【課題】光位相の連続可変と高速制御が可能であり、環境条件からの影響を受けにくく、偏波無依存型、自由空間型、光ファイバ型への適応が容易な可変光位相器を提供する。
【解決手段】前方からの入力光を互いに直交する第１および第２の直線偏光に偏光分離する第１の偏光子４１が配置され、第１および第２の直線偏光が出力光として出射するまでの第１および第２の光路上に、入力した直線偏光を円偏光に変換する第１および第２の四分の一波長板（１１，１２）と、入力した円偏光の偏光面を回転させるファラデー回転子２０と、それぞれに入力された円偏光を互いに直交する直線偏光に変換して出力する第３および第４の四分の一波長板（１３，１４）と、入力された互いに直交する二つの直線偏光を偏光合成して出力光として出射する第２の偏光子４２が順に配置され、ファラデー回転子による回転角に応じて出力光の位相を変化させる。 （もっと読む）

【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
（ＢｉＲ）_３−ａＭ１_ａＦｅ_{５−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ｂＰｔ_ｃＭ２_ｄＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１：Ｃａ及びＳｒから選択される一種または二種の元素、
Ｍ２：Ｇｅ及びＳｉから選択される一種または二種の元素、
０．０１＜ａ＜０．１，０．１５≦ｂ＋ｄ≦０．６，０．０１≦ｃ≦０．０４，ａ＝ｃ＋ｄ）
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】高出力の光が入射されてもファラデー回転子の温度上昇を抑制できる偏波無依存型光アイソレータを提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３単結晶から成る一対の楔形複屈折結晶板１、５と磁性ガーネット単結晶から成るファラデー回転子３を備え、ファラデー回転子の各光透過面にサファイア単結晶板が接合された偏波無依存型光アイソレータであって、各サファイア単結晶板の光透過面がサファイア単結晶板のｃ面からオフセットされるように形成され、かつ、楔形複屈折結晶板で分離された常光と異常光が共にサファイア単結晶板入射後にサファイア単結晶板のｃ軸とのなす角度が０．７４度以内の条件を満たすように、常光と異常光の光軸がなす角度の２等分線で表される仮想光のサファイア単結晶板への入射角θaと、サファイア単結晶板のｃ面からのオフセット角θoffが所定範囲に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調しない画素有効領域外からの出射光を抑制して、コントラストを向上させた反射型の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に２次元配列された画素４からなる空間光変調器の画素アレイ４０は、各画素４の光変調素子同士を絶縁する素子間絶縁層５を、光の入射される側から順に低屈折率絶縁層５２およびそれよりも屈折率の高い高屈折率絶縁層５１の少なくとも２層を積層して備える。光が高屈折率絶縁層５１の上下界面で多重反射して閉じ込められることにより減衰して、出射光が抑制される。 （もっと読む）

【課題】効率的に磁界を発生させて、小型化と動作安定性とを両立させた可変ファラデー回転子を提供する
【解決手段】光軸１１方向を前後方向として、磁気光学材料からなるファラデー素子２と、当該ファラデー素子に磁界を印加するための磁気回路部とを含んで構成されるファラデー回転子１ａであって、前記ファラデー素子の前後に偏光子（３ｆ，３ｂ）が配置されて非相反部１０が構成され、前記光軸と一致する軸を有して前後に開口する中空筒状で、光路に沿って進行する光を中空部６１を介して通過させる高透磁率磁性材料からなるコア部６が前記非相反部の前後にそれぞれ配置され、前記磁気回路部は、前記光軸を螺旋軸として、前記非相反部と前記コア部の周囲に巻回されているコイル４によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯを障壁層として磁化反転電流を低減したＴＭＲ素子構造を備える光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、磁化固定層１１、ＭｇＯからなる障壁層１２、磁化自由層１３を積層してなるＴＭＲ素子構造１と、その上下に接続した上部電極３、下部電極２を備える。下部電極２は、組成がＣｕ_1-xＣｒ_x（０．０７＜ｘ＜０．４２）である非晶質のＣｕ−Ｃｒ合金からなり、磁化固定層１１は非晶質の磁性体からなり、このような非晶質の層の上に、障壁層１２としてＭｇＯ膜が形成されるため、ＭｇＯ膜が強い（００１）面配向を示して、ＴＭＲ素子構造１の磁化反転電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に伴う電気光学結晶の複屈折変化が存在する場合においても偏光状態を補償し、一定の感度を得ること。
【解決手段】印加される電界又は磁界により屈折率を変化させ、それによって通過する偏光を変調する電界検出用電気光学結晶９と同じ特性を有する複屈折補償用電気光学結晶８を、結晶軸が電界検出用電気光学結晶９の結晶軸に対して直交するように光の伝搬軸上に配置する。具体的には、遅（進）相軸が電界検出用電気光学結晶９の進（遅）相軸に対して平行になるように配置する。 （もっと読む）

