【課題】 半導体装置に於けるＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造の形成は、従来、ゲート電極をマスクにセルフアラインで形成しているが、ゲート電極が２層構造となる場合が多く、成膜工程とエッチング工程が複雑になる。またドライエッチング等のプロセスのみでＬＤＤ構造及びＧＯＬＤ構造の形成を行っている為、トランジスタ構造が全て同一構造となり、回路毎にＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造及びシングルドレイン構造を別々に形成することが困難である。
【解決手段】 回折格子パターン或いは半透膜から成る光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスク或いはレチクルをゲート電極形成用フォトリソグラフィ工程に適用することにより、ドライエッチング及びイオン注入工程を通し、回路毎にＧＯＬＤ構造及びＬＤＤ構造及びシングルドレイン構造のトランジスタを簡単に形成することができることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の材料膜（六方晶の結晶構造を有する膜）を形成し、第１の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜（結晶性酸化物半導体膜）を形成し、第１の材料膜と第２の材料膜の積層を形成する。第１の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜（例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム）、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜（α−Ａｌ_２Ｏ_３、α−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、或いはα−Ｆｅ_２Ｏ_３）を用いる。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】球状のスペーサを用いずに、セルギャップを保持する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板201とを有し、第１の基板は、画素電極と、薄膜トランジスタと、画素電極の上方に設けられた第１の配向膜と、を有し、第２の基板201は、選択的に設けられたカラーフィルタと、複数のギャップ保持部材220と、複数のギャップ保持部材220を覆って設けられた第２の配向膜230とを有し、ギャップ保持部材220の材料は感光性樹脂であり、ギャップ保持部材220は、カラーフィルタが設けられた領域及びカラーフィルタが設けられていない領域にそれぞれ設けられ、かつカラーフィルタが設けられていない領域に設けられたギャップ保持部材220は、カラーフィルタが設けられた領域に設けられたギャップ保持部材220よりも高い。 （もっと読む）

【課題】光劣化を極力抑制し、電気特性が安定したトランジスタ及び該トランジスタを含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを形成する為に用いられる膜によって光が反射し、多重干渉が起きていることに着目し、当該反射を起こす膜の光学的膜厚を概略λ_０／４の奇数倍もしくは偶数倍とすることで、当該膜のトランジスタに対する機能を損ねずに、酸化物半導体が吸収する波長領域の光の反射率を高めることで、酸化物半導体に吸収される光の量を低減させ、光劣化の低減効果を高める。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジス
タで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減
する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型半導体表示装置で対向コモン反転駆動を行う際に、ゲートバイアスを従来の反転駆動と同程度にすることでＯＦＦ電流の跳ね上がり範囲を回避して保持電荷のリークを抑え、かつ画素ＴＦＴのＯＮ・ＯＦＦマージンを確保する。並びに画素ＴＦＴに印可されるゲートバイアスを従来の電圧付近に保つことでゲート耐圧を確保し、駆動回路全体での低消費電力化を実現できる新たな駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体表示装置は、ゲート信号線側駆動回路にトライステートバッファを用い、対向コモン電位が＋側電位をとるフレームと−側電位をとるフレームとで異なるバッファ電位を与えることによって、画素ＴＦＴのＯＮ・ＯＦＦマージンを確保しつつ対向コモン反転駆動時における電圧振幅を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止すること
が可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成さ
れる。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を
除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第１の半導体層、第２
の半導体層、及び導電層の材料はＴＦＴを形成するために用いた材料と同一の材料からな
る。 （もっと読む）

【課題】屋外でも使用可能であり、高精細で且つ色調変化の少ない液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】透光性を有する一対の基板と、一対の基板の間に少なくとも液晶素子を含む画素部と、一対の基板の外側に少なくとも画素部に光を入射させる照明部と、一対の基板と照明部の間に第１の偏光部材と、照明部の外側に反射部材と、一対の基板を介して第１の偏光部材と反対側に第２の偏光部材と、画素部の外側に偏光板を介して一対の基板と対向して設けられる第１の光センサおよび第２の光センサとを有し、第１の光センサは外光の照度を検知する機能を有し、第２の光センサは画素部から射出される偏光の色調を検知する機能を有する液晶表示装置である。また、第２の光センサで検知する画素部の色調によって、光源から特定の波長を有する光を射出し、画素部の色調を補正する機能を有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】トップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】有機半導体層１７は、ゲート電極１３を幅方向に覆う状態で配置されており、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７−１と、この厚膜部１７−１よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７−２とを有する。またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の薄膜部１７−２上に端部が積層される。有機半導体層１７は、厚膜部１７−１が前記ゲート電極１３の幅の範囲内に設けられる一方、薄膜部１７−２は、厚膜部１７−１からゲート電極１３の幅方向の外側に延設される。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】良好な表示品位を有する液晶表示装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、対向配置されたアレイ基板１１０と対向基板２０１との間に挟持された液晶層２０３とを備え、１画素内に反射部と、透過部とが設けられている液晶表示装置であって、アレイ基板１１０が、反射部Ｓに設けられた反射画素電極６５と、反射部Ｓに設けられ、反射画素電極６５との間で斜め方向電界を生じさせる反射画素電極６５の上層に設けられた反射共通電極６６と、透過部Ｔに設けられた透過共通電極９２と、透過部Ｔに設けられ、透過共通電極９２との間で横方向電界を生じさせる透過画素電極９１と、を備えているものである。反射画素電極６５の表面は金属膜によって形成されており、透過画素電極９１、透過共通電極９２、及び反射共通電極６６は同じ透明導電膜によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させると共に、電気的特性を改善することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。多結晶シリコン膜３０は、溶融した半導体の表面に高い密度で形成された種結晶からガラス基板１１側に向かって固化することにより形成される。これにより、多結晶シリコン膜３０の表面付近には、微結晶シリコン領域を多く含む不完全結晶層３２が形成される。そこで、不完全結晶層３２をエッチングにより除去して、多結晶シリコン膜３３を形成し、多結晶シリコン膜３３を活性層とするＴＦＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の薄い第１の酸化物半導体膜を形成し、第１の加熱処理を行って第１の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第１の結晶層を形成し、第１の結晶層上に第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行って第１の結晶層からその上の第２の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第２の結晶層を形成し、第２の結晶層を形成した後、さらに酸素ドープ処理を行って第２の結晶層に酸素原子を供給する。 （もっと読む）

【課題】外光の影響を抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、前記光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、前記ライトユニットの状態を点灯状態にして前記光検出回路により第１のデータ信号を生成し、前記ライトユニットの状態を消灯状態にして前記光検出回路により第２のデータ信号を生成し、前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号を比較することにより、比較した２つのデータ信号の差分データである差分データ信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】補助容量電極を薄膜トランジスタに重ねる構造とした場合であっても、光リーク電流の発生を抑制することができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ８の上層側に金属からなる補助容量電極１１が前記薄膜トランジスタ８と重なるように配置された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタ８は、半導体層２１上に該半導体層２１に接するように配置された絶縁性材料からなるエッチング防止層２４と、前記エッチング防止層２４との間に前記半導体層２１が介在するように配置されたゲート電極Ｇと、を有し、前記薄膜トランジスタ８の前記ゲート電極Ｇと重なる領域における前記補助容量電極１１は、前記薄膜トランジスタ８におけるチャネル長方向に沿う方向の長さが、前記ゲート電極Ｇの前記方向の長さよりも短く且つ前記エッチング防止層２４の前記方向の長さよりも長く形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）