【課題】従来の感光性樹脂組成物では困難であった、光塩基発生剤による副生成物がなく、さらに高温キュアの必要がないアルカリ現像可能な感光性酸樹脂組成物及びそれを用いた回路基板を提供すること。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物は、光塩基発生剤（Ａ）とポリアミド酸（Ｂ）とを含有する感光性樹脂組成物であって、前記光塩基発生剤は、式（１）で表されるアシルオキシイミノ基を含有する化合物、であり、前記ポリアミド酸は主鎖中及び／又は末端に重合性基を持つポリアミド酸であることを特徴とする。
【化１】


（式中、Ｘ¹はアリーレン基であり、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ^１は芳香族基または炭素数が２以上のアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）が、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含むエステル基を有するアクリル酸系エステルで表される構成単位（ａ０−１）、および酸解離性の脂肪族単環式基を有するアクリル酸系エステル構成単位（ａ０−２）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】副生成物がなく、耐熱性が改善された光塩基発生剤、さらに高温キュアの必要がないアルカリ現像可能な感光性樹脂組成物及びそれを用いた回路基板を提供。
【解決手段】光塩基発生剤は、式（１）で表されるアシルオキシイミノ基を含有し、光による解裂部位を環状構造内に含む環状化合物を含有することを特徴とし、感光性樹脂組成物は、光塩基発生剤とポリアミド酸とを含有。


（式中、Ｘ¹は４価の有機基であり、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ^１は芳香族基または炭素数が１以上のアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】光塩基発生剤による副生成物がなく、さらに高温キュアの必要がないアルカリ現像可能な感光性樹脂組成物及びそれを用いた回路基板を提供する。
【解決手段】光塩基発生剤（Ａ）とポリアミド酸（Ｂ）とを含有する感光性樹脂組成物であって、前記光塩基発生剤は、式（１）で表されるアシルオキシイミノ基を含有する化合物、であり、前記ポリアミド酸は主鎖中及び／又は末端に重合性基を持つポリアミド酸である。


（式中、Ｘ¹は４価の有機基であり、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ^１は芳香族基または炭素数が１以上のアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】従来の感光性樹脂組成物では困難であった、光塩基発生剤による副生成物がなく、さらに高温キュアの必要がないアルカリ現像可能な感光性樹脂組成物及びそれを用いた回路基板を提供すること。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物は、光塩基発生剤（Ａ）とポリアミド酸（Ｂ）とを含有する感光性樹脂組成物であって、前記光塩基発生剤は、式（１）で表わされる光による解裂部位を環状構造内に含む環状化合物を含有することを特徴とする。
【化１】


（式中、Ｘ¹はアリーレン基であり、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ^１は芳香族基または炭素数が２〜５０のアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】より高感度でマスク忠実性の高い厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物と、当該フォトレジスト組成物を用いた厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、厚膜フォトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物であって、電磁波または粒子線を含む放射線照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）と、を含有する。酸発生剤（Ａ）は、カチオン成分としてジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムカチオンと、アニオン成分としてテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートアニオンとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光によるリソグラフィ工程において、アウトガスの発生を抑制し、かつ製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０上に減圧又は真空雰囲気下においてアウトガスを発生する膜１１及び１２を形成する工程と、前記膜上に前記膜が露出しないように、減圧又は真空雰囲気下において前記膜よりも単位面積あたりのアウトガスの発生量が少ないレジスト膜１３を形成する工程と、前記レジスト膜に対してＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光によるパターン光を照射し、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程と、前記レジスト膜及び前記膜、又は前記膜をマスクとして前記基板を加工する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】広い露光ラテテュード、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および（Ｃ）２種類以上の塩基性化合物を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（Ｒ_１は水素原子又はメチル基。Ｒ_２はハロゲン原子等。ｎは０〜５の整数。）
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【課題】エッチング耐性に優れた下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる繰り返し単位を有する化合物及び有機溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物。但し、下記一般式（１）中、Ｘは所定の基、ｎは０または１である。
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【課題】パターン膜を形成する現像工程において、高い残膜率を維持したまま、現像残渣がなく、高温ベーキング後においても平坦性、光透過率、耐溶剤性等の塗膜物性を損なうことなく、低誘電特性に優れた高解像度のパターン膜を形成することができる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】感光性樹脂組成物は、下記の成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）からなり、各成分の構成割合が（Ａ）１００質量部に対して（Ｂ）５〜５０質量部及び（Ｃ）１〜４０質量部に設定されている。成分（Ａ）：フマル酸ジエステル単量体から誘導される構成単位（ａ１）、芳香族ビニル単量体から誘導される構成単位（ａ２）、α，β−不飽和カルボン酸単量体から誘導される構成単位（ａ３）及び（メタ）アクリル酸エステル単量体から誘導される構成単位（ａ４）からなる共重合体。成分（Ｂ）：キノンジアジド基を有する感光剤。成分（Ｃ）：２個以上のエポキシ基を有する硬化剤。 （もっと読む）

