【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】 スキャンチェーンの検査を好適に行うことが可能なスキャンチェーン検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０のスキャンチェーンに検査信号を供給する検査信号供給部１８と、スキャンチェーンの各レジスタでの検査信号の信号レベルの時間変化を測定するレジスタ測定部２０と、測定部２０による測定結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与するレジスタ番号解析部５１を有する検査解析装置５０とによってスキャンチェーン検査装置１Ａを構成する。供給部１８は、信号長ｎが異なるｍ種類の検査信号列を供給する。解析部５１は、信号長ｎの検査信号列を用いた測定結果からスキャンチェーンの複数のレジスタをｎ個のグループに分けるグループ分けをｍ種類の検査信号列のそれぞれについて行い、その結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不良解析技術において、解析成功率の向上や解析時間の短縮を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】ショートしていると推測される一方の特定配線を特定（Ｓ１０３）し、その相手と推測される隣接配線の抽出（Ｓ１０４）をおこない、両配線間において電圧状態（論理状態）が異なる異電圧時間帯の算出（Ｓ１０７）をし、その異電圧時間帯で発生する発光現象の頻度を調査することにより、上記一方の特定配線に対して、どの隣接する配線がショートしているのかを短時間で確実に推定する。 （もっと読む）

【課題】レーザパルス光の照射に応じて半導体デバイスにて発生する電磁波パルスの強度を非接触状態で向上させる技術を提供すること。
【解決手段】半導体デバイスを検査する半導体検査装置１００である。半導体検査装置１００は、半導体デバイスが形成されている基板１に対してレーザパルス光２を出射するレーザパルス光源１４と、レーザパルス光２が照射される照射位置１０に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルス４を照射する電磁波パルス照射部１８と、
レーザパルス光２の照射に応じて照射位置１０から放射される電磁波パルス３を検出する検出部１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テストパターンを長く複雑なパターンにする必要がなく、スクリーニングで検出することができる回路パターンの不具合の割合を増やすことができる半導体検査装置、および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板に形成した複数の半導体チップに対してスクリーニングを行なう半導体検査装置１０である。半導体検査装置１０は、ステージ２と、プローブ４と、テスタ部８と、光検出部５と、発光解析部６と、主制御部７と、異常判定部９とを備えている。光検出部５は、光学的なスクリーニングを行なうために、回路パターンに印加した電気信号に基づく発光を、半導体基板の他方の面側から検出する。異常判定部９は、テスタ部８で検出した出力信号に基づき、回路パターンの不具合を判断し、発光解析部６で解析した発光に基づき、回路パターンの不具合を判断して、半導体チップの異常を判定する。 （もっと読む）

【課題】被検査電気回路の欠陥位置を検出する際、検出特性の向上を図った電気回路検査システム及び検査方法を提供すること。
【解決手段】電気回路を検査するためのシステムであって、欠陥検出サブシステムと付加的サブシステムとを有し、付加サブシステムは時間軸上で変化する電圧を被検査電気回路に印加し、検査を行っている期間以外の期間で動作し、電気回路上の様々な異なる潜在的欠陥位置における電気的状態の違いを検出するように動作する。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の検査精度を向上させることができる集積回路検査装置を提供する。
【解決手段】 集積回路検査装置１は、半導体基板２１、及び半導体基板２１の表面２１ａ側に形成された回路部２２を有する集積回路２０を検査するための装置である。集積回路検査装置１は、集積回路２０に照射される光Ｌを発生する光発生部３と、集積回路２０に照射される光Ｌの波長幅を調整する波長幅調整部５，１４と、集積回路２０に照射される光Ｌの照射位置を調整する照射位置調整部８と、光発生部３からの光Ｌが半導体基板２１の裏面２１ｂを介して回路部２２に照射されたときに、集積回路２０からの光Ｌを検出する光検出部１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体試料のグラウンドと電気特性測定手段のグラウンドとの間の電位差に揺らぎが生じる場合でも、当該電位差の揺らぎに起因するノイズの発生を確実に抑制することが可能な半導体試料の検査装置を提供すること。
【解決手段】半導体試料の検査装置ＩＥ１は、半導体試料Ｓに定電圧を印加する定電圧源９と、半導体試料Ｓの電気特性を測定する電気特性測定部１１と、電気特性測定部１１に入力される信号に、外部電源装置４１に接続される半導体試料Ｓのグラウンド（サンプルグラウンドＧ１）と定電圧源９のグラウンド（検出回路グラウンドＧ２）との電位差を逆相にして加算する逆相加算部３３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動的解析を短時間で行う技術を提供する。
【解決手段】ＳＤＬ／ＬＡＤＡ解析に用いるスポット光１２の径を変更可能なようにする。大径のスポット光による検査対象の半導体装置の照射中、テスタは該当する照射範囲の電気的動作の検証を行う。この照射中、不良箇所を見つけた場合には、小径のスポット光に切り替えて、検査対象の半導体装置に照射し、テスタによるより小範囲の電気的動作の検証を行う。これを反復することで、不良箇所の特定を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の故障解析方法及び故障解析装置に係り、故障箇所を位置精度よく特定して解析することにある。
【解決手段】コントローラに、半導体素子への電力供給により該半導体素子の裏面から発せられる光を撮像手段にて検出させることにより該半導体素子の故障箇所を特定させる。次に、半導体素子の表面電極側に配置された圧痕用プローブを該半導体素子の表面電極に接触させ、かかる状況において、半導体素子の表面電極側から該表面電極へレーザを走査照射した場合に得られる走査位置と電流量との関係を示した電流像に基づいて、半導体素子の表面電極上で圧痕用プローブが接触する接触箇所を特定させる。そして、半導体素子上で特定した故障箇所と接触箇所との位置ズレ量に基づいて、圧痕用プローブを前記半導体素子の表面電極に接触させる位置を変更させる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が検出部１３に到達する時間と、検出部１３における検出タイミングを遅延させる遅延部１４とを備える。また、基板検査装置１００は、基板Ｗの第１領域を透過した第１テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部２１と、基板Ｗの第２領域を透過した第２テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第１テラヘルツ波と第２テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧や電源電流の変化が微小であり、通常のＯＢＩＲＣＨ法では解析が困難な故障を解析する半導体集積回路の故障解析装置、方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の出力端子の電圧を測定する電圧測定部と、半導体集積回路の内部回路であって出力端子に接続される内部回路の状態を設定するテストパターンを半導体集積回路に与えるテストパターン発生部と、レーザービームを内部回路の所定の領域に対して走査しながら照射し、照射された部分の抵抗値を変化させるレーザー走査部と、レーザー走査部及び電圧測定部と連動し、レーザービームを照射したときに、出力端子の電圧の変化したレーザービームの照射位置を検出して表示する故障位置表示部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの切り替え（論理遷移）に直接関係する回路タイミング情報を、トランジスタ・レベルで測定するシステムを提供する。
【解決手段】集積回路デバイスからの電気信号のプローブレス・非侵入性検出用システムである。システムは、照明源１３０、集光光学部材１２０、結像光学系、及びフォトン・センサ１４５を含む。ナビゲーション・モードでは、光源１３０を作動させ、結像光学系を用いてチップ上のターゲット領域を確認するとともに集光光学部材を適切に位置付ける。いったん集光光学部材が適切に位置付けられたら、光源の動作を停止し、チップから放出されるフォトンをフォトン・センサを用いて検出する。 （もっと読む）

