出力信号を閾値電圧に基づいて二値化する信号処理部（４３）を有する磁気センサ（１０）の出力特性を調整する磁気センサ調整方法であって、磁性体（７０）と磁気センサ（１０）との距離が第１距離の時の磁電変換素子（２０）の第１出力信号の電圧値Ｖａ、及び、磁性体（７０）と磁気センサ（１０）との距離が第２距離の時に出力される磁電変換素子（２０）の第２出力信号の電圧値Ｖｂを計測し、磁電変換素子（２０）の出力特性に関わる係数をａ，ｂ、閾値電圧をＶｔｈとすると、Ｖｔｈ＝ａ×ｌｎ（Ｖｂ−Ｖａ）＋ｂ＋Ｖａが成立するように磁電変換素子（２０）の出力信号の電圧レベルを調整する。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気検出装置に比べて、配置による製造精度のばらつきを抑制した磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１０上に放射状に区分けされた領域のうち少なくとも対向する領域に配置され、第１の方向に長手方向を有する第１の磁気抵抗素子群と、放射状に区分けされた領域のうち、少なくとも対向する領域であって、第１の磁気抵抗素子と隣り合う領域に、第１の方向と直交する第２の方向に長手方向を有する第２の磁気抵抗素子群と、第１の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子を複数組み合わせて、当該組み合わせた複数の磁気抵抗素子を直列に接続したもので抵抗部分を構成し、複数の当該抵抗部分でブリッジ回路を構成する配線部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 特に、同一チップ上に感度軸方向が異なり、ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗効果素子を形成でき、測定精度に優れた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 同一チップ２９上に磁気抵抗効果素子１３ａ〜１３ｄが複数個、備えられてブリッジ回路を構成している。各磁気抵抗効果素子の固定磁性層２１はセルフピン止め型であり、直列回路を構成する磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｄ（１３ｂ，１３ｃ）同士は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が反平行となっている。各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２３の上面には、フリー磁性層２３との間で磁場中でのアニール処理を行うことなく交換結合バイアスを生じさせ各フリー磁性層２３の磁化方向を磁化変動可能な状態で感度軸方向に対して直交方向に揃えることができる反強磁性層２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子の消費電力を抑制する。
【解決手段】外部間欠電源からの間欠電源信号の電源オン時間より短いパルス幅のパルスを発生するパルス発生回路と、磁電変換素子と、パルスに基づいて磁電変換素子への間欠電源信号の電源オン時間内の信号印加時間を制御するスイッチと、を有する。磁電変換素子は、例えば、外部の磁界の有無により信号レベルの大小関係の異なる２つの検知信号を出力するＭＲ素子である。２つの検知信号を増幅するアンプと、増幅された２つの検出信号を比較するコンパレータと、を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、信頼性の高い自己診断可能な電子回路及び磁界検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 検出回路２１と、検出回路からの検出信号を増幅させるオペアンプ２３と、検出回路と前記オペアンプとの間に接続されたマルチプレクサ２２と、オペアンプからの検出信号を演算処理するマイクロプロセッサ２４と、を有する。そして、高電圧の第１の診断信号と低電圧の第２の診断信号を夫々生成するための診断回路２５を有する。診断回路２５はマルチプレクサ２２に接続され、マルチプレクサ２２により選択された各診断信号３２，３３がオペアンプ２３を介してマイクロプロセッサ２４に入力可能とされている。マイクロプロセッサ２４では、第１の診断信号及び第２の診断信号に基づいて、電子回路が正常に機能しているか否かを診断可能とされている。 （もっと読む）

【課題】 磁気平衡動作を目的に磁気抵抗素子で構成されたブリッジ回路またはハーフブリッジ回路において、磁気抵抗素子の製造上のバラツキにより発生するオフセット電圧およびオフセット電圧の温度変化の影響を受けることなく、磁界強度および被測定電流を精度良く検出できる装置を提供すること。
【解決手段】 バイアス磁界方向による磁気抵抗素子の出力極性と磁気平衡動作の磁界を発生する二次電流線の電流極性を連続的に切り替えることで、磁気抵抗素子の製造上のバラツキにより発生するオフセット電圧と磁気検出出力電圧の分離が可能となり、オフセット電圧およびオフセット電圧の温度変化に影響されない高精度な磁気検出装置および電流検出装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 磁界の強度の影響を排除し、該磁界の向きを角度として正確に検出し得る磁気センサを提供する。
【解決手段】 第１のセンサ部１２０は、測定対象である磁界により磁化飽和する１以上の磁気抵抗効果素子を含み、磁界の向きに応じた角度信号Ｖ１，Ｖ２を出力する。第２のセンサ部１３０の磁気抵抗効果素子３０は、測定対象である磁界Ｂにより磁化飽和しないから、その特性上の不飽和領域、すなわち、磁界の強度変化に対して出力電圧が線形に変化する領域において磁界の強度を検出することができる。本発明に係る磁気センサは、強度信号Ｖ３に従って角度の算出値を補正するから、測定対象である磁界Ｂの強度Ｈに依存する角度誤差を低減し、正確に磁界の向きを角度として検出することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で磁気の有無をヒシテリシス特性を付与して検出する。
【解決手段】ブリッジ回路３Ａは、４個の磁気センサ素子１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ、第１ラダー抵抗Ｒａ、第２ラダー抵抗Ｒｂ、第１選択部Ｘ１及び第２選択部Ｘ２とを備える。第１選択部Ｘ１と第２選択部Ｘ２とによって第１ラダー抵抗Ｒａ及び第２ラダー抵抗Ｒｂのノードを切り替える。判定回路２０は、外部磁界の磁界強度がヒシテリシス特性の変化点で区分けした場合、どの範囲に属するかを第１信号１０ａに基づいて特定し、特定結果と前回の検出信号ＤＥＴとに基づいて今回の検出信号ＤＥＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】 被測定物に流れる電流の分布を高精度で測定することができるようにする。
【解決手段】 通電信号供給回路４１及び通電回路４２−１〜４２−Ｍは、所定周波数の電流を被測定物の一対の電極１２，１３間に通電する。磁気センサ３２は、太陽電池セルＳＣの複数の部分に対向して位置し、複数の部分に流れる電流によってそれぞれ発生する磁界を検出して、検出磁界を表す信号を出力する。ロックインアンプ４５は、磁気センサ３２から出力される検出磁界を表す信号から、前記所定周波数に等しい周波数の信号成分を取出す。コントローラ５０は、ロックインアンプ４５によって取出された信号成分から、太陽電池セルＳＣの複数の部分に前記所定周波数と等しい周波数でそれぞれ流れる電流の大きさ及び向きを検出する。 （もっと読む）

【課題】回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を検出する回転磁界センサにおいて、検出角度の誤差を低減する。
【解決手段】第１の検出部１０は第１および第２の検出回路１１，１２を有し、第２の検出部２０は第３および第４の検出回路２１，２２を有している。検出回路１２，２２の出力信号の位相は、それぞれ検出回路１１，２１の出力信号の位相に対して、信号周期の１／４の奇数倍だけ異なっている。検出回路２１の出力信号の位相は、検出回路１１の出力信号の位相に対して、信号周期の１／２の整数倍を除く信号周期の１／６の整数倍だけ異なっている。回転磁界センサは、検出回路１１，２１の出力信号に基づいて第１の信号を生成し、検出回路１２，２２の出力信号に基づいて第２の信号を生成し、第１および第２の信号に基づいて角度検出値を算出する。 （もっと読む）