【課題】半導体膜に対する遮光メタルを、より少数のフォトリソグラフィ工程で形成した表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決しようとする手段】透明基板ＧＡの上側に積層されたゲート電極ＧＴと、透明基板ＧＡとゲート電極ＧＴの間に積層されて、ゲート電極ＧＴとともに薄膜トランジスタを構成する半導体膜Ｓと、半導体膜Ｓと透明基板ＧＡとの間に積層されて、透明基板ＧＡから入射する光から半導体膜Ｓを遮光する遮光メタルＬＳと、遮光メタルＬＳと半導体膜Ｓとの間に積層されて、これらを絶縁する絶縁膜ＧＩ１とを含み、絶縁膜ＧＩ１は、半導体膜Ｓに応じた形状で積層され、遮光メタルＬＳは、絶縁膜ＧＩ１に応じた形状で積層されることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置などの偏光子を有する表示装置のさらなる薄型化、軽量化を可能にする。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とを対向配置させた表示パネルを有する表示装置であって、前記第１の基板は、樹脂でなる絶縁基板１００と、複数個のＴＦＴ素子がマトリックス状に配置されている回路を有する回路層１０４と、前記絶縁基板１００と前記回路層１０４との間に配置されている偏光子１０２とを有し、前記絶縁基板１００は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が３００℃以上である表示装置。 （もっと読む）

【課題】遮光層を有する構成でも、遮光層を有していない構成に対して液晶装置の製造工数や製造コストの上昇を抑えることができる半導体膜の形成方法および液晶装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体膜４０の形成方法は、基板１１上に、断面形状が台形状の遮光層２１ａを局所的に形成する遮光層形成工程と、遮光層２１ａを覆って、遮光層２１ａに重なる段差部２２ａを備えた絶縁層２２を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層２２上に、段差部２２ａを覆う非晶質の半導体膜４０を形成する半導体膜形成工程と、半導体膜４０をアニールして結晶化させる結晶化工程と、を備え、遮光層形成工程では、遮光層２１ａにおける上底側の角部Ｃ１，Ｃ２が直角または鈍角をなして角張るように形成し、絶縁層形成工程では、絶縁層２２の段差部２２ａにおける表面が角部Ｃ１，Ｃ２の形状に沿った形状となるように形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な表示品位を実現することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した構成の液晶表示装置であって、
アレイ基板ＡＲは、絶縁基板３０と、絶縁基板の上において各画素ＰＸの行方向に沿って延出したゲート線Ｙと、ゲート線を覆うように配置された第１絶縁膜ＩＬ１と、第１絶縁膜の上において各画素に配置された画素電極Ｅ１と、第１絶縁膜の上に配置され画素電極の間を列方向に沿って延出したソース線Ｘと、画素電極及びソース線を覆うように配置された第２絶縁膜ＩＬ２と、第２絶縁膜の上において各画素の画素電極と対向するとともにゲート線と対向するように配置され画素電極と対向するスリットＳＬが形成されたコモン電極Ｅ２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】額縁効果を発揮する周縁領域の一部に駆動回路パターン及び駆動回路を形成することにより面積を最小化できる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】前記液晶表示素子は、複数のゲートライン及びデータラインにより定義され、複数の薄膜トランジスタを備えて画像を実現する表示領域と、反射層が備えられて入力される光を反射する反射モードで色を実現する第１領域、並びに入力される光を遮断して駆動回路パターン及び駆動回路を備える第２領域からなり、前記表示領域の外縁部に形成されて設定された輝度の色を実現する周縁領域と、前記周縁領域の外縁部に形成されて駆動回路を備える外郭領域とからなる。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良が発生するのを抑制しながら、より透過率を高くすることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置１００は、共通電極１ｅおよび画素電極１ｄを含む一方基板１０と、一方基板１０と液晶１２を挟んで設けられた他方基板２０とを備え、液晶１２は、誘電率異方性Δεが負であり、一方基板１０と他方基板２０とのギャップ長ｄが２．５μｍ以下で、屈折率異方性Δｎとギャップ長ｄとの積であるΔｎｄが０．３４μｍ未満になるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の増加を抑制できる薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】薄膜トランジスタが基板に形成されている表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、前記基板側から、ゲート電極、前記ゲート電極をも被って形成されるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜の上面に前記ゲート電極を跨いで形成される半導体層を備え、
前記半導体層は、チャネル領域、ソース・ドレイン領域が形成されているとともに、前記チャネル領域とソース・ドレイン領域の間にＬＤＤ領域を有し、
平面的に観て、前記チャネル電極は前記ＬＤＤ領域側に張り出すことなく前記ゲート領域と重ねられて形成され、非導電性の光吸収材層が、前記ＬＤＤ領域と重ねられて、前記ゲート電極と同層にあるいは前記ゲート電極の下層に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを構成する半導体層の微細化に適しており、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減可能とする。
【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、下側遮光膜（１１ｂ）を形成する工程と、下地絶縁膜（１２）上に半導体膜（１ａｐ）を形成する工程と、半導体膜上に酸化防止膜（７００）を形成する工程と、酸化防止膜及び半導体膜を一括でパターニングすることにより、半導体層（１ａ）を形成する工程と、半導体層上に酸化防止膜が形成された状態で、酸化処理を施すことにより、半導体層の側面を酸化する工程と、酸化防止膜をマスクの一部として、下地絶縁膜に対してエッチング処理を施すことにより、下地絶縁膜にコンタクトホール（８１０）を開孔する工程と、下側遮光膜にコンタクトホールを介して接続するように、ゲート電極を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光書込型の表示媒体について簡易な構成で容易に従来の光書込型の表示媒体の構成を大きく変更することなく画像部露光による画像書込を可能とする。
【解決手段】コレステリック液晶層にかかる分圧が露光光の非露光時にコレステリック液晶層のフォーカルコニックからホメオトロピックへの状態変化の閾値を超える値となる電圧値であり、且つ第1の電荷発生層で発生した電荷が阻止層側へ流れる極性の電圧を一対の電極間に印加し、表示する画像に対応する領域に露光光を露光することによって該コレステリック液晶層へ画像を書き込んだ後に、一対の電極間への電圧印加を解除することにより露光光の露光された領域をホメオトロピックからフォーカルコニックに状態変化させると共に該露光光の非露光領域をホメオトロピックからプレーナーに状態変化させて画像を確定させる。 （もっと読む）

