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Fターム[2G132AE16]の内容

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Fターム[2G132AE16]に分類される特許

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【課題】接触不良であることを検知することができ、そして、そのような場合でも被測定基板の良否の判定が可能な基板接続検査装置を提供する。
【解決手段】基板接続検査装置1は、プローブ8を配設したプローブ部7、インターフェース基板5、電気的特性を測定するTDR測定器10、パーソナルコンピュータ15を備えている。複数のプローブ8は、プリント基板2に設けられた複数のランドに同時に接触する。TDR測定器にて発生したパルスをプローブからランドに入力させるとともに、反射された反射波を測定する。反射波の反射波形と基準波形とを比較することにより、プローブが接触不良であるか否か等が判定される。 (もっと読む)


【課題】ベースユニットとプローブカードの誤接続を防止することが可能な半導体試験装置、プローバおよびヘッド旋回装置を実現する。
【解決手段】テストヘッドに実装されたベースユニットをプローバに実装されたプローブカードに接続してDUTの試験を行う半導体試験装置において、ベースユニットに設けられ、プローブカードに付与された識別マークを検出する非接触センサと、非接触センサの検出結果に基づいて、プローブカードへの接続の可否を判定する判定部とを設ける。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、複数本の探針を用いて検出された吸収電流から、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得し、測定効率を向上させることに関する。
【解決手段】本発明では、複数の探針を試料に接触させ、試料に電子線を照射しつつ、探針に流れる電流を測定し、少なくとも2本の探針からの信号を差動増幅器に入力する。そして、差動増幅器からの出力を増幅し、これと電子線の走査情報に基づいて吸収電流像を作成することに関する。本発明により、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得でき、半導体試料の不良解析の測定効率を向上できる。 (もっと読む)


【課題】ICテスタのオシロスコープによる波形観測が容易に行えるテストシステム及び波形観測方法を提供する。
【解決手段】操作部13による操作情報を出力するオシロスコープ1と、このオシロスコープ1の操作情報により動作を行うICテスタとを備え、ICテスタの本体5にオシロスコープ制御手段52および記憶部51を設け、LANインタターフェース15および53によりオシロスコープ1とICテスタを結合させる。 (もっと読む)


【課題】ウエハ上のチップ数が多くなっても、ウエハ全体の測定結果を1枚の画面に表示できるようにすること。
【解決手段】ウエハ上に形成されたチップの測定結果をパス/フェイルのウエハマップとして表示部に表示するように構成されたLSIテスタにおいて、前記表示部の表示セルに、複数のチップの測定結果を重ね合わせて表示することを特徴とするもの。
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【課題】本発明が解決しようとする課題は、プローブのランダムアクセス操作のような厄介な作業をすることなく、電子顕微鏡等の走査型荷電粒子顕微鏡の観察から半導体デバイスにおける回路要素の導通等の検査を可能とする検査手法を提示し、それを実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】本発明の検査手法は電子鏡筒2とイオンビーム鏡筒1と二次荷電粒子検出器4とをそなえた複合装置を用い、電子ビーム又は正電荷のイオンビームを半導体デバイス試料面に照射して高い帯電をさせた場合と、該高い帯電状態を示した領域の所望のパターンに逆電荷の正電荷のイオンビーム又は電子ビームを照射した場合との試料面のコントラスト変化を顕微鏡観察して電子回路検査するものである。 (もっと読む)


【課題】ユーザの待ち時間の解消及び負担の軽減を図りつつ効率的に信号波形を観察することができる信号波形表示装置、信号波形表示方法、及び信号波形表示プログラムを提供する。
【解決手段】本発明は、時間を規定する時間軸と電圧の大きさを規定する電圧軸とを有する表示領域に、大きさが経時的に変化する信号波形を二次元表示する発明であって、ユーザによって設定された分解能よりも低い分解能で信号波形を表示領域に表示する波形表示ステップS1と、時間軸について分解能を徐々に高めながら信号波形を表示領域に表示する時間軸精細表示ステップS2と、電圧軸について分解能を徐々に高めながら信号波形を表示領域に表示する電圧軸精細表示ステップS3とを含む。 (もっと読む)


