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Fターム[2G051AA56]の内容

光学的手段による材料の調査の特殊な応用 (70,229) | 調査・分析対象 (8,670) | 半導体製造用マスク;レティクル (572)

Fターム[2G051AA56]に分類される特許

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【課題】 高いコントラストで検査を行うことができる検査装置及び検査方法並びにそれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる検査装置は光を透過するガラス基板21を有する試料を検査する検査装置であって、ガラス基板21の一方の面である入射面から試料に光を入射させる光源11と、開口数が0.002以上0.2以下で、光源11からの光を試料に設けられた反射面上に集光する対物レンズ17と、反射面で正反射され、ガラス基板21を通過して入射面から出射された光を検出する光検出器32とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、ユーザインターフェースの改善によって、解析時間の短縮および解析精度を向上することにある。
【解決手段】
本発明は、上記目的を達成するために、ワークにおける複数個の画像を撮影する撮像装置と、該撮像装置が撮像した撮像画像を記憶する記憶手段と、該記憶手段が記憶した複数個の撮像画像を表示する第一のエリアと該撮像画像の特徴に応じて分類する複数個の第二のエリアとを有する表示手段とを有し、該複数個の撮像画像を該第一のエリアから該当する該第二のエリアへ画面上で移動させて該複数個の撮像画像を該第二のエリアに分類できるように構成した解析ユニットを備えたものである。
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【課題】
光学式異物検査装置とX線分光集光素子及び複数種の特性X線を使用する微小部蛍光X線分析装置との複合異物検査装置における各装置間の座標位置合わせを最適化する。
【解決手段】
X線分光集光素子を使用したX線光学系における最適測定高さへの位置合わせを行う高さ移動機構11、及び複数種特性X線を使用した同数個のX線分析測定座標への位置移動を行うための水平移動機構3,4を備える。特に水平移動機構が回転ステージより構成される際はX線分析装置に別途一軸水平移動機構12を備える。 (もっと読む)


【課題】ディスク状対象物を検査するシステムを提供する。
【解決手段】ディスク状基板32を検査するシステムを開示する。システム100は筐体に囲まれている。少なくともX方向およびY方向に移動可能であるとともに載置板22により担持される台2が筐体50内に設けられている。載置板22は筐体50に対して防振されている。同様に排気ユニット40が載置板22の下方に設けられているとともにそこから離れて配置されている。排気ユニット40は空気流入用開口36を有する。空気流入用開口36は排気ユニット内で載置板22の端部と筐体50の壁との間に設けられている。 (もっと読む)


フォトマスクに形成された検査対象パターンの画像を取得し、検査対象パターンの画像を、パターン転写に使用される露光装置の光学条件を反映した光強度分布を求める光強度分布シミュレーションの入力データである検査対象パターンデータに変換する。検査対象パターンデータを用いて光強度分布シミュレーションを実施し、光強度分布シミュレーションにより得られた検査対象パターンの光強度分布と、基準光強度分布との差分を求める。差分を用いて光強度分布シミュレーションと可逆性を有する逆光強度分布シミュレーションを実施し、検査対象パターンの欠陥を判定するための差分パターンデータを得る。検査対象パターンの欠陥を画像として認識できるため、検査対象パターンの欠陥の有無を高い精度で判定でき、検査対象パターンの欠陥位置を容易かつ確実に特定できる。
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【課題】白色光・レーザ光、あるいは電子線を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、検査に必要な各種条件を設定する際にその操作性効率を向上するめの技術を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された基板表面に光、あるいは光および荷電粒子線を照射する手段と、該基板から発生する信号を検出する手段と、検出手段により検出された信号を画像化して一時的に記憶する手段と、上記記憶された当該領域の画像を他の同一の回路パターンが形成された領域と比較する手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する手段からなる回路パターンの検査装置であって、検査用および検査条件設定用の操作画面に操作内容あるいは入力内容を表示する画面領域とその画面を表す項目名を表示する手段を備えており、且つ該項目名は該操作画面領域で一体化して表示する。 (もっと読む)


【課題】 高感度の欠陥検出が可能となるように最適な撮像条件と閾値を簡単に決定することができる欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】
先ず、複数の撮像条件に基づいて、欠陥を含むパターンのシミュレーション画像と欠陥を含まないパターンのシミュレーション画像を生成し、次に、複数の撮像条件毎に両者の差分信号を計算し、最後に、複数の撮像条件毎に差分信号を表示装置に表示する。予想される複数の致命欠陥について、シミュレーション画像の差分信号を計算し、欠陥毎に差分信号を表示する。 (もっと読む)


