【課題】基板のエッジ領域の膜厚が、内側領域の膜厚に比べて厚くなる膜厚の盛りあがり現象の発生を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】スピンチャック４１に保持された基板Ｗの側方周囲を取り囲む円環板状の部材であって、その外周とカップ４３の内壁との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙Ｋ１を形成するとともに、その内周と基板Ｗの端面との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙Ｋ２を形成する部材（側方整流部材４５）を設ける。被処理基板Ｗの周囲には、基板Ｗの表面から側方整流部材４５の上面に沿って流れ、微小間隙Ｋ１を通って排気される気流ＡＲ１と、基板Ｗの表面に沿って流れ、微小間隙Ｋ２を通って排気される気流ＡＲ２とが形成される。その結果、基板Ｗのエッジ領域付近に形成される気流が安定し、膜厚の盛りあがりが生じにくくなる。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の溶解性が良好であり、優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるアルコール系有機溶剤を用いたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とが、有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、前記有機溶剤（Ｓ）がアルコール系有機溶剤であり、前記樹脂成分（Ａ）が、側鎖に、ＯＨ基を有する炭素数４〜６の環状エーテルを有する構成単位（ａ０−１）、側鎖に、ＯＨ基を有するアルキレン基または脂肪族環式基を有する構成単位（ａ０−２）、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】分子レジスト材料を用いたレジストパターンのパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】まず、基板の上に、酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、酸不安定基を含む分子化合物と、光酸発生剤とを含み、且つポリマーを含まないレジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、形成されたレジスト膜１０２に極紫外線よりなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、その後、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（Ｉ）［式中、Ｒ^５は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基であり、Ｑ^５は単結合又は２価の連結基である。］で表される基をカチオン部に有する化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
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【課題】 熱膨張係数が小さく、このために、基材との密着性の低下や基材の反り等が低減され、電気特性、解像度などが劣化することがない樹脂膜を与えることができるポジ型感光性ポリイミド前躯体組成物を提供する。
【解決手段】 ベンゾオキサゾール骨格とフェノール性水酸基を有するポリイミド前躯体、ビニルエーテル化合物、光酸発生剤とを主成分とするアルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パターン形成能を有する感光性樹脂。 （もっと読む）

【課題】露光ラチチュード、ラインエッジラフネス性能に優れた感活性光線または感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により式（Ｘ）で表される酸を発生する化合物、及び、（Ｂ）式（３）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。式中、各記号は所定の原子または置換基を表す。
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【課題】 微細パターンの加工ができ、得られた被膜の耐熱性と基材との線膨張係数が近接し、かつ高温でのイミド化を必要としない、アルカリ現像できるポジ型感光性ポリイミド組成物を提供する。
【解決手段】 （ａ）主鎖にベンゾオキサザールなどのベンゾアゾール骨格を有し、尚且つ分子鎖にＯＲ基（但し、Ｒは酸の作用で分解し、水素に変換し得る一価の有機基である）を含有するポリイミドと、光酸発生剤とを含有することを特徴とするポジ型感光性ポリイミド組成物。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される１〜４種類の環状化合物が９０％以上含まれる組成物。


［式中、８個のＲ^１は、ｍ個（ｍは０〜７から選択される１〜４種類の整数）の水酸基と、ｎ個（ｎは８−ｍの１〜４種類の整数）の水酸基以外の同一の置換基である。］ （もっと読む）

【課題】
レジストパターン形成時の露光におけるフォーカス深度マージンが広く、且つレジスト下層膜上に所望の形状のレジストパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
ヒドロキシ基を少なくとも表面に有するレジスト下層膜が形成された基板を用意し、前記レジスト下層膜の表面上にビニルエーテル類を含有する層を形成し、前記レジスト下層膜の表面からヒドロキシ基を消滅又は減少させる処理を行い、その後前記ビニルエーテル類を洗浄し、前記処理が行われたレジスト下層膜の表面上にレジスト膜を形成し、少なくとも前記レジスト膜に対し露光及び現像を行う、レジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】高感度及び高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】種々のクロルメチルエーテル化合物を、置換基前駆体化合物に１〜３種の塩基性有機化合物を縮合剤として添加する、下記式で代表される化合物の組成物の製造方法。
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【課題】耐アルカリ溶剤性を持つ硬化膜を作成する事が出来るポジ型感光性組成物を提供する。また、本発明の別の目的は、上記のポジ型感光性組成物から形成されたＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、コアやクラッド材などの硬化膜、およびその硬化膜を有する表示素子、半導体素子、固体撮像素子、光導波路などの素子を提供する。
【解決手段】（ａ）珪素原子に結合する水素原子を含まないポリシロキサン、（ｂ）ナフトキノンジアジド化合物、および（ｃ）溶剤を含有し、さらに（ｄ）下記一般式（１）で表されるイソシアヌレート基を有する化合物、もしくは（ｅ）イソシアヌレート基を有して珪素原子に結合する水素原子を含まないポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化１】


