【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ１３ｎｍ以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が２．２５ｇ／ｃｍ^３以上２．３５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３以上２．３３ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マス
ク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶に
かかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペ
ーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電
極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽
効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第１の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成した後、第２の酸化絶縁膜を形成して、当該第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを含まないＩｎ−Ｚｎ−Ｏの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Ｉｎと；Ｚｎと；Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｇ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭを用いたアクティブマトリクス型表示装置では、ＳＲＡＭ回路を構成するトランジスタ数が多く、画素面積が小さい場合、画素の中に入りきらない、もしくは開口率が低下するという問題があった。リフレッシュが不要で消費電力の小さな表示装置を提供する。
【解決方法】本発明は、画素をスイッチング素子と、不揮発性メモリ素子で構成する。不揮発性メモリ素子は強誘電体素子を用い、保持を行うことによって、静止画を表示する場合フレーム毎に書き込みを行う必要をなくすことができる。また、強誘電体メモリは占有面積が小さいので開口率を著しく落とすことなく、メモリを内蔵することができる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を増やすことなく、凹凸形状の画素電極を作製することを目的とする。
【解決手段】凸部は、フォトマスクを用いて作製すると再現性の高いものが得られるため、画素ＴＦＴ１２０３の作製工程にしたがって作製すればよい。画素ＴＦＴ１２０３の作製と同様に積層される半導体層、ゲート絶縁膜および導電膜を積層して凸部を形成する。こうして形成された凸部および同一工程で形成された画素ＴＦＴ、駆動回路に含まれるＴＦＴを覆うように層間絶縁膜を形成する。凹凸を有する層間絶縁膜が形成されたら、その上に画素電極を形成する。画素電極の表面も絶縁膜の凹凸の影響を受け表面が凹凸化する。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線を作製する。
【解決手段】絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜１２，１３を形成し、前記導電膜１２，１３上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。このようにして形成された金属配線は、幅や長さのばらつきが低減されており、基板１０の大型化にも十分対応し得る。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１００は、主面を有する基材１１０と、前記基材１１０の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層１１１と、前記積層方向からみて、前記遮光層１１１に含まれるように設けられる有機半導体層１５０と、前記有機半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層１５０の外周において前記ソース電極１２０と前記ドレイン電極１３０と重畳しない溝部１６５が設けられたゲート絶縁層１６０と、前記積層方向からみて前記有機半導体層１５０を含むように、前記ゲート絶縁層１６０上及び前記溝部１６５に設けられるゲート電極１４０と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が低減されて結晶性が良好な半導体膜の形成方法及びその成方法を用いて製造された半導体装置並びにディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に非晶質シリコン膜１２を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケルを含むニッケル薄膜１３を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２を熱処理して、非晶質シリコン膜１２を結晶性シリコン膜１２に結晶化する工程と、結晶性シリコン膜１２に、隣接する各結晶粒の結晶方位角度差が、概略１０°以下あるいは５８°〜６２°を保持する最も高い値になるようなエネルギー密度を有するエキシマレーザーを照射して、結晶性シリコン膜１２の結晶性をさらに向上させて多結晶半導体膜とする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、エッチストッパー層を設けなくてもウェットエッチング時の加工性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、前記半導体層と前記金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層は、高融点金属系薄膜とＳｉ薄膜の積層構造を有し、Ｓｉ薄膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性を確保しつつ、優れた特性と信頼性の高いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板９上にソース領域１７、チャンネル領域１８、ドレイン領域１９を有する活性層１１と、ゲート電極層１６と、活性層１１とゲート電極層１６との間に形成されるゲート絶縁層１５とを有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層１５を、活性層１１側に形成される第１の酸化珪素膜１２と、ゲート電極層１６側に形成される第２の酸化珪素膜１４と、第１の酸化珪素膜１２と第２酸化珪素膜１４の間に形成される窒化珪素膜１３とで形成した。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルバリア層を有していなくても、高温熱処理後の電気特性を良好にする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、透明絶縁性基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順次に形成されたＳｉ半導体能動膜７と、ｎ型の導電型を有するオーミック低抵抗Ｓｉ膜８とを含む半導体層５１と、半導体層５１と直接接合された、少なくともアルミニウム（Ａｌ）を含むソース・ドレイン電極９，１０とを備える。半導体層５１は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、Ｓｉ半導体能動膜７の側面とソース・ドレイン電極９，１０との界面近傍である第１領域には、少なくとも窒素（Ｎ）が含まれる。 （もっと読む）

【課題】光照射されてトランジスタの電気特性が変動した場合でも、その電気特性をほぼ光照射前の状態にする手法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタのゲート電極に、正のバイアス電圧を１０ｍｓｅｃ以上印加することにより、光照射されて変動した当該トランジスタの電気特性をほぼ光照射前の状態にすることが可能になる。なお、当該トランジスタのゲート電極に対する正のバイアス電圧印加は、当該トランジスタが受光する光量を参照して適切なタイミングで行う。これより光照射されても表示品位の低下が抑制された表示装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置であって、室外においても鮮明な表示を可能とする携帯電子機器用モニターを提供することを課題とする。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置において、反射電極を設ける。反射電極を設けることにより、室外において、効率よく自然光を反射することができ、鮮明な表示を提供することができる。さらに反射電極に凹凸を設けると、反射率を高めることができる。このような室外においても鮮明な表示を可能とする横電界方式の液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く電気的特性に優れ、印刷法でも製造可能な金属酸化物半導体薄膜を提供する。更に、本発明は、該金属酸化物半導体薄膜の製造方法及び該金属酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物を含有する金属酸化物半導体薄膜であって、前記金属酸化物は、下記式（１）に規定する関係を満たすことを特徴とする金属酸化物半導体薄膜。
［数１］
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