【課題】額縁領域近傍において、良好な光検出精度を確保することが可能な表示パネルを提供する。
【解決手段】表示装置１は、表示画面のうちの有効表示領域Ｂに表示画素としての液晶素子を有し、有効表示領域Ｂの周辺の額縁領域Ａには、非可視光を選択的透過して可視光を遮断する非可視光透過ブラック２４が配置されたものである。少なくとも有効表示領域Ｂには、所定のピッチで非可視光を検出するフォトセンサ１２Ｂが配設されている。位置判定部では、フォトセンサ１２Ｂからの出力に基づいて、表示画面に接触した指２の位置を判定する。額縁領域Ａに非可視光を透過させる非可視光透過ブラック２４が設けられていることにより、有効表示領域Ｂの額縁領域Ａとの境界付近における光検出強度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化を実現することができ、かつ配線と導電層との密着性を向上させることができる表示装置用基板およびそれを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０、絶縁性基板１０上に設けられた配線４、配線４における絶縁性基板１０の反対側に設けられた導電層１２、並びに、配線４および導電層１２を覆うように絶縁性基板１０上に設けられた層間絶縁膜１５を備えており、導電層１２が金属ナノ粒子を含有し、配線４における導電層１２との接触面にはスリット２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】対向リークの発生が抑えられている液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置１は、マトリクス状に配置されている画素電極２５ならびにゲートバスライン２７およびソースバスライン２３を有するアクティブマトリクス基板２と、アクティブマトリクス基板２と液晶層６を挟んで対向しており、ブラックマトリクス４４と対向電極４３とを有する対向基板４とを備えている。ブラックマトリクス４４は樹脂により形成されており、ブラックマトリクス４４と対向電極４３とが重なる領域では、ブラックマトリクス４４とガラス基板４１との間に対向電極４３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、製造方法の簡素化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に、第１の方向に延在する凸状の段差（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、下地膜上に第１の方向に交差する第２の方向に沿って長手状に形成され、凸状の段差に対応した段差を表面に有し、凸状の段差に重なる領域において、チャネル幅方向に沿った幅寸法が局所的に狭く形成された半導体層（３０ａ）と、半導体層にゲート絶縁膜（１３）を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、積層構造のレイアウトの効率化と共に、画像表示の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極と、薄膜トランジスタ（３０）と、画素電極より下層側に形成され、画素領域で電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成すると共に、画素毎に開口領域又は切り欠き領域（５ａ）を有する第１導電部（７１）と、開口領域又は切り欠き領域に配置され、画素電極及びドレイン領域間を中継接続するための第２導電部（８）とを備える。 （もっと読む）

【課題】例えば、高い膜質を有する多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタを製造する。
【解決手段】第１膜（２１１）の上面（２１１ｔ）と、上面（２１１ｔ）に交差する第１膜（２１１）の側面（２１１ｓ）とによって構成された角部（２１２）をなくすように、第１膜（２１１）にスライスエッチング処理を施し、第１膜（２１１）から第２膜（２２０）を形成する。即ち、第２膜（２２０）の角部（２２２）の断面形状は、第１膜（２１１）の角部（２１２）に比べて、角が取れているように、或いは曲線で構成されるように形成されている。尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの光漏洩電流の防止、不良薄膜トランジスタの修理の容易化、外光による周辺領域の光漏れとカラーフィルタの間の光漏れの防止、及び安定したパターン形成工程。
【解決手段】基板、基板上に位置し、薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層、薄膜トランジスタ層上に位置する複数のカラーフィルタ230、薄膜トランジスタ層上に位置し、薄膜トランジスタと重畳する部分を有する第１着色部材220、第１着色部材上に位置し、第１着色部材とは異なる光学密度を有する第２着色部材240を含む薄膜トランジスタ表示板。第２着色部材は、複数のカラーフィルタのうちの少なくとも一つと重畳する第１部分を含み、第１着色部材は前記第１部分と重畳する第２部分を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶装置の画像表示領域のうち非開口領域が占める割合を増大させることなく、画素スイッチング用素子等の半導体素子における光リーク電流を低減する。
