【課題】シリケート処理が施されていないアルミニウム支持体を有するネガ型感光性平版印刷版の現像に最適である、感光性平版印刷用アルカリ現像液を提供すること。
【解決手段】ベンジルアルコール（ａ）０．２〜５固形分質量％、水酸化テトラアルキルアンモニウム（ｂ）０．２〜１．５固形分質量％、およびポリオキシアルキレン非アリール型アニオン界面活性剤（ｃ）（固形分質量％は現像液の全質量に基づく）、を含む、感光性平版印刷用アルカリ現像液。 （もっと読む）

【課題】露光ラチチュード、ラインエッジラフネス性能に優れた感活性光線または感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により式（Ｘ）で表される酸を発生する化合物、及び、（Ｂ）式（３）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。式中、各記号は所定の原子または置換基を表す。
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【課題】高感度、高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される１〜４種類の環状化合物が９０％以上含まれる組成物。


［式中、８個のＲ^１は、ｍ個（ｍは０〜７から選択される１〜４種類の整数）の水酸基と、ｎ個（ｎは８−ｍの１〜４種類の整数）の水酸基以外の同一の置換基である。］ （もっと読む）

【課題】
レジストパターン形成時の露光におけるフォーカス深度マージンが広く、且つレジスト下層膜上に所望の形状のレジストパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
ヒドロキシ基を少なくとも表面に有するレジスト下層膜が形成された基板を用意し、前記レジスト下層膜の表面上にビニルエーテル類を含有する層を形成し、前記レジスト下層膜の表面からヒドロキシ基を消滅又は減少させる処理を行い、その後前記ビニルエーテル類を洗浄し、前記処理が行われたレジスト下層膜の表面上にレジスト膜を形成し、少なくとも前記レジスト膜に対し露光及び現像を行う、レジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（Ｉ）［式中、Ｒ^５は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基であり、Ｑ^５は単結合又は２価の連結基である。］で表される基をカチオン部に有する化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
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【課題】レジスト重合体を提供する。
【解決手段】式ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２Ｃ（Ｘ^Ａ）（Ｃ（Ｏ）ＯＺ^Ａ）（ＣＨ_２）_ｎａＣＲ^Ａ＝ＣＨＲ^Ａで表される化合物の重合により形成された繰り返し単位（Ａ）を含むレジスト重合体（ただし、Ｘ^Ａは水素原子、シアノ基または式−Ｃ（Ｏ）ＯＺ^Ａで表される基を示し、Ｚ^Ａは水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基を示し、ｎａは０、１または２を示し、Ｒ^Ａは水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基であって、２個のＲ^Ａは同一であってもよく異なっていてもよい。）。 （もっと読む）

【課題】現像時、アルカリ現像液に対して均一に溶解するフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、その方法により得られるフォトレジスト用高分子化合物、及びそれを含むフォトレジスト用組成物を提供する。
【解決手段】エチレン性二重結合を有する２種以上の重合性化合物を、ラジカル重合することにより半導体素子製造向けフォトレジスト用高分子化合物を製造する方法において、内部に静的攪拌器を内蔵した管状反応器を用い、有機溶媒中に前記２種以上の重合性化合物を含有する混合溶液を連続的に通して重合することを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、その方法で得られるフォトレジスト用高分子化合物、並びにフォトレジスト用高分子化合物を含むフォトレジスト用組成物である。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、１個または２個のフッ素原子を有する酸を発生する光酸発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高感度及び高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】種々のクロルメチルエーテル化合物を、置換基前駆体化合物に１〜３種の塩基性有機化合物を縮合剤として添加する、下記式で代表される化合物の組成物の製造方法。
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【課題】従来と同じプロセスで成膜可能で、その反射防止膜は効果的に露光光の反射を防止し、更に、高いドライエッチング速度を兼ね備え、微細パターン形成に有用である有機反射防止形成材料を提供する。
【解決手段】一般式(１)で示される繰り返し単位を１種以上有し、露光波長における消光係数(ｋ値)が０．０１〜０．４、屈折率(ｎ値)が１．４〜２．１の範囲の高分子化合物(Ａ)と、芳香環を有し、露光波長における消光係数(ｋ値)が０．３〜１．２の範囲の高分子化合物(Ｂ)とをそれぞれ１種以上含有する反射防止膜形成材料。
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【課題】液浸露光法において用いられる上層膜形成組成物であって、焦点深度を向上させることができ、且つ、良好なパターンを得ることができる上層膜形成組成物および該上層膜形成組成物から得られる上層膜並びに該上層膜を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、該組成物は、前記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂成分（Ａ）とアミド基含有化合物（Ｂ）とを含有する上層膜形成組成物である。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ｐ１）を含むレジスト保護膜材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^2a及びＲ^2bは水素原子、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ^2aとＲ^2bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成することもできる。Ｒ³は単結合、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ⁴は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基であり、−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでもよい。）
【効果】上記レジスト保護膜材料はヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護された構造を含み、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有する。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ジアゾ基及び酸基を有する化合物（Ｎ）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高感度で、ポリイミド前駆体の種類を問わず溶解性コントラストを得られ、結果的に十分なプロセスマージンを保ちつつ、形状が良好なパターンを得ることができる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される光塩基発生剤、及びポリイミド前駆体を含有する、感光性樹脂組成物。