【課題】 ムラ欠陥の検査を効率的且つ高精度に実施できるムラ欠陥検査方法を提供すること。
【解決手段】 多数の単位パターンが規則的に配列された繰り返しパターンを有するフォトマスク50の上記繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検査するムラ欠陥検査方法において、パターン情報取得装置20の撮像カメラ21により撮影されたフォトマスクの全体画像から、ムラ欠陥検査の対象となる繰り返しパターンを有する領域を検査エリアとして指定し、この検査エリアにおける繰り返しパターンの、顕微鏡22により撮影された画像から当該繰り返しパターンのパターン情報を取得し、このパターン情報に基づきムラ欠陥検査装置10によるムラ欠陥検査の検査条件を決定し、この検査条件に基づいて上記ムラ欠陥検査装置がムラ欠陥検査を実施するものである。 (もっと読む)


【課題】
微細なパターンを高い分解能で検出する欠陥検査方法、その装置及び半導体基板を高歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】
Xeランプ3、楕円鏡4、マスク5とからなる輪帯状の照明を形成するランプハウス24は、輪帯状の照明光を、XYZステージ2上に載置された微細パターンを形成したウエハ(被検査対象物)1を、コリメータレンズ6、光量調整用フイルタ14及びコンデンサレンズ7を介して、円又は楕円偏光変換素子により円又は楕円偏光させて、対物レンズ9を介して照明し、その反射光をハーフミラー8a、8b、ズームレンズ13を介し、反射光の画像をイメージセンサ12aにより検出する。ステージXYZを移動させ、センサ12aにより走査し画像信号を得る。この画像出力をA/D変換器15aにより変換して基準画像と比較して不一致を欠陥として検出するものである。 (もっと読む)


【課題】基板上に繰り返し設けられる単位領域のパターンの欠陥を精度よく検出する。
【解決手段】欠陥検出装置1では、基準画像検査回路42において基板9上の基準とされるダイのパターンを示す基準画像と、それぞれが選択されたダイのパターンを示す複数の選択画像とが比較され、基準画像が有する欠陥が検出される。続いて、被検査画像検査回路44では、他のダイのパターンを示す被検査画像と基準画像とが比較され、被検査画像が有する欠陥候補が検出される。そして、欠陥検出部45にて基準画像が有する欠陥の少なくとも位置情報に基づいて欠陥候補から基準画像が有する欠陥と重複するものが除外される。これにより、欠陥検出装置1では基準とされるダイのパターンの欠陥の影響を除きつつ、他のダイのパターンの欠陥を精度よく検出することができる。 (もっと読む)


【課題】 ムラ欠陥を高精度に検出できるムラ欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】 単位パターンが規則的に配列されてなる繰り返しパターンを、透明基板52の表面52Aに備えたフォトマスク50へ光を照射する光源12と、フォトマスクからの反射光を受光して受光データとする受光器13とを有し、この受光データを解析装置14が解析して繰り返しパターンに発生したムラ欠陥を検出するムラ欠陥検査装置10であって、上記光源12は、フォトマスクにおける透明基板の裏面52B側へ光を照射するものである。 (もっと読む)


コンピュータに実装された方法が、各種、提供されている。レティクルの設計パターンにおける欠陥をソートするための一つの方法は、個々の欠陥と関連付けられる優先順位情報を、個々の欠陥に近接する領域の一つまたはそれ以上の特性との組合せで用いて、検査データにおける興味ある欠陥をサーチする工程を含んでいる。優先順位情報は、個々の欠陥と関連付けられる変調レベルに対応する。検査データは、リソグラフィック変数の異なる値に対して生成されたレティクルの画像同士を比較することによって生成される。画像は、少なくとも一つの参照画像および少なくとも一つの変調された画像を含んでいる。複合参照画像が、二つまたはそれ以上の参照画像から生成され得る。該方法はまた、一つまたはそれ以上の識別子を興味ある欠陥に割り付ける工程を含んでいる。識別子(複数も可)は、例えば、欠陥分類および(または)興味ある欠陥をさらなる処理に使用すべきかどうかを識別するインジケータを含んでいてよい。
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時分割および積分(TDI)センサを通して電荷を伝播するための方法および装置が提供されている。この方法および装置は、TDIセンサとともに試験片の検査に使用でき、TDIセンサは、TDIセンサのゲート間において蓄積された電荷を前進させるべく動作する。この設計は、ゲート間において蓄積された電荷を前進する波形のための、複合、正弦曲線、またはそのほかの成形された波形等の実質的に非方形波形の電圧波形の形状をコントロールすることを包含する。電圧波形の形状をコントロールすることは、実質的に些細な正味の電圧変動を提供するべく隣接ゲート内において異なる電圧位相で作用する。
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【課題】偏光条件に対するイメージセンサのチャンネル依存性を低減し検査感度の向上を図る。
【解決手段】偏光ビームスプリッタ15に対する入射照明光の方向と偏光ビームスプリッタ上に投影されるイメージセンサ2000の視野の長手方向を概ね平行方向にする。 (もっと読む)