【解決手段】凸部４２ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において、半導体層１ａを覆うように島状に形成されている。遮光膜２５は、凸部４２ａの上面及び側面の夫々に延びている。遮光膜２５は、凸部４２ａ及びその周辺までに延びるように大きいサイズの遮光膜が形成された後、凸部４２ａの上面及び側面に遮光膜２５が残るように当該大きなサイズの遮光膜をパターニングすることによって形成されてもよいし、ＣＶＤ法等の成膜を用いて凸部４２ａの上面及び側面に成膜されていてもよい。半導体層１ａが、３次元的に見てその上側及び側面側の夫々から遮光膜２５によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。その後、シリコン膜１ｓをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置の画像表示領域のうち非開口領域が占める割合を増大させることなく、画素スイッチング用素子等の半導体素子における光リーク電流を低減する。
【解決手段】第１層間膜（４１）は、第２遮光膜（１１）上に形成されている。第１層間膜（４１）は、第２遮光膜（１１）の形状に対応してＴＦＴアレイ基板１０の上方に向かって突出した第１突状部（４１ａ）を有している。このような第１層間膜（４１）は、半導体層（１ａ）の下地になる絶縁膜である。したがって、第２遮光膜（１１）上に第１層間膜（４１）が形成されるだけで、第１層間膜（４１）のうち第２遮光膜１１に重なる部分が第２遮光膜（１１）の形状に対応した形状を有する第１突状部４１ａになる。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置において、画素ピッチの微細化に対する要請に応じつつ、当該微細化によって得られるべき表示性能の向上を十分に享受可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ドレイン領域（１ｄ）の夫々の幅（Ｗ１）は、幅方向に沿って、チャネル領域（１ｃ）の幅（Ｗ３）より細い。加えて、ドレイン領域（１ｄ）の夫々の厚み（Ｔ１）は、チャネル領域（１ｃ）の厚み（Ｔ３）より薄い。したがって、ＴＦＴ（３０）のドレイン領域（１ｄ）の側面及び上面からなる表面の面積は、比較例に係るＴＦＴのドレイン領域の表面の面積より小さい。よって、ＴＦＴ（３０）によれば、ゲート電極（３ａ２）で遮光されないドレイン領域（１ｄ）の夫々の表面積を低減することができ、ＴＦＴ（３０）の上側から３次元的に照射される光のうちドレイン領域（１ｄ）が受ける光量を低減することが可能であり、光リーク電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】画像の表示とタッチ入力とを行うことができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】一対の基板２，３のうちの一方の基板３の内面に、複数の画素電極４と、これらの画素電極４にそれぞれ接続され、走査線１１からの走査信号の供給によってオンし、データ信号が供給される信号線１２と前記画素電極４とを電気的に接続する複数のＴＦＴ５とを設け、他方の基板２の内面に、複数の画素電極４と対向する領域により複数の画素を形成する対向電極１６を設け、前記対向電極１６に、予め定めた複数の位置の複数の画素にそれぞれ部分的に対応させて、一対の基板２，３間の間隙よりも小さい高さに突出し、観察側の基板２の外面側からのタッチの押圧力による撓み変形によって前記画素電極４に接触する複数のタッチ入力用接点１６ａを設け、前記一対の基板２．３間の間隙に液晶層２４を封入した。 （もっと読む）

【課題】光学機能フィルムを用いて液晶パネルの観察面での反射性が減少させる場合に顕在化する液晶セル内部からの反射光成分を減少させ、もって外光の映り込みを低減して、良好な表示特性を得ることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板間１１，１３に狭持された液晶層１５および透明基板の外側に配置された偏光板２３、２７を有する液晶パネル１０と、液晶パネル１０の少なくとも片面側に配置され外光の反射を抑える光学機能フィルム２９とを備え、一対の透明基板のいずれか一方の基板内面に、液晶層１５を駆動するためのスイッチング素子３５をマトリクス状に配置した液晶表示装置１００において、スイッチング素子３５を駆動するための駆動信号が入力されるゲート信号線を形成する導電性膜と、液晶パネル１０への表示信号が入力されるソース信号線を形成する導電性膜とのいずれかの膜上に反射防止膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を低コストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ＴＦＴ１００Ｐと、上部電極３０３と下部電極３０２とを有する蓄積容量１０３と、ＴＦＴ−下部電極間に形成された第１の層間絶縁膜（第１層間絶縁膜２２１）と、上部電極上に形成された第２の層間絶縁膜（第３層間絶縁膜２２３）と、第２の層間絶縁膜上に形成されたソース電極４０３及びドレイン電極（第１ドレイン電極４０２）とを含み、ソース電極は、第１、第２層間絶縁膜を貫通する第１のコンタクトホール５５１を介してＴＦＴのソース領域に、ドレイン電極は、第１、第２層間絶縁膜を貫通する第２のコンタクトホール５５２を介してＴＦＴのドレイン領域に接続され、下部電極は、第２層間絶縁膜を貫通する第３のコンタクトホール５５３を介してドレイン電極に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 アレイ基板及びこれの製造方法を提供すること。
