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Fターム[2G040BA18]の内容

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Fターム[2G040BA18]に分類される特許

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【課題】赤外線サーモグラフィを使用して改善された欠陥検出及び解析を提供する。
【解決手段】信号発生器(330)からのテストベクタにより、テスト対象デバイス(305)の各部分を加熱して欠陥を識別する際に有用な熱特性を生成する。テストベクタは、欠陥とそれを取り囲む部分との間の熱コントラストを高めるように調節されるので、赤外線(IR)撮像装置(315)は改善されたサーモグラフ画像を取得することができる。AC及びDCテストベクタを組み合わせることにより、電力伝送を最大化して加熱を加速する。改善された画像に数学的変換を適用することにより、欠陥検出及び解析をさらに加速する。欠陥アーチファクトを解析して該当する欠陥の位置を正確に特定する欠陥位置特定アルゴリズムを採用する。 (もっと読む)


【課題】 基板に実装された、発熱する電子部品本体からの熱移動について、精度の高い熱伝導率計算方法、熱伝導率計算装置、熱伝導率計算プログラム、熱解析方法、熱解析装置および熱解析プログラムを提供することである。
【解決手段】 グランドパターン接続端子19とグランドパターン非接続端子21とを、異なるものとしてモデル化し、グランドパターン接続端子19および基板13間の接続面積と、グランドパターン非接続端子21および基板13間の接続面積とに基づいて、電子部品本体モデル26と基板モデル24との間の等価熱伝導率を求める。 (もっと読む)


【課題】エレクトロニクス基板の負荷算定を適正に行う。
【解決手段】電子部品を実装した電子部品実装基板の状態を監視するセンサの検出値と、前記電子部品実装基板のパフォーマンスを監視するツールにより得られるパフォーマンス特性とをモニタリング変数として取得し、モニタリング変数から中間変数を求める回帰モデル、モニタリング変数と中間変数とに関する発生頻度分布、モニタリング変数と中間変数とに関する確率分布のうちのいずれかである第1の統計モデルと、前記変数取得部により取得されたモニタリング変数とから中間変数を求め、前記電子部品実装基板上の1つ以上のある箇所について、前記中間変数から物理量を求める回帰モデル、前記中間変数と物理量とに関する発生頻度分布、前記中間変数と物理量とに関する確率分布のうちのいずれかである第2の統計モデルと、求めた前記中間変数とから前記物理量を求める。 (もっと読む)


【課題】短時間で実施するのに適した層間剥離耐性評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の層間剥離耐性評価方法は、積層構造体においてTMA法による厚さ変化測定の対象となる箇所を特定する工程S1と、特定された箇所を積層構造体から切り出す工程S2と、切り出された部分構造体についてTMA法により厚さ変化測定を行う工程S3とを含む。積層構造体は例えば多層プリント配線板である。 (もっと読む)


【課題】微小なサイズの非流動性材料、特に固体材料の熱物性を測定することができる熱物性測定装置、および熱物性測定方法を提供する
【解決手段】非流動性の被測定試料を加熱して、前記被測定試料の温度変化から前記被測定試料の熱物性を測定する熱物性測定装置であって、基板と、前記基板上または前記基板内に設けられた微細な断熱部と、前記断熱部内に微細加工技術を用いて前記被測定試料と接触可能な状態に設けられた微細な加熱素子および微細な感温素子とを有していることを特徴とする熱物性測定装置。前記熱物性測定装置を用いて、被測定試料の熱物性を測定することを特徴とする熱物性測定方法。 (もっと読む)


【課題】少ない要素分割で精度の高い熱解析方法を実現する。
【解決手段】本発明の熱解析方法は、プリント基板の設定において、銅メッキの厚さおよびビアホールの直径を設定し(ステップS1531)、銅メッキを含むビアホール全体を仮想ビアに置き換え(ステップS1532)、ビアホールの直径と金属メッキの厚さとに応じた熱伝導率λviaを有する均一な物質で構成される仮想ビアの熱伝導率λviaを算出した上で(ステップS1533)、プリント基板の各ブロックの等価熱伝導率の演算を行う(ステップS154)。 (もっと読む)


【課題】動作を伴う基板や処理中の基板上のチップの温度または温度分布をインラインで計測して、基板の検査工程を行う前の段階で基板上のチップの異常を検出できる基板処理システムを提供する。
【解決手段】ホットプレート10によって加熱処理されている基板W上の複数のチップの温度または温度分布をサーモグラフィ28により同時に計測して監視する。基板上のチップの温度または温度分布の異常が検出されたときに、当該基板を検査工程へ移して異常のあったチップのみの検査を行ったり、それ以前の処理工程へ当該基板を戻したり、それ以後の処理工程において当該基板上の複数のチップのうち異常のあったチップのみの処理を行わないようにしたり、当該基板について異常のあったチップを順次記憶していき、当該基板について異常のあったチップの割合が所定の数値を超えたときに、当該基板を再生工程へ移したりする。 (もっと読む)