【課題】表示画像の輝度を適切に設定することができる電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、第１と第２基板で構成された一対の基板と、第１基板１０上に形成された画素領域と、画素領域周辺部に形成された受光素子と、第２基板上の画素領域周辺部に対向する位置に形成された遮光膜と、受光素子に形成されたＰ型半導体領域２１０ｐ、イントリンシック領域２１０ｉ及びＮ型半導体領域２１０ｎと、遮光膜のイントリンシック領域２１０ｉと対向する位置に形成された開口部と、を有し、平面的に見て、第１基板１０上で開口部とイントリンシック領域２１０ｉが重なる部分には、遮光性金属膜が配置されていない。 （もっと読む）

【課題】画素電極の間隙に入射した漏れ光が画素電極の裏面や遮光膜の表面に対して小さい角度で入射した場合においても、従来よりも遮光性を向上させることが可能な液晶表示素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１、半導体基板１の上方に配置された遮光膜６、及び遮光膜６の上方に第１の間隙を有して配置された画素電極７を有する駆動基板３０と、駆動基板３０の上方に第２の間隙を有して配置され、画素電極７と対向する透明電極４２を有する透明基板４０と、第２の間隙に充填された液晶ＬＣと、を備え、第１の間隙には、所定の屈折率を有する第１の絶縁層４と、所定の屈折率とは異なる屈折率を有する第２の絶縁層２０とが、画素電極７及び遮光膜６の各表面に沿う方向に交互に配置されている構成とした。 （もっと読む）

【課題】 大型化しても、表示品位を損なうことなく長期残像を緩和することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示パネル４２の共通電極５３が複数に分割して形成され、分割されている第１〜第４共通電極５３ａ〜５３ｄのそれぞれの部分に、共通電極駆動部によって個別に電位を付与するので、ＴＦＴ１６および画素電極１１の形状のばらつきが生じたり、配線容量が増大したりしても、第１〜第４共通電極５３ａ〜５３ｄのそれぞれにおいて電位を調整しておくことができる。 （もっと読む）

