【課題】ウェハエッジ部にある微小な欠陥を、高スループットで検出することが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】上ベベル用照明光源３ａから放出されたは、上ベベル用干渉フィルタ４ａで所定波長域の光とされ、上ベベル用集光レンズ５ａにより、ウェハ１の上ベベルの被照明領域を、幅ｄのスリット光でテレセントリックに照明する。上ベベルの被照明領域からの乱反射光は、上ベベル用干渉フィルタ４ａと同じ波長特性を有する上ベベル用干渉フィルタ６ａを透過し、上ベベル用集光レンズ７ａで集光されてＳＰＤ等の上ベベル用受光装置８ａで受光される。上ベベルの被照明領域からの正反射光は、受光光学系に入射せず、バックグラウンドノイズとならない。 （もっと読む）

【課題】分析処理に使用する容器に残存する汚れをさらに厳密に検出できる汚れ検出装置および分析装置を提供すること。
【解決手段】この発明にかかる分析装置１は、単に吸光度測定を行なうのではなく、液体検体中の成分と選択的に反応して光学的特性を変化させる汚れ検出用試薬を反応容器２１に投入して、反応容器２１に残存する汚れの光学的特性を十分に検出可能である程度まで引き上げてから、汚れ検出用測光部２０による反応容器２１における光学的特性を測定する汚れ検出用測定処理を行なう。そして、汚れ検出部３４は、この汚れ検出用測光部２０において測定された測定結果をもとに反応容器２１の汚れの程度を検出する。 （もっと読む）

【課題】作業効率を向上し、検査の高速化を図ることができる蛍光体検査装置を提供する。
【解決手段】従来の蛍光体検査装置と蛍光体印刷ずれ検査装置を一体化し、前段の蛍光体検査の検出結果を後段の蛍光体印刷ずれ検査において共有する。そして、検出された欠陥位置にカラーカメラを移動させ、自動的に欠陥位置の画像を撮像しモニタに表示する。このようにすることで、従来人手でガラス基板をラインから取り出し、欠陥を目視確認して最終判断を行っていた工程を省き、インラインでの最終判定を可能とする。 （もっと読む）

【課題】被測定物の円筒状表面における凸状欠陥と凹状欠陥のうちの凸状欠陥のみを検出する。
【解決手段】円柱または円筒状の被測定物Ｗを回転させ、被測定物Ｗの中心軸Ｗｏに対して平行な平行光１ａを被測定物Ｗの円筒状表面の接線方向より照射する。そして、光が当たる部分Ｗ_a と光が当たらない暗視野部Ｗ_b の境界線Ｗｅよりわずかに陰側にずれた部位をラインセンサカメラ２を用いて撮像する。被測定物Ｗの凸状欠陥Ｗｉは、ラインセンサカメラ２によって撮像された暗視野部Ｗ_b の画像の中に白い欠陥画像として検出されるが、凹状欠陥は検出されない。検出される凸状欠陥Ｗｉの最小高さｈは、ラインセンサカメラ２の撮像位置（焦点位置）２ｂと前記境界線Ｗｅとのずれ量ｘを変えることで任意に設定できる。 （もっと読む）

【課題】偏光板を用いた欠陥の検出を精度良く行う。
【解決手段】走行するフイルム１６と投光器２２との間に第１偏光板２５を設置する。そのフイルム１６と受光器２４との間に、第１偏光板２５の偏光方向と直交するようにして第２偏光板２６を設置する。第１及び第２偏光板２５，２６はヨウ素系偏光板から構成される。投光器２２と第１偏光板２５との間にバンドパスフィルタ２７を設置する。バンドパスフィルタ２７は、投光器２２からの光のうち波長域が４２０ｎｍ以下及び７００ｎｍ以上の光を除去する。これにより、欠陥があるフイルム１６が位置するとき以外には、第１及び第２偏光板２５，２６から特定の偏光面の光以外の光が出ることが無くなり、欠陥に対する検出の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 一方で、例えば僅かに異なる立体角の下で塗装部を種々に眺めることによって
生じるそのような変化を分離することができるが、他方で、互いに著しくずれている角度
で観察することもできるようにする。
【解決手段】 少なくとも一つの所定の第一立体角にして検査すべき表面に放射する少な
くとも一つの第一照射装置と、輻射を位置分解して検出することができ、少なくとも一つ
の所定の第二立体角にして前記表面に対して配置されていて、前記表面に照射され、この
表面から戻って来る輻射を捕捉する少なくとも一つの第一検出装置と、を備えた、光表面
特性を検査する装置において、前記照射装置および／または前記検出装置を配置している
状態の少なくとも一つの立体角が可変できるようになっており、前記照射装置と前記検出
装置が少なくとも一部光反射特性を保有する一つの空間の中に配置されている、ことを特
徴とする装置。 （もっと読む）