【課題】 長手形状物体を含む対象領域の熱解析を行う方法、装置、プログラムにおいて、計算コストを低減し、長手形状物体の熱問題を精確に評価する、信頼度の高い熱解析方法、熱解析装置および熱解析プログラムを提供すること。
【解決手段】 長手形状物体の、被接触物体との接触面部の温度として仮想温度を取得する工程を有する。長手形状物体の熱的な有効長さを求め、長手形状物体を、有効長さを含む等価モデルによって表し、熱解析を行う。計算結果として得られた温度分布のうち、前記接触面部の温度と、計算開始前に取得した仮想温度とを比較する。前記比較の結果、解析に伴う誤差が予め定める値以下になれば、計算を終了する。前記比較の結果、解析に伴う誤差が予め定める値以下になっていなければ、計算結果を仮想温度として取得して計算を繰返す。 (もっと読む)


複雑三次元サブミクロン電子デバイスの熱挙動特性を明らかにするシステム及び方法。前記システムにより、レーザを使った表面温度走査は、CCDカメラを使ったアプローチで置換及び/又は補完される。CCDカメラは、集積回路から反射する光エネルギについて複数箇所を記録して静温度測定を得る。前記システムは、活性化させたデバイスの二次元表面温度場をサブミクロン分解能で非侵襲的に測定するのに使用される。CWレーザは、活性デバイスの表面上の単一の箇所を照明し、光検出器は、反射した光エネルギを記録して過渡温度測定を得る。測定された二次元温度場は、計算機による超高速逆解法のための入力として、複雑三次元デバイスの熱挙動特性を明らかにするのに使用される。前記システムは、測定結果と計算結果を組み合わせて複雑三次元電子デバイスの特性を明らかにする当該システムの能力を評価するのに公知のデバイスの形状特性を抽出する。
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【課題】電気機器における非破壊試験による熱劣化診断は困難である。
【解決手段】電気機器絶縁層の熱劣化度を診断するものであって、TG−DTA装置から得られる絶縁材料の重量変化時における熱重量減少曲線の第一次重量減少量と第二次重量減少量の比率からマスターカーブを作成し、このマスターカーブに前記電気機器より採取された試料のTG−DTAによる分析結果と照らし合わせて熱劣化度を判断するものにおいて、
前記電気機器絶縁層から採取した絶縁材料に対して、予めワニス除去処理を施したものである。 (もっと読む)


【課題】基板の配線パターン情報を用いず、かつ、簡便な処理にて、等価熱伝導率を算出することができる熱伝導率算出装置を提供する。
【解決手段】基板の外形形状、基板を構成する層の厚み、および基板を構成する材料に関する情報と、基板上に実装される電子部品に関する情報を取得する。前記基板に実装される電子部品の近傍領域を設定し、前記部品近傍領域の等価熱伝導率を前記情報に基づいて、算出し、前記算出された等価熱伝導率を出力する。 (もっと読む)


【課題】 設備の過熱異常の原因を推定することを可能にする過熱診断システムを提供する。
【解決手段】 診断対象物Fmの熱画像P1を撮影するサーモカメラ2と、センタサーバ3とが通信可能に接続されている。センタサーバ3に、診断対象物Fmの温度分布パターンごとに、診断対象物Fmの温度分布が当該温度分布パターンになる温度分布要因を記憶したパターンデータベース31と、熱画像P1上の温度分布と、パターンデータベース31に記憶されている温度分布パターンとに基づいて、診断対象物Fmの温度分布が熱画像P1上の温度分布になる温度分布要因を推定する要因推定タスク32と、熱画像P1上で診断対象物Fmの許容温度を超える過熱部を検索する過熱部検索タスク33とを備える。 (もっと読む)


【課題】多層型パワーモジュールの放熱性能検査を、簡単かつ正確に行う。
【解決手段】過渡熱抵抗測定器26によって、検査対象の多層型パワーモジュール20に通電し、通電前後で変化する素子10のしきい値電圧(Vth)を通電時間(T)に関連付けて測定し、通電時間毎に通電前後の前記しきい値電圧の変化量(ΔVth)を求める。そして、判定手段28では、特定の二つの通電時間(Tn、Tn+1)において生じたしきい値電圧の変化量の差(ΔVthn+1−ΔVthn)を、当該特定の二つの通電時間の差(Tn+1 −Tn)で除した算出値を、検査対象の多層型パワーモジュール20を構成する複数の部材のうち、特定の部材の、放熱性欠陥の有無を把握するための判断資料として用いる。 (もっと読む)