（式中、Ｒ¹は水素、または置換、無置換の炭素数１〜１０価の基を表す。） （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、１個または２個のフッ素原子を有する酸を発生する光酸発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト重合体を提供する。
【解決手段】式ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２Ｃ（Ｘ^Ａ）（Ｃ（Ｏ）ＯＺ^Ａ）（ＣＨ_２）_ｎａＣＲ^Ａ＝ＣＨＲ^Ａで表される化合物の重合により形成された繰り返し単位（Ａ）を含むレジスト重合体（ただし、Ｘ^Ａは水素原子、シアノ基または式−Ｃ（Ｏ）ＯＺ^Ａで表される基を示し、Ｚ^Ａは水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基を示し、ｎａは０、１または２を示し、Ｒ^Ａは水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基であって、２個のＲ^Ａは同一であってもよく異なっていてもよい。）。 （もっと読む）

【課題】 微細パターンの加工ができ、得られた被膜の耐熱性と基材との線膨張係数が近接し、かつ高温でのイミド化を必要としない、アルカリ現像できるポジ型感光性ポリイミド組成物を提供する。
【解決手段】 （ａ）主鎖にベンゾオキサザールなどのベンゾアゾール骨格を有し、且つ主鎖及び側鎖の少なくとも何れかにフェノール性水酸基を含有する特定の骨格を有する有機溶剤可溶性のポリイミド樹脂と、（ｂ）活性光線照射により酸を発生する化合物とを含有するポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】現像時、アルカリ現像液に対して均一に溶解するフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、その方法により得られるフォトレジスト用高分子化合物、及びそれを含むフォトレジスト用組成物を提供する。
【解決手段】エチレン性二重結合を有する２種以上の重合性化合物を、ラジカル重合することにより半導体素子製造向けフォトレジスト用高分子化合物を製造する方法において、内部に静的攪拌器を内蔵した管状反応器を用い、有機溶媒中に前記２種以上の重合性化合物を含有する混合溶液を連続的に通して重合することを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、その方法で得られるフォトレジスト用高分子化合物、並びにフォトレジスト用高分子化合物を含むフォトレジスト用組成物である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及び電子・電気回路に悪影響を及ぼす塩化物や低分子化合物等を含有せず、安価に製造でき、それより得られる膜は電気絶縁性、耐熱性、機械的強度等に優れ、且つ高解像度のパターンが形成可能であり、特に半導体又はプリント基板等の回路基板の保護膜又は絶縁膜として有用な硬化膜を形成し得る、ポリヒドロキシウレア樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表される構造単位を含み、重量平均分子量が３，０００乃至２００，０００である少なくとも１種ポリヒドロキシウレア樹脂と、（Ｂ）光により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。


（式中、Ｘは２価の脂肪族基、脂環式基又は芳香族基を表し、Ｙは少なくとも１つのヒドロキシ基で置換された芳香族基を含む２価の有機基を表し、Ｒａ〜Ｒｄは夫々独立して水素原子又は炭素原子数１乃至１０のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】フォトレジスト基材の材料を提供する。
【解決手段】純度が９０％以上の下記式（１）又は式（２）のいずれか一方のみで表される化合物。
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【課題】従来と同じプロセスで成膜可能で、その反射防止膜は効果的に露光光の反射を防止し、更に、高いドライエッチング速度を兼ね備え、微細パターン形成に有用である有機反射防止形成材料を提供する。
【解決手段】一般式(１)で示される繰り返し単位を１種以上有し、露光波長における消光係数(ｋ値)が０．０１〜０．４、屈折率(ｎ値)が１．４〜２．１の範囲の高分子化合物(Ａ)と、芳香環を有し、露光波長における消光係数(ｋ値)が０．３〜１．２の範囲の高分子化合物(Ｂ)とをそれぞれ１種以上含有する反射防止膜形成材料。
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【課題】ＬＷＲとＭＥＥＦとが良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（０）で表される酸を発生する少なくとも１種の化合物、および（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。
【化１】


一般式（０）において、Ｒ₁は、有機基を表す。Ｒ₂は、水素原子又は有機基を表す。Ｒ₁とＲ₂とが結合して単環若しくは多環構造を形成してもよい。Ａは、酸あるいは塩基の作用により分解する基を表す。ｎは１又は２を表す。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むレジスト組成物［式中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し；Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく；Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、水素原子の一部または全部が下記一般式（ｂ１−０１）で表される基で置換された置換アリール基であり；Ｘ⁻はアニオンであり；Ｒ^２０は塩基解離性部位を有する二価の基であり；Ｒ^３０は２価の連結基であり；Ｒ^４０は酸解離性基を有する基である。］。
［化１］
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