【課題】光利用効率よく、精度の高い光学検査を行いうる光学検査装置を実現する。
【解決手段】被検体に検査光を照射し、被検体を透過した検査光もしくは被検体に反射された検査光を投射面に投射し、投射面上の光強度分布により被検体における欠陥を検査する装置であって、検査光としてレーザ光を用い、レーザ光を微小な光放射面から放射させ、光拡散部材によりコヒーレント性を低減させ、光拡散部材をレーザ光に対して変位させることにより、投射面におけるスペックルノイズを解消させる。 （もっと読む）

【課題】高精度且つ低コスト且つ短期間に検査が可能な金属電極の検査方法および検査装置を得ることを目的とする。
【解決手段】検査装置は、光源２から光学系３を介して金属電極１へ入射光６を照射し、金属電極１表面からの反射光９を光学系３で第一の光７と第二の光８とへ分離し第一の検出器４と第二の検出器５とでそれぞれ検出する。検査装置は、第一の検出器４により検出された第一の光７の強度Ｉ１と第二の検出器５により検出された第二の光８の強度Ｉ２との光強度比（Ｉ１／Ｉ２）を、所定の閾値と比較することにより、金属電極１の表面汚染の度合いを評価する。 （もっと読む）

【課題】検出速度と検出感度をさらに改善することができるウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】ウエハ検査装置であり、各照明光線路（２０ａ）内に１以上の照明装置（２０）が配置され、ウエハ（２３）の表面（２２）上に照明光線を照射する。検出光線路（２１ａ）が検出装置（２１）により規定され、検出装置（２１）はウエハ（２３）の表面（２２）上を走査方向に移動可能な１以上の照明範囲（２６）のデータを複数の異なるスペクトル範囲で検出する。１以上の照明装置（２０）は連続光源である。 （もっと読む）

【課題】検査対象の様相が品質に与える影響の大きさの度合いを示す値を導入することにより検査対象の品質のランク付けを可能とするとともに品質検査処理の高速化を実現する。
【解決手段】検査対象領域を撮影して得られた撮影データＤ１０に基づいて所定の品質検査処理を施すことにより検査対象領域の品質を検査する品質検査方法であって、前記品質検査処理に対応した外観検査処理用データＤ２０を用いて撮影データＤ１０の各位置における外観検査処理結果を算出するステップＳ３２と、前記各位置における外観検査処理結果に基づいて品質に与える影響の大きさの度合いを示す致命度を取得し、検査対象領域を写像するデータマッピング領域の前記撮影データの各位置に対応する位置を特定し、前記データマッピング領域の前記撮影データの各位置に対応する位置へ前記致命度をマッピングして致命度マッピングデータＤ５０を生成するステップＳ３３，Ｓ３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】測定すべきターゲット構造のラフネスパラメータを求めることができるスキャトロメトリ測定方法を提供する。
【解決手段】スキャトロメトリ方法において、屈折率に関連する可変パラメータを有する表面層を含むモデルを使用することによって、ラフネスの値を取得することができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥検出感度が高く、電磁波照射方向の欠陥寸法も検出できる方法及び装置を提供すること。
【解決手段】検査対象部材を透過する波長のテラヘルツパルス光を該検査対象部材に照射する照射工程と、前記検査対象部材を透過した前記テラヘルツパルス光の電場振幅時間分解波形を検出する検出工程と、を有し、前記電場振幅時間分解波形の位相情報及び或いは振幅情報から前記検査対象部材の内部欠陥を検査することを特徴とする内部欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】 検査精度の向上が図られた被膜検査装置及びそれに用いるパレットを提供する。
【解決手段】 本発明に係る被膜検査装置１０は、被検査物３０の検査領域Ｆを撮像して、被検査物３０の芯線３４ｂに被覆された被膜３４ａの状態を検査する被膜検査装置であって、被検査物３０が収容され、被検査物３０の検査領域Ｆに対応する部分に貫通孔２４ｂが設けられたパレット２４と、被検査物３０の検査領域Ｆに励起光を照射するＵＶ光源１６と、ＵＶ光源１６の励起光が照射された状態の被検査物３０を撮像するカメラ１４と、カメラ１４によって取得した被検査物３０の画像の処理をおこない、被検査物３０の被膜状態の合否を判定する画像処理装置１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ近傍の次世代マスク検査光源として、小型で低消費電力のマスク検査光源及びそのマスク検査光源を用いたマスク検査装置を提供する。
【解決手段】発振波長の異なる複数の半導体レーザ１１１ａ〜１１１ｄと、複数の半導体レーザ１１１ａ〜１１１ｄそれぞれに対応する波長変換結晶１１２ａ〜１１２ｄとを有する深紫外光源１１であって、深紫外光源１１は、半導体レーザ１１１ａ〜１１１ｄそれぞれから発振されるレーザ光を波長変換結晶１１２ａ〜１１２ｄで波長変換し、波長変換結晶１１２ａ〜１１２ｄで波長変換されたレーザ光を合成したレーザ光を出射することを特徴とする深紫外光源。 （もっと読む）