【課題】本発明は請求項1、2および23の前提部に従った、電気的導電接続の接触不良を検出する試験装置およびその方法に関する。
【解決方法】本発明により、例えば、航空機などにおける予防的な試験に対して、正確で高品質なものとして製造する必要がある、作製された電気ケーブル接続を主題とすることができる。本試験装置は、導電的に接続された接続部の複数のシステム構成部材が配置された測定チャンバと、エネルギを有し、測定チャンバに発せられてシステム構成部材の領域に向けられる伝達された熱放射を有する熱放射器であって、加熱後に、これらの接続されたシステム構成部材の絶縁性および金属性のシステム構成部材の温度場を生成する熱放射器と、生成された温度場を光学的に捕捉し、接続されたシステム構成部材の熱画像への信号変換処理を行う熱(画像)収集ユニットと、変換処理された熱画像の視覚的再生のための熱(画像)再生ユニットとを備え、熱(画像)収集ユニットおよび熱(画像)再生ユニットは情報通信処理手段に関連して接続される。電気的導体接続に存在する接触不良は、複数の工程を含み、この試験装置を利用する方法を用いて検出することができる。 (もっと読む)


【課題】低消費電力、かつ、対象物における結露の発生を厳密に検知することが可能な結露検出装置及び結露検出方法を提供する。
【解決手段】2つの端子131,132を有し、結露の状態に応じて端子131,132間の抵抗値が変化する結露センサ10の端子131,132にパルス発生回路24からパルス電圧を入力し、パルス電圧によって生じる端子間131,132の電圧があらかじめ設定された閾値Vth以下となっているか否かを判定回路21によって判定し、判定の結果を示す信号を、フォトカプラ26を介して出力するようにする。また、端子間131,132の電圧が閾値Vth以下となった時刻をタイマ23から取得し、取得した時刻をメモリ22に記憶するようにする。 (もっと読む)


【課題】 試料の板厚部分を底面とした場合でも垂直状態を保持し、精度良い線膨張率の測定を行う。
【解決手段】 試料台10は、底面10aとこの底面10aに並行な天面10bを有する。試料台10は、天面10bに一体的に結合された第1の支持部20及び第2の支持部30を有する。第3の面20aと第4の面30aとの間隙Lは試料Xを垂直に立たせる場合の保持方向の厚さと略同一とする。この間隙Lに第1の面Xa及び第2の面Xbが天面10bに対して垂直になるように試料Xを挿入する。 (もっと読む)


【課題】低熱侵入かつ低発熱のHTSリードの電流、磁場、温度に関する諸特性を迅速かつ的確な条件で試験することが可能で、HTSリードを組み込む超電導磁石装置の設計指針に関する情報を得ることができるHTSリード基礎特性試験装置を提供する。
【解決手段】高温超電導電流リード基礎特性試験装置において、熱シールド本体1と、この熱シールド本体1に支持される永久磁石3と、この永久磁石3による磁場内に配置される高温超電導電流リード試験体2と、この高温超電導電流リード試験体2にリード接続部を介して印加される温度を設定する温度設定手段とを具備する。 (もっと読む)


【課題】ビアホールを介して電気的に接続された電極が両面に配された基板、またはビアホールに導電性ペーストが充填された基板の検査を安価に行うことができるようにする。
【解決手段】第1面1a、第2面1bの両面に配された電極2a,2bがビアホールを介して電気的に接続された多層配線基板1を加熱または冷却する温度可変手段3と、多層配線基板1の第1面1aを温度可変手段3に密着させる基板密着手段9と、温度可変手段3によって加熱または冷却された多層配線基板1の第2面1bの温度分布を測定するサーモグラフィ(温度分布測定手段)4と、サーモグラフィ4で測定された温度分布に基づいて両面の電極間の接続状態の良否を判定する良否判定手段8とを備える。 (もっと読む)


【課題】 接点接合部の接合状態を、比較的容易に、かつより精度良く検査することができる接点接合部の検査方法を得る。
【解決手段】 端子板2上に電気接点3を接合した接点接合部4の検査方法であって、電気接点3の他の接点との接触面3a、または端子板2の接点接合部4と反対側となる端子板2の裏面2bを加熱する加熱ステップと、電気接点3または端子板2の温度を測定する温度測定ステップと、を備え、加熱後における電気接点3または端子板2の温度の経時変化に基づいて接点接合部4の接合状態の良否判定を行う。 (もっと読む)


【課題】
電極上に設けたバンプを接合して半導体素子を基板にフリップチップ実装して成る半導体装置の接合部を正確に検査することができる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】
加熱手段6からの電流印加による半導体素子1の自己発熱で半導体素子1を加熱し、半導体素子1で発熱した熱がバンプ3を通じて放熱されることを利用して、半導体素子1のバンプ3接合面の裏面の温度分布を測定手段7によって測定し、該測定データと良品のデータとを判定手段8において比較することにより、バンプ3の接合状態の良否を正確に判定し得る検査方法及び検査装置を提供することができる (もっと読む)


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