【課題】粒子とゴースト粒子をするために、ゴースト粒子の放射線を実粒子の放射線から分解する検出器システムを提供する。
【解決手段】検出器システムが、自身の一部に入射する放射線の強度に対応する複数の検出器信号を出力する。あるいは、検出器システムが、自身に入射する放射線の強度に対応する検出器信号を出力する。複数の検出器信号は各々、ゴースト粒子から放射線が所定の閾値レベルより高いレベルを有さず、粒子から放射線を受け取ると、閾値レベルより高いほぼ同じレベルを表示する。さらには、検出器システムが、所定部分に入射する放射線に応答して第一検出器信号を生成する放射線検出デバイスと、粒子からではない放射線が検出器デバイスの所定部分に入射するのを防止する放射線遮断アセンブリを有する。 (もっと読む)


【課題】 欠陥を確実に検出することが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】 マスク8に形成されたパターンの微分干渉像を生成する微分干渉光学系7、10と、前記微分干渉光学系の微分干渉効果が生じる方向を時間的に変化させる制御部15、16と、前記制御部による前記微分干渉光学系の微分干渉効果が生じる方向の時間的な変化に対応して時間的に変化する微分干渉像を撮像する撮像部12と、前記撮像部で撮像された時間的に変化する微分干渉像に基づいて前記マスクに形成されたパターンの欠陥を検出する欠陥検出部18、19、20とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体回路パターン形成工程において、レビュー装置による目視再検査を省略して、検出したパターン欠陥の詳細な解析を迅速化する。
【解決手段】高速のパターン欠陥検査装置に、欠陥の検出に同期して欠陥の画像的特徴量を計算する手段と、計算された特徴量によって欠陥をクラスタに分類する手段とを付加する。 (もっと読む)


【課題】 分解能を容易に向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】 パターン形成面を有するマスク6に照明光を照射する照明光学系1〜5と、照明光が照射されたマスクからの出射光のほぼ結像位置に配置され、出射光を二つに分離する分離部8と、分離された二つの出射光の画像をそれぞれ撮像する第1及び第2の撮像部11、12と、第1及び第2の撮像部で撮像された画像に基づいてマスクの欠陥を検出する欠陥検出部13、14とを備え、第1及び第2の撮像部のパターン形成面上における視野は、その長手方向が互いに平行であり、且つ長手方向において互いに(2n+1)×d/2ずれている(ただし、dは第1及び第2の撮像部のパターン形成面上における長手方向の画素寸法、nは0以上の整数)。 (もっと読む)


試験体上の欠陥を分類するための各種の、コンピュータに実装された方法が、提供されている。一つの方法は、試験体上で検出された個々の欠陥を、個々の欠陥の一つまたはそれ以上の特性に基づいて、欠陥グループに割り付ける割付工程を含んでいる。該方法はまた、欠陥グループについての情報をユーザに表示する表示工程も含んでいる。また、該方法は、ユーザの操作によって、欠陥グループのそれぞれに分類を割り付けることを可能にする割付可能化工程を含んでいる。試験体上の欠陥を分類するよう構成されたシステムも提供されている。一つのシステムは、試験体上で検出された個々の欠陥を、個々の欠陥の一つまたはそれ以上の特性に基づいて、欠陥グループに割り付けるために、プロセッサ上で実行可能なプログラム命令を含んでいる。該システムはまた、欠陥グループについての情報をユーザに表示し、かつ、ユーザの操作によって、欠陥グループのそれぞれに分類を割り付けさせることを可能にする割付可能化構成を有するユーザインタフェースも含んでいる。
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検査される表面の潜在的異常の場所を囲む部分からの散乱した輻射を示すピクセル強度も、表面上のその潜在的異常の場所を含むパッチの中のピクセル強度を速やかに再調査するためにそのようなデータを利用できるように、格納される。照明ビームと検査される表面との間に回転運動が引き起こされる場合、検査される2つの異なる表面上の対応する位置に存するピクセルのピクセル強度を比較することによって信号対雑音比を改善することができ、この場合、その2つの異なる表面上の同じ相対的場所に存する対応するピクセルが照明されて、そこから散乱した輻射が同じ光学的条件の下で集められて検出される。
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