【解決手段】 表示基板は、ベース基板の表示領域に形成され、互いに交差するゲート配線とデータ配線に接続されるトランジスタを含むトランジスタ層、トランジスタ層上の画素領域に形成されるカラーフィルタ、互いに異なるカラーフィルタとの間に形成され、光を遮断する第１遮光部材、第１遮光部材上に配置されて、第１遮光部材をカバーする第１透明部材、表示領域を取り囲むベース基板の周辺領域に形成され、カラーフィルタと同一物質からなる第１カラーパターン、及び第１透明部材と同一物質からなり、第１カラーパターンをカバーするように周辺領域に配置される第２透明部材を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層の段切れの発生を防止して製造歩留りを向上できる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＴＦＴ素子２０は、基板１１と、基板１１上に形成された遮光層２２と、遮光層２２を覆う絶縁層２４と、絶縁層２４上に形成されており、チャネル領域２１ｃを有する半導体層２１と、を備え、遮光層２２は、半導体層２１と平面的に交差する方向に直線状に延在するとともに、チャネル領域２１ｃの少なくとも一部に平面的に重なるように配置された第１の部分２２ａと、第１の部分２２ａの延在方向に沿うとともに、半導体層２１に平面的に重なるように配置された第２の部分２２ｂと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直入射される光の回折光を効果的に遮断するとともに、画素の開口面積を向上させること。
【解決手段】本発明は、駆動基板１上において表示領域の画素毎に形成される駆動トランジスタＴｒと、駆動トランジスタＴｒ上に層間絶縁膜Ｚ１を介して形成される第１表面遮光膜Ｓ１と、第１表面遮光膜Ｓ１上に形成され、表面が平坦化されている層間絶縁膜Ｚ２と、層間絶縁膜Ｚ２上に形成され、第１表面遮光膜Ｓ１より広く形成される第２表面遮光膜Ｓ２と、第２表面遮光膜Ｓ２上に形成され、表面が平坦化されている層間絶縁膜Ｚ３と、層間絶縁膜Ｚ３上に形成され、第２表面遮光膜Ｓ２と端部が揃うよう形成される第３表面遮光膜Ｓ３とを有する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶装置においては、反射電極が画素電極として用いられている。隣り合う画素電極の間には間隙が設けられている。しかし、この間隙により光利用効率が低下し、かつ滑らかな画質が得られない。そこで、間隙に入射した光を表示に利用するために、平面視にてこの間隙と重なる反射層を設ける技術が公知であるが、光の反射方向が制御されていないため、反射電極に対してほぼ垂直に入射した光のみしか有効利用できず、明るく滑らかな映像を表示できない。
【解決手段】凹形状の断面を有する反射層８を、平面視にて画素電極９の間に位置する間隙２と重なるように配置した。凹形状を有していることから、斜め方向から間隙２に入射された光も反射層８によって反射されて間隙２から射出される。そのため、明るく、かつ滑らかな映像を表示できる液晶装置１２０を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示パネルの周辺領域で発生する光漏れ及び外光反射を防止することによって表示品質を向上させた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、表示領域及び周辺領域を含む基板と、基板の表示領域に形成されている表示領域信号線と、基板の表示領域に形成されていて表示領域信号線に接続されている表示領域薄膜トランジスタと、基板の周辺領域に形成されている周辺領域信号線と、基板上に形成されていて、表示領域信号線、表示領域薄膜トランジスタ及び周辺領域信号線上に形成されている遮光部材と、遮光部材を貫通する接触孔を通じて周辺領域信号線を電気的に接続する透明連結部と、表示領域薄膜トランジスタと接続されている画素電極と、遮光部材上に形成されている有色の間隔材と、透明連結部上に間隔材と同一の材料を含んで形成されていて、少なくとも接触孔を覆う遮光補助部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対する遮光メタルを、より少数のフォトリソグラフィ工程で形成した表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決しようとする手段】透明基板ＧＡの上側に積層されたゲート電極ＧＴと、透明基板ＧＡとゲート電極ＧＴの間に積層されて、ゲート電極ＧＴとともに薄膜トランジスタを構成する半導体膜Ｓと、半導体膜Ｓと透明基板ＧＡとの間に積層されて、透明基板ＧＡから入射する光から半導体膜Ｓを遮光する遮光メタルＬＳと、遮光メタルＬＳと半導体膜Ｓとの間に積層されて、これらを絶縁する絶縁膜ＧＩ１とを含み、絶縁膜ＧＩ１は、半導体膜Ｓに応じた形状で積層され、遮光メタルＬＳは、絶縁膜ＧＩ１に応じた形状で積層されることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）