【課題】段差部にて、絶縁膜の両側に形成される電極同士が短絡する恐れのない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた第２の電極とを有し、前記第１の絶縁膜は、第１のコンタクトホールを有し、前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間と、前記第１のコンタクトホール内とに一体的に形成されており、前記第１のコンタクトホール内の前記第２の絶縁膜には、第２のコンタクトホールが形成されており、前記第２の絶縁膜は、第１の膜厚で形成した後、前記第２の電極を形成する前に前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚まで薄膜化されて形成される。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率を低下させることなく、画素電極のコンタクトホールが配置された電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられた薄膜トランジスター（ＴＦＴ）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを覆うように設けられた遮光性の第１容量配線としての第２容量電極１６ｂと、第２容量配線７１と画素電極１５との間に、画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続された中継電極９と、を備え、第１容量配線としての第２容量電極１６ｂは、画素電極１５に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部１６ｂａを有し、コンタクトホールＣＮＴ８は、上記張り出し部１６ｂａと重なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、広い視野角特性を有しつつ透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素ＰＸに対応して配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、このアレイ基板ＡＲに対向配置され複数の画素ＰＸに共通の対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、画素電極ＥＰは、帯状の第１主電極部ＥＰａを有し、対向電極ＥＴは、第１主電極部ＥＰａとの間に横電界を形成するように第１主電極部ＥＰａと交互に平行に配置された帯状の第２主電極部ＥＴａを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が微結晶を含む、又は層厚方向に組成が変化していること、又は所定の材料を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 タッチセンシング機能と外部電界に対するシールド機能とを兼ね備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 画像を表示するアクティブエリアにおいて、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第１基板と、絶縁基板を備えた第２基板と、前記絶縁基板上において前記アクティブエリアに配置された偏光板を含む光学素子と、前記光学素子上において前記アクティブエリアに配置された導電層と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、前記光学素子から露出した前記導電層と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸素を含む絶縁層を形成し、酸素を含む絶縁層上に水素を含む絶縁層を形成した後、熱処理を行うことにより、水素を含む絶縁層中の水素を少なくとも酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 タッチセンシング機能と外部電界に対するシールド機能とを兼ね備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第１基板と、絶縁基板の前記第１基板と対向する内面とは反対側の外面において前記アクティブエリアの外側に形成された導電膜と、を備えた第２基板と、前記絶縁基板の外面側に配置された偏光板を含む光学素子と、前記アクティブエリアに配置されるとともに前記導電膜に接触し前記絶縁基板の外面と前記光学素子とを接着する導電性接着剤と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、前記導電膜と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材１１０上で半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記チャネル領域を制御するゲート電極１４０と、前記ドレイン電極１３０と接続され液晶材料を駆動する画素電極１９０と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極１９０の間の空間に配された無機絶縁膜１９５と、前記画素電極１９０とは接触せずに、前記無機絶縁膜１９５と接触するようにして配された遮光膜２００と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】巻き取りを行っても傷や損傷が発生し難い構成、構造を有する薄膜素子組立体を提供する。
【解決手段】薄膜素子組立体にあっては、可撓性を有する基材２０の第１面２１上に複数の薄膜素子１０が備えられており、基材２０において、複数の薄膜素子１０が備えられた第１領域の外側に、薄膜素子を備えていない第２領域が設けられており、基材２０の第１面２１の第２領域、又は、第２面２２の第２領域、又は、第１面２１及び第２面２２の第２領域に凸部３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第１のトランジスタ〜第４のトランジスタと、第１の配線〜第
４の配線を有する。第１の配線には電源電位ＶＤＤが供給され、第２の配線には電源電位
ＶＳＳが供給されている。第３の配線、第４の配線には２値の値を持つデジタル信号が供
給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位ＶＤＤと同電位となり、低
レベルのときには電源電位ＶＳＳと同電位である。第３の配線と第４の配線の電位の組み
合わせは４とおりあるが、第１のトランジスタ〜第４トランジスタは、いずれかの電位の
組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジス
タがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】コモンコンタクト部と対向基板との電気的な接続を良好にするコンタクト構造を提供する。
【解決手段】第１の導電膜３１８と、第１の導電膜上に設けられた絶縁膜３１９と、絶縁膜に設けられた開口部と、開口部において第１の導電膜と電気的に接続された第２の導電膜３２３と、導電性スペーサ４０１と、が設けられたコモンコンタクト部と、コモンコンタクト部上に対向して設けられた第３の導電膜２５２と、を有し、第２の導電膜と第３の導電膜は、導電性スペーサにより電気的に接続されており、第３の導電膜上には、第４の導電膜５０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と、第１の領域の側面に接した一対の第２の領域と、一対の第２
の領域の側面に接した一対の第３の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上
に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第１の領域と重畳した第１の電極と、を
有し、第１の領域は、ＣＡＡＣ酸化物半導体領域であり、一対の第２の領域及び一対の第
３の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第３の領域のド
ーパント濃度は、一対の第２の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、Ｒ加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。 （もっと読む）

【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１の電極と第２の電極と、ソース電極とドレイン電極のうちの一方が前記第１の電極と接続された薄膜トランジスタと、前記一方の電極よりも上層に順に形成される第１のシリコン窒化膜および有機絶縁膜とを有する。前記第２の電極は前記有機絶縁膜よりも上層に形成され、第２のシリコン窒化膜は前記第２の電極と前記第１の電極との間の層に形成され、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜は両者を貫通しソース電極とドレイン電極のうち一方の電極と前記第１の電極とを接続するコンタクトホールを有し、前記第２のシリコン窒化膜は、前記一方の電極と接触する領域を持たず、前記第２のシリコン窒化膜の下面が前記コンタクトホールにおいて前記第１のシリコン窒化膜の上面と接触している。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】シール材の段差を一様にして、液晶の歩留まり、信頼性を向上する。
【解決手段】素子基板と、素子基板に設けられた薄膜トランジスタを有する画素部と、素子基板の画素部を囲むように設けられたシール材と、素子基板のシール材の内側に設けられた片側駆動方式の周辺駆動回路と、シール材下に設けられ、周辺駆動回路に接続される第１の配線、第２の配線と、シール材下の第１の配線及び第２の配線と対向する領域にそれぞれ設けられ、第１の配線及び第２の配線と電気的に絶縁された支持部材と、支持部材と一部が重なるように設けられたブラックマトリクスと、を有し、支持部材及び第１の配線は、同一材料からなる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、このような半導体装置を実現する酸化物材料を提供する。
【解決手段】それぞれ、ｃ軸配向し、ａｂ面、上面または被形成面に垂直な方向から見て少なくとも三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸においては、金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、Ｉｎ_２ＳｎＺｎ_２Ｏ_７（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは０または自然数。）で表される、ａｂ面（または上面または被形成面）においては、ａ軸またはｂ軸の向きが異なる二種以上の結晶部分を含む酸化物膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が１０^１５／ｃｍ^３以上、１０^１８／ｃｍ^３未満である、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｍｇ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ酸化物、Ｉｎ―Ｓｎ酸化物、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ―Ｇａ酸化物、及びＩｎ―Ｇａ酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、Ｎ型半導体として用いたＮ型ＴＦＴを含む回路を構成要素としており、前記Ｎ型ＴＦＴは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする集積回路。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿って延出した副画素電極と、前記副画素電極の一端側に接続され第１方向に交差する第２方向に沿って延出した第１主画素電極と、前記副画素電極の他端側に接続され第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出した第２主画素電極と、を備えた第１基板と、前記副画素電極を挟んだ両側にそれぞれ配置され第１方向に沿って延出した第１副共通電極及び第２副共通電極と、前記副画素電極の一端側で第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第１副共通電極と接続された第１主共通電極と、前記副画素電極の他端側で第２方向に沿って前記第２主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第２副共通電極と接続された第２主共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板１１０側と反対側に反射防止層１３０が形成された反射防止層１３０が形成された電極（図１４のＡに相当するソースドレイン電極層）と、基板１１０側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極（図１４のＢに相当するソースドレイン電極層）と、基板１１０上に設けられた親液性領域Ｒと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層１５０と、を有している。 （もっと読む）