【課題】微細なレジストパターンを形成するためにレジスト膜と基板との密着性を良好に維持しつつも、レジスト膜の現像後の残渣の発生を少なく抑えることができるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）感光剤、及び所定の（Ｃ）ベンゾトリアゾール系化合物を含有するポジ型レジスト組成物は、所定のベンゾトリアゾール系化合物を含有するため、レジスト膜と基板との密着性が良好に維持され、微細なレジストパターンを形成可能であると共に、レジスト膜の現像後においても、残渣の発生を少なく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、および良好なラインエッジラフネスを同時に満足するパターンを形成可能な感活性光線または感放射線性樹脂組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）製膜により膜表面に偏在する化合物、を含有することを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】塗布液の有効利用及び塗布液膜の均一化を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。塗布液と純水とを混合する工程と塗布液膜を形成する工程の時間比率を１：３〜３：１の範囲内に制御して塗布液ＴＡＲＣの吐出量を設定する。 （もっと読む）

【課題】スリット塗布を行った後減圧乾燥または真空乾燥による方法を用いることなく自然乾燥した場合にも、短時間の乾燥で、塗布ムラがなく、塗布膜厚が均一で、露光、現像後のレジストパターンの形状が良好な感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】感光性樹脂組成物として、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、キノンジアジド基を含んだ感光剤およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ａ）と沸点が１４５℃以下かつ酢酸ｎ−ブチル蒸発速度が５０以上の溶剤（Ｂ）との混合溶剤を含む感光性樹脂組成物を用い、これを基板上にスリットコーティングし、減圧乾燥または真空乾燥による方法を用いることなく乾燥し、その後露光、現像することによりレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】広い露光ラチチュード、広いデフォーカスラチチュード、良好なパターン形状を得ることができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される各繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有してなり、成分（Ｂ）の化合物として、少なくともカルボン酸を発生する非イオン性化合物を含む２種以上の化合物を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】有機溶剤への溶解性に優れ、良好なリソグラフィー特性を示す高分子化合物、当該高分子化合物を用いたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）及び酸発生剤成分（Ｂ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、基材成分（Ａ）が、スルホニル基を含む環式基を側鎖に含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）と、特定構造を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ５）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な形状で、ＬＷＲの小さいレジストパターンを形成でき、基板とのマッチングが良好なポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材として利用できる高分子化合物、およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、末端にカルボキシル基を有する脂肪族炭化水素基を側鎖に含む特定のアクリル酸系エステルから誘導される構成単位（ａ０）、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基がエステル結合した脂肪族炭化水素基を側鎖に含む特定のアクリル酸系エステルから誘導される構成単位（ａ５）及び酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用される高分子化合物の原料として有用な新規重合性化合物、それに対応するユニットを有する高分子化合物であり、溶剤溶解性、現像液への親和性に優れた高分子化合物および該高分子化合物を製造する為の新規重合性化合物を提供する。
【解決手段】溶剤溶解性、現像液への親和性に優れた高分子化合物および該高分子化合物を製造する為の特定のラクトン構造を有する新規重合性化合物。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程、平版印刷版、酸硬化性組成物に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、ＤＯＦ、現像欠陥が改良された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤への溶解性と、支持体への塗布性のいずれも優れたポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、（Ａ）成分は、特定の４種の構成単位を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、（Ｓ）成分は、アルコール系有機溶剤（Ｓ１）６０〜９９質量％と、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びシクロヘキサノンからなる群から選択される少なくとも一種の有機溶剤（Ｓ２）１〜４０質量％とを含有する。 （もっと読む）

【課題】良好な形状で、ＬＷＲの小さいレジストパターンを形成でき、基板とのマッチングが良好なポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、末端にカルボキシル基を有する脂肪族炭化水素基を含む特定のアクリル酸系エステルから誘導される構成単位（ａ０）、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を少なくとも２種、及びラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】溶解コントラストが大きく、高解像度で且つ焦点深度にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）下式（ａ−１）で表される繰り返し単位、環状炭酸エステル構造を含む繰り返し単位、及び、酸で脱保護可能な保護基を含む繰り返し単位を含有し、且つアルカリ不溶性樹脂であって、前記保護基が脱離した際、アルカリ可溶性となる樹脂と、（Ｂ）酸発生剤とを含む。
（もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布、溶剤除去するレジスト膜形成工程、クロムレスのシフターが配列された位相シフトマスクを用い高エネルギー線で露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させた後、現像しポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、架橋形成により有機溶剤耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、解像性やプロセスマージンが拡大し、スループットが高く、ドライ現像のためのエッチング装置が不要で、ダブルダイポールリソグラフィーと同等の解像力が得られる。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、レジスト膜を形成する工程、高エネルギー線のパターンを露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させ、現像してポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋形成し、ポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、スペースパターン形成工程、スペースパターンを縮小させる工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターンにダメージを与えることなく、間隙に反転用膜形成用組成物を埋め込み、簡易かつ高精度にポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】カルボキシル基を有するカリックスレゾルシナレン化合物を、少ない反応工程で得られる製造方法を提供する。
【解決手段】酸触媒下、下記式（１）で表わされるアルデヒド化合物と、下記式（２）で表わされる芳香族化合物を縮合反応させる工程を含む、下記式（３）で表わされる環状化合物の製造方法。
（もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、溶剤除去するレジスト膜形成工程、格子状のシフターが配列された位相シフトマスクを用い高エネルギー線で露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させた後、現像しポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、架橋形成により有機溶剤耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、解像性やプロセスマージンが拡大し、スループットが高く、ドライ現像のためのエッチング装置が不要で、ダブルダイポールリソグラフィーと同等の解像力が得られる。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物の基材成分として新規な高分子化合物、そのモノマー、及び当該高分子化合物を含有するレジスト組成物とそれを用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、基材成分（Ａ）が、側鎖に、環骨格中にスルホニル基を含む環式基を有するエステル基を有する（メタ）アクリル誘導体単位で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ０）を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素化合物（Ｄ）を含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、下記一般式（ｄ１）［式中、Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基であり、Ｒ^５は置換基を有していてもよい炭化水素基である。］で表される化合物（Ｄ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
（もっと読む）

【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲが小さく、現像時の溶け残りが少なく現像欠陥が発生し難い感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位（１）（Ｒ^１はメチル基等、Ｒ^２は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、一般式（２）で表される繰り返し単位（２）（Ｒ^３はメチル基等、Ｒ^４は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、及び環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位（３）を含む重合体（Ａ）と、感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。
（もっと読む）