説明

Fターム[2H025AC08]の内容

フォトレジストの材料 (104,520) | 露光エネルギーの種類 (10,978) | その他の高エネルギー線 (6,993) | レーザー光 (3,455)

Fターム[2H025AC08]に分類される特許

61 - 80 / 3,455


【課題】超微細領域での、特に、電子線、X線またはEUV光リソグラフィにおいて、現像前のレジスト表面が親水性と疎水性の凸凹構造を持つことによる撥水化を抑制し、ムラなく均一に現像が進行するようにすることで、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを与え、かつアウトガス低減を同時に実現するパターン形成を可能とするリソグラフィ用基板被覆方法、およびこれに好適な感活性光線または感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上に、トップコート組成物を用いてトップコート層を形成する工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記感活性光線または感放射線性樹脂組成物として、(B)活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を、該組成物中の全固形分に対し少なくとも10質量%含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いることを特徴とするリソグラフィ用基板被覆方法。 (もっと読む)


【解決手段】ヒドロキシナフチル基及び/又はヒドロキシアセナフチレンを有する繰り返し単位と酸によりアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料で基板上に第1のレジスト膜を形成し、加熱処理後に上記レジスト膜を露光、現像し、その後高エネルギー線照射により第1のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第2のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第2のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第2のレジスト膜を露光、現像する工程を有するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第1のポジ型レジスト材料を用い第1パターンを形成後、波長200nmを超え320nm以下の高エネルギー線による架橋反応によりアルカリ現像液とレジスト溶液に不溶化する。その上に第2のレジスト材料で第2パターンを形成することでパターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行える。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも3層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも3層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を300℃を超え、600℃以下の温度で、10秒〜600秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)、および含窒素化合物(D)を含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物(D)が、アンモニウム塩化合物であって、アニオンが、下記式(d1−1)〜(d1−3)のいずれかで表されるアニオンであることを特徴とするレジスト組成物。
(もっと読む)


【課題】感活性光線または感放射線性樹脂組成物、特に、電子線、X線またはEUV光リソグラフィー用のレジスト組成物において、レジスト保存中に発生する酸によるレジスト性能の変化を抑制しつつ、超微細領域で高感度かつ露光ラチチュードの広いパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位(A)と、酸の作用により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する構造を有する繰り返し単位(B)を有する樹脂(P)、および、塩基性化合物(Q)を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物であり、該塩基性化合物(Q)の120℃で15分間保持した際の揮発量が10質量%以上であることを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】焦点深度が広く、LWR及びMEEFが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)および(2)で表される繰り返し単位と、カーボネート構造を有する繰り返し単位(3)をそれぞれ1種類以上含むことを特徴とする重合体(A)、ならびに感放射線性酸発生剤(B)を含有する感放射線性樹脂組成物。
(もっと読む)


【課題】 超微細領域での、特に、電子線、X線またはEUV光リソグラフィにおいて、現像前のレジスト表面が親水性と疎水性の凸凹構造を持つことによる撥水化を抑制し、ムラなく均一に現像が進行するようにすることで、抜け性の向上による高解像性とアウトガス低減を同時に実現するパターン形成を可能とするリソグラフィ用基板被覆方法、及びその方法に用い得るポジ型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 リソグラフィプロセスにおいて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上にトップコート層を設ける工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記膜が、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位(A)を有する樹脂(P)を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とする、リソグラフィ用基板被覆方法。 (もっと読む)


【課題】波長365nmや405nmの光に対する感度が高く、経時安定性に優れ、加熱経時による着色が抑制された硬化膜を形成可能な感光性組成物の提供。
【解決手段】(A)重合性化合物、(B)バインダー樹脂及び(C)オキシムエステル化合物と一般式(1)〜(4)で示される化合物から選択された少なくとも1種の化合物とを含む光重合開始系を含む感光性組成物。
(もっと読む)


【課題】波長365nmや405nmの光に対する感度が高く、経時安定性に優れ、現像性が良好な感光性組成物、およびカラーフィルタ用着色感光性組成物を提供する。
【解決手段】(A)重合性化合物、(B)バインダー樹脂、および(C)光重合開始系を含み、該(C)光重合開始系が、(C−1)オキシムエステル化合物と、(C−2)増感剤と、(C−3)下記一般式(1)〜(4)から選ばれた少なくとも1種以上の化合物とを含有する感光性組成物。
(もっと読む)


【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ10上に第1の反射防止膜11を形成する工程と、第1の反射防止膜11上に第2の反射防止膜12を形成する工程と、第2の反射防止膜12上にレジスト膜13を形成する工程と、レジスト膜13を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜13及び反射防止膜11、12を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜13のパターンをマスクに半導体ウェーハ10に対する処理を行う工程とを備え、第1の反射防止膜11の感光剤濃度は第2の反射防止膜12の感光剤濃度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】耐薬品性、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び/又は加水分解後の水に対する溶解性を向上できる新規なラクトン骨格を含む高分子化合物を提供。
【解決手段】下記式(I)