【課題】 光学素子の曇りを安価に回避できる光源装置および検査装置を提供する。
【解決手段】 放熱を伴って発光する光源１１と、光源からの光を集光する光学素子１３と、光源と光学素子との間に配置され、光源からの光を透過すると共に、光源の放熱を受けて高温化した光学素子を保温する保温部材１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】被検査物体表面等に存在する異物や欠陥により発生する散乱光の強度が照明方向等に依存する場合であっても異物や欠陥の粒径の算出精度を高く維持した上で測定系のダイナミックレンジを拡大可能な表面検査方法を実現する。
【解決手段】等しい波長と等しい仰角と等しい方位角と等しい偏光特性を有し、強度が１００：１だけ異なる２つの照明ビーム３、４によって、被検査物体１００表面を照明する。照明光３、４による散乱・回折・反射光の間の強度比は、被検査物体１００表面や表面近傍に存在する異物や欠陥に由来して発生する散乱光の強度が照明方向または検出方向に依存する異方性を有する場合であっても、それらに依存することなく常に１００：１の一定値であり、異物や欠陥の粒径の算出精度を前記異物や欠陥の異方性や粒径に関らず常に高く維持した上で、測定系のダイナミックレンジを拡大できる。 （もっと読む）

【課題】微小な凹凸欠陥の形状を、計測できるようにした安価な表面検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザのような広帯域のレーザ光源を干渉計に用いた光干渉方式を用いた表面検査装置において、照明光源に可干渉距離の短いスペクトルの幅の広い半導体レーザを使用し、分岐光学要素４と合成光学要素１５との間の２つの光路の各々に、互にわずかに異なる周波数で変調する変調光学要素５、１０と光路長を調整できる光路長可変光学要素８、１３とを設置し、干渉強度を計測しながら、前記光路長可変光学要素８、１３を調整して干渉強度が最大となるように構成した。 （もっと読む）

【課題】複数の波長域の光を利用した観察若しくは検査において適切な照明を提供する。
【解決手段】ダイクロイックミラー３ａ〜３ｃは、光源１からの光より、異なる波長域の光を抽出する。シャッタ２３ａ〜２３ｃは、ダイクロイックミラー３ａ〜３ｃの各々によって抽出された光を各々遮蔽する。駆動回路９８は、シャッタ２３ａ〜２３ｃで遮蔽させる光の選択を行う。ダイクロイックミラー３ａ〜３ｃは、シャッタ２３ａ〜２３ｃで遮蔽されなかった光を混合する。混合された光は、選択波長集光ポジション７に集光される。 （もっと読む）

【課題】 表面に透明な保護膜が形成された半導体素子の外観検査方法を提供する。
【解決手段】 表面に透明な保護膜１５が形成された光半導体素子１０を撮像した画像データに基づいて、外周領域３１と電極領域３２とを除いて、光半導体素子１０の外観検査領域３３を設定するステップと、外観検査領域３３内の画素信号の平均値を求め、平均値と所定の第１基準値とを比較し、比較結果に応じて第１の欠陥を抽出するステップと、平均値に１より大きい所定の係数を乗じて第２基準値を求め、外観検査領３３域内の画素信号と第２基準値とを比較し、比較結果に応じて第２の欠陥を抽出するステップとを具備する。保護膜１５の膜厚不良部（第１の欠陥）、膜剥離部（第２の欠陥）を検出する。 （もっと読む）

【課題】 処理部において処理が施される前の基板につき、容易に良否判定を実行することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 光源１７１および受光部１７２のそれぞれは、加熱処理部１６０付近に設けられるとともに、基板Ｗの搬送方向ＡＲ１から見て加熱処理部１６０の上流側に設けられている。光源１７１は、その光軸が基板Ｗの搬送方向ＡＲ１と略垂直となるように、支持部材１７３により、基板Ｗの斜め上方にて支持されている。受光部１７２は、光源１７１の光軸の延長上となるように、支持部材１７４により、基板Ｗの斜め上方にて支持されている。これにより、搬送中の基板Ｗにつき、加熱処理部１６０に搬入されるまでの期間に、該基板Ｗの表面状況を判定し、良否判定を実行できる。 （もっと読む）