【課題】 波形なまりや画素の透過率の低下を抑制でき、かつ表示ムラを抑制できる表示装置を提供する。
【解決手段】 デルタ配置の画素を有する表示装置において、画素はソース電極１０４、ドレイン電極１０５及びゲート電極１０１を備えたＴＦＴと、コモン１０８と画素電極１１０とを備えた画素部とを含み、有機パッシベーション膜１２０は、ソース電極１０４のコンタクト部上方に、非対称な開口部を有し、互いに隣接する画素の有機パッシベーション膜１２０の非対称な開口部の向きが同じである。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、溝２６０を中空に封止するにあたって、第１封止膜２７を形成する前、溝２６０内に犠牲膜２４を形成しておき、第１封止膜２７を形成した後、第１封止膜２７の貫通部２７５を介して犠牲膜を除去する。そして、第１封止膜２７上に第２封止膜２８を形成し、第１封止膜２７の貫通部２７５を第２封止膜２８で塞ぐ。このため、第１封止膜２７を溝２６０の開口部２６５を塞ぐように形成することができるとともに、第１封止膜２７が溝２６０の奥まで形成されることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１波長範囲の光を透過する第１カラーフィルタＣＦ１と、第１波長範囲よりも長波長の第２波長範囲の光を透過する第２カラーフィルタＣＦ２と、前記第２カラーフィルタの上に配置された第１スイッチング素子ＳＷ１と、前記第２カラーフィルタの上に配置された第２スイッチング素子ＳＷ２と、前記第１スイッチング素子と電気的に接続され、前記第１カラーフィルタの上方に位置する第１画素電極ＰＥ１と、前記第２スイッチング素子と電気的に接続され、前記第２カラーフィルタの上方に位置する第２画素電極ＰＥ２と、を備えたアレイ基板を具備することを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０に素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けるにあたって、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０の間６６を利用する。また、シール材８０については、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲した屈曲部分８５を設け、かかる屈曲部分８５の内側に基板間導通材９０を屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａに沿って延在するように設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板にマトリクス状に配列された各々の有機半導体トランジスタの形成面積が小さく、かつ表示装置に用いた場合に均一で視認性に優れた画像表示を行うことを可能とするアクティブマトリクス基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】樹脂製基材と、上記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、上記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているアクティブマトリクス基板であって、隣接する２つの上記有機半導体トランジスタが、１つの上記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は０．１５以下、好ましくは０．１２以下、さらに好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し（１１１）面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に第１幅を有し第１方向に交差する第２方向に沿って延出した主画素電極と、第１方向に第１幅よりも大きい第２幅をおいて向かい合う第１エッジ及び第２エッジを有し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極と、前記主画素電極を挟んだ両側で第２方向に沿って延出し前記第１エッジ及び前記第２エッジの少なくとも一方と向かい合う位置で途切れた第１主共通電極と、第１方向に沿って延出し前記第１主共通電極と電気的に接続された第１副共通電極と、を備えた第１基板と、前記第１主共通電極に対向し第２方向に沿って延出するとともに前記第１主共通電極と電気的に接続された第２主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿った長さが第１方向に交差する第２方向に沿った長さよりも短い画素に配置されるとともに、第２方向に沿って延出した主画素電極及び第１方向に沿って延出し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極を有する画素電極を備えた第１基板と、前記主画素電極を挟んだ両側で前記主画素電極と略平行に延出した主共通電極及び前記副画素電極を挟んだ両側で前記副画素電極と略平行に延出し前記主共通電極と電気的に接続された副共通電極を有する共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記主画素電極と前記主共通電極との第１方向に沿った水平電極間距離は、前記主画素電極と前記主共通電極との第１方向及び第２方向に直交する第３方向に沿った垂直電極間距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の絵素を含む表示領域２５と、第１電極３０と、第１電極３０上に配置され、絵素の配列する行方向と略平行に延びる第１センサ４０Ａと絵素の配列する列方向と略平行に延びる第２センサ４０Ｂとを含む第２電極４０と、第２電極４０の上層に配置され所定方向に配向処理された配向膜８０と、を備えた第１基板１１０と、第１基板１１０と対向するように配置された第２基板１２０と、第１基板１１０と第２基板１２０との間に挟持され、配向膜８０の配向処理の方向に初期配向方向を規定される液晶分子を含む液晶層７０と、を備え、絵素は行方向において周期的に並んで配置された赤色表示画素ＰＸＲ、緑色表示画素ＰＸＧ、および、青色表示画素ＰＸＢを含み、第２センサ４０Ｂは、少なくとも赤色表示画素ＰＸＲと青色表示画素ＰＸＢとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、これを備えた表示装置、およびその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板上に形成され、金属触媒の作用による結晶の成長によって結晶化したアクティブ層と、アクティブ層の一部領域上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、ゲート絶縁膜パターンの一部領域上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜パターン上にゲート絶縁膜パターンと同じパターンで形成され、ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、アクティブ層およびエッチング防止膜パターン上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、アクティブ層およびエッチング防止膜パターンとソース電極およびドレイン電極の間にソース電極およびドレイン電極と同じパターンで形成され、アクティブ層の結晶化に用いられた金属触媒を除去するゲッタリング層パターンとを含む。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】黒レベルを表示するときの液晶表示装置のディスクリネーション及び光漏れとい
った液晶の配向不良を低減でき、コントラストが高く、視認性の良い液晶表示装置を提供
することを課題とする。
【解決手段】画素電極２０３ａ〜２０３ｂの一部を凸部２０４に重なり合うように形成す
る。凸部の高さが高すぎると、液晶が基板面に対し斜めに配向することによるため、光漏
れが増える（図１（ｃ））。凸部の高さが低いと、ディスクリネーションを減らす効果が
低い。そこで最適な凸部の高さを決定する。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】データ線と電界効果型トランジスターとを電気的に接続するコンタクトホール内の構成を改良して、コンタクトホールでの迷光の反射、およびデータ線の抵抗ばらつきを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、コンタクトホール４２ａの内部には、コンタクトホール４２ａの内壁４２ａ₁に沿って導電性の多結晶シリコン膜６０ａが形成され、多結晶シリコン膜６０ａに対して内壁４２ａ₁とは反対側にはチタン、ジルコニウムまたはハフニウムからなる遷移金属膜６６ａが積層されており、データ線６ａは、導電性の多結晶シリコン膜６０ａと、金属材料層６５（遷移金属膜６６ａ、アルミニウム膜６７ａおよびチタン窒化膜６８ａ）との積層構造を有している。多結晶シリコン膜６０ａと遷移金属膜６６ａとの間にはシリサイド層６１が介在している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）