【課題】開口率の低下を抑制しつつ、斜め視野で見られる白浮きが抑制され、良好な表示品位が得られる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】対向配置された２枚の基板と、上記２枚の基板間に挟持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、上記２枚の基板の一方は、ストライプ状に配置された枝部を含む画素電極を有し、上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、かつ電圧印加時に上記液晶分子の長軸が画素電極の枝部の延伸方向と平行に配向し、上記画素電極が形成された基板は、画素電極の枝部の先端と重畳する遮光体を有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】表示領域を可及的に拡大することにある。
【解決手段】互いに対向して配置された一対の基板と、それらの一対の基板及びを互いに接着するための枠状のシール材２６と、シール材２６に重なるように枠状に設けられた遮光部２１とを備え、遮光部２１の内側に画像表示を行う表示領域Ｄが規定された表示パネル３０ａであって、シール材２６は、線状にそれぞれ形成された複数の線状部２６ａと、隣り合う各線状部２６ａを互いに連結して各線状部２６ａよりも幅広にそれぞれ形成された複数の連結部２６ｂとを有し、遮光部２１は、各線状部２６ａの内側辺及び各連結部２６ｂの内周縁に沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】黒表示の状態で画素の開口部分から漏れる光の量を低減することにより、コントラスト比の高い鮮明な画像を実現する。
【解決手段】液晶層と、液晶層を介して対向する一対の基板と、一対の基板のうち、駆動基板に設けられた、画素駆動用のスイッチング素子となる薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒへの光の入射を防止すべく、駆動基板に設けられた複数の遮光層３１，３２とを備える液晶表示素子の構成として、複数の遮光層３１，３２のうち、画素の開口を規定する遮光層３１を、他の遮光層３２よりも光の反射率が低い材料で形成した。 （もっと読む）

【課題】例えば、スパッタリング法を用いて薄膜を形成する際の生産性を向上させる。
【解決手段】形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ／Ｎｄ薄膜である場合には、出力パワーは、５．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、０．１〜１．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ａ）。続く、スパッタ条件Ａ下で薄膜を形成する際、Ａｒガスのプラズマ及びＡｌイオンが第１ターゲット部材（９１）及び第２ターゲット部材（９２）の両方に衝突し、Ａｌ原子及びＮｄ原子の夫々がターゲット（３）から叩き出され、基板に付着する。これにより、基板にＡｌ／Ｎｄ合金からなる薄膜が形成される。一方、形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ薄膜である場合には、出力パワーは、２．０〜５．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、１．０〜２．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】斜め視野角からの光漏れによる表示不良を改善し、開口率が高く、高品位な半透過型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と第２の基板の間に液晶層を挿入して構成される液晶セルを備え、液晶セルは、一画素に反射領域と透過領域を有する。反射領域と透過領域の境界またはその近傍の、第１の基板および第２の基板に、第１の遮光層および第２の遮光層をそれぞれ対向して設けた。 （もっと読む）

【課題】 黒表示の均一性を向上させ、画質を改善することが可能なアクティブマトリクス基板および反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 反射型液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板は、反射電極４ａとスイッチング素子２とを有する画素１が複数配置された画像表示領域１０と、反射電極４ｂを有して黒表示のみを行うための画素が画像表示領域１０より外側に複数配置された黒表示領域１１と、スイッチング素子２と反射電極の層との間に配置された配線層１１１と、配線層１１１と反射電極の層との間に配置された遮光層１１３と、画像表示領域１０内で配線層１１１と遮光層１１３との間に配置され、反射電極４ａとスイッチング素子２とを電気的に接続するためのスルーホール１１２ａと、黒表示領域１１内で配線層１１１と遮光層１１３との間に配置され、スイッチング素子２と電気的に分離されたスルーホール１１２ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＣＯＳを大きな光照射部を有する光変調装置に用いると、光照射部内に画素電極接続部が線状の影として現れてしまい、光の反射が不均一になるという不具合があった。また画素電極接続部の周囲からの光漏れにより画素電極を駆動する駆動素子が誤動作してしまうことがあった。
【解決手段】光照射部を有し、短辺同士が対向するように、２列に一定間隔離間して平面的に配置され、光変調物質を駆動する複数の矩形形状の画素電極と、画素電極の下方に配置され、前記画素電極を駆動する駆動素子と、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部とを備え、画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）