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Fターム[2H025AB16]の内容

フォトレジストの材料 (104,520) | 用途 (10,556) | 半導体素子・集積回路の製造 (3,052)

Fターム[2H025AB16]に分類される特許

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【課題】新規なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該ポジ型レジスト組成物用の成分、特に酸発生剤として有用な新規な化合物および酸発生剤を提供する。
【解決手段】トリフェニルメタンを骨格とする特定のフェノール化合物および該フェノール化合物における−OHの水素原子の一部が有機基で置換された置換フェノール化合物からなる群から選択され、一分子中に少なくとも2つの−OHを有する化合物における−OHのうち、少なくとも1つの−OHの水素原子が式(I)で表される基で置換され、少なくとも1つの−OHの水素原子が酸解離性溶解抑制基を含む特定の基で置換されている化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(1)第一パターン部及び第一スペース部をそれぞれ複数有する第一のレジストパターン群を、所定のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して不溶な不溶化レジストパターン群とする工程と、(2)ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて、第一パターン部の上及び第一スペース部にレジスト層を形成し、形成したレジスト層を、マスクを介して選択的に露光する工程と、(3)現像して、少なくとも一の第一パターン部の上面の一部を露出させた状態で、少なくともその一部が第一パターン部上に重畳的に配置された第二パターン部を形成し、第一パターン部と第二パターン部とが組み合わされた複数の複合パターン部を有する第二のレジストパターン群を形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法である。 (もっと読む)


【解決手段】フォトレジストパターン上に1分子内に少なくとも1つのアミノ基又はアンモニウム塩を有するアミノシラン化合物を吸着させ、その上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法又はALD(Atomic Layer Deposition)法によりシラン、クロロシラン、アルコキシシラン及びイソシアネートシランから選ばれるシランガスを酸化して珪素酸化膜を形成するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、レジストパターンに直接珪素酸化膜系の膜を形成し、レジストパターンのピッチを縮小するサイドウォールスペーサー法において、上記シラン化合物でレジストパターン表面を覆うことで、その後のCVD法又はALD法による珪素酸化膜形成を促進させ、パターンの変形やLWRの増大を防ぎ、精度高くサイドウォールスペーサーパターンを形成できる。 (もっと読む)


【課題】エネルギー線の照射により活性なラジカルを効率よく発生する高感度な重合性組成物を提供する。更には、硬化速度が極めて速く、かつ非常に鮮明なパターン露光あるいは直接描画に好適に用いられ、基板との密着性に非常に優れた、フォトレジスト材料に好適に用いられるネガ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】特定のオキシムエステル系ラジカル重合開始剤(A)、ラジカル重合性化合物(B)、およびアルカリ可溶性樹脂を含んでなる重合性組成物。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンが形成された基板にめっき処理を行うとき、クラックの発生を抑制できるポジ型感放射線性樹脂組成物等を提供する。
【解決手段】式(I)


で表される構造単位を有する重合体、酸発生剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、側鎖にノルボルナンラクトン構造を有する構成単位(a0)、および前記構成単位(a0)に該当しない、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成でき、液浸露光用として好適なレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)および含フッ素化合物成分(F)を有機溶剤(S)に溶解してなる液浸露光用レジスト組成物であって、前記有機溶剤(S)は、沸点150℃以上のアルコール系有機溶剤(S1)と、沸点150℃未満のアルコール系有機溶剤(S2)とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】 ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びLWRが変動しないという要件を満たすレジストパターンの表面処理方法およびその表面処理方法を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 特定のラクトン構造を含有する樹脂によって形成されたレジストパターンと、一分子中に二個以上の求核性官能基を有する化合物とを固相−気相反応させる表面処理方法。 (もっと読む)


【課題】長期間保管した後においても、表面張力が増加せず、ストリエーションの発生等の問題を生じることのない塗布膜形成用組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】レジスト膜に直接接する被膜を形成するための塗布膜形成用組成物であって、少なくとも(a)膜形成成分、(b)酸性成分、及び(c)界面活性剤を含有し、且つ前記塗布膜形成用組成物の調製直後からの表面張力の経時変化量が60℃において、0.20mN/m・day以下である塗布膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】撥液性とアルカリ溶解性に優れた液浸露光用レジスト保護膜材料の提供。
【解決手段】下式(a1)で表される化合物の環化重合により形成された繰り返し単位(A1)、好ましくは下式(a2)で表される化合物の環化重合により形成された繰り返し単位(A2)を含む液浸露光用レジスト保護膜組成物。ただし、Z:式−C(CFOH で表される基を1つ以上有する炭素数3から20の有機基。n:0、1または2。R:水素原子または炭素数1〜20の1価有機基であって、2個のRは同一であってもよく異なっていてもよい。
CF=CFCFCH(C(O)OZ)(CHCR=CHR (a1)
CF=CFCFCH(C(O)OZ)CHCH=CH (a2) (もっと読む)