【課題】プローブの研磨時に研磨ウエハ(研磨体)の上面の異物を検出し、研磨体から異物を確実に除去し、研磨後に被検査体の電気的特性検査を支障なく行うことができるプローブの研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明のプローブの研磨方法は、研磨ウエハW’をバッファテーブル20から載置台17へ搬送する工程と、載置台17上に載置された研磨ウエハW’の上面の異物を検出する第2の工程と、研磨ウエハW’の上面に異物を検出した時には、載置台17からウエハテーブル21へ研磨ウエハW’を搬送する第3の工程と、ウエハテーブル21から研磨ウエハW’を取り出して異物Oを除去する第4の工程と、異物Oを除去した研磨ウエハW’をウエハテーブル21から載置台17上へ搬送し、研磨ウエハW’によって複数のプローブ18Aの針先を研磨する第5の工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】GUIツールでテスタ操作を行うのにあたり、対応するCUIコマンドも併せて出力できるGUI操作とCUIコマンドの親和性の高い半導体テスタを提供すること。
【解決手段】GUIツールで操作を行うように構成された半導体テスタにおいて、前記GUI操作に対応するCUIコマンドを出力するコマンド表示モジュールと、このコマンド表示モジュールから出力されるCUIコマンドを所望の形態で出力するCUIコマンドログ出力部を設けたことを特徴とするもの。 (もっと読む)


【課題】被試験デバイスの印加電圧の変化、変動を、オシロスコープを用いずに観測できるようにする。
【解決手段】複数の直流電圧を生成する電圧生成手段と、入力電圧をサンプリングしてディジタルデータに変換するディジタイズ手段と、前記電圧生成手段により生成された電圧をディジタイズ手段へ伝達可能な電圧伝達手段と、該電圧伝達手段と前記電圧生成手段および前記ディジタイズ手段との間で電圧の伝達と遮断を可能にする複数のスイッチ手段とを設け、テスタ本体には、ディジタイズ手段により変換されたディジタルデータをモニタ上において波形として表示するデータに変換するプログラムを搭載し、電圧生成手段を起動して複数の電圧を順次生成させるとともにスイッチ手段を制御して生成された複数の電圧をディジタイズ手段へ択一的に伝達してディジタルデータに変換させるようにした。 (もっと読む)


【課題】 半導体試験装置では多数の試験データが生成されるが、この試験データは特定のデータ処理部を用いないと解析・表示することができない。そのため、ユーザはデータとこのデータを処理するデータ処理部との対応関係を把握していなければならず、操作が難しかったという課題を解決する。
【解決手段】 データとこのデータを処理するデータ処理部との対応関係を保存したインデックスを具備し、解析・表示したいデータが指定されたときに、このインデックスを参照して、適切なデータ処理部を起動するようにした。データとデータ処理部との対応関係を意識しなくてもよいので、操作が大幅に簡単になる。 (もっと読む)


【課題】使用者が実際に使用するICテスタの機能を優先的に診断することにより、効率的に早い診断を行い、IC試験準備期間を短縮する。
【解決手段】DUT11を試験するICテスタを診断するICテスタ診断装置であって、当該装置は、DUT11の試験で使用される試験プログラム13に記述されている波形条件を抽出する条件抽出部27と、条件抽出部27により抽出された波形条件をICテスタの診断で使用される診断プログラム14に反映させる条件反映部28と、条件反映部28により波形条件が反映された診断プログラム14に基づいてICテスタが形成する試験波形TWと当該波形条件に対する期待値とを比較することによってICテスタの動作を診断する比較判定部6とを備える。 (もっと読む)


【課題】テストプログラムに基づいて半導体集積回路試験装置が行う被測定デバイスの動作試験において、効率良く、安定したデバッグを行うための動作試験支援装置を提供する。
【解決手段】半導体試験装置が第1のテストプログラムに基づいて行った第1の動作試験に関する第1の動作試験情報と、第1のテストプログラムが変更された第2のテストプログラムに基づいて行った第2の動作試験に関する第2の動作試験情報とを記憶し、第1の動作試験情報と、第2の動作試験情報との差分を抽出し、視認可能に表示する。 (もっと読む)


