【課題】高感度、高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記化合物（１）と、下記化合物（２）からなり、モル比率が化合物（１）：化合物（２）＝１５：８５〜７０：３０である組成物。
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【課題】感活性光線または感放射線性樹脂組成物、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィー用のレジスト組成物において、レジスト保存中に発生する酸によるレジスト性能の変化を抑制しつつ、超微細領域で高感度かつ露光ラチチュードの広いパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、酸の作用により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する構造を有する繰り返し単位（Ｂ）を有する樹脂（Ｐ）、および、塩基性化合物（Ｑ）を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物であり、該塩基性化合物（Ｑ）の１２０℃で１５分間保持した際の揮発量が１０質量％以上であることを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)および（２）で表される繰り返し単位と、カーボネート構造を有する繰り返し単位（３）をそれぞれ１種類以上含むことを特徴とする重合体（Ａ）、ならびに感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィにおいて、現像前のレジスト表面が親水性と疎水性の凸凹構造を持つことによる撥水化を抑制し、ムラなく均一に現像が進行するようにすることで、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを与え、かつアウトガス低減を同時に実現するパターン形成を可能とするリソグラフィ用基板被覆方法、およびこれに好適な感活性光線または感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上に、トップコート組成物を用いてトップコート層を形成する工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記感活性光線または感放射線性樹脂組成物として、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を、該組成物中の全固形分に対し少なくとも１０質量％含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いることを特徴とするリソグラフィ用基板被覆方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）シラノール基を有するポリシロキサンと、（Ｂ）２つ以上のオキセタニル基を有するオキセタニル基含有化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素化合物（Ｄ）を含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、下記一般式（ｄ１）［式中、Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基であり、Ｒ^５は置換基を有していてもよい炭化水素基である。］で表される化合物（Ｄ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
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【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲが小さく、現像時の溶け残りが少なく現像欠陥が発生し難い感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位（１）（Ｒ^１はメチル基等、Ｒ^２は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、一般式（２）で表される繰り返し単位（２）（Ｒ^３はメチル基等、Ｒ^４は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、及び環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位（３）を含む重合体（Ａ）と、感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。
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【課題】酸の拡散の選択性及び除去性に優れた酸転写樹脂膜が得られる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】イミノスルホネート系感放射線性酸発生剤、及び式（１）に示す構成単位を有する重合体、を含有する組成物。この組成物を用いてなる酸転写樹脂膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、上記酸転写樹脂膜としての第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。
【化１】
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【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】超薄膜のレジスト膜において、リソグラフィー特性が向上し、良好な形状の微細なレジストパターンを形成することができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）は少なくとも下記３成分の有機溶剤成分（Ｓ１）〜（Ｓ３）を含有し、かつ前記有機溶剤（Ｓ）中の有機溶剤成分（Ｓ１）〜（Ｓ３）の割合が、前記（Ｓ）成分を構成する全有機溶剤成分の合計に対して、それぞれ、５０〜９０質量％の範囲、５〜４０質量％の範囲、０．１〜１５質量％の範囲であることを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上できる新規なラクトン骨格を含む高分子化合物を提供。
【解決手段】下記式（Ｉ）


（式中、Ｒ^aは水素原子等を示し、Ａは炭素数１〜６のアルキレン基等を示し、Ｙは炭素数５以上の２価の有機基を示す）で表されるラクトン骨格を含むモノマー単位と、酸の作用により脱離してアルカリ可溶となるモノマー単位を含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】３００ｎｍ以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成するレジスト組成物のベース樹脂に矩形性のよいパターンが形成できる新規な酸性基を有する繰り返し単位を導入する。
【解決手段】下記一般式（２）で示される繰り返し単位（ａ）を含む重量平均分子量１，０００〜１，０００，０００の含フッ素高分子化合物。
【化】



（式中、Ｒ¹は重合性二重結合含有基、Ｒ²はフッ素原子または含フッ素アルキル基、Ｒ³及は水素原子、酸不安定性基、架橋基またはその他の一価の有機基、Ｗ¹は連結基を表す。） （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）テトラアルコキシシラン由来の構造単位（ａ１）、及びヘキサアルコキシジシラン由来の構造単位（ａ２）を含有しており、前記構造単位（ａ１）の含有割合を１００モル％とした場合に、前記構造単位（ａ２）の含有割合が１０〜３０モル％であるポリシロキサンと、（Ｂ）有機溶媒と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】レジストの解像度を損うことなく、レジストの感度を向上させることができるレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジスト組成物は、金属塩、樹脂、及び溶剤を含むことを特徴とする。金属塩がアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩のいずれかである態様、金属塩がセシウム塩である態様、金属塩の含有量が、樹脂に対し、５質量％〜５０質量％である態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高感度なポジ型のリソグラフィー性能を有し、かつ角のないパターン形状を形成可能な感光性樹脂組成物、該組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、並びに該硬化レリーフパターンを有してなる半導体装置を提供すること。
【解決手段】以下の：
（Ａ）アルカリ水溶液可溶性重合体１００質量部、
（Ｂ）光酸発生剤１〜５０質量部、及び
（Ｃ）置換基を有していてもよいベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環からなる化合物であって、そのα位に、ＯＨ基と少なくとも一つの電子供与基とを有し、かつ、ＯＨ基をその分子内に1つのみ有する化合物１〜３０質量部、
を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト用樹脂等に応用した場合に耐薬品性等の安定性を保持しつつ、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上しうる、高機能性高分子等のモノマー成分等として有用な新規なラクトン骨格を含む単量体を提供する。
【解決手段】下記式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^aは水素原子、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ¹はラクトン骨格を有する基を示し、Ｙは炭素数１〜６の２価の有機基を示す）
で表されるラクトン骨格を含む単量体。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、耐熱性の高いパターンを形成することができるパターン形成剤を提供すること。
【解決手段】一般式（１）：Ｒ^１Ｓｉ（ＯＲ^２）_３（式中、Ｒ¹は少なくとも１つのチオール基を有する炭素数１〜８の炭化水素基、または少なくとも１つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。）で示されるチオール基含有アルコキシシラン類（ａ１）を加水分解および縮合して得られるアルカリ処理で除去可能な縮合物（Ａ）および炭素−炭素２重結合を有する化合物（Ｂ）を含有するパターン形成剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】分子レジスト材料を用いたレジストパターンのパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】まず、基板の上に、酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、酸不安定基を含む分子化合物と、光酸発生剤とを含み、且つポリマーを含まないレジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、形成されたレジスト膜１０２に極紫外線よりなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、その後、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】塗布液の塗布時に発生する気泡を抑制して塗布液膜の均一化及び歩留まりの向上を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。 （もっと読む）