【課題】リソグラフィー特性が向上し、良好な形状のレジストパターンを形成することができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｆ）を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分（Ｂ）が、下記一般式（Ｉａ）で表されるアニオン部を有する酸発生剤（Ｂ１）を有し、前記光塩基発生剤成分（Ｆ）が下記一般式（ｆ１）で表される化合物からなる光塩基発生剤（Ｆ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
［化１］

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｆ）を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分（Ｂ）が、下記一般式（Ｉａ）で表されるアニオン部を有する酸発生剤（Ｂ１）を有し、
【化１】

［式中、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の炭化水素基であり、Ｑ^１は酸素原子を含む２価の連結基であり、Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基である。］
前記光塩基発生剤成分（Ｆ）が下記一般式（ｆ１）
【化２】

［式中、Ｒ^ａおよびＲ^ｃは、水素原子または置換基を有していても良い炭素数１〜３０の炭化水素基であり、Ｒ^ａおよびＲ^ｃがともに置換基を有していても良い炭素数１〜３０の炭化水素基である場合は、互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ^ｂは置換基を有していても良いアリール基または脂肪族環式基である。］
で表される化合物からなる光塩基発生剤（Ｆ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ１）成分が、下記一般式（ｂ１−１）又は下記一般式（ｂ１−２）で表される化合物である請求項１記載のレジスト組成物。
【化３】

［式（ｂ１−１）中、ＸおよびＹ^１はそれぞれ前記と同じであり、Ｑ^２は単結合またはアルキレン基であり、ｍ０は０または１であり、Ａ^＋は有機カチオンである。］
【化４】

［式（ｂ１−２）中、Ｙ^１およびＡ^＋はそれぞれ前記と同じであり、Ｒ^Ｘは置換基（ただし、窒素原子は除く。）を有していてもよい脂肪族基であり、Ｒ^１はアルキレン基である。］
【請求項３】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分である請求項１または２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ１）を含み、該樹脂成分（Ａ１）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する請求項３記載のレジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項４記載のレジスト組成物。
【請求項６】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項４または５記載のレジスト組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１０−１２２４２１（Ｐ２０１０−１２２４２１Ａ）
【公開日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２９５３８５（Ｐ２００８−２９５３８５）
【出願日】平成２０年１１月１９日（２００８．１１．１９）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】