(式中、Raは水素原子等を示し、Aは炭素数1〜6のアルキレン基等を示し、Yは炭素数5以上の2価の有機基を示す)で表されるラクトン骨格を含むモノマー単位と、酸の作用により脱離してアルカリ可溶となるモノマー単位を含む高分子化合物。 (もっと読む)


【課題】300nm以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成するレジスト組成物のベース樹脂に矩形性のよいパターンが形成できる新規な酸性基を有する繰り返し単位を導入する。
【解決手段】下記一般式(2)で示される繰り返し単位(a)を含む重量平均分子量1,000〜1,000,000の含フッ素高分子化合物。
【化】



(式中、R1は重合性二重結合含有基、R2はフッ素原子または含フッ素アルキル基、R3及は水素原子、酸不安定性基、架橋基またはその他の一価の有機基、W1は連結基を表す。) (もっと読む)


【解決手段】被加工基板上に酸不安定基を有する繰り返し単位を有し、酸不安定基の脱離によりアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物でレジスト膜を形成する工程、該膜に高エネルギー線の繰り返し密集パターンを露光し、未露光部を露光、加熱し、発生酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応させた後、現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光又は加熱して、樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋を形成させてポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成工程、上記架橋形成ポジ型パターンを溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたレジストパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターン上に反転用膜を成膜し、パターンにダメージを与えずにポジ型パターンの間隙に反転用膜形成用材料を埋め込められ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行える。 (もっと読む)


【課題】超薄膜のレジスト膜において、リソグラフィー特性が向上し、良好な形状の微細なレジストパターンを形成することができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを有機溶剤(S)に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤(S)は少なくとも下記3成分の有機溶剤成分(S1)〜(S3)を含有し、かつ前記有機溶剤(S)中の有機溶剤成分(S1)〜(S3)の割合が、前記(S)成分を構成する全有機溶剤成分の合計に対して、それぞれ、50〜90質量%の範囲、5〜40質量%の範囲、0.1〜15質量%の範囲であることを特徴とするレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】レジスト用樹脂等に応用した場合に耐薬品性等の安定性を保持しつつ、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び/又は加水分解後の水に対する溶解性を向上しうる、高機能性高分子等のモノマー成分等として有用な新規なラクトン骨格を含む単量体を提供する。
【解決手段】下記式(1)
【化1】


(式中、Raは水素原子、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示し、R1はラクトン骨格を有する基を示し、Yは炭素数1〜6の2価の有機基を示す)
で表されるラクトン骨格を含む単量体。 (もっと読む)


【課題】保存安定性に優れており、Si含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、(A)テトラアルコキシシラン由来の構造単位(a1)、及びヘキサアルコキシジシラン由来の構造単位(a2)を含有しており、前記構造単位(a1)の含有割合を100モル%とした場合に、前記構造単位(a2)の含有割合が10〜30モル%であるポリシロキサンと、(B)有機溶媒と、を含有するものである。 (もっと読む)


【課題】レジスト材料の溶解性が良好であり、優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるアルコール系有機溶剤を用いたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とが、有機溶剤(S)に溶解してなり、前記有機溶剤(S)がアルコール系有機溶剤であり、前記樹脂成分(A)が、側鎖に、OH基を有する炭素数4〜6の環状エーテルを有する構成単位(a0−1)、側鎖に、OH基を有するアルキレン基または脂肪族環式基を有する構成単位(a0−2)、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】分子レジスト材料を用いたレジストパターンのパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】まず、基板の上に、酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、酸不安定基を含む分子化合物と、光酸発生剤とを含み、且つポリマーを含まないレジスト材料からレジスト膜102を形成する。続いて、形成されたレジスト膜102に極紫外線よりなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜102を加熱し、その後、加熱されたレジスト膜102に対して現像を行って、レジスト膜102からレジストパターン102aを形成する。 (もっと読む)


【課題】 画素の透過率を低下させることなく、またコントラスト比制御や色相制御との両立を保ちつつ、リタデーションを効果的に低減できるカラーフィルタ用着色樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 (A)顔料、(B)分散剤、(C)バインダ樹脂、(E)重合性モノマー、(F)光重合開始剤系を含有するカラーフィルタ用着色樹脂組成物であって、(A)顔料が、C.I.ピグメントグリーン58を含有し、(C)バインダ樹脂が、重量平均分子量Mw及び二重結合当量が特定の範囲内にある樹脂((C−0)樹脂)を含有してなるカラーフィルタ用着色樹脂組成物、及びその用途。 (もっと読む)


【課題】高い解像性で、LWRが小さく、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、側鎖にヒドロキシ基含有ナフタレン誘導体基を有する構成単位(a10)、側鎖に酸解離性基を有する構成単位(a11)および側鎖に酸解離性基含有エステル基を有する構成単位(a12)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


61 - 80 / 3,455