ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
【課題】有機溶剤への溶解性と、支持体への塗布性のいずれも優れたポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、（Ａ）成分は、特定の４種の構成単位を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、（Ｓ）成分は、アルコール系有機溶剤（Ｓ１）６０〜９９質量％と、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びシクロヘキサノンからなる群から選択される少なくとも一種の有機溶剤（Ｓ２）１〜４０質量％とを含有する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、（Ａ）成分は、特定の４種の構成単位を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、（Ｓ）成分は、アルコール系有機溶剤（Ｓ１）６０〜９９質量％と、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びシクロヘキサノンからなる群から選択される少なくとも一種の有機溶剤（Ｓ２）１〜４０質量％とを含有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）は、
下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）と、
酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）と、
ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、
下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記有機溶剤（Ｓ）は、
アルコール系有機溶剤（Ｓ１）と、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びシクロヘキサノンからなる群から選択される少なくとも一種の有機溶剤（Ｓ２）とを含有し、かつ、
有機溶剤（Ｓ）における有機溶剤（Ｓ１）の割合が６０〜９９質量％であり、
有機溶剤（Ｓ）における有機溶剤（Ｓ２）の割合が１〜４０質量％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
［式（ａ０−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｙ１は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基であり、Ｚは１価の有機基であり；ａは１〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、かつ、ａ＋ｂ＝１〜３であり；ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ独立して０〜３の整数である。］
【化２】
［式（ａ５−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｙ３は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基であり；ｇ、ｈはそれぞれ独立して０〜３の整数であり；ｉは１〜３の整数である。］
【請求項２】
支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むポジ型レジストパターン形成方法において、
前記第二のレジスト膜を形成するために用いられるポジ型レジスト組成物である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記構成単位（ａ０）の割合が、前記樹脂成分（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して１０〜５０モル％である請求項１又は２記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
前記構成単位（ａ１）の割合が、前記樹脂成分（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して１０〜６０モル％である請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記構成単位（ａ２）の割合が、前記樹脂成分（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して５〜３５モル％である請求項１〜４のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記構成単位（ａ５）の割合が、前記樹脂成分（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して１０〜３０モル％である請求項１〜５のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
支持体上に、
ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、
前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、
前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、請求項１〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、
前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法。
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）は、
下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）と、
酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）と、
ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、
下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記有機溶剤（Ｓ）は、
アルコール系有機溶剤（Ｓ１）と、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びシクロヘキサノンからなる群から選択される少なくとも一種の有機溶剤（Ｓ２）とを含有し、かつ、
有機溶剤（Ｓ）における有機溶剤（Ｓ１）の割合が６０〜９９質量％であり、
有機溶剤（Ｓ）における有機溶剤（Ｓ２）の割合が１〜４０質量％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
［式（ａ０−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｙ１は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基であり、Ｚは１価の有機基であり；ａは１〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、かつ、ａ＋ｂ＝１〜３であり；ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ独立して０〜３の整数である。］
【化２】
［式（ａ５−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｙ３は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基であり；ｇ、ｈはそれぞれ独立して０〜３の整数であり；ｉは１〜３の整数である。］
【請求項２】
支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むポジ型レジストパターン形成方法において、
前記第二のレジスト膜を形成するために用いられるポジ型レジスト組成物である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記構成単位（ａ０）の割合が、前記樹脂成分（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して１０〜５０モル％である請求項１又は２記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
前記構成単位（ａ１）の割合が、前記樹脂成分（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して１０〜６０モル％である請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記構成単位（ａ２）の割合が、前記樹脂成分（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して５〜３５モル％である請求項１〜４のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記構成単位（ａ５）の割合が、前記樹脂成分（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して１０〜３０モル％である請求項１〜５のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
支持体上に、
ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、
前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、
前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、請求項１〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、
前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法。
【公開番号】特開２０１０−１７００５５（Ｐ２０１０−１７００５５Ａ）
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４７１２（Ｐ２００９−１４７１２）
【出願日】平成２１年１月２６日（２００９．１．２６）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２６日（２００９．１．２６）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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