【課題】フォトレジストに配合してもフォトレジストの硬化に悪影響を与えず、硬化したフォトレジストの耐エッチング性が良好で、更に発泡性の少ないフォトレジスト用の分散剤を提供すること。
【解決手段】下記の一般式（１）で表されるフォトレジスト用反応性分散剤。


（式中、Ｒは酸素原子及び／または窒素原子が入ってもよい炭素数８〜２２の炭化水素基を表し、Ｘは炭素数２〜４のアルキレン基を表し、ｍは２〜１００の数を表し、ｎは１または２の数を表し、Ｙは水素原子、アクリル基、メタクリル基のいずれかを表す。ただし、（ＸＯ）_ｍ中のオキシエチレン基の割合は５０質量％以上であり、Ｙはアクリル基またはメタクリル基のいずれかが１つ以上入っていなければならない。） （もっと読む）

【課題】高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基、及び、ジアゾ基を少なくとも１つずつ有する化合物（Ｎ）を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ｐ１）を含むレジスト保護膜材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^2a及びＲ^2bは水素原子、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ^2aとＲ^2bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成することもできる。Ｒ³は単結合、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ⁴は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基であり、−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでもよい。）
【効果】上記レジスト保護膜材料はヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護された構造を含み、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有する。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基、及び、ニトロ基を少なくとも１つずつ有する化合物（Ｎ）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を形成する際の基板の反りが抑えられ、且つ優れた解像性、電気絶縁性等を有するポジ型感光性絶縁樹脂組成物、及びこれが硬化されてなる硬化物を提供する。
【解決手段】本発明のポジ型感光性絶縁樹脂組成物は、（Ａ）下記式（１）で表される構造単位（ａ１）と、下記式（２）で表される構造単位（ａ２）とを有するブロック共重合体、（Ｂ）架橋剤、（Ｃ）キノンジアジド基含有化合物、（Ｄ）溶剤、を含有する。


［式（１）のＲ^１は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、式（２）のＲ^２及びＲ^３は炭素数１〜４のアルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】高感度で、ポリイミド前駆体の種類を問わず溶解性コントラストを得られ、結果的に十分なプロセスマージンを保ちつつ、形状が良好なパターンを得ることができる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される光塩基発生剤、及びポリイミド前駆体を含有する、感光性樹脂組成物。


（各符号は、明細書中で定義したとおりである。） （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜できる感放射線性樹脂組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、樹脂と、式（ｂ１）の酸発生剤と、低分子化合物とを含有しており、該低分子化合物は、式（ｃ１）の化合物、窒素原子を２個有する化合物、窒素原子を３個以上有する化合物等のうちの１種である。
（もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する光酸発生剤及び、そのような光酸発生剤を含有するレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする光酸発生剤を用いることによって、前記課題は解決する。
【化１０２】


（式中、ｎは１〜１０の整数を示す。Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基、又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。）。このような光酸発生剤を使用して形成されたレジストパターンは基板密着性、エッチング耐性においても優れた性能を発揮する。
（もっと読む）

【課題】９０ｎｍ以下の短波長の光源を用いた微細なレジストパターンの形成に対応することができ、解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好で、パターン倒れ耐性および欠陥性能に優れ、液浸露光工程においても好適に用いられる。
【解決手段】側鎖にアダマンチルラクトンを有する繰り返し単位（ａ−１）、および酸解離性基を有する繰り返し単位（ａ−２）を含む樹脂（Ａ）と、特定構造のスルホニウム塩を含む感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能な感光性レジスト組成物、及び該感光性レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）主鎖にエーテル結合及びフッ素原子を有する樹脂、を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】放射線に対し高い感度を有し、密着性、高耐熱性、解像度、高透過率、高信頼性の層間絶縁膜を形成でき、またマイクロレンズの形成に用いる場合にあっては高い透過率と良好なメルト形状を有するマイクロレンズを形成でき、保存安定性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（Ａ）共重合体、（Ｂ）１，２−キノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹脂組成物であって、（Ａ）共重合体が、（ａ１）不飽和カルボン酸及び／又は不飽和カルボン酸無水物、並びに（ａ２）エポキシ基含有不飽和化合物を含む単量体を、下記式（１）で表される化合物の存在下で重合する工程を経て製造された共重合体を含む感放射線性樹脂組成物によって達成される。
【化１】