【課題】不良箇所の特定の容易化を実現し得る配線構造、半導体装置及び不良箇所特定方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０上に形成された第１の配線１４と、第１の配線上に形成され、第１の領域において第１の配線と重なり合う第２の配線２０とを有し、第１の配線は、第１の領域外に突出する第１のタブ部１６を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図りつつ、正確な故障箇所の位置の特定を可能とする。
【解決手段】半導体基板１０の他面に溝部を形成する工程と、部品２０と溝部の位置関係を示すレイアウトデータを取得する工程と、部品２０に電圧を印加することにより、部品２０の故障箇所５０を発光させるとともに、故障箇所５０からの発光を溝部の内部へ伝播させる工程と、故障箇所５０からの発光により生じる第１の発光部の位置、および故障箇所５０からの発光が溝部の内部を伝播することによって生じる第２の発光部の位置を他面側から検出する工程と、第１の発光部の位置および第２の発光部の位置から、溝部の位置を推定する工程と、推定した溝部の位置に対する第１の発光部の相対位置と、レイアウトデータにおける溝部の位置とを用いて、故障箇所を特定する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＡＤＡ効果を誘起する非線形２フォトン吸収機構を利用する故障位置測定システムを提供する。
【解決手段】ＤＵＴ２１０がテストベクトルで刺激されている間に、シリコンのバンドギャップより低いフォトンエネルギーを有する波長のフェムト秒レーザパルスを関心領域に送出し、レーザパルスはＤＵＴ刺激に同期しているので、スイッチングタイミングが２フォトン吸収効果を用いて変更され、レーザ光源がなければ合格するＤＵＴが不合格になる瞬間において光線の位置が求められ、不合格の原因となっているトランジスタの位置を求める。 （もっと読む）

【課題】故障箇所の絞り込みが困難である高抵抗故障を比較的容易に特定することができる半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法を提供する。
【解決手段】解析対象とする半導体集積回路８０１の特定の素子に対してレーザーを照射して特定の素子を加熱するレーザー照射装置１０２と、レーザーの照射と同期して半導体集積回路の入力端子にテストパターンを印加するテストパターンジェネレータ１０１と、テストパターンジェネレータが半導体集積回路の入力端子に印加するテストパターンに同期して半導体集積回路に過渡的に流れる電源電流を検出する過渡電源電流検出装置１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光インターフェイスを有する被試験デバイスを試験する。
【解決手段】光インターフェイスを有する被試験デバイスを搭載するデバイスインターフェイス装置であって、被試験デバイスを搭載するデバイス搭載部と、被試験デバイスが有する光インターフェイスに接続される光コネクタと、デバイス搭載部に搭載された被試験デバイスの光インターフェイスに向かって光コネクタを移動させて光インターフェイスおよび光コネクタを光接続する光コネクタ移動部と、を備えるデバイスインターフェイス装置を提供する。 （もっと読む）