【課題】エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルデヒド基及び水酸基の少なくともいずれかを有するピレン骨格を含むノボラック樹脂と有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、酸発生剤成分（Ｂ）は式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有するレジスト組成物。［式中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基又はアルキル基を表し、少なくとも１つは水素原子の一部が式（ｂ１−０−０１）で表される基で置換された置換アリール基であり、Ｗは炭素数２〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。］
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【課題】新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、式（ｂ１−１）で表される化合物を含む酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物；式中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”はアリール基又はアルキル基を表し、その少なくとも１つは式（ｂ１−１−０）で表される基で置換された置換アリール基であり、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Ｘ^１０は炭素数１〜３０の炭化水素基、Ｑ^３は単結合又は２価の連結基、Ｙ^１０は−Ｃ（＝Ｏ）−又は−ＳＯ_２−、Ｙ^１１は炭素数１〜１０のアルキル基又はフッ素化アルキル基である。Ｗは炭素数２〜１０のアルキレン基である。］
［化１］
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【課題】塗布性に優れ、かつ感光特性等の感光性層間絶縁膜材料としての基本的性能が十分に高い感光性樹脂組成物、この組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、並びにこの方法により形成されるシリカ系被膜を備える半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材を提供する。
【解決手段】（ａ）成分：下記一般式（１）で表される化合物を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：（ａ）成分が溶解する溶媒と、（ｃ）成分：フェノール類又はアルコール類とナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化合物と、（ｄ）成分：界面活性剤とを含有する感光性樹脂組成物。


［式（１）中、Ｒ^１は有機基を示し、Ａは２価の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】パターン形状に優れると共に、硬化処理によるパターン変形がなく、半導体素子等の更なる高集積化や多層化に伴い要求されている低比誘電率の硬化パターンを形成することができるポジ型感放射線性組成物等を提供する。
【解決手段】本ポジ型感放射線性組成物は、（Ａ）下式（１）で表される加水分解性シラン化合物、及び下式（２）で表される加水分解性シラン化合物から選ばれる少なくとも一種の加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させて得られる重合体と、（Ｂ）感放射線性塩基発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有するものであって、ｐＨが酸性である。