【課題】広い露光ラテテュード、パターン裾引き低減、良好なパターン形状、優れたドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、及び（Ｂ）２種類以上の、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
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【課題】十分な減衰係数及びエッチング選択性を有し、かつ室温においても高い溶解性を有するレジスト下層膜形成組成物の提供。
【解決手段】下記式（１）：


で表される繰返し単位構造を有するポリマー及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。〔式中、Ａｒはベンゼン環を表し、Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４、Ａ_５及びＡ_６はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を表し、Ｑは２つの炭素原子間の二価の有機基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】低熱膨張係数（低ＣＴＥ）、低残留応力、及び強靭性（高伸度）であり、有機溶剤及びアルカリ水溶液に対する溶解性に優れたポリマーを提供する。
【解決手段】下記式（１）の繰り返し単位及び式−［−ＮＨＣＯＺＣＯＮＨＹ（ＯＨ）_２−］−の繰り返し単位を有するポリイミドポリアミド共重合体。
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【課題】良好なパターン形状を得ることが可能で、焦点深度に優れ、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液との後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】所定の繰り返し単位を含む第一の重合体（Ａ）と、酸の作用により解離する酸解離性官能基を有し、前記酸解離性官能基が解離してアルカリ可溶性となる第二の重合体（Ｂ）と、感放射線性酸発生剤（Ｃ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンを形成するためにレジスト膜と基板との密着性を良好に維持しつつも、レジスト膜の現像後の残渣の発生を少なく抑えることができるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）感光剤、及び所定の（Ｃ）ベンゾトリアゾール系化合物を含有するポジ型レジスト組成物は、所定のベンゾトリアゾール系化合物を含有するため、レジスト膜と基板との密着性が良好に維持され、微細なレジストパターンを形成可能であると共に、レジスト膜の現像後においても、残渣の発生を少なく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、および良好なラインエッジラフネスを同時に満足するパターンを形成可能な感活性光線または感放射線性樹脂組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）製膜により膜表面に偏在する化合物、を含有することを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】塗布液の有効利用及び塗布液膜の均一化を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。塗布液と純水とを混合する工程と塗布液膜を形成する工程の時間比率を１：３〜３：１の範囲内に制御して塗布液ＴＡＲＣの吐出量を設定する。 （もっと読む）

【課題】スリット塗布を行った後減圧乾燥または真空乾燥による方法を用いることなく自然乾燥した場合にも、短時間の乾燥で、塗布ムラがなく、塗布膜厚が均一で、露光、現像後のレジストパターンの形状が良好な感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】感光性樹脂組成物として、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、キノンジアジド基を含んだ感光剤およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ａ）と沸点が１４５℃以下かつ酢酸ｎ−ブチル蒸発速度が５０以上の溶剤（Ｂ）との混合溶剤を含む感光性樹脂組成物を用い、これを基板上にスリットコーティングし、減圧乾燥または真空乾燥による方法を用いることなく乾燥し、その後露光、現像することによりレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】広い露光ラチチュード、広いデフォーカスラチチュード、良好なパターン形状を得ることができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される各繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有してなり、成分（Ｂ）の化合物として、少なくともカルボン酸を発生する非イオン性化合物を含む２種以上の化合物を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
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