説明

Fターム[2H025AB16]の内容

フォトレジストの材料 (104,520) | 用途 (10,556) | 半導体素子・集積回路の製造 (3,052)

Fターム[2H025AB16]に分類される特許

141 - 160 / 3,052


【解決手段】一般式(1)で示されるアセタール化合物。


(R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R2は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。R3、R4は、それぞれ独立に水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。R2とR3は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。X1は単結合又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状の二価の炭化水素基を示す。)
【効果】本発明のレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 (もっと読む)


【課題】良好な形状で、LWRの小さいレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a10)および側鎖に酸解離性基を有し、2個のエステル結合が2価の連結基で繋がった構造で表される構成単位(a14)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】解像性能に優れるだけでなく、LWRが小さく、PEB温度依存性が良好で、パターン倒れ耐性に優れ、且つ、低欠陥性、即ち欠陥性にも優れる感放射線性樹脂及びその樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ノルボルナン環とラクトン環が縮合した複素環を有するアルコールの(メタ)アクリル酸エステル及びシクロペンタン環を有するアルコールの(メタ)アクリル酸エステルの共重合体樹脂(A)及びその樹脂と感放射線性酸発生剤(B)とを含有する感放射線性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】微細なレジストパターンを良好な形状で形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a10)、側鎖に3級炭素を有する脂肪族単環式基を有する構成単位(a11)および側鎖に3級炭素を有する脂肪族多環式基を有する構成単位(a12)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、焦点深度を広げることが可能な上層反射防止膜、該上層反射防止膜を形成するための上層反射防止膜形成用組成物および該上層反射防止膜を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(A)下記一般式(1)で表される構造単位を有する重合体、
(B)ヒドロキシル基を有する3級アミン化合物及び
(C)水
とを含有することを特徴とする上層反射防止膜形成用組成物。
【化1】


〔一般式(1)において、Rは水素原子又はメチル基を示す。Rは、直接結合、−CH−、−COO−A−、又は−CONH−A−を示し、Aは炭素数1〜8の2価の炭化水素基を示す。〕 (もっと読む)


【課題】解像性能に優れるだけでなく、LWRが小さく、PEB温度依存性が良好な化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】樹脂(A)と感放射線性酸発生剤(B)とを含有し、樹脂(A)は第1の樹脂(A1)100質量部に対して、第2の樹脂(A2)を0.1〜20質量部含有する混合重合体であり、第1の樹脂(A1)が酸の作用によりアルカリ可溶性となり、且つフッ素原子を含まない重合体であり、第2の樹脂(A2)が側鎖にノルボルナンラクトンエーテル基を有する繰り返し単位(a2−1)と、フッ素原子を含有する繰り返し単位(a2−2)とを含む。 (もっと読む)


【課題】解像性能に優れるだけでなく、LWRが小さく、パターン倒れ耐性に優れ、且つ、欠陥性にも優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物およびこの感放射線性樹脂組成物に樹脂成分として使用できる重合体を提供する。
【解決手段】樹脂(A)と、感放射線性酸発生剤(B)とを含有する感放射線性樹脂組成物。樹脂(A)が、ノルボルナンラクトンを末端に有するオキシアルキレン基で置換された(メタ)アクリル酸エステルに由来する特定の繰り返し単位(a−1)と、スルホンアミド基を有する(メタ)アクリル酸エステルに由来する特定の繰り返し単位(a−2)と、酸解離性基を有する繰り返し単位(a−3)とを含む重合体である。 (もっと読む)


【課題】得られるパターン形状が良好であり、焦点深度に優れ且つ液浸露光時に接触した水等の液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、レジスト被膜と水等の液浸露光用液体との後退接触角及び前進接触角のバランスに優れた感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト成膜方法及びレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本樹脂組成物は、式(1)で表される繰り返し単位、及びフッ素原子を有する繰り返し単位を含有する樹脂(A)と、酸解離性基を有する繰り返し単位を含有し、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有しない樹脂(B)と、酸発生剤(C)とを含む。
(もっと読む)


【課題】ArFエキシマレーザーを高原とするフォトリソグラフィー工程に用いられ、90nm以下の線幅を可能とする短波長の光源を用いた微細なレジストパターンの形成に対応することができ、解像性能に優れるだけでなく、パターン倒れ耐性にも優れた樹脂の提供。
【解決手段】ノルボルナンカルボン酸に由来する特定のラクトン骨格を側鎖に有する(メタ)クリル酸エステル(a−1)および特定のアダマンタン骨格を側鎖に有する(メタ)クリル酸エステル構造単位(a−2)とからなる樹脂(A)と、感放射線性酸発生剤とからなる樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】高い解像性で、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a10)、側鎖に3級炭素を有する脂肪族単環式基を有する構成単位(a11)および側鎖に酸解離性基含有エステル構造含有基を有する構成単位(a13)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】高い解像性で、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a10)および下記一般式(a11−1)で表される構成単位(a11)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
(もっと読む)