〔式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基又はアルキルカルボニルオキシ基、Ｒ^１及びＲ^２は、各々１価の有機基、ａは１〜３の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、式（ｂ１−１）で表される化合物を含む酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物；式中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”はアリール基又はアルキル基を表し、その少なくとも１つは式（ｂ１−１−０）で表される基で置換された置換アリール基であり、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Ｘは炭素数３〜３０の炭化水素基、Ｑ^２は単結合又はアルキレン基、ｐは１〜３の整数である。Ｗは炭素数２〜１０のアルキレン基である。］
［化１］
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【課題】新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、式（ｂ１−１）で表される化合物を含む酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物；式中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”はアリール基又はアルキル基を表し、その少なくとも１つは式（ｂ１−１−０）で表される基で置換された置換アリール基であり、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Ｘは炭素数３〜３０の炭化水素基、Ｑ^１はカルボニル基を含む２価の連結基、ｐは１〜３の整数である。Ｗは炭素数２〜１０のアルキレン基である。］
［化１］
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【課題】本発明は、エッジリンス液の飛散の影響が小さく、種々の基板の載置状態に対して、基板のエッジ位置から一定の距離を有する位置に的確にエッジリンス液を供給し、基板の外周部から一定の幅でレジストを除去することができるエッジリンス方法及びエッジリンス機構を提供することを目的とする。
【解決手段】回転するステージ４０上に載置された基板の外周部上に、所定位置に設けられたノズル１０からエッジリンス液を供給して塗布されたレジストを除去するエッジリンス方法であって、
前記ステージ４０上で回転する前記基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出工程と、
該エッジ位置検出工程で検出された前記エッジ位置に基づいて、前記ノズル１０から供給される前記エッジリンス液が、前記エッジ位置から一定の距離を有する位置に供給されるように前記ステージ４０をスキャン移動させるエッジリンス液供給工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないポジ型感光性組成物、及び該ポジ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】特定構造の非環状アセタール構造単位を有する樹脂（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）とを含有するポジ型感光性組成物であって、前記特定構造の非環状アセタール構造単位を有する樹脂（Ａ）中の酸素原子数に対する炭素原子数の比は、２．３〜６．０であるポジ型感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】露光の際、効果的に反射を防止し、さらに段差基板上に塗布される際にも表面が平滑な膜を形成できるとともに、上層に塗布されるレジストとのインターミキシングが抑制され、さらに、露光部がアルカリ現像液により容易に除去可能な下層膜用重合体を提供する。
【解決手段】下層膜用重合体は、２以上のポリマー鎖が酸の作用により切断可能な官能基を含む連結基で結合されており、且つ吸光性基を有する繰り返し構造単位を少なくとも１種含有する架橋ポリマーからなる。この下層膜用重合体において、酸の作用により切断可能な官能基はアセタール構造を有しているのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い段差パターンを有する基板の表面に、適切なカバレッジ性を有してレジストを塗布することができるレジスト塗布方法を提供することを目的とする。
【解決手段】段差を有する基板Ｗの表面に、レジスト８０、８１を滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
前記基板Ｗを所定の回転速度で回転させ、前記レジスト８０、８１の滴下位置を、前記基板Ｗの外周側から中央に移動させながら供給するレジスト供給工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として好適な化合物からなる酸発生剤を含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び一般式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含む露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。
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【課題】レジスト材料の溶解性に優れた液浸露光用レジスト組成物、該液浸露光用レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法および当該液浸露光用レジスト組成物に用いる添加剤として有用な含フッ素化合物を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および含フッ素樹脂成分（Ｆ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、含フッ素樹脂成分（Ｆ）は、フッ素原子を含む構成単位（ｆ１）と、親水性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位（ｆ２）と、第３級アルキル基含有基又はアルコキシアルキル基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ｆ３）とを有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高価な合成石英フォトマスクを用いることなく高精細な感光性樹脂凸版を製造することができ、かつ、有機電子デバイスの製造コストを低減することを可能とすること。
【解決手段】本発明は、基材１０１と基材１０１の上に形成されている感光性樹脂層１０２とを具備するパターン転移媒体１００を用意する工程と、光照射手段及４０１及び光変調手段４０２を具備する露光ユニットとパターン転移媒体１００とを相対的に移動させて予め入力された情報に基づいて光照射手段４０１から放たれる光を光変調手段４０２により変調することで露光光のパターンを形成して感光性樹脂層１０２に対し照射を行う露光工程と、感光性樹脂層１０２のうち前記露光工程において露光光が照射されない領域を除去して感光性樹脂凸版を形成する現像工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないネガ型感光性組成物を提供する。また、本発明は、該ネガ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】非環状アセタール構造単位を有する（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）と、光重合開始剤（Ｂ）とを含有するネガ型感光性組成物であって、前記非環状アセタール構造単位を有する（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）は、特定の構造単位を有する樹脂であり、（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）中の酸素原子数に対する炭素原子数の比は、２．３〜６．０であるネガ型感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】
硬化性が高い一方、室温での保存安定性の悪いシロキサンポリマーを含む被膜形成用塗布液について、保存安定性を向上させる。
【解決手段】
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有すると共にシラノール基を有する重合体と、式Ｒ^１（ＯＣＨ_２ＣＨＣＨ_３）_ｎＯＣＯＣＨ_３（Ｒ^１は炭素数１乃至４のアルキル基を示し、ｎは１又は２を示す）で表される有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸を溶解可能な有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸とを含む被膜形成用塗布液を用いる。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
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【目的】 半導体ウェーハＷ等の下面周縁部のみを吸着しても撓みが発生し難い回転処理装置を提供する。
【構成】 吸引チャック５の上部形状は周縁部が内側部よりも高くなった皿状をなし、周縁部の上面には半導体ウェーハＷの製品とならない外縁部分を吸着するための吸引溝９が形成されている。この吸引溝９上に半導体ウェーハＷの下面周縁部の製品にならない部分が載置されるようにする。そして、吸引溝９を介して半導体ウェーハＷの下面周縁部を吸引する。吸引溝９は平面視で円形状をなすように形成されているため、半導体ウェーハＷの下面周縁部の全周が吸引され、撓みが発生し難い。 （もっと読む）

【課題】水の後退角が大きいレジスト膜を与えることが可能な重合体、及び、これを配合したフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】１分子内に少なくとも２個のトリフルオロメチル基と、式（１）で表される１価の不飽和環状基と、水酸基とを有する単量体に由来する構造単位を含有する重合体。酸の作用によりアルカリ可溶性に変化するフォトレジスト樹脂、酸発生剤、及び、前記重合体を含有するフォトレジスト組成物。


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