説明

レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤

【課題】新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、式(b1−1)で表される化合物を含む酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物;式中、R”〜R”はアリール基又はアルキル基を表し、その少なくとも1つは式(b1−1−0)で表される基で置換された置換アリール基であり、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Xは炭素数3〜30の炭化水素基、Qはカルボニル基を含む2価の連結基、pは1〜3の整数である。Wは炭素数2〜10のアルキレン基である。]
[化1]


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)は、下記一般式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化1】

[式(b1−1)中、R”〜R”はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基又はアルキル基を表し、R”〜R”のうち少なくとも1つは、水素原子の一部が下記一般式(b1−1−0)で表される基で置換された置換アリール基であり、R”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Xは置換基を有していてもよい炭素数3〜30の炭化水素基であり、Qはカルボニル基を含む2価の連結基であり、pは1〜3の整数である。]
【化2】

[式(b1−1−0)中、Wは炭素数2〜10の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。]
【請求項2】
前記基材成分(A)が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分である請求項1記載のレジスト組成物。
【請求項3】
前記基材成分(A)が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を含有する請求項2記載のレジスト組成物。
【請求項4】
前記樹脂成分(A1)が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有する請求項3記載のレジスト組成物。
【請求項5】
前記樹脂成分(A1)が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a3)を有する請求項3又は4記載のレジスト組成物。
【請求項6】
さらに、含窒素有機化合物成分(D)を含有する請求項1〜5のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項7】
支持体上に、請求項1〜6のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項8】
下記一般式(b1−1)で表される化合物。
【化3】

[式(b1−1)中、R”〜R”はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基又はアルキル基を表し、R”〜R”のうち少なくとも1つは、水素原子の一部が下記一般式(b1−1−0)で表される基で置換された置換アリール基であり、R”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Xは置換基を有していてもよい炭素数3〜30の炭化水素基であり、Qはカルボニル基を含む2価の連結基であり、pは1〜3の整数である。]
【化4】

[式(b1−1−0)中、Wは炭素数2〜10の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基である。]
【請求項9】
請求項8記載の化合物からなる酸発生剤。

【公開番号】特開2010−116351(P2010−116351A)
【公開日】平成22年5月27日(2010.5.27)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−291054(P2008−291054)
【出願日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】