【課題】絶縁膜を形成する際の基板の反りが抑えられ、且つ優れた解像性、電気絶縁性等を有するポジ型感光性絶縁樹脂組成物、及びこれが硬化されてなる硬化物を提供する。
【解決手段】(A)下記式(1)により表される構造単位(a1)と、下記式(2)により表される構造単位(a2)とを有するブロック共重合体、(B)架橋剤、(C)キノンジアジド基含有化合物、(D)溶剤、を含有するポジ型感光性絶縁樹脂組成物。


[式(1)のRは水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。式(2)のRは炭素数1〜4のアルキル基を表す。] (もっと読む)


【課題】低比誘電率の硬化パターンを形成できるネガ型感放射線性組成物、これを用いたパターン形成方法並びに硬化パターンを提供する。
【解決手段】本ネガ型感放射線性組成物は、(A1)アルキレングリコール鎖を有するラジカル重合性化合物に由来する構造単位(I)及びアルコキシシリル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構造単位(II)を有する重合体、(B)感放射線性酸発生剤、及び、(C)溶剤を含有する。本方法は、(1)基板表面に前記組成物用いた被膜を形成する工程と、(2)得られた被膜を熱処理する工程と、(3)熱処理された被膜を露光する工程と、(4)露光された被膜を現像して前駆パターンを得る工程と、(5)得られた前駆パターンを硬化処理して硬化パターンを得る工程と、を備える。本硬化パターンは、前記パターン形成方法によって得られる。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト組成物、該組成物を使用したフォトレジストパターンを形成する方法、パターン化樹脂組成物及びフォトリソグラフィーの形成方法を提供する
【解決手段】 エチレン性不飽和二重結合を有する重合性水溶性化合物A、エポキシ基含有不飽和化合物B及び下記一般式(1)


で示される化合物Cを重合して得られるポリマー、並びに溶媒を含むフォトレジスト組成物であって、モノマー成分の合計量中、化合物Aの割合が0〜90重量%、化合物Bの割合が0〜50重量%及び化合物Cの割合が15〜100重量%であるフォトレジスト組成物 (もっと読む)


【課題】露光不良の発生を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光することと、を含む。 (もっと読む)


【課題】酸の拡散の選択性及び除去性に優れた酸転写樹脂膜が得られる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】オキシムスルホネート系感放射線性酸発生剤、及び式(1)に示す構成単位を有する重合体、を含有する組成物。この組成物を用いてなる酸転写樹脂膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第1樹脂膜上に、上記酸転写樹脂膜としての第2樹脂膜を形成する第2樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。
【化1】
(もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性が向上し、良好な形状のレジストパターンを形成することができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)、および露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分(F)を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(Ia)で表されるアニオン部を有する酸発生剤(B1)を有し、前記光塩基発生剤成分(F)が下記一般式(f1)で表される化合物からなる光塩基発生剤(F1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
[化1]
(もっと読む)


【課題】光学特性及びエッチング耐性に優れる新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成されたn値が高く、k値が低く透明でかつエッチング耐性が高く、更に昇華性成分が極めて少ない下層膜、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)で示される繰り返し単位を有するポリイミド、および有機溶媒を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。


(式(1)中、Rは環状構造、非環状構造、または環状構造と非環状構造を有する炭化水素から誘導される4価の芳香族基または脂肪族基である。Φは炭素数2〜39の構成単位であり、脂肪族構成単位、脂環族構成単位、芳香族構成単位、オルガノシロキサン構成単位、またはこれらの組み合わせあるいは繰り返しからなる構成単位である。) (もっと読む)


【課題】処理室内部の雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することができるとともに、処理室内のメンテナンスを外部から容易に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布処理室21は、縦フレームFaを含むフレームにより形成された開口部21zを有する。フレームには開口部21zを開閉可能にメンテナンス用扉Dが設けられる。開口部21zを取り囲むように、フレームに溝付きトリム501が設けられる。溝付きトリム501は、開口部21zがメンテナンス用扉Dにより閉塞された状態でメンテナンス用扉Dに接触することによりメンテナンス用扉Dに対向する溝501gを有する。開口部21zがメンテナンス用扉Dにより閉塞された状態で、溝付きトリム501の溝501gとメンテナンス用扉Dとにより形成された空間の雰囲気が吸引ユニットにより吸引される。溝501gの内側の空間が外部に対して陰圧に保たれる。 (もっと読む)


【解決手段】側鎖に、芳香族炭化水素基および三級炭素を含有する鎖状または環状のアルキル基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物を含有するポジ型レジスト材料。
【効果】本発明の材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。また、マスク加工における、EB描画において、微細パターンの解像性、高感度で高加速電圧EB露光に相応しく、エッチング耐性に優れたポジ型レジスト材料を提供でき、マスク加工に極めて有用でもある。 (もっと読む)


141 - 160 / 3,052