【課題】高品質で大型のＴＧＧ結晶を、安価に且つ容易に製造できるようにする。
【解決手段】ＧＧＧ結晶又はＳＧＧＧ結晶からなる基板上に、ＬＰＥ法で育成したＴＧＧ結晶である。前記ＴＧＧ結晶は、組成Ｔｂ₃ Ｍ_x Ｇａ_5-x Ｏ₁₂で表され、ＭがＳｃ、Ｉｎから選ばれる少なくとも１種の３価元素であって、基板がＧＧＧの場合には０．１≦ｘ≦０．５を満たし、基板がＳＧＧＧの場合は０．９≦ｘ≦１．６５を満たしており、且つ前記基板と育成したＴＧＧ結晶の垂直方向の格子定数差を±０．０２Å以下とする。必要なガーネット原料と、ＰｂＯ及びＢ₂ Ｏ₃ をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、８５０〜９８０℃でＴＧＧ結晶をＬＰＥ成長させる。融液中に、ＳｉＯ₂ 、ＧｅＯ₂ 、ＴｉＯ₂ から選ばれる１種以上の酸化物、あるいはＣｅＯ₂ が含まれていてもよい。必要に応じて、育成したＴＧＧ結晶を還元処理する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子を用いた光変調素子の光変調度を向上することを目的とする。
【解決手段】磁化固定層１１と、非磁性中間層１２と、磁化自由層１３とをこの順で積層したスピン注入型磁化反転素子構造と、このスピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２，３とを備え、当該一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより磁化自由層１３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する光変調素子１０において、一対の電極２，３のうち、磁化固定層１１側に設けられた電極である下部電極３は、少なくとも上層部がＡｇからなるように構成した。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子の中間層におけるＭｇＯの（００１）面配向性を向上する。
【解決手段】光変調素子（スピン注入型磁化反転素子）５は、垂直磁気異方性を示す磁化固定層５１と、ＭｇＯからなる中間層５２と、垂直磁気異方性を示す磁化自由層５３とをこの順で積層したトンネル磁気抵抗型のスピン注入型磁化反転素子構造を備え、スピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２、３を介して電流を供給されることにより磁化自由層５３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する。ここで、磁化自由層５３は、遷移金属または遷移金属を含む合金からなる界面層５３ｂと、Ｔａ膜またはＲｕ膜からなる緩衝層５３ｃと、磁化方向が反転される磁性層である主層５３ａとをこの順で積層して構成した。 （もっと読む）

【課題】光をそのまま光として蓄光させることができ、大面積化及び薄膜化の可能な蓄光素子を提供する。
【解決手段】蓄光素子Ａは、螺旋構造を有する液晶により構成され、選択反射波長域を有する第一液晶層１と、前記第一液晶層１と同じ巻き方向の螺旋構造を有する液晶により構成され、前記第一液晶層１と重複する波長域で選択反射波長域を有する第二液晶層２と、前記第一液晶層１と前記第二液晶層２との間に介在し、自身を透過する光を二つの固有偏光に分離すると共に前記固有偏光間に位相差を生じさせる位相差生成層３と、を備えている反射層４を複数備えている。複数の前記反射層４のうち隣接する少なくとも二つの反射層４、４の間に蓄光層５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工用等の用途に使用される高出力レーザ、例えばファイバーレーザに使用される光アイソレータ用に好適な小型化され高消光比の特性を有する光モジュールを提供すること。
【解決手段】波長１．０６μｍにおけるベルデ定数が０．２７ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上のファラディ回転子と、前記ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットとを備え、前記ファラディ回転子に印加される磁束密度Ｂ（Ｏｅ）は下記式（１）の範囲内にあり、前記ファラディ回転子が配置されるサンプル長Ｌ（ｃｍ）と外径Ｄ（ｃｍ）は下記式（２）及び（３）の範囲内にあることを特徴とし、更に前記ファラディ回転子は円筒形状であり、（２）及び（３）の寸法を満たし、１ｄＢ以下の挿入損失と３５ｄＢ以上の消光比を有する光モジュール。
０．５×１０⁴≦Ｂ≦１．５×１０⁴ （１）
０．７０≦Ｌ≦１．１０ （２）
０．２０≦Ｄ≦０．６０ （３） （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５６、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転素子による、光変調度を向上させた光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、基板７上に、磁化自由層１３、中間層１２、および磁化固定層１１の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造１を備え、磁化自由層１３を下部電極３とし、磁化固定層１１の上に積層された透明電極層を上部電極４とする。光変調素子５は、誘電体層２をさらに備えて、この上に前記磁化自由層１３が積層される。光変調素子５に入射した光は、スピン注入磁化反転素子構造１および誘電体層２を透過して基板７で反射し、さらに誘電体層２と磁化自由層１３との界面で反射して、誘電体層２で多重反射することにより、磁化自由層１３のカー回転角での旋光を累積させて出射する。 （もっと読む）