〔式（１）において、Ｚ^１およびＺ² は相互に独立に炭素数４〜１８のアルキル基または置換されていてもよいベンジル基を示す。〕 （もっと読む）

【解決手段】(Ａ)一般式(１)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(Ｂ)ラクトン環及び／又は水酸基及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(Ｃ)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(Ｄ)有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明のレジスト材料は、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂構造の選択により液浸リソグラフィーにおける各種性能の調整が可能で、入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ジアゾ基及び酸基を有する化合物（Ｎ）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハとその上に形成される膜との密着性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に下地膜１３を形成する工程と、半導体ウェーハ１０と下地膜１３との間にそれら両者の反応層１４を形成するベーク処理を行う工程と、下地膜１３を除去して反応層１４のみを半導体ウェーハ１０上に残すウェット処理を行う工程と、反応層１４上にレジスト膜１５を形成する工程と、レジスト膜１５に対する選択的露光及び現像を行いレジスト膜１５を選択的に除去しレジスト膜１５をパターニングする工程と、パターニングされたレジスト膜１５をマスクにして半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高感度で、ポリイミド前駆体の種類を問わず溶解性コントラストを得られ、結果的に十分なプロセスマージンを保ちつつ、形状が良好なパターンを得ることができる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される光塩基発生剤、及びポリイミド前駆体を含有する、感光性樹脂組成物。


（Ａｒは、特定のアントラセニル基、特定のアントラキノリル基、又は特定のピレニル基のいずれかであり、他の各符号は、明細書中で定義したとおりである。） （もっと読む）

【課題】ＬＷＲとＭＥＥＦとが良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（０）で表される酸を発生する少なくとも１種の化合物、および（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。
【化１】


一般式（０）において、Ｒ₁は、有機基を表す。Ｒ₂は、水素原子又は有機基を表す。Ｒ₁とＲ₂とが結合して単環若しくは多環構造を形成してもよい。Ａは、酸あるいは塩基の作用により分解する基を表す。ｎは１又は２を表す。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むレジスト組成物［式中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し；Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく；Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、水素原子の一部または全部が下記一般式（ｂ１−０１）で表される基で置換された置換アリール基であり；Ｘ⁻はアニオンであり；Ｒ^２０は塩基解離性部位を有する二価の基であり；Ｒ^３０は２価の連結基であり；Ｒ^４０は酸解離性基を有する基である。］。
［化１］
（もっと読む）

【課題】絶縁膜を形成する際の基板の反りが抑えられ、且つ優れた解像性、電気絶縁性等を有するネガ型感光性絶縁樹脂組成物、及びこれが硬化されてなる硬化物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表される構造単位（ａ１）と、下記式（２）で表される構造単位（ａ２）とを有するブロック共重合体、（Ｂ）分子中に２個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物（ｂ１）、オキシラン環含有化合物（ｂ２）及びオキセタニル環含有化合物（ｂ３）から選ばれる少なくとも１種の化合物、（Ｃ）光感応性酸発生剤、（Ｄ）溶剤を含有するネガ型感光性絶縁樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】本発明は、焦点深度を広げることが可能な上層反射防止膜、該上層反射防止膜を形成するための上層反射防止膜形成用組成物および該上層反射防止膜を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体、
（Ｂ）ヒドロキシル基を有する３級アミン化合物及び
（Ｃ）水
とを含有することを特徴とする上層反射防止膜形成用組成物。
【化１】


〔一般式（１）において、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^２は、直接結合、−ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−Ａ−、又は−ＣＯＮＨ−Ａ−を示し、Ａは炭素数１〜８の２価の炭化水素基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好な化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）と感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有し、樹脂（Ａ）は第１の樹脂（Ａ１）１００質量部に対して、第２の樹脂（Ａ２）を０．１〜２０質量部含有する混合重合体であり、第１の樹脂（Ａ１）が酸の作用によりアルカリ可溶性となり、且つフッ素原子を含まない重合体であり、第２の樹脂（Ａ２）が側鎖にノルボルナンラクトンエーテル基を有する繰り返し単位（ａ２−１）と、フッ素原子を含有する繰り返し単位（ａ２−２）とを含む。 （もっと読む）