【課題】演算モジュールで用いる入力変数や出力変数を必要に応じて多角的に参照できるLSIテスタを実現すること。
【解決手段】演算モジュールを有するLSIテスタにおいて、前記演算モジュールにおける入力・出力の各変数データを格納する変数データ記憶装置と、変数毎表示と合成表示の画像生成ルールが格納された画像生成ルール記憶部と、表示方式の切替えを指示入力する入力装置と、この入力装置から指示入力される表示方式に基づき前記画像生成ルール記憶部に格納されている画像生成ルールを参照してそれぞれの変数に指定された表示形式で変数データを画像に変換する画像生成部と、この画像生成部で生成された画像を表示する表示部を具備し、前記演算モジュールで用いる入力変数や出力変数を多角的に参照できるように構成されたことを特徴とするもの。
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【課題】状況把握が容易に行えるICテスタのデバック装置を実現することを目的にする。
【解決手段】本発明は、複数の表示ツール手段が画面を表示部に表示させ、被試験対象の試験に用いるテストプログラムのデバックを行うICテスタのデバック装置に改良を加えたものである。本装置は、表示ツール手段の画面に用いる表示データ、画面イメージをレポートデータにするレポート手段を備えたことを特徴とする装置である。 (もっと読む)


本発明は、電子デバイスを試験する方法及び装置に関し、単方向測定プローブ(46)によって放射磁場を測定する。この方法及び装置は、ZZ’軸に沿った磁場のBz成分の第1の値(Bz1)をプローブ(46)によって測定し、記録した後で、プローブ(46)及び電子デバイスを、同一の距離d0を保持したまま、ZZ’軸に直交するXX’軸を中心に振幅90°未満の角度だけ旋回させることによって互いに対して移動させ、ZZ’軸の各位置(x,y)について、ZZ’軸に沿った磁場のBz成分の第2の値(Bz2)をプローブ(46)によって測定し、記録した後で、第1の値(Bz1)及び第2の値(Bz2)に基づいて、ZZ’軸及びXX’軸に直交するYY’軸に沿った磁場の成分By値を決定し、記録する。
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【課題】電流の真上でも磁界を適正に測定できるようにした磁界プローブを提供する。
【解決手段】本発明の一態様としての磁界プローブは、内部導体と前記内部導体を囲む絶縁体と前記絶縁体を囲む外部導体からなる同軸ケーブルを、前記同軸ケーブルの一端を基点として、平面視において複数のループ状部を形成するように巻回したプローブ本体と、 前記複数のループ状部のそれぞれの一部に、前記外部導体を分断して前記内導体または前記絶縁体を露出させるように形成した複数の切り欠き部と、を備え、前記複数の切り欠き部により分断された複数の外部導体部分は電気的に互いに接続され、前記同軸ケーブルの他端における内部導体は、前記複数の外部導体部分のいずれかに接続され、前記複数のループ状部のうち少なくとも一対のループ状部は、平面視において巻き方向が互いに逆である、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイスを試験する前に測定系起因の故障を確実に発見する半導体試験システム及び半導体デバイスの試験方法を提供する。
【解決手段】 第1及び第2の信号伝送経路21a、22を介して測定ボード2から出力された第1及び第2の測定信号を高速フーリエ変換し、測定信号の基本波スペクトル成分の大きさと第1の試験波の基本波スペクトル成分の大きさの理論値とを比較して接続手段3の異常の有無を検出する。その後接続手段に異常が無い場合、試験装置1から測定ボード2の入力端33に第2の試験波を印加し、第1及び第2の信号伝送経路21b、22を介して測定ボード2から出力された第3及び第4の測定信号を高速フーリエ変換し、第3及び第4の測定信号の基本波のスペクトル成分を取り出して、第3及び第4の測定信号の基本波スペクトル成分の大きさを比較し比較結果から半導体デバイスの異常の有無を検出する。 (もっと読む)


【課題】高い帯域の信号をサンプリングする。
【解決手段】被測定信号をサンプリングするサンプリング装置であって、サンプリング動作繰り返し周期毎に、サンプリング帯域内において被測定信号のレプリカおよび被測定信号の負の周波数成分のレプリカのうち観測対象でないレプリカを打ち消すように定めた不等間隔の複数のサンプリング位相で、複数のサンプリングクロックを発生するクロック制御部と、被測定信号を複数のサンプリングクロックのそれぞれによりサンプリングするサンプリング部とを備えるサンプリング装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】過渡状態を含む被測定信号でも、所望状態の部分を適切に検出できるようにする。
【解決手段】波形記憶装置を用いて、電源及びDUTを表す第1及び第2波形データをそれぞれメモリに記憶する。第1波形データの測定項目の値を求めることにより、電源が規定電圧に達した第1時点を求める。続いて、この第1時点から所定時間後の検索開始時点から逆時間方向に第2波形データの測定項目の値を求める。第2波形データの測定項目の値が第2所定状態に達した第2時点を求める。ここで、測定項目とは、信号の位相、周期、周波数、振幅などである。 (もっと読む)


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