【課題】超微細領域での、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定のオキシムスルホネート構造を有する繰り返し単位及び酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基を有する繰り返し単位を有する樹脂を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜の上にバリア膜を設けないリソグラフィに用いるレジスト材料の解像性を向上してパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】まず、基板101の上に、ハロゲン原子(フッ素)を含み且つ酸に安定なモノマーであるパーフルオロエチルアクリレートと、フッ素を含み且つ酸に安定なポリマーであるポリパーフルオロエチルアクリレートと、酸不安定基を含むポリマーと、光酸発生剤とを有するレジスト材料からレジスト膜102を形成する。続いて、レジスト膜101の上に液体103を配した状態で、レジスト膜102に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜102に対して現像を行って、レジスト膜102からレジストパターン102bを形成する。 (もっと読む)


【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用金属酸化物含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能な金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜される金属酸化物含有膜を形成するための熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物であって、少なくとも、(A)加水分解性ケイ素化合物と、加水分解性金属化合物とを加水分解縮合することにより得られる金属酸化物含有化合物、(B)熱架橋促進剤、(C)炭素数が1〜30の1価又は2価以上の有機酸、(D)3価以上のアルコール、(E)有機溶剤とを含むことを特徴とする熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】有機ELデバイス等の表示装置において、鮮明な画像を表示可能にする表示素子用材料であり、更に、低公害系有機溶剤に溶解するポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)成分として、下記式(1)で表されるポリイミドと、(B)成分として、光により酸を発生する化合物とを含有し、それらが(C)溶剤に溶解したポジ型感光性樹脂組成物。


(式中、Xは、4価の脂肪族基又は芳香族基を表し、Yは、少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む2価の有機基を表し、Z1及びZ2は、夫々互いに独立してポリイミドをアルカリ性溶液に可溶にするアルカリ可溶化基を含む有機基を表し、Q1は水素原
子を表すか、又は、隣接するZ1と一緒になって環構造を形成し、Q2は水素原子を表すか、又は、隣接するZ2と一緒になって環構造を形成し、mは1以上の整数を表す。) (もっと読む)


【課題】 良好な感度・解像度を有し、高耐熱性で高残膜性をもち、その他特性についても汎用のものより劣ることのないフォトレジスト用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下、110−220℃の温度下で反応して得られるハイオルソノボラック型フェノール樹脂とポリアミドフェノール樹脂、ナフトキノンジアジド誘導体、溶媒を含有することを特徴とするフォトレジスト用樹脂組成物であって、ハイオルソノボラック型フェノール樹脂とポリアミドフェノール樹脂の比率(wt)が95:5から50:50であり、フェノール類がメタクレゾールとパラクレゾールの混合物であり、メタクレゾールとパラクレゾールの比率が60:40から30:70であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、(A)酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、(B)熱架橋促進剤、(C)炭素数が1〜30の1価又は2価以上の有機酸、(D)3価以上のアルコール、(E)有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜との良好なマッチング特性を有するレジスト下層膜を形成することが可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、下記一般式(1)で示される繰返し単位を有するシロキサンポリマー成分を含有することを特徴とする。
(式(1)中、Rは、水素原子又は1価の有機基であり、Rは、電子吸引性基を有する1価の有機基である。繰返しにおける複数のR同士又はR同士は互いに異なっていてもよい。aは、0又は1である。) (もっと読む)


【課題】ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもArFエキシマレーザーのような短波長でのk値及び屈折率nが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、ポリマー及び溶剤を含み、該ポリマーが1,1−シクロアルキルジカルボン酸とジグリシジル化合物との反応により生成される構造を有するものである。前記ポリマーにおいて、1,1−シクロアルキルジカルボン酸の酸基を除く部分が、エステル結合を介して該ポリマーの主鎖に導入されている。例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルが付加した脂環式構造、或いは脂肪族構造を有するテトラカルボン酸二無水物誘導体はエステル結合を介して線状ポリマーの主鎖に導入される。 (もっと読む)


【課題】レジスト組成物に好適な高いアルカリ可溶性を有し、熱処理工程において水分等の低分子成分を発生することなく、解像性や耐熱性に優れた高い耐熱性を有する硬化物を生成することができるアルカリ可溶性樹脂であり、該アルカリ可溶性樹脂を用いたポジ型レジスト組成物及びネガ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】ベンゾオキサジン環の開環構造を有するアルカリ可溶性樹脂であり、該樹脂は、ベンゾオキサジン環を有する化合物と、フェノール性水酸基を1つのベンゼン環上に1以上有する芳香族化合物を交互共重合させた繰り返し単位からなり、絶縁性、機械強度、難燃性、耐水性等、ベンゾオキサジン樹脂が有する基本的な特徴を兼ね備え、フェノール性水酸基含有化合物由来の高いアルカリ可溶性が発現される。 (もっと読む)


【課題】低残留応力と良好な機械物性を有するポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、下記式(1):


{式中、Rは、脂肪族環を有する4価の有機基であり、そしてRは、4価の芳香族環含有有機基である。}で表される繰り返し単位を一つの構成成分とするポリマーであって、ポリマー骨格に脂肪族環及びフェノール性水酸基を有するポリイミドとポリベンゾオキサゾール前駆体を共重合して得られるポリマー。 (もっと読む)


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