（各符号は、明細書中で定義したとおりである。） （もっと読む）

【課題】ＬＷＲとＭＥＥＦとが良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（０）で表される酸を発生する少なくとも１種の化合物、および（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。
【化１】


一般式（０）において、Ｒ₁は、有機基を表す。Ｒ₂は、水素原子又は有機基を表す。Ｒ₁とＲ₂とが結合して単環若しくは多環構造を形成してもよい。Ａは、酸あるいは塩基の作用により分解する基を表す。ｎは１又は２を表す。 （もっと読む）

【課題】組成と物性の安定したレジスト用共重合体を供給する。
【解決手段】本発明は、アセタール基を有する（メタ）アクリル系単量体と、該単量体と共重合可能な他の（メタ）アクリル系単量体とを、上記単量体の合計量１００質量部に対して０．０１６質量部以上の塩基性化合物共存下で重合するレジスト用共重合体の製造方法を提供する。さらに、本発明は、上記レジスト用共重合体を含むレジスト用組成物を提供する。さらに、本発明は、上記レジスト組成物と光酸発生剤とを含む組成物を、被加工基板上に塗布しレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜に４５０ｎｍ以下の波長の光を照射して潜像を形成する工程と、上記潜像が形成されたレジスト膜を現像液で現像処理する工程とを有する、パターンが形成された基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜できる感放射線性樹脂組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、樹脂と、式（ｂ１）の酸発生剤と、低分子化合物とを含有しており、該低分子化合物は、式（ｃ１）の化合物、窒素原子を２個有する化合物、窒素原子を３個以上有する化合物等のうちの１種である。
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【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する光酸発生剤及び、そのような光酸発生剤を含有するレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする光酸発生剤を用いることによって、前記課題は解決する。
【化１０２】


（式中、ｎは１〜１０の整数を示す。Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基、又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。）。このような光酸発生剤を使用して形成されたレジストパターンは基板密着性、エッチング耐性においても優れた性能を発揮する。
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【課題】９０ｎｍ以下の短波長の光源を用いた微細なレジストパターンの形成に対応することができ、解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好で、パターン倒れ耐性および欠陥性能に優れ、液浸露光工程においても好適に用いられる。
【解決手段】側鎖にアダマンチルラクトンを有する繰り返し単位（ａ−１）、および酸解離性基を有する繰り返し単位（ａ−２）を含む樹脂（Ａ）と、特定構造のスルホニウム塩を含む感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有する。 （もっと読む）

【解決手段】(Ａ)一般式(１)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(Ｂ)ラクトン環及び／又は水酸基及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(Ｃ)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(Ｄ)有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明のレジスト材料は、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂構造の選択により液浸リソグラフィーにおける各種性能の調整が可能で、入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）