【課題】画素の選択性を向上させた、磁気光学式の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に配列された複数の画素４のそれぞれに磁気光学材料を細線状に形成してなる磁性細線１を備え、さらに基板７上に磁気転写膜５を磁性細線１の下面に接触させて備える空間光変調器１０であって、磁性細線１において、両端に接続された一対の電極２，３にて供給される電流により２つの磁区Ｄ０，Ｄ１間の磁壁ＤＷが細線方向に移動して、光の入射領域１ｒに磁区Ｄ０，Ｄ１のいずれかを選択的に到達させて、入射領域１ｒの磁化方向を反転させるものである。磁性細線１の磁化方向が磁気転写膜５に転写されるため、入射領域１ｒの直下における磁気転写膜５の磁化方向は磁性細線１と共に反転する。基板７を透過して入射した光は、磁気転写膜５を透過する際のファラデー効果により大きく旋光し、磁性細線１で反射して、再び磁気転写膜５を透過する際にも旋光して出射する。 （もっと読む）

【課題】細線状に形成された磁性体からなる磁性細線を用いて、簡易な構造で、かつ開口率を向上させた空間光変調器を提供する。
【解決手段】空間光変調器１０は、細線方向に単位長さＬbで区切られた領域を画素として所定数の画素を細線方向に連続して設けられた磁性細線１を、複数並設して画素アレイを形成し、データ書込部５０および走査電流源８をさらに備える。磁性細線１は画素を設けられた領域である画素領域１ｐｘの外に細線方向に区切られた書込領域１ｗが設けられており、データ書込部５０が書込領域１ｗを所定の画素における磁化方向に変化させて形成した磁区は、走査電流源８が磁性細線１に細線方向に直流パルス電流を供給することにより、当該磁区を区切る磁壁と共に細線方向に沿って移動して、前記所定の画素に到達する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で0.60dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（RIG）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、化学式Ｌａ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂（但し、0<x<3、0<y<3）で示され、La、Gd、Biの組成割合が、La-Gd-Bi三元系組成図上において、組成点A、組成点B、組成点C、組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とする。
組成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、組成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、
組成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、組成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。 （もっと読む）

【課題】透明電極を適用する必要がなく、また、開口率を増大、効率的な偏光変調を行なうことができ、さらに、磁化反転動作を正確に検知できる光変調素子およびこれを用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に、磁化自由層３、上部中間層２１、２２、上部磁化固定層１１、１２とがこの順序で積層された上部素子１Ａと、基板７と磁化自由層３との間に形成される下部素子１Ｂとを備える光変調素子１であって、上部磁化固定層は分離した２つの上部磁化固定層からなり、上部磁化固定層は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層よりも保磁力の大きい磁性体であり、下部素子１Ｂは、補助電極５３、下部磁化固定層１３、下部中間層２３とがこの順序で基板側から積層され、透過した光を磁化自由層３に入射させるための窓部５４が形成され、駆動電極の一方と補助電極５３との間の電気抵抗は、駆動電極間の電気抵抗に比べて大きい。 （もっと読む）

【課題】波長１．０６μｍ域（０．９〜１．１μｍ）でのベルデ定数が大きく、かつ、高い透明性を有する、酸化テルビウムを含む酸化物を主成分として含有する磁気光学材料を提供すること、及び、加工機用ファイバーレーザに好適に使用される小型化した光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される酸化物を９９％以上含有することを特徴とする磁気光学材料。
（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、テルビウム以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも１つの元素を